【課題】ナノインプリント用テンプレートの欠陥部を荷電ビームにより修正する欠陥修正方法であって、荷電ビームによる電荷の滞留を低減し、電荷滞留による修正箇所の位置ずれがなく所望の欠陥修正をすることが可能な欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】テンプレートの欠陥部を含む一主面上に導電性高分子を塗布して導電膜を形成する工程と、前記導電膜を形成したテンプレートを走査型電子顕微鏡を有する装置内に設置し、欠陥検査装置の検査データをもとにして前記欠陥部を検出し、欠陥部の修正すべき領域を決定する工程と、修正すべき領域に荷電ビームを照射し、修正すべき領域の導電膜部分を除去し、欠陥部を露出させる工程と、露出させた欠陥部にアシストガスを吹き付けながら荷電ビームを照射し、欠陥部をエッチングして修正する工程と、導電膜を除去する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】位相欠陥と表面異物とを識別できるＥＵＶマスク検査装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るＥＵＶマスク検査装置は、ＥＵＶ光を出射するＥＵＶ光源１００ａと、ＥＵＶ光を伝播する第１多層膜楕円面鏡１０３ａ、第２多層膜楕円面鏡１０３ｂ、落とし込みＥＵＶミラー１０５を含む光学系と、ＥＵＶ光の光軸と同軸に導入され、光学系で伝播される紫外光を出射するＡｒＦエキシマレーザ１００ｄとを備える。紫外光は、ＥＵＶ光の光軸上に挿入された振り込みミラー１１３により反射され、ＥＵＶ光と同軸に導入される。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム又はイオンビーム撮像機器による極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）マスク検査の技術を提供する。
【解決手段】結合モジュールは、開口を定める上側部分と、マスク接触要素と、チャック接触要素と、マスク接触要素と上側部分の間に接続された中間要素とを含むことができる。開口の形状及びサイズは、極端紫外線（ＥＵＶＬ）マスクのパターン転写区域の形状及びサイズに対応することができる。結合モジュールは、マスク接触要素がＥＵＶＬマスクの上側部分に接触した状態でチャック接触要素がＥＵＶＬマスクを支持するチャックに接触するような形状及びサイズとすることができる。結合モジュールは、ＥＵＶＬマスクがチャック上に位置決めされた時にＥＵＶＬマスクの上側部分とチャックの間に少なくとも１つの導電経路を更に提供することができる。 （もっと読む）

【課題】走査型電子顕微鏡で得られるパターンを撮像した画像から、フォトマスクのＯＰＣパターンの寸法を精度良く且つ容易に測定することができるパターン測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のパターン測定方法は、フォトマスクのＯＰＣパターンのうち、所望の範囲のパターンを包含する一回り大きい測定対象領域を設定し、測定対象領域のパターンの寸法を微小な領域毎に測定し、寸法の測定値を統計的に処理したものを曲線で近似し、近似曲線で表れるデータ群のうち、所望の範囲のパターン寸法に相当するデータ群の平均値を、所望の範囲のパターン寸法として推定する。 （もっと読む）

【課題】互いに多層膜の周期長の異なる複数のマスクブランクに対しても、検出感度の高い検査を実現する。
【解決手段】マスクブランクＭＢに関する情報に基づいてマスクブランクＭＢの表面に照射するＥＵＶ光ＢＭの入射角度を調整し、照明光学系を介して取り込まれたＥＵＶ光ＢＭをマスクブランクＭＢの被検査領域に照射する。ＥＵＶ光ＢＭの入射角度は、ミラー姿勢制御手段２３を用いて多層膜ミラーＰＭ１,ＰＭ２の位置および角度を制御することにより調整する。 （もっと読む）

【課題】マスク上に描画されたマスクパターンをより高い精度でかつ容易に評価可能な画像評価方法及び画像評価プログラムを提供する。また、所望の図形を描画可能な描画条件を算出する描画条件選択方法及び描画条件選択プログラムを提供する。
【解決手段】画像評価方法及び画像評価プログラムは、基準図形と描画図形の面積が同一又は略同一であるか否かを判定し、両図形の輪郭線から算出された点列を主成分分析して得られる第１主成分及び第２主成分との長さの比である基準図形長短比と描画図形長短比を用いて両図形の概形が類似であるか否かを判定し、基準図形及び描画図形の概形が類似であり、かつ、その面積が同一であると判定した場合に、基準図形及び描画図形が一致すると判定するものとした。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光リソグラフィ用マスクの位相欠陥を簡便に救済する技術を提供する。
【解決手段】ＥＵＶリソグラフィ用マスクの製造に用いるマスクブランクの位相欠陥検査工程で位相欠陥が検出された場合、前記位相欠陥が凹欠陥か凸欠陥かを判定し、前記位相欠陥の凹凸に応じて、前記ＥＵＶリソグラフィ用マスクの前記位相欠陥を含む部位を局所的にデフォーカスさせて露光を行うことにより、ＥＵＶリソグラフィ用マスクの位相欠陥を修正することなく、半導体ウエハへの回路パターンの異常転写を抑制する。 （もっと読む）

