【課題】被検査試料に形成されたパターンの位置ずれマップを高精度に作成する装置を提供する。
【解決手段】位置ずれマップ作成装置２００は、被検査試料から取得された光学画像と参照画像との間での位置ずれ量に基づいた位置ずれマップ（１）に対し、ワイドパスフィルタ処理をおこなって位置ずれマップＢを作成するＷＰフィルタ処理部５６と、ローパスフィルタ処理をおこなって位置ずれ量マップＣを作成するＬＰフィルタ処理部５８と、座標計測装置で計測された複数の位置計測用パターンの各パターンの位置の位置ずれ量に基づく位置ずれマップ（２）に対し、ＬＰフィルタ処理をおこなって位置ずれマップＣを作成するＬＰフィルタ処理部６４と、位置ずれマップＡと位置ずれマップＢの差分に位置ずれマップＣを加算することによって合成して位置ずれマップＤを作成する合成部６６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ステージ上で大きく撓むようなマスク基板の欠陥を高精度に検出できるようにする。
【解決手段】マスク基板の対向する二辺を検査テーブル手段の基板支持部となる傾斜面に載置すると共にマスク基板の下面にエア浮上ステージ手段からエア噴流を吹き付けることによってマスク基板が撓まないようにする。さらに、マスク基板の対向する二辺の上面側からエア噴流を吹き付けてマスク基板の下側辺を傾斜面に押し付け、マスク基板の二辺を検査テーブル手段に固定的にエア挟持させる。マスク基板の下面にエア噴流を吹き付けることでマスク基板の撓みを矯正することができ、基板検査装置は撓みの矯正されたほぼ平面状のマスク基板の欠陥を高精度に検出することができる。 （もっと読む）

【課題】検査装置の透過光量分布のデータを用いて転写用マスクの内部欠陥等を検出する。
【解決手段】Ｄｉｅ−ｔｏ−Ｄｉｅ比較検査法を適用し、薄膜の第１領域に対して検査光を照射して第１の透過光量分布を取得し、第２領域に対しても、検査光を照射して第２の透過光量分布を取得し、第１の透過光量分布と第２の透過光量分布との比較から算出される差分光量値が第１しきい値以上であり、かつ第２しきい値未満である座標をプロットした所定範囲差分分布を生成し、所定範囲差分分布でプロットの密度が高い領域が検出されない転写用マスクを選定する。 （もっと読む）

【課題】画像化の際に誤差が空間的に分散しやすい要素と、誤差があってもそれが局所にとどまる要素とが被検査対象領域内に混在する場合にも、位置合わせ精度を高くできる技術を提供する。
【解決手段】検査装置１は対象画像及び基準画像を複数のブロック領域に分割する。この対象画像及び基準画像のブロック領域がずらされつつ画素毎に比較されて、類似度マップＭＢが作成される。類似度が高くなるずらせ位置Ｐ（Δｘ，Δｙ）を表す各マップ点ＵＲが包含されることで最小矩形領域Ｓminが類似度マップＭＢにおいて設定される。最小矩形領域ＳminのＸ方向及びＹ方向の幅として特定される分布指標値Ｄx，Ｄyが閾値Ｄx0，Ｄy0と比較され、当該最小矩形領域Ｓminを有する対象ブロック領域が有効ブロックであるか否かが判定される。位置合わせのための確定ずらせ位置の算出には有効ブロックのみが使用される。 （もっと読む）

【課題】検査時間および労力を低減できるマスク検査方法およびその装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、マスク検査方法は、半導体露光用マスクに任意波長の光を入射させ撮像部にて像を取得する光学系を用いて、前記マスクの欠陥の有無を検査する方法であって、予め前記光学系による点像を、前記撮像部の読み出し方向に伸長される制御条件を取得する第１ステップ（Ｓ２０３）と、前記制御条件により、マスクの所望の領域の像を取得する第２ステップ（Ｓ２０５）と、取得した前記所望の領域の像において、信号強度が予め定めておいた第１閾値以上であり、前記信号強度の前記読み出し方向における差分が予め定めておいた第２閾値以下であるピーク信号が存在する場合、前記ピーク信号の座標を欠陥として判定する第３ステップ（Ｓ２０６）とを具備する。 （もっと読む）

