【課題】原版の合否判定の精度を維持しつつ、合否判定に要する時間を短縮できる原版評価方法を提供すること。
【解決手段】Ｎ個のパターンからＮ１個（Ｎ１＜Ｎ）のパターンを選択する際に、予め定めた第１の選択基準に基づいて選択する（Ｓ３）。Ｎ１個のパターンの測定結果に基づいて、Ｎ１個のパターンのそれぞれについて測定値を取得する（Ｓ４）。前記取得した測定値が許容できる値か否かを判断する（Ｓ５）。Ｎ個のパターンのうちＮ１個のパターンを除いた、Ｎ２個（Ｎ１＋Ｎ２≦Ｎ）のパターンを選択する際に、第２の選択基準に基づいて選択する（Ｓ６）。Ｎ２個のパターンに係る画像を取得し、その画像に基づいて、被転写基板上に転写されるＮ２個のパターンに対応する転写パターンの形状を予測する（Ｓ７）。予測した転写パターンの形状が許容できる形状であるか否かを判断する（Ｓ８）。Ｓ５およびＳ８の判断結果に基づいて前記原版を評価する。 （もっと読む）

【課題】パターンの微細な凹部に入り込んだ異物を精度よく除去することができるフォトマスクの異物除去方法及び異物除去装置を提供する。
【解決手段】カンチレバー１２の変位量が一定となるように３軸微動機構２１を制御しつつカンチレバー１２を上下に変位させ、基板０１の表面上をスキャンすることにより、基板０１の表面及び異物０２の三次元情報を取得する。基板０１の表面及び異物０２の三次元情報を元に、プローブ１１のアプローチ位置と深さ方向のアプローチ量とを決定したうえで、その決定値で異物０２にプローブ１１をアプローチする。プローブ１１（細管１４）が異物０２に接触した瞬間、異物０２は細管１４に吸着される。細管１４に異物０２が吸着されている状態で、プローブ１１をカンチレバー１２と一体に引き上げることにより、基板０１の凹部に入り込んだ異物０２を除去する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶＬ用マスクにおいて、効率よくかつ精度よくマスク欠陥の修正を行うことのできる技術を提供する。
【解決手段】マスクブランクに対して位相欠陥検査を行い、マスクブランクに存在する位相欠陥の座標を特定した後、マスクブランクの表面に吸収体パターンを形成する。次いで、特定された座標で示される位相欠陥を含む領域の吸収体パターンを除去した後、吸収体パターンが除去された領域の光学像を計測し、その光学像に基づいて修正用の吸収体補償膜の形状を計算し、さらに、その吸収体補償膜の形状に基づいて、マスクブランクの表面の吸収体パターンが除去された領域に吸収体補償パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】異なるパラメータを使用して試験片の検査を行う方法とシステムを提供する。
【解決手段】コンピュータによって実施される方法は、選択された欠陥に基づいて検査のための最適パラメータを決定することを含む。また該方法は、検査に先行して、検査システムのパラメータを最適パラメータに設定する。別の該方法は、約３５０ｎｍより下の波長を有する光と、約３５０ｎｍより上の波長を有する光を用いて試験片を照明する。また該方法は、試験片から収集された光を表す信号を処理し、試験片上の欠陥または工程の変動を検出する。試験片を検査する１つのシステムは、広帯域光源５０４に結合された第１の光学サブシステムと、レーザ５０３に結合された第２の光学サブシステムを含む。またこのシステムは第１と第２の光学サブシステムから、光を試験片上に集束させる対物鏡５０７に光を結合するように構成された第３の光学サブシステムも含む。 （もっと読む）

【課題】低い検査頻度で高精度のパターン検査を実現する。
【解決手段】実施形態によれば、経時的に変化するパターンを検査する方法が提供される。該方法は、同一の検査対象パターンについて任意の時期における輪郭形状を予測する工程と、上記検査対象パターンの要求仕様に応じた閾値を設定する工程と、上記予測された輪郭形状と上記閾値とから上記検査対象パターンが上記要求仕様を満たさなくなる時期を予測する工程と、を備える。上記検査方法は、上記同一の検査対象パターンについて異なる時期に撮像して画像を得る工程と、得られた複数の画像の輪郭をそれぞれ検出する工程と、検出された、異なる撮像時期の輪郭同士でマッチングを実行する工程と、該マッチング後に、対応する輪郭同士の差を求めて差分ベクトルを生成する工程とをさらに備え、上記輪郭形状は、生成された該差分ベクトルと上記撮像時期の間隔とに基づいて予測される。 （もっと読む）

