【課題】ステージ上で大きく撓むようなマスク基板の欠陥を高精度に検出できるようにする。
【解決手段】マスク基板の対向する二辺を検査テーブル手段の基板支持部となる傾斜面に載置すると共にマスク基板の下面にエア浮上ステージ手段からエア噴流を吹き付けることによってマスク基板が撓まないようにする。さらに、マスク基板の対向する二辺の上面側からエア噴流を吹き付けてマスク基板の下側辺を傾斜面に押し付け、マスク基板の二辺を検査テーブル手段に固定的にエア挟持させる。マスク基板の下面にエア噴流を吹き付けることでマスク基板の撓みを矯正することができ、基板検査装置は撓みの矯正されたほぼ平面状のマスク基板の欠陥を高精度に検出することができる。 （もっと読む）

【課題】回折光や散乱光等の外乱による影響を受けにくく、パターンの微細化に十分対応できる基板検査装置及びマスク検査装置を実現する。
【解決手段】本発明による基板検査装置は、検査データの取得と対物レンズ（８）の焦点データ信号の取得を並行して行う。検査中に対物レンズの光軸方向の位置を制御するオートフォーカス装置は、焦点誤差信号を出力する焦点誤差検出手段（４０）と、対物レンズ位置信号又は焦点誤差信号が加算された対物レンズ位置信号により構成される焦点データ信号を用いて対物レンズの光軸方向の位置を制御する焦点制御信号を走査ラインごとに生成する焦点制御信号生成手段（６０）とを有する。ｉを正の整数とした場合に、ｉ番目の走査ラインの走査により取得した焦点データ信号を用いて生成された焦点制御信号は、（ｉ＋２ｍ）番目の走査ラインを走査するときの焦点制御信号として用いられる。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光源を用いたＥＵＶマスク検査装置において、ＥＵＶ光の利用効率を高めること。
【解決手段】本発明のＥＵＶマスク検査装置は、光源ガスを用いてＥＵＶ光を発生するＥＵＶ光発生手段と、ＥＵＶ光発生手段に光源ガスを供給する光源ガス供給手段と、を備える光源チャンバーと、ＥＵＶ光発生手段で発生したＥＵＶ光を選択的に透過させるフィルタと、第１排気手段と、を備える補助チャンバーと、フィルタを透過したＥＵＶ光を検査対象に導く検査光学系と、第２排気手段と、を備える検査光学系チャンバーと、を具備する。ここで、本発明のＥＵＶマスク検査装置は、光源チャンバーと補助チャンバーと検査光学系チャンバーは空間的に接続されており、第１排気手段及び第２排気手段により補助チャンバーと検査光学系チャンバーとの間で差動排気を行う。 （もっと読む）

【課題】検査時間および労力を低減できるマスク検査方法およびその装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、マスク検査方法は、半導体露光用マスクに任意波長の光を入射させ撮像部にて像を取得する光学系を用いて、前記マスクの欠陥の有無を検査する方法であって、予め前記光学系による点像を、前記撮像部の読み出し方向に伸長される制御条件を取得する第１ステップ（Ｓ２０３）と、前記制御条件により、マスクの所望の領域の像を取得する第２ステップ（Ｓ２０５）と、取得した前記所望の領域の像において、信号強度が予め定めておいた第１閾値以上であり、前記信号強度の前記読み出し方向における差分が予め定めておいた第２閾値以下であるピーク信号が存在する場合、前記ピーク信号の座標を欠陥として判定する第３ステップ（Ｓ２０６）とを具備する。 （もっと読む）

【目的】コヒーレント光の干渉性をより排除することが可能な照明装置を提供する。
【構成】照明装置３００は、コヒーレント光を発生する光源１０３と、ランダムに配置された、波長以下の高さの複数の段差領域が形成され、光源からの光線を通過させて位相を変化させる回転位相板１４と、複数のレンズがアレイ状に配列され、回転位相板を通過した光線を通過させるインテグレータ２０と、を備え、複数の段差領域の最大サイズと回転位相板から蝿の目レンズの入射面までの光学倍率の積が、複数のレンズの配列ピッチ以下となる箇所と、複数のレンズの配列ピッチより大きくなる箇所とが混在するように構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】検査対象であるフォトマスクに所定波長の光束を照射し、フォトマスクを経た光束を撮像手段によって撮像して光強度データを求めるフォトマスクの検査方法において、実際の露光を行う露光装置との条件整合を良好に行う。
【解決手段】エッチング加工がなされる被加工層上に形成されたレジスト膜に対してフォトマスクを用いてｇ線、ｈ線及びi線の波長成分を含む露光光の露光を行い、レジスト膜をエッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなすためのフォトマスクの検査に用いるテストマスクであり、露光光を透過させる透過部、遮光する遮光部、及び、一部を低減させて透過させるグレートーン部とを有するテストパターンを形成したテストマスクにおいて、テストパターンが一定の規則に基づいてパターン形状が逐次変化された複数の単位パターンが配列された部分を含み、パターン形状の逐次変化により、各単位パターンにおけるグレートーン部の幅をそれぞれ異ならせる。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶリソグラフィレチクルといった物品の汚染物質粒子を検出するための検査方法を提供する。
【解決手段】検査方法は、物品に蛍光染料物質を塗布することと、蛍光染料物質を励起するのに適した波長における放射を用いて物品を照明することと、第１の放射とは異なる波長における蛍光染料による第２の放射の放出について物品をモニタリングすることと、第２の放射を検出した場合には汚染を表す信号を生成することとを含む。一例では、低親和力コーティングといった手段がレチクルに塗布されて、染料分子に対する親和力を減少する一方で、染料分子は物理または化学吸着によって汚染物質粒子に結合する。染料は、疎水性または親水性によって高められる蛍光挙動を有するように選択されてよく、また、汚染物質表面はバッファコーティングによって適宜処理される。 （もっと読む）