【課題】装置内において基板上に存在する異物を検出することができる技術を提供する。
【解決手段】基板上の樹脂とモールドとを接触させた状態で当該樹脂を硬化させ、硬化した樹脂から前記モールドを剥離することで前記基板上にパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記基板上に存在する異物を検出する検出部を有し、前記検出部は、前記基板上に光を照射して前記基板上からの光を取得する取得部と、前記取得部で取得された光に基づいて、前記基板上に存在する異物が位置するショット領域を特定する特定部と、を含み、前記光は、前記基板上の複数のマーク又は複数のパターンからの光と、前記基板上に存在する異物からの光とを含み、前記特定部は、前記複数のマーク又は前記複数のパターンからの光から前記基板上の複数のショット領域の配列を特定し、前記異物からの光に基づいて前記特定した複数のショット領域のうち前記異物が存在するショット領域を特定することを特徴とするインプリント装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査と位置精度測定を同時に行い、位置精度測定は、マスク上に位置精度測定用のモニターマークを必要とすることなく、任意のパターンで任意の測定点密度で測定する手法を提供する。
【解決手段】参照画像上の任意の場所に位置精度測定用のモニターパターンを生成し、マスク検査時に取り込まれるマスク画像と参照画像を比較することで、モニターパターンを欠陥として検出し、モニターパターンと対象のマスクパターンの相対位置ずれ量を算出することでパターンの位置精度測定を行う。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光を検査光とする多層膜マスクブランクのマスクブランク検査装置において、プラズマ光源の位置を短時間で、かつ正確に位置決めする。
【解決手段】ＥＵＶ光検出用フォトダイオード２４によりＥＵＶ光を捉えるマスクステージ７の位置をあらかじめ記憶し、この位置におけるＥＵＶ光の第１強度分布を計測しておく。光源６を再設置した後、ＥＵＶ光を捉えるマスクステージ７の位置でのＥＵＶ光の第２強度分布をＥＵＶ光検出用フォトダイオード２４の位置座標の関数として計測し、第１強度分布と第２強度分布とが一致するように光源微動機構２３によって光源６を移動させる。さらに、散乱体２５にＥＵＶ光を照射し、散乱したＥＵＶ光の第３強度分布を２次元アレイセンサーＳＥで検知し、第３強度分布に応じて、光源６を光源微動機構２３によって移動させる。 （もっと読む）

【課題】微細パターン（例えば、透明基板上に形成された微細な半透光膜パターン）の膜透過率を正確に測定可能な透過率測定装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】透明基板上に形成された半透光膜の微細パターン等の膜透過率の測定において、測定対象物となる半透光膜に、測定波長の光が最も小さなスポット径（ビームウエスト）となるように集光させて透過させた後、その透過光を全て積分球に取り込んでディテクタで検出する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶリソグラフィレチクルといった物品の汚染物質粒子を検出するための検査方法を提供する。
【解決手段】検査方法は、物品に蛍光染料物質を塗布することと、蛍光染料物質を励起するのに適した波長における放射を用いて物品を照明することと、第１の放射とは異なる波長における蛍光染料による第２の放射の放出について物品をモニタリングすることと、第２の放射を検出した場合には汚染を表す信号を生成することとを含む。一例では、低親和力コーティングといった手段がレチクルに塗布されて、染料分子に対する親和力を減少する一方で、染料分子は物理または化学吸着によって汚染物質粒子に結合する。染料は、疎水性または親水性によって高められる蛍光挙動を有するように選択されてよく、また、汚染物質表面はバッファコーティングによって適宜処理される。 （もっと読む）

