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Fターム[2H095BD13]の内容

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Fターム[2H095BD13]に分類される特許

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【課題】位相欠陥と表面異物とを識別できるEUVマスク検査装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るEUVマスク検査装置は、EUV光を出射するEUV光源100aと、EUV光を伝播する第1多層膜楕円面鏡103a、第2多層膜楕円面鏡103b、落とし込みEUVミラー105を含む光学系と、EUV光の光軸と同軸に導入され、光学系で伝播される紫外光を出射するArFエキシマレーザ100dとを備える。紫外光は、EUV光の光軸上に挿入された振り込みミラー113により反射され、EUV光と同軸に導入される。 (もっと読む)


【課題】被検査試料に形成されたパターンの位置ずれマップを高精度に作成する装置を提供する。
【解決手段】位置ずれマップ作成装置200は、被検査試料から取得された光学画像と参照画像との間での位置ずれ量に基づいた位置ずれマップ(1)に対し、ワイドパスフィルタ処理をおこなって位置ずれマップBを作成するWPフィルタ処理部56と、ローパスフィルタ処理をおこなって位置ずれ量マップCを作成するLPフィルタ処理部58と、座標計測装置で計測された複数の位置計測用パターンの各パターンの位置の位置ずれ量に基づく位置ずれマップ(2)に対し、LPフィルタ処理をおこなって位置ずれマップCを作成するLPフィルタ処理部64と、位置ずれマップAと位置ずれマップBの差分に位置ずれマップCを加算することによって合成して位置ずれマップDを作成する合成部66と、を備える。 (もっと読む)


【課題】疑似位相整合型の波長変換光学素子におけるフォトリフラクティブ効果を抑制し得る手法を提供し、同効果に起因した問題を解決可能なレーザ装置等を提供する。
【解決手段】レーザ装置LSは、レーザ光を出力するレーザ光出力部1と、レーザ光出力部から出力されたレーザ光を波長変換して出力する波長変換部3とを備える。波長変換部3には、波長λのレーザ光を波長λ/2のレーザ光に波長変換する疑似位相整合型の波長変換光学素子31を備え、この波長変換光学素子31の入射面及び出射面の少なくともいずれかに、波長がλ〜λ/n(n≧3)の光の反射率を低減する反射率低減コーティングが施されて構成される。 (もっと読む)


【目的】マスクに形成されたパターン自体の位置精度の均質性を検査可能な検査装置を提供する。
【構成】検査装置100は、離散的な領域を撮像した際に取得されたそれぞれの光学画像中の図形の寸法と、対応する参照画像中の図形の寸法との間での第1の位置ずれ量を用いて、被検査領域全体における第1の位置ずれ量マップを作成するマップ作成回路131と、検査領域全体を撮像した際に取得されたそれぞれの光学画像中の図形の寸法と、それぞれ対応する参照画像中の図形の寸法との間での第2の位置ずれ量を用いて、被検査領域全体における第2の位置ずれ量マップを作成するマップ作成回路132と、第2の位置ずれ量マップを、第1の位置ずれ量マップと第2の位置ずれ量マップとの第1の差分マップで補正した第3の位置ずれ量マップに定義される各値のうち、許容値を超える値の有無を判定する判定回路156と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】出力光の吸収による位相不整合を低減して波長変換効率を向上可能なレーザ装置を提供する。
【解決手段】本発明を例示する態様のレーザ装置は、第1のレーザ光L10を出力する第1レーザ光出力部10と、第1のレーザ光を波長変換して変換光L30を出力する波長変換光学素子30と、第1のレーザ光と異なる波長の第2のレーザ光L20を出力する第2レーザ光出力部20と、第2のレーザ光L20を第1のレーザ光L10と重ね合わせて波長変換光学素子30に入射させる合成光学素子31とを備える。第2のレーザ光L20は、波長変換光学素子30における第2のレーザ光L20の吸収によって発生する熱量が、波長変換光学素子における変換光L30の吸収によって発生する熱量と略等しくなるように設定される。 (もっと読む)


【目的】光量センサ出力と画像取得用のセンサ出力の応答速度のずれによる補正誤差を低減する。
【構成】パターン検査装置100は、光源103と、被検査試料にレーザ光を照明する照明光学系170と、レーザ光の光量を測定する光量センサ144と、パターンの光学画像を撮像するTDIセンサ105と、TDIセンサ105の出力タイミングが早い場合に、出力タイミングとの時間差分の期間、TDIセンサ105の出力データを一時的に記憶する記憶装置140と、光量センサ144の出力タイミングが早い場合に、出力タイミングとの時間差分の期間、光量センサ144の出力データを一時的に記憶する記憶装置142と、光学画像の階調値を時間差分ずらした時刻に出力された光量値を用いて補正する補正回路148と、比較対照となる参照画像を入力し、階調値が補正された光学画像と参照画像とを画素単位で比較する比較回路108と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】マスク基板のレジストパターンを短波長、高出力光源を使用する検査装置を用いて検査するとアウトガスが発生し、検査装置の光学系の性能を劣化させる要因となるため、検査装置の性能を劣化させることなくレジストパターン検査を行う装置を提供する。
【解決手段】レジスト検査装置のマスク固定ホルダー19にマスク基板7を固定する事によりレジスト7a面、支持体21、透光性保護部材22により密閉空間31を作り、さらに透光性保護部材22の支持体21に設けた通気穴23、24を通して不活性ガス27を密閉空間31に供給、排気する。これにより、レジスト7aへの光29の照射により発生するアウトガス28を密閉空間31外に強制的に排出させ検査装置の劣化を防ぐと共に、マスク製造途中工程でのレジスト欠陥検査を可能とする。 (もっと読む)


