【課題】レーザ加工方法及びレーザ加工装置において、ハーフトーン露光により基板に形成されたハーフトーン部の欠陥を修正する。
【解決手段】レーザ加工方法は、基板上の欠陥の画像を取得する画像取得工程（Ｓ２）と、前記画像と予め格納されている参照情報とに基づいて欠陥情報を抽出する欠陥抽出工程（Ｓ３）と、前記欠陥情報から前記欠陥がハーフトーン露光により基板に形成されたハーフトーン部の欠陥であるか否かを判定する判定工程（Ｓ４）と、前記判定工程（Ｓ４）にて前記欠陥がハーフトーン欠陥であると判定された場合に前記ハーフトーン部の高さを測定する高さ測定工程（Ｓ９，Ｓ１２）と、この高さ測定工程で高さを測定したハーフトーン部にレーザ光を照射するレーザ光照射工程（Ｓ１０）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】マスクブランクに存在する位相欠陥とＥＵＶＬ用マスクを製造した後に残存する位相欠陥との両方を感度良く検出する方法を提供する。
【解決手段】マスクブランクを検査する場合は、中心遮蔽ＮＡ以内で大きい照明ＮＡを有するＥＵＶ光を照射し、ＥＵＶＬ用マスクを検査する場合は、ＥＵＶ光を遮蔽する中心遮蔽部と、中心遮蔽部の直径よりも小さい幅を有し、ＥＵＶ光を遮断する線状遮蔽部とをその瞳面に有する暗視野結像光学系を用いて、線状遮蔽部の幅と同じ照明ＮＡまたは線状遮蔽部の幅よりも小さい照明ＮＡを有するＥＵＶ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光リソグラフィ用マスクの位相欠陥を簡便に救済する技術を提供する。
【解決手段】ＥＵＶリソグラフィ用マスクの製造に用いるマスクブランクの位相欠陥検査工程で位相欠陥が検出された場合、前記位相欠陥が凹欠陥か凸欠陥かを判定し、前記位相欠陥の凹凸に応じて、前記ＥＵＶリソグラフィ用マスクの前記位相欠陥を含む部位を局所的にデフォーカスさせて露光を行うことにより、ＥＵＶリソグラフィ用マスクの位相欠陥を修正することなく、半導体ウエハへの回路パターンの異常転写を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 マスク基板の欠陥検査を的確に行うことが可能なマスク基板の欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】 実施形態に係るマスク基板の欠陥検査方法は、マスク基板を載置したステージの走査とマスク基板の像を取得するＴＤＩカメラの電荷転送とを同期させない非同期状態で、マスク基板の非同期像を取得する工程Ｓ１２と、非同期像に基づいて、ある値以上の像強度を有する箇所の数を取得する工程Ｓ１３、Ｓ１４、Ｓ１５と、箇所の数に基づいて像強度の閾値を決定する工程Ｓ１６と、マスク基板を載置したステージの走査とマスク基板の像を取得するＴＤＩカメラの電荷転送とを同期させた同期状態で、マスク基板の同期像を取得する工程Ｓ１７と、同期像に基づいて、閾値以上の像強度を有する箇所を欠陥と判定する工程Ｓ１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】回折光や散乱光等の外乱による影響を受けにくく、パターンの微細化に十分対応できる基板検査装置及びマスク検査装置を実現する。
【解決手段】本発明による基板検査装置は、検査データの取得と対物レンズ（８）の焦点データ信号の取得を並行して行う。検査中に対物レンズの光軸方向の位置を制御するオートフォーカス装置は、焦点誤差信号を出力する焦点誤差検出手段（４０）と、対物レンズ位置信号又は焦点誤差信号が加算された対物レンズ位置信号により構成される焦点データ信号を用いて対物レンズの光軸方向の位置を制御する焦点制御信号を走査ラインごとに生成する焦点制御信号生成手段（６０）とを有する。ｉを正の整数とした場合に、ｉ番目の走査ラインの走査により取得した焦点データ信号を用いて生成された焦点制御信号は、（ｉ＋２ｍ）番目の走査ラインを走査するときの焦点制御信号として用いられる。 （もっと読む）