【課題】単一ビームや単針を走査する方法と比べて短時間にパターンを検査することができるパターン形成部材の検査方法及び装置、並びにパターン形成部材を提供する。
【解決手段】被転写材料に転写すべきパターン３とプラズモン共鳴構造体４とを有するパターン形成部材１を準備し、プラズモン共鳴構造体４に光を照射してプラズモン共鳴構造体４のプラズモン共鳴の吸収特性を計測し、吸収特性に基づいてパターン３を検査する。 （もっと読む）

【課題】異なるパラメータを使用して試験片の検査を行う方法とシステムを提供する。
【解決手段】コンピュータによって実施される方法は、選択された欠陥に基づいて検査のための最適パラメータを決定することを含む。また該方法は、検査に先行して、検査システムのパラメータを最適パラメータに設定する。別の該方法は、約３５０ｎｍより下の波長を有する光と、約３５０ｎｍより上の波長を有する光を用いて試験片を照明する。また該方法は、試験片から収集された光を表す信号を処理し、試験片上の欠陥または工程の変動を検出する。試験片を検査する１つのシステムは、広帯域光源５０４に結合された第１の光学サブシステムと、レーザ５０３に結合された第２の光学サブシステムを含む。またこのシステムは第１と第２の光学サブシステムから、光を試験片上に集束させる対物鏡５０７に光を結合するように構成された第３の光学サブシステムも含む。 （もっと読む）

【課題】効率的な試料表面検査システムを提供する。
【解決手段】試料の表面を平坦化する表面平坦化機構と、試料上に抵抗膜を形成する抵抗膜コーティング機構と、試料表面の評価を行う表面検査機構を備えている。表面検査機構は、紫外線発生源３０と、電磁波を試料表面に斜め方向から導く光学系と、試料表面から放出された電子を試料表面に直交する方向に導く写像光学系４０と、検出器５０と、画像形成／信号処理回路６０とを備えている。写像光学系は、３つのレンズ系４１〜４３と、アパーチャ４４とを備えている。紫外線源の代わりにＸ線源を用いてもよい。また、電子線源から生成された電子線を試料の表面上に導く装置を設け、電磁波照射装置及び電子線照射装置の一方又は両方を駆動して、電磁波又は電子線の一方又は両方を試料の表面に照射するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】 マスクに対して早期の欠陥発見を可能とし、スループットの向上に寄与する。
【解決手段】 パターン描画装置とパターン検査装置とを接続してなるパターン描画システムであって、パターン描画装置１００は、描画時に基板から放出される２次電子を電子検出器１２０で検出し、得られた描画結果データを基に欠陥予報データを作成し、この欠陥予報データをＬＡＮ１３０を介してパターン検査装置２００に送出し、パターン検査装置２００は、パターン描画装置１００から出力された欠陥予報データを取り込み、欠陥予報データに基づいて検査の優先順位を決定する。 （もっと読む）