【課題】単一ビームや単針を走査する方法と比べて短時間にパターンを検査することができるパターン形成部材の検査方法及び装置、並びにパターン形成部材を提供する。
【解決手段】被転写材料に転写すべきパターン３とプラズモン共鳴構造体４とを有するパターン形成部材１を準備し、プラズモン共鳴構造体４に光を照射してプラズモン共鳴構造体４のプラズモン共鳴の吸収特性を計測し、吸収特性に基づいてパターン３を検査する。 （もっと読む）

【課題】マスク欠陥のウェハ転写性を効率良く評価し、ＳＭＯが適用されているマスクのウェハ上の寸法やＤＯＦを効率良く評価する。
【解決手段】フォトマスクの評価システム１は、走査型電子顕微鏡２によりフォトマスクを撮像して写真取得部１１が得た写真を基に、フォトマスクのパターンの輪郭を抽出する輪郭抽出処理部１２と、輪郭抽出処理部１２が抽出したフォトマスクのパターンの輪郭を基にリソグラフィシミュレーションによる演算を行うリソグラフィシミュレータ部１３と、リソグラフィシミュレータ部１３の演算結果を基に、フォトマスクの欠陥のウェハへの転写の状態を取得するウェハＣＤ算出部１４と、を有する。 （もっと読む）

【目的】経時的な、光量変化やセンサの各受光素子自体の感度変化に起因するセンサの出力レベル変化を補正する。
【構成】センサ出力データの補正装置は次回路を備える。オフセット回路は試料を照明して、透過或いは反射して得られる光を受光して画像データを出力するセンサからの出力データを入力し、オフセット補正を行う。ゲイン補正回路はゲイン補正係数を入力し、入力されたゲイン補正係数でゲイン補正を行う。平均値算出回路はオフセット補正とゲイン補正が行われたセンサの出力データのうち、透過の場合はパターンから光が透過する位置で、反射の場合はパターンから光が反射する位置で取得したセンサの出力データを用いて、各画素値の平均値を演算する。ゲイン補正係数算出回路は設定された基準値からの平均値の変化率を用いてゲイン補正に用いるゲイン補正係数を補正し前記ゲイン補正回路にフィードバックする。 （もっと読む）

【課題】高さ検査における検出誤差を低減させる。
【解決手段】検出装置１００は、光源２０１を有し、前記光源から発せられた光を対象物面１０１に照明する照明光学系２００と、前記対象物１０１に前記照明光学系２００からの照明光を照明して、反射光を集光する対物レンズ２１８と、前記対物レンズ２１８を通過した前記反射光を結像する結像光学系と、前記対象物１０１と共役な、前記照明光学系２００内の点に設置した照明スリット２１０と、結像光学系内のビームスプリッタ２２２と、前記2つに分岐された光線の一方の結像点より前に設置された前側検出スリット２３０と、他方の結像点より後に設置された後側検出スリット２４０と、前記前側検出スリットを通過透過光をそれぞれ独立に受光する複数の前側検出光量センサ２５２と、それぞれの透過光をそれぞれ独立に受光する複数の後側検出光量センサ２５４と、を少なくとも備える。 （もっと読む）

【目的】信号振幅が低下したパターンが形成されたマスクを検査する場合であっても、検査で必要な十分なコントラストを得ることが可能な装置を提供することを目的とする。
【構成】実施形態によれば、パターン検査装置は、センサと、記憶装置と、階調変換部と、比較部と、を備えている。かかるセンサは、パターン形成された被検査マスクの光学画像を撮像する。記憶装置は、マスク種に応じて作成された複数の階調変換テーブルを記憶する。階調変換部は、前記記憶装置に記憶された複数の階調変換テーブルの中から前記被検査マスクの種類に対応する階調変換テーブルを選択し、選択された階調変換テーブルに沿って前記センサにより撮像された光学画像データの画素値を階調変換する。比較部は、階調変換された光学画像データの比較対象となる参照画像データを入力し、前記階調変換された光学画像データと前記参照画像データとを画素毎に比較する。 （もっと読む）