【目的】光量センサ出力と画像取得用のセンサ出力の応答速度のずれによる補正誤差を低減する。
【構成】パターン検査装置１００は、光源１０３と、被検査試料にレーザ光を照明する照明光学系１７０と、レーザ光の光量を測定する光量センサ１４４と、パターンの光学画像を撮像するＴＤＩセンサ１０５と、ＴＤＩセンサ１０５の出力タイミングが早い場合に、出力タイミングとの時間差分の期間、ＴＤＩセンサ１０５の出力データを一時的に記憶する記憶装置１４０と、光量センサ１４４の出力タイミングが早い場合に、出力タイミングとの時間差分の期間、光量センサ１４４の出力データを一時的に記憶する記憶装置１４２と、光学画像の階調値を時間差分ずらした時刻に出力された光量値を用いて補正する補正回路１４８と、比較対照となる参照画像を入力し、階調値が補正された光学画像と参照画像とを画素単位で比較する比較回路１０８と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マスク基板のレジストパターンを短波長、高出力光源を使用する検査装置を用いて検査するとアウトガスが発生し、検査装置の光学系の性能を劣化させる要因となるため、検査装置の性能を劣化させることなくレジストパターン検査を行う装置を提供する。
【解決手段】レジスト検査装置のマスク固定ホルダー１９にマスク基板７を固定する事によりレジスト７ａ面、支持体２１、透光性保護部材２２により密閉空間３１を作り、さらに透光性保護部材２２の支持体２１に設けた通気穴２３、２４を通して不活性ガス２７を密閉空間３１に供給、排気する。これにより、レジスト７ａへの光２９の照射により発生するアウトガス２８を密閉空間３１外に強制的に排出させ検査装置の劣化を防ぐと共に、マスク製造途中工程でのレジスト欠陥検査を可能とする。 （もっと読む）

【課題】過度の欠陥検出を抑制することにより、不必要な欠陥修正を低減することのできる検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】センサ１０６からマスク１０１の光学画像を取得するし、光学画像におけるパターンの寸法と、判定の基準となる基準画像におけるパターンの寸法とを測定し、これらから第１の誤差を求める。マスク１０１上の光学画像と基準画像について各転写像を推定し、これらの転写像におけるパターンの寸法を測定して第２の誤差を求める。各転写像を比較し、差異が閾値を超えた場合に欠陥と判定する。欠陥と判定された箇所における第２の誤差を第１の誤差で補正する。 （もっと読む）

【課題】検査対象であるフォトマスクに所定波長の光束を照射し、フォトマスクを経た光束を撮像手段によって撮像して光強度データを求めるフォトマスクの検査方法において、実際の露光を行う露光装置との条件整合を良好に行う。
【解決手段】エッチング加工がなされる被加工層上に形成されたレジスト膜に対してフォトマスクを用いてｇ線、ｈ線及びi線の波長成分を含む露光光の露光を行い、レジスト膜をエッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなすためのフォトマスクの検査に用いるテストマスクであり、露光光を透過させる透過部、遮光する遮光部、及び、一部を低減させて透過させるグレートーン部とを有するテストパターンを形成したテストマスクにおいて、テストパターンが一定の規則に基づいてパターン形状が逐次変化された複数の単位パターンが配列された部分を含み、パターン形状の逐次変化により、各単位パターンにおけるグレートーン部の幅をそれぞれ異ならせる。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶＬ用マスクにおいて、効率よくかつ精度よくマスク欠陥の修正を行うことのできる技術を提供する。
【解決手段】マスクブランクに対して位相欠陥検査を行い、マスクブランクに存在する位相欠陥の座標を特定した後、マスクブランクの表面に吸収体パターンを形成する。次いで、特定された座標で示される位相欠陥を含む領域の吸収体パターンを除去した後、吸収体パターンが除去された領域の光学像を計測し、その光学像に基づいて修正用の吸収体補償膜の形状を計算し、さらに、その吸収体補償膜の形状に基づいて、マスクブランクの表面の吸収体パターンが除去された領域に吸収体補償パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】 疑似欠陥を発生させることなく、暗視野像の取得によりマスクの欠陥を高い感度で検出する。
【解決手段】 半導体露光用マスクの欠陥の有無を検査する方法であって、マスクに任意波長の光を入射させ暗視野像を取得する光学系を用い、マスク上にて均一な暗視野像が得られる任意の一部領域をジャストフォーカス位置から離れたデフォーカス位置に配置して像を取得する。取得された一部領域の像の信号強度と、所望検査領域と一部領域の面積比を用い、所望検査領域において検出しきい値以上の信号強度を示す信号数が目標擬似欠陥数以下になるように検出しきい値を決定する。次いで、マスクをジャストフォーカス位置近傍に配置して所望検査領域の像を取得する。そして、取得された所望検査領域の像の信号強度が前記検出しきい値以上を示す信号を欠陥として判定する。 （もっと読む）