【課題】周期性のあるパターンにおいて、回折光量差によるコントラストからパターン変動発生箇所を精度良く識別し、かつ、その変動発生周期を簡便に導出することによってパターン描画装置の状態監視を実施できるパターン描画装置の状態監視方法を提供する。
【解決手段】描画装置によって周期性パターンが形成された基板に照明光を斜め入射し、周期性パターンにより生じる回折光を用いて画像取得を行い、処理判定を行うパターン描画装置向け状態監視方法であって、前記周期性パターンのパターン情報入力工程と、位置決め工程と、パターンピッチと撮像分解能の関係から撮像倍率を決定するための撮像倍率設定工程と、デフォーカス工程と、デフォーカスさせた位置において、前記基板の周期性パターンを撮像し被処理画像を取得する撮像工程と、前記基板上で発生しているむら欠陥の発生周期を求めるむら欠陥周期算出工程と、前記基板上で発生しているむら欠陥が描画装置起因のものであるかどうかの判定を行う判定工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造可能な検査装置を用いて、低メンテナンスコスト及び低検査コストで、マスクブランク用基板の内部欠陥（光学的不均一部分)を検出して、微細なパターニングに適応した基板、マスクブランク及び転写用マスクを高い歩留まりで製造する方法を提供する。
【解決手段】透光性材料からなる板状の基板２を準備する工程と、波長２００ｎｍ以下の検査光を基板２に照射し、基板２内を透過した透過検査光を板状の蛍光部材８で受光して蛍光に変換し、蛍光の強度分布から基板２の内部欠陥を検出する欠陥検査を行ない、内部欠陥がない基板２を選定する基板欠陥検査工程と、を有するマスクブランク用基板の製造方法、このマスクブランク用基板２の主表面４ａにパターン形成用の薄膜４２を形成するマスクブランク４０の製造方法、及びこのマスクブランクのパターン形成用薄膜４２の表面に転写パターンを形成する転写用マスク５０の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニング用フォトマスクの欠陥判定及び欠陥影響度を検証するフォトマスクの検査方法及びフォトマスクの検査装置を提供する。
【解決手段】複数のフォトマスクを使って描画パターンを形成するためのフォトマスク群の検査方法であって、複数のフォトマスクについてフォトマスク画像を取得するフォトマスク画像取得工程と、フォトマスク画像を重ね合わせ、重ね合わせ画像を取得する画像重ね合わせ工程と、重ね合わせ画像から描画パターンへの影響を検査する検査工程と、を備えることを特徴とするフォトマスク群の検査方法。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光およびマスクパターンの検査光の波長域に対する反射率が低く、特に、マスクパターンの検査光の全波長域（１９０〜２６０ｎｍ）に対して低反射特性を示し、かつレジストとの密着性が良好な低反射層を有するＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの提供。
【解決手段】基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層と、マスクパターンの検査光（波長１９０ｎｍ〜２６０ｎｍ）に対する低反射層と、が、この順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記低反射層が、アルミニウム（Ａｌ）およびジルコニウム（Ｚｒ）のうち少なくとも一つと、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）のうち少なくとも一つと、を含有することを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。 （もっと読む）

【課題】反射型フォトマスクのパターン非開口部にかかる反射防止膜の製造を容易に行うことができ、且つ、波長範囲１９０ｎｍ〜２６０ｎｍの検査光全てに対して反射防止機能を有する反射防止膜を具備する反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク、並びに反射型フォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成された露光光を反射する反射膜と、露光光を吸収し、反射膜上に形成された吸収体と、吸収体上に形成され、検査光の反射を防止する、酸素原子数が化学量論組成比よりも少ない低級酸化物からなる反射防止膜と、を備えることを特徴とする反射型マスクブランクス。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板内部の表面近傍を含む全ての領域の内部欠陥を確実に検出して欠陥のない製品を製造可能にする。
【解決手段】 板状ガラスをマスクブランク用ガラス基板の形状に加工する１次形状加工工程と、前記ガラス基板の一端面を鏡面研磨し、波長２００ｎｍ以下の検査光を導入して内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査し、蛍光が検出されないガラス基板を選定する欠陥検査工程と、前記選定されたガラス基板を研削および研磨を行う２次形状加工工程とを有し、前記欠陥検査工程における前記ガラス基板内の内部欠陥から蛍光が発生するのに必要な強度の検査光が届く領域の両主表面間方向の幅は、２次形状加工工程後のガラス基板の両主表面間の厚さよりも大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】擬似欠陥を低減させるパターン検査を行う装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のパターン検査装置１００は、パターン形成されたフォトマスク１０１における光学画像データを取得する光学画像取得部１５０と、パターンの設計データを画像データに展開して展開画像データを生成する展開回路１１１と、展開画像データに対してひずみ処理を行い、ひずみ画像データを生成するひずみ画像生成回路１４０と、画素毎に、展開画像データとひずみ画像データとの差異を示す非類似指数を算出する非類似指数算出回路１４２と、展開画像データに対してデータ処理を行い、光学画像データと比較するための基準画像データを生成する基準画像生成回路１１２と、画素毎に、非類似指数に応じた判定条件で、光学画像データと基準画像データとを比較する比較回路１０８と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造に用いるパターンの補正処理で、高速でしかも高精度に補正処理を行うことができるパターン補正装置を提供する。
【解決手段】透過率または反射率を変化させることが可能なドット状のセルが複数配列して形成されるパターン形状可変マスク１２と、光を検出するドット状の光センサセルが複数配列して形成され、パターン形状可変マスク１２のセルによって形成されるマスクパターンの光学像を検出する受光素子部１４と、パターン形状可変マスク１４に照明部１１から照射された光を受光素子部１４に結像させる投影光学系１３と、設計レイアウトの形状に対応してパターン形状可変マスク１２のセルを制御してマスクパターンを形成し、マスクパターンに照射された光によって受光素子部１４で得られる光学像と設計レイアウトとの差分が所定の範囲内となるようにマスクパターンの補正量を決定する制御部２３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】検査中のパターン面へのパーティクルの落下を抑制すること。
【解決手段】本発明の一態様に係るＥＵＶマスク検査装置１００は、ＥＵＶマスク２０のパターン面２１を上側にした状態で、当該ＥＵＶマスク２０を載置するステージ７と、ＥＵＶマスク２０の検査中に、パターン面２１を覆うように、当該パターン面２１に平行に配置される平板状のツバ５とを備える。ツバ５は、ＥＵＶマスク２０のパターン面２１に検査光を集光する対物レンズ４の周囲に取り付けられている。 （もっと読む）