【課題】マスク基板に対して洗浄加工を行なった場合の洗浄加工後にマスク基板に残る欠陥が洗浄加工プロセスによるものなのか、マスク基板自体の内部欠陥によるものなかを容易に判定する。
【解決手段】第１及び第２の受光手段に受光された散乱光に基づいて基板の両面（表面及び裏面）に存在する欠陥を検出することができるので、基板の洗浄加工の前後で両面の欠陥の存在位置をそれぞれ比較することによって、洗浄加工によって基板両面に存在していた欠陥が除去されたか否かを容易に判定することができる。すなわち、基板の洗浄加工処理によって基板から所定数の欠陥が除去されなかった場合には、マスク基板の内部に欠陥が存在する可能性が高いので、基板内部の欠陥の検出処理行い。その結果に基づいて洗浄加工によって除去できなかった欠陥が基板内部の欠陥であるのか、洗浄加工プロセスの問題によるものかを容易に判定することができるようになる。 （もっと読む）

【目的】 透光性物品における光学的な不均一性の有無を正確に検査できる透光性物品の
検査方法を提供する。
【構成】 透光性物品に２００ｎｍ以下の波長を有する検査光を導入した場合に、該透光
性物品内部で前記検査光が伝播する光路に前記局所又は局部的に光学特性が変化する部位
がある場合にこの部位から発せられる光であって前記検査光の波長よりも長い光を感知す
ることにより、前記透光性物品における光学的な不均一性の有無を検査する。 （もっと読む）

【課題】電子回路基板の製造と共にマスク欠陥検査装置自体の検査を実行可能なフォトマスクを製造するフォトマスク製造方法、そのフォトマスクを用いたフォトマスク欠陥検査装置判定方法、及びフォトマスク欠陥検査装置判定装置を提供する。
【解決手段】電子回路基板を製造する際に用いられるフォトマスクの欠陥を検査するフォトマスク欠陥検査装置の検査をするための欠陥検査用パターンを、前記電子回路基板における電子回路領域を避けて配置したマスクパターンを示すマスクパターンデータを作成する作成段階と、前記作成段階により作成されたマスクパターンデータが示すマスクパターンを、フォトマスクに転写する転写段階と、を有する。 （もっと読む）

【課題】検査対象に形成されたパターンの寸法や位置の変動を正確に求めることが可能な検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】パターンが形成された試料に光を照明し、試料の像を画像センサに結像して光学画像を取得し、光学画像を基準画像と比較してこれらの画像におけるパターンの寸法差が所定の範囲を超えたときに欠陥と判定する検査方法において、光の強度および画像センサの感度の内で少なくとも一方の時間的変動を取得し、この時間的変動とパターンの寸法差の時間的変動との関係を求めてパターンの寸法差を補正する。画像センサを試料に対し相対的に移動させることにより、試料全体の光学画像を取得しながら、所定時間毎に試料内に設けた別のパターンに画像センサを移動させて、画像センサの感度の時間的変動を求めることが好ましい。 （もっと読む）

【目的】予め歪ませたパターンが形成された被検査対象試料をダイーダイ検査する際に、高精度な検査が可能なパターン検査装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のパターン検査装置１００は、複数の同一パターンが形成位置にそれぞれ歪みをもって形成された被検査試料の光学画像データを取得する光学画像取得部１５０と、前記光学画像データを複数の部分光学画像データに切り出す切り出し部７２と、前記被検査試料に形成されたパターンの歪み量を取得可能な歪情報を用いて、前記複数の部分光学画像データの位置を補正する補正部７４と、補正された前記複数の部分光学画像データ同士を画素毎に比較する比較回路１０８と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）