【課題】広視野かつ高精細なＳＥＭ画像を容易かつ高速に生成することの可能なマスク検査装置及び画像生成方法を提供すること。
【解決手段】マスク検査装置は、電子ビームを試料上に照射する照射手段と、試料上から発生する電子の電子量を検出する電子検出手段と、画像処理手段と、記憶手段と、指定された試料の観察領域のサイズから全体の合成画像を形成する分割画像の分割数を算出し、隣接する分割画像が相互に重なるように分割領域を決定し、各分割領域毎の分割画像を取得して記憶手段に格納する制御手段とを有する。制御手段は、指定された一つの分割画像から所定の順序で隣接する分割画像を抽出し、隣接する２つの分割画像毎に重複領域に含まれる同一のパターン形成領域の画像を検出して合成基準画像とし、合成基準画像を基に隣接する２つの分割画像を合成して、観察領域の全体のＳＥＭ画像を形成する。 （もっと読む）

【課題】高精度のパターン検査を行うことが可能なパターン検査方法等を提供する。
【解決手段】披検査パターンの設計データを、披検査パターンの検査に用いる照明の照明条件に依存した情報に基づいて加工する工程（Ｓ１２）と、加工された設計データから披検査パターンの参照データを生成する工程（Ｓ１４）と、実際に形成された披検査パターンのデータと参照データとを比較する工程と（Ｓ１５）、を備える。 （もっと読む）

【課題】周期性のあるパターンにおいて、回折光量差によるコントラストからパターン変動発生箇所を精度良く識別し、かつ、その変動発生周期を簡便に導出することによってパターン描画装置の状態監視を実施できるパターン描画装置の状態監視方法を提供する。
【解決手段】描画装置によって周期性パターンが形成された基板に照明光を斜め入射し、周期性パターンにより生じる回折光を用いて画像取得を行い、処理判定を行うパターン描画装置向け状態監視方法であって、前記周期性パターンのパターン情報入力工程と、位置決め工程と、パターンピッチと撮像分解能の関係から撮像倍率を決定するための撮像倍率設定工程と、デフォーカス工程と、デフォーカスさせた位置において、前記基板の周期性パターンを撮像し被処理画像を取得する撮像工程と、前記基板上で発生しているむら欠陥の発生周期を求めるむら欠陥周期算出工程と、前記基板上で発生しているむら欠陥が描画装置起因のものであるかどうかの判定を行う判定工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】部品数の増加及び装置の大型化を伴うことなく、短時間でビーム照射位置の調整が可能なビーム調整装置を実現する。
【解決手段】調整用ミラー１９ａ、１９ｂはチルト機構１０１により回転され、シフト機構１０２により直線的に移動される。光１８はビーム調整機構１０で調整後、集光レンズ移動機構１２１でレンズ１２を移動させレンズ１２通過後の光及びレンズ１２を通過しない光がＣＣＤカメラ１３に照射される。レンズ１２とＣＣＤカメラ１３の受光面との距離は焦点距離でありレンズ１２中心とＣＣＤカメラ中心との位置を合せておく。チルト調整量を算出しビーム調整機構１０で平行光となるように補正し、その後にレンズ１２を通過させずにＣＣＤカメラ１３に光を入射させビームのシフト調整量を算出しビーム調整機構１０でＣＣＤカメラ１３の中心に光が収束するようにビームのシフト、チルトを補正する。 （もっと読む）