【課題】マスクブランクに存在する位相欠陥とＥＵＶＬ用マスクを製造した後に残存する位相欠陥との両方を感度良く検出する方法を提供する。
【解決手段】マスクブランクを検査する場合は、中心遮蔽ＮＡ以内で大きい照明ＮＡを有するＥＵＶ光を照射し、ＥＵＶＬ用マスクを検査する場合は、ＥＵＶ光を遮蔽する中心遮蔽部と、中心遮蔽部の直径よりも小さい幅を有し、ＥＵＶ光を遮断する線状遮蔽部とをその瞳面に有する暗視野結像光学系を用いて、線状遮蔽部の幅と同じ照明ＮＡまたは線状遮蔽部の幅よりも小さい照明ＮＡを有するＥＵＶ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】 マスク基板の欠陥検査を的確に行うことが可能なマスク基板の欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】 実施形態に係るマスク基板の欠陥検査方法は、マスク基板を載置したステージの走査とマスク基板の像を取得するＴＤＩカメラの電荷転送とを同期させない非同期状態で、マスク基板の非同期像を取得する工程Ｓ１２と、非同期像に基づいて、ある値以上の像強度を有する箇所の数を取得する工程Ｓ１３、Ｓ１４、Ｓ１５と、箇所の数に基づいて像強度の閾値を決定する工程Ｓ１６と、マスク基板を載置したステージの走査とマスク基板の像を取得するＴＤＩカメラの電荷転送とを同期させた同期状態で、マスク基板の同期像を取得する工程Ｓ１７と、同期像に基づいて、閾値以上の像強度を有する箇所を欠陥と判定する工程Ｓ１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光学的検査で検出された欠陥を、高精度で電子顕微鏡の観察視野に収めることができるパターン検査方法、フォトマスク、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態のパターン検査方法によれば、チップ領域に形成されたデバイスパターンと、チップ外領域に形成された第１のパターンと、チップ外領域に形成され第１のパターンとは異なる第２のパターンとをそれぞれ含む複数の領域が形成されたウェーハの光学的検査により、デバイスパターンの欠陥をウェーハ上での位置座標と対応づけて検出すると共に、第１のパターンとの比較から第２のパターンをウェーハ上での位置座標と対応づけて検出する。また、検出した第２のパターンの位置座標に電子顕微鏡の観察視野を合わせたときの観察結果に基づいて、デバイスパターンの欠陥の位置座標を補正する。 （もっと読む）

【課題】ウエハとマスクのように同等の回路パターンが形成されているが形状が異なる試料を一つの装置で検査することができる検査装置または検査方法を提供する。
【解決手段】検査装置が、形状が異なる複数の試料に対応した複数の搬送ホルダを備えることにより、同一試料室で異なる試料の検査を可能とする。更に、双方の試料に対する検査結果を照合する機能を備えることにより、欠陥と欠陥が生じる原因との関係を容易に解析できるようにする。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクのパターンの輪郭を的確に抽出することが可能な輪郭抽出方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、フォトマスク上に形成された披測定パターンの２次電子強度又は反射電子強度の２次元分布情報を走査型電子顕微鏡によって取得する工程Ｓ２と、２次元分布情報に基づき、披測定パターンに含まれる補正値取得用エッジについて第１の方法によってエッジ位置を抽出する工程Ｓ３と、２次元分布情報に基づき、補正値取得用エッジについて第２の方法によってエッジ位置を抽出する工程Ｓ４と、第１の方法によって抽出されたエッジ位置と第２の方法によって抽出されたエッジ位置との差を補正値として取得する工程とＳ５、２次元分布情報に基づき、披測定パターンに含まれる所望エッジのエッジ位置を第２の方法によって抽出する工程Ｓ６と、所望エッジのエッジ位置を補正値に基づいて補正する工程Ｓ７とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、輪郭線が周期性を有する描画パターンのパターン幅を、精度よく測定できるパターン幅測定プログラム、パターン幅測定装置を提供する。
【解決手段】測定プログラム５５ａは、複数の単位形状３が一定の配列ピッチＰで配置された段付データ２に基づいて描画され、周期性を持つ輪郭線５ａを有する段付パターン５を測定する測定装置５０を、段付パターン５の測定領域ＡでのボックスＢ１〜Ｂ３のボックス長さＬ１を、単位形状３の配列ピッチＰに対応した長さに設定するボックス設定部５６ｃと、ボックス設定部５６ｃが設定したボックスＢ１〜Ｂ３の段付パターン５の幅を、一定の間隔毎に測定してパターン幅測定データを取得する電子顕微鏡５４と、電子顕微鏡５４が取得したパターン幅測定データに基づいて、ボックスＢ１〜Ｂ３内で平坦化したパターン幅を算出するパターン幅算出部５６ｆと、して機能させる。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光を検査光とする多層膜マスクブランクのマスクブランク検査装置において、プラズマ光源の位置を短時間で、かつ正確に位置決めする。
【解決手段】ＥＵＶ光検出用フォトダイオード２４によりＥＵＶ光を捉えるマスクステージ７の位置をあらかじめ記憶し、この位置におけるＥＵＶ光の第１強度分布を計測しておく。光源６を再設置した後、ＥＵＶ光を捉えるマスクステージ７の位置でのＥＵＶ光の第２強度分布をＥＵＶ光検出用フォトダイオード２４の位置座標の関数として計測し、第１強度分布と第２強度分布とが一致するように光源微動機構２３によって光源６を移動させる。さらに、散乱体２５にＥＵＶ光を照射し、散乱したＥＵＶ光の第３強度分布を２次元アレイセンサーＳＥで検知し、第３強度分布に応じて、光源６を光源微動機構２３によって移動させる。 （もっと読む）