【課題】レチクルの特定半導体素子パターンが露光された転写パターンを検査する際に、レチクルの半導体素子パターンが多数ある場合でも、半導体基板上で特定半導体素子パターンを容易且つ正確に短時間で探し当てることを可能とし、極めて効率良く検査を行う。
【解決手段】複数の半導体素子パターン１２と、半導体素子パターン１２から、複数の半導体素子パターン１２のうちの少なくとも１つであって観察対象とされる特定半導体素子パターン１２Ａまでの方向及び距離を示す識別用パターン１３とを有するレチクル１１を用いて、半導体基板上のフォト・レジストに露光し、識別用パターン１３の転写パターンを用いて、特定半導体素子パターン１２Ａの転写パターンの検査を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高精度且つ高効率にテンプレートマッチングのためのテンプレートの作成を行うことを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、基本回路を構成するパターン単位で、半導体デバイスの複数のレイヤのパターン情報を、ライブラリとして記憶し、位置の指定に基づいて、当該ライブラリよりパターン情報を抽出して、当該パターン情報に基づいて、テンプレートマッチングのためのテンプレートを作成する方法、及びコンピュータプログラムを提案する。更に、他の態様として、上記ライブラリが記憶された記憶媒体を備えたテンプレート作成装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ画像等の画像中に含まれる欠陥パターンを基準パターンを利用して効率的かつ高精度に検出することを可能にするパターン検査装置を提供する。
【解決手段】比較基準となるリファレンスパターン画像１３１における所定の特徴点の位置情報を登録するリファレンスパターン登録処理Ｓ１と、検査対象画像１３２から抽出された輪郭線の位置情報と特徴点の位置情報とに基づいて検査対象画像１３２に含まれる欠陥候補パターンを探索する欠陥候補パターン探索処理Ｓ２と、リファレンスパターン画像１３１における特徴点に対応した輝度分布情報と欠陥候補パターンにおける特徴点に対応した輝度分布情報とに基づいて、欠陥パターンを検出する欠陥パターン検出処理Ｓ３とを行うパターン検査装置である。 （もっと読む）

【課題】実際の露光条件を適用したときに、多階調フォトマスクが形成する空間像を推測し、多階調フォトマスクを評価することができる多階調フォトマスクの検査方法を提供すること。
【解決手段】本発明の多階調フォトマスクの検査方法は、透明基板上に透光領域、遮光領域、及び半透光領域を含む転写パターンを備えた多階調フォトマスクの検査方法において、前記転写パターンの解像画像を取得し、前記解像画像に処理を施すことによって、前記転写パターンに所定の露光条件を適用したときに形成される空間像を得て、前記空間像により、前記転写パターンの実効透過率分布を得、実効透過率分布に基づいて評価することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】目視検査によらず自動的に高精度に検査して、検査性能の低下やバラツキをなくし、マスク製造の歩留りを向上することができる荷電粒子線露光用マスクの異物検査装置及びその検査方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子線露光用マスクをステージ上に搭載し、ステージ上の荷電粒子線露光用マスクの所定の検査ポイントを順次移動して、検査画像を取得するように制御し、荷電粒子線露光用マスクの所定領域の検査画像を光学顕微鏡により取得し、取得した検査画像を２値化処理することを特徴とする荷電粒子線露光用マスクの異物検査方法。 （もっと読む）

本発明は、フォトマスクの基板（１００）の端縁（３２，２３２）における、または端縁に近接した欠陥（３０，２００）の修復形状（６０，２６０）を測定する方法に関するものである。本方法は、走査型プローブ顕微鏡を用いて欠陥（３０，２００）を走査し、欠陥（３０，２００）の三次元輪郭（４０，２４０）を測定するステップ、走査型電子顕微鏡を用いて欠陥（３０，２００）を走査し、基板（１００）の少なくとも１つの端縁（３２，２３２）の進路（course）（５０，２５０）を測定するステップ、および、三次元輪郭（４０，２４０）と少なくとも１つの端縁（３２，２３２）の進路（５０，２５０）とを組み合わせることにより、欠陥（３０，２００）の修復形状（６０，２６０）を画定するステップ、を含む。 （もっと読む）

【解決手段】暗視野検査を容易にする反射屈折対物光学系を含む検査システムが提供される。対物光学系は、試料の方向に向いた外側要素部分反射性表面を有し、かつ、前記試料から最も遠い位置に配置された外側要素と、前記試料から離れる方向に向いた内側要素部分反射性表面を有し、かつ、前記試料に最も近い位置に配置された内側要素と、外側レンズ及び内側レンズの間に位置する中央要素とを備える。前記外側要素、前記内側要素及び前記中央要素のうち、少なくとも一つの要素は、非球面の表面を有する。前記内側要素は、前記試料の暗視野検査を容易にするよう、空間的に構成される。 （もっと読む）