【課題】装置内において基板上に存在する異物を検出することができる技術を提供する。
【解決手段】基板上の樹脂とモールドとを接触させた状態で当該樹脂を硬化させ、硬化した樹脂から前記モールドを剥離することで前記基板上にパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記基板上に存在する異物を検出する検出部を有し、前記検出部は、前記基板上に光を照射して前記基板上からの光を取得する取得部と、前記取得部で取得された光に基づいて、前記基板上に存在する異物が位置するショット領域を特定する特定部と、を含み、前記光は、前記基板上の複数のマーク又は複数のパターンからの光と、前記基板上に存在する異物からの光とを含み、前記特定部は、前記複数のマーク又は前記複数のパターンからの光から前記基板上の複数のショット領域の配列を特定し、前記異物からの光に基づいて前記特定した複数のショット領域のうち前記異物が存在するショット領域を特定することを特徴とするインプリント装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板の内部欠陥による蛍光部画像がモヤ状画像でもそのエッジを検出して内部欠陥の検出精度を高める。
【解決手段】マスクブランク用ガラス基板の製造時に、2つの主表面と4つの端面を有するガラス基板を準備する基板準備工程と、いずれかの面から波長200nm以下の検査光をガラス基板内に導入して内部欠陥を検出する欠陥検査工程とを有するマスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、欠陥検査工程は、いずれかの面から前記ガラス基板を撮影し、当該撮影画像に対して遠隔差分により光量差を求める処理を含む画像処理を行うことで、検査光によって、ガラス基板の内部欠陥から発生する蛍光の有無を判定し、蛍光が無いと判定されたガラス基板を選定する。 (もっと読む)


【課題】量産装置としての完成度が高く、かつ、大気中でのレンズを使用した検査光学系を使用できるDUV光を使用したマスクブランクの検査方法において、わずか数nmの微細な凹凸欠陥(位相欠陥)を高感度に検出できる技術を提供する。
【解決手段】第1画像検出器SE1をレンズL3の結像面16よりも光路長がXL1だけ短い位置に配置することにより、マスクブランクMB上の検査光照射領域12の拡大検査像を負のデフォーカス状態で収集する。これに対し、第2画像検出器SE2をレンズL4の結像面17よりも光路長がXL2だけ長い位置に配置することにより、マスクブランクMB上の検査光照射領域11の拡大検査像を正のデフォーカス状態で収集する。 (もっと読む)


【課題】微細パターン(例えば、透明基板上に形成された微細な半透光膜パターン)の膜透過率を正確に測定可能な透過率測定装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】透明基板上に形成された半透光膜の微細パターン等の膜透過率の測定において、測定対象物となる半透光膜に、測定波長の光が最も小さなスポット径(ビームウエスト)となるように集光させて透過させた後、その透過光を全て積分球に取り込んでディテクタで検出する。 (もっと読む)


【目的】経時的な、光量変化やセンサの各受光素子自体の感度変化に起因するセンサの出力レベル変化を補正する。
【構成】センサ出力データの補正装置は次回路を備える。オフセット回路は試料を照明して、透過或いは反射して得られる光を受光して画像データを出力するセンサからの出力データを入力し、オフセット補正を行う。ゲイン補正回路はゲイン補正係数を入力し、入力されたゲイン補正係数でゲイン補正を行う。平均値算出回路はオフセット補正とゲイン補正が行われたセンサの出力データのうち、透過の場合はパターンから光が透過する位置で、反射の場合はパターンから光が反射する位置で取得したセンサの出力データを用いて、各画素値の平均値を演算する。ゲイン補正係数算出回路は設定された基準値からの平均値の変化率を用いてゲイン補正に用いるゲイン補正係数を補正し前記ゲイン補正回路にフィードバックする。 (もっと読む)


【目的】信号振幅が低下したパターンが形成されたマスクを検査する場合であっても、検査で必要な十分なコントラストを得ることが可能な装置を提供することを目的とする。
【構成】実施形態によれば、パターン検査装置は、センサと、記憶装置と、階調変換部と、比較部と、を備えている。かかるセンサは、パターン形成された被検査マスクの光学画像を撮像する。記憶装置は、マスク種に応じて作成された複数の階調変換テーブルを記憶する。階調変換部は、前記記憶装置に記憶された複数の階調変換テーブルの中から前記被検査マスクの種類に対応する階調変換テーブルを選択し、選択された階調変換テーブルに沿って前記センサにより撮像された光学画像データの画素値を階調変換する。比較部は、階調変換された光学画像データの比較対象となる参照画像データを入力し、前記階調変換された光学画像データと前記参照画像データとを画素毎に比較する。 (もっと読む)