【課題】効率的な試料表面検査システムを提供する。
【解決手段】試料の表面を平坦化する表面平坦化機構と、試料上に抵抗膜を形成する抵抗膜コーティング機構と、試料表面の評価を行う表面検査機構を備えている。表面検査機構は、紫外線発生源３０と、電磁波を試料表面に斜め方向から導く光学系と、試料表面から放出された電子を試料表面に直交する方向に導く写像光学系４０と、検出器５０と、画像形成／信号処理回路６０とを備えている。写像光学系は、３つのレンズ系４１〜４３と、アパーチャ４４とを備えている。紫外線源の代わりにＸ線源を用いてもよい。また、電子線源から生成された電子線を試料の表面上に導く装置を設け、電磁波照射装置及び電子線照射装置の一方又は両方を駆動して、電磁波又は電子線の一方又は両方を試料の表面に照射するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】広視野かつ高精細なＳＥＭ画像を容易かつ高速に生成することの可能なマスク検査装置及び画像生成方法を提供すること。
【解決手段】マスク検査装置は、電子ビームを試料上に照射する照射手段と、試料上から発生する電子の電子量を検出する電子検出手段と、画像処理手段と、記憶手段と、指定された試料の観察領域のサイズから全体の合成画像を形成する分割画像の分割数を算出し、隣接する分割画像が相互に重なるように分割領域を決定し、各分割領域毎の分割画像を取得して記憶手段に格納する制御手段とを有する。制御手段は、指定された一つの分割画像から所定の順序で隣接する分割画像を抽出し、隣接する２つの分割画像毎に重複領域に含まれる同一のパターン形成領域の画像を検出して合成基準画像とし、合成基準画像を基に隣接する２つの分割画像を合成して、観察領域の全体のＳＥＭ画像を形成する。 （もっと読む）

【課題】マイクロリトグラフィー用マスクなどの対象物の検査装置。
【解決手段】対象物から放出される照明光をより長波長の光線へ変換するためのコンバータ、および画像記録のためのセンサが装備されていて、そのセンサが真空チェンバの外側にあって、真空チェンバからコンバータのセンサに到るまでの光学インタフェースとして配置されている、または結像対物レンズＯの少なくとも一部が窓として真空チェンバ内に配置されている、真空チェンバ内に存在する、特にマイクロリトグラフィー用マスクなど対象物ＯＦの検査装置。 （もっと読む）

【課題】走査型電子顕微鏡で得られる画像から微細パターンの側壁角度を精度良く測定することができる微細パターン測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の微細パターン測定方法は、微細パターンを電子線で走査し得られた走査画像から信号プロファイルを生成する。前記信号プロファイルから微細パターン中のパターン平坦部に相当する輝度値を抽出する。走査画像の各画素の輝度値は、画像中の最大輝度値を基準とした圧縮比による規格化処理を施したものである。したがって、パターン平坦部の輝度値は、微細パターンの側壁角度に依存した値となる。そのため、前記輝度値を側壁角度の指標値として、微細パターンの側壁角度を算出することで、走査型電子顕微鏡のビーム径よりも狭い幅に相当する急峻な側壁角度も精度良く測定することが出来る。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶマスクの反射層の反射率を大幅に低下させることなく欠陥修正を行うこと。
【解決手段】水素イオンビームを発生する電界電離型イオン源と、水素イオンビームをＥＵＶマスク上に集束させ、走査照射するイオン光学系と、ＥＵＶマスクを載置する試料台と、ＥＵＶマスクから発生する二次荷電粒子を検出する検出器と、検出器の出力信号に基づいてＥＵＶマスクの観察像を形成する像形成部と、を有する装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光を用いたリソグラフィにおいて使用する反射型フォトマスクのパターン寸法を計測する際に帯電によって計測精度が低下するのを防止する。
【解決手段】基板１０の上にモリブデンとシリコンを交互に積層した多層膜２０を形成する。多層膜２０の最上層として、モリブデン、シリコンあるいは他の材料でキャッピング層２１を積層する。キャッピング層２１の上にはパターンを形成するための吸収層３０を積層する。公知のリソグラフィ技術などを用いて吸収層を加工してパターン３１を形成する。パターン３１のうち吸収層３０が残存したライン部３１ａの表面近傍とキャッピング層２１が露出したスペース部２１ａの表面近傍の帯電状態のバランスを取るために、キャッピング層２１または吸収層３０の誘電率を調整する。 （もっと読む）