【課題】マスク検査装置において、２つの検出画像を比較してマスクの欠陥有無を検出可能とする。
【解決手段】光源１から出射された深紫外線領域のレーザ光を照明光として、所定のパターンが形成されたマスク２００に照射する照明光学系２と、２つのＴＤＩセンサ１１，１２と、照明光が照射されたマスク２００の照明領域のうち、互いに異なる検出対象領域からの光を同時に、かつ各別に２つのＴＤＩセンサ１１，１２に結像させる２つの結像光学系と、２つのＴＤＩセンサ１１，１２によりそれぞれ検出して得られた２つの像のサイズを一致させる像倍率補正手段と、像倍率補正手段によりサイズが一致された２つの像に基づいて、マスク２００の欠陥を検出する信号処理系２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】露光用マスク上に存在する位相欠陥の表面形状を効率的に測定することができ、露光用マスクの生産効率向上に寄与する。
【解決手段】露光用マスク上に存在する位相欠陥の形状を測定する方法であって、マスクに検査光を入射し、位相欠陥上における散乱領域の幅を予測可能な角度範囲に散乱する光の強度を測定する第１ステップ（Ｓ２）と、測定された散乱光強度から位相欠陥の径を算出する第２ステップ（Ｓ３）と、測定する散乱光の角度範囲を変更し、散乱光強度を測定する第３ステップ（Ｓ４，Ｓ５）と、得られた散乱光強度から散乱断面積を算出する第４ステップと、第３及び第４ステップを散乱光強度が飽和するまで繰り返す第５ステップ（Ｓ６，Ｓ７）と、第２ステップで得られた位相欠陥の径と第４ステップで得られた各散乱断面積を用いて位相欠陥の形状を決定する第６ステップ（Ｓ８）とを含む。 （もっと読む）

【解決手段】対象の検査方法およびシステムは、対象表面上の望まれないパーティクルを検出するための分光技術の使用を含む。この技術は、望まれないパーティクルと検査対象とが異なる材料により形成されることによる、検査対象と比較したときの望まれないパーティクルの異なる応答に基づく。対象の表面からの二次光子放出の時間分解分光法および／またはエネルギ分解分光法を使用することにより、ラマンおよび光ルミネッセンススペクトルを得ることができる。検査対象は例えばリソグラフィプロセスで使用されるパターニングデバイス、例えばレチクルであってもよい。その場合、例えば金属、金属酸化物、または有機物のパーティクルの存在が検出されうる。この方法および装置は高感度であり、例えばＥＵＶレチクルのパターン形成された側の小さなパーティクル（１００ｎｍ弱、特に５０ｎｍ弱）を検出することができる。 （もっと読む）

オブジェクト検査のための、特に、リソグラフィプロセスで使用されるレチクルの検査のためのシステムおよび方法が開示される。当該方法は、基準放射ビームをプローブ放射ビームと干渉法により合成することと、それらの合成視野像を記憶することと、を含む。そして、１つのオブジェクトの合成視野像を、基準オブジェクトの合成視野像と比較して差を求める。これらのシステムおよび方法は、欠陥に関するレチクルの検査において特定の有用性を有する。 （もっと読む）

【目的】検査時間の増大を抑制しつつ、検査精度を向上させるパターン検査装置を提供する。
【構成】被検査試料のパターン面に形成されたパターンを検査するパターン検査装置であって、光源と、パターン面のフーリエ変換面に設けられ光源から射出された光線を異なる形状および方向を有する第１および第２の照明光に分割する機能を備える光学素子を有し、第１および第２の照明光によりパターン面の第１および第２のパターン領域をそれぞれ異なる照明条件で照明する照明光学系と、第１および第２のパターン領域を照明した第１および第２の照明光を透過する対物レンズと、第１および第２の検出センサと、対物レンズを透過した第１および第２の照明光をそれぞれ第１および第２の検出センサに結像する第１および第２の結像光学系とを備えることを特徴とするパターン検査装置。 （もっと読む）