【課題】マスク基板に対して洗浄加工を行なった場合の洗浄加工後にマスク基板に残る欠陥が洗浄加工プロセスによるものなのか、マスク基板自体の内部欠陥によるものなかを容易に判定する。
【解決手段】第1及び第2の受光手段に受光された散乱光に基づいて基板の両面(表面及び裏面)に存在する欠陥を検出することができるので、基板の洗浄加工の前後で両面の欠陥の存在位置をそれぞれ比較することによって、洗浄加工によって基板両面に存在していた欠陥が除去されたか否かを容易に判定することができる。すなわち、基板の洗浄加工処理によって基板から所定数の欠陥が除去されなかった場合には、マスク基板の内部に欠陥が存在する可能性が高いので、基板内部の欠陥の検出処理行い。その結果に基づいて洗浄加工によって除去できなかった欠陥が基板内部の欠陥であるのか、洗浄加工プロセスの問題によるものかを容易に判定することができるようになる。 (もっと読む)


【課題】ヘイズのような微小な段差の異物を簡素な構成の装置により正確に検出する。
【解決手段】レチクル検査装置100は、レチクル3に照射される照射光10を発光する光源(例えばレーザ1)を有する。レチクル検査装置100は、レチクル3の表面3aにおける照射光10の照射位置Pを調整し、該照射光10をレチクル3上で走査させる照射位置調整部と、レチクル3の表面3aからの正反射光11を受光する受光部(例えばフォトマル8)とを有する。レチクル検査装置100は、受光部により受光される正反射光11の光量の変動に基づいてレチクル3の表面3aの異物(例えばヘイズ)の有無を判定する判定部(制御部9)を有する。 (もっと読む)


【課題】効率よくDUV光を発生させる光源装置、検査装置、及びコヒーレント光発生方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかる光源装置は、波長1060〜1080nm光を発生させる第1のレーザ光源11と、波長1750〜2100nm光を発生させる第2のレーザ光源16と、波長1080〜1120nm光を発生させる第3のレーザ光源17と、第4次高調波発生により波長265〜270nmの第1のDUV光を発生させる第2高調波発生器12,13と、第1のDUV光と第2のレーザ光源の出力光との和周波混合により波長232〜237nmの第2のDUV光を発生させる第1の和周波発生器14と、第2のDUV光と第3のレーザ光源の出力光との和周波混合により波長192.5〜194.5nmの第3のDUV光を発生させる第3の波長変換手段とを備えたものである。 (もっと読む)


【目的】 透光性物品における光学的な不均一性の有無を正確に検査できる透光性物品の
検査方法を提供する。
【構成】 透光性物品に200nm以下の波長を有する検査光を導入した場合に、該透光
性物品内部で前記検査光が伝播する光路に前記局所又は局部的に光学特性が変化する部位
がある場合にこの部位から発せられる光であって前記検査光の波長よりも長い光を感知す
ることにより、前記透光性物品における光学的な不均一性の有無を検査する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、加工の困難なTaBO等からなる低反射層を不要とし、検査光の短波長化にも対応可能で、工程検査で黒欠陥が見つかった場合でも、複雑な工程を要することなく欠陥修正が可能なEUV露光用の反射型マスクブランクス及び反射型マスク、その製造方法、並びに検査方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 EUV光を反射する反射部とEUV光を吸収する吸収部との段差を、欠陥検査に使用する検査光の1/4波長の奇数倍の大きさに調整し、検査光を垂直に照射した際の、反射部からの反射光と、吸収部からの反射光の位相差によるエッジ遮光効果を利用して欠陥検査を行うことにより、上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】例えば欠陥を探しての試料の検査のあいだ、試料を照射する方法および装置を提供する。
【解決手段】ある局面において、照射装置は、それぞれ第1端および第2端を有する光ファイバの束を含む。照射装置は、1つ以上の入射ビームを、光ファイバの1つ以上の対応する第1端に選択的に伝達することによって、選択された1つ以上の入射ビームがファイバの1つ以上の対応する第2端から出力されるようにする照射セレクタをさらに含む。照射装置は、ファイバの対応する1つ以上の第2端から出力された選択された1つ以上の入射ビームを受け取り、選択された1つ以上の入射ビームを試料に向けて導くレンズ構成も含む。レンズ構成およびファイバは、ファイバの第2端において試料の画像化平面を画像化するよう互いに対して構成される。ある局面において、入射ビームはレーザビームである。本発明の具体的な応用例において、試料は、半導体デバイス、半導体ウェーハ、および半導体レチクルからなるグループから選択される。 (もっと読む)


【課題】スペックルノイズを低減することができ、かつ光量損失を抑制することができる照明光学系を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る照明光学系20は、入射するレーザ光の径よりも小さい、それぞれ異なる径の複数の凹面及び凸面の少なくともいずれか一方が不規則に配列され、当該レーザ光を拡散するレンズアレイ21と、レンズアレイ21を回転させる駆動部22とを備える。レンズアレイ21は、凹面のみを有することが好ましい。 (もっと読む)


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