【課題】照明強度分布のずれに関係なく安定した測定値を出力でき、光源輝点の位置調整に要していた時間と労力を低減できる寸法測定方法及び寸法測定装置を提供する。
【解決手段】半導体露光用マスク１７上に形成されたパターンの画像を顕微鏡１１にて取得し、得られた画像から任意のパターンの寸法を測定する方法であって、上記顕微鏡の照明強度分布を取得し、得られた照明強度分布の最も平坦な位置を測定に用いる位置として決定し、前記測定に用いる位置に任意のパターンを移動して画像を取得し、得られた画像から前記パターンの寸法を測定する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線露光用マスクのパターン欠陥の検査方法に用いる基準パターンは、高度なソフトウエアを使用して設計パターンを画像的に変換し処理を加えることで、実パターンに似せた擬似パターンを生成するが、擬似パターンの生成においてはソフトウエアの機能や性能によるところも多く、形状やコントラストに完全に似せることは不可能である。また、人手に頼るものであるため時間がかかり、人が変わると擬似パターンの生成具合が変わってしまうという課題がある。
【解決手段】荷電粒子線露光用マスクから正常に形成されているコーナ部や直線部の画像をあらかじめ区画して取得して記録しておき、荷電粒子線露光用マスクの設計データの該当する部分に記録してあるコーナ部と直線部のパターンを貼り合わせ合成した画像を基準画像情報として比較検査の基準とするパターン検査方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体製造に用いられるレジストパターンやフォトマスクの遮光膜パターンなどの微細パターンと下地基板との密着性の評価において、微細パターンにせん断などを生じさせずに定量的に密着性を測定する密着性評価方法、および評価装置を提供する。
【解決手段】原子間力顕微鏡のカンチレバーに設けられた探針を基板表面から離して走査し、前記基板表面に形成されたパターンの密着性を計測するパターンの密着性評価方法において、前記探針が、前記探針を前記カンチレバーに取り付ける基部と前記パターンと接触する先端部とで構成され、前記基部と先端部とは頸部を形成し、前記基部は、前記カンチレバーから前記頸部に向かう垂直方向において連続した傾斜面をなし、前記先端部は、前記パターンの側面と接触する側の最大幅が前記頸部の幅と同じか又は大きい形状を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明はフォトマスク修理方法を提供する。
【解決手段】修理用原子間力顕微鏡探針をフォトマスクの欠陥部分に位置させ、前記修理用原子間力顕微鏡探針を往復動作させることによって、前記フォトマスクの欠陥部分を除去する。前記修理用原子間力顕微鏡探針による前記フォトマスクの修理過程は、電子顕微鏡で観察する。さらに前記修理用原子間力顕微鏡探針とは異なる観測用原子間力顕微鏡探針を用いて、修理後の前記フォトマスクの形状をその場（ｉｎ−ｓｉｔｕ）で確認する。
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【課題】 ＳＰＭ装置で観察する試料において、試料凹部にある物質を凹部外へ除去することを課題とする。
【解決手段】 異物2が凹部3にある、試料9を、探針1を用いて形状観察する。この時の3次元形状データを元にして、探針1先端と、試料9間距離を、垂直方向には異物水平直径7以下、水平方向には異物直径8以下となるように制御したまま、探針1が異物2に側面から接触するようにする。このとき、探針1を振動させたまま、異物2と接触させることで異物2が探針1に付着することを防ぐ。そして、探針1先端により異物2を凹部3の外に移動させた後、凹部3外で探針1の振動が停止するほどに試料9に接触させることにより、異物2を接触させた場所へ脱落させる。この作業の繰り返すことにより、凹部3内にあった異物2を除去し、凹部3外へ移動させることができる。 （もっと読む）

【課題】同一レイヤーへのダブルパターニング技術において、ウエハ等の試料への露光時に欠陥となりうるパターンについてパターン間の位置関係の評価を可能にするレチクル検査技術を提供する。
【解決手段】ダブルパターニング技術で用いられる二枚のレチクルを検査するレチクル検査装置において、測定対象のパターンの座標情報を入力する座標情報入力機能１０２と、得られた座標情報をもとに前記二枚のレチクルパターンの画像データを取得する画像入力機能１０３、１０５と、前記二枚のレチクルの前記画像データを同一座標について重ね合わせる画像重畳機能１０６と、前記二枚のレチクルのパターン間の位置関係を求める位置関係算出機能１０７と、前記位置関係に基づく前記重ね合わせ精度の指標を割り当て、前記二枚のレチクルの修正の要否を評価する評価機能１０８と、評価した結果を出力する評価結果出力機能１０９とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 従来の元素分析方法では困難だったフォトマスク上の微細な異物の元素分析方法を提供する。
【解決手段】 導電性AFMのAFM機能で異物1の位置出しを行い、導電性探針2を異物1直上に配置して異物1を含む領域に放射光3を照射し特定元素の内殻電子を励起しフェルミ準位近傍に現れる電子状態変化を導電性AFMのSTM機能でトンネルしてくる電子6をトンネル電流検出系13で検出し異物1の元素分析を行う。もしくは導電性AFMのAFM機能で異物の位置出しを行い、導電性探針を異物直上に配置して導電性AFMのSTM機能で異物に導電性探針から電子を注入し出てきた光を電子対解離型超伝導センサーでエネルギーを測定し異物の元素分析を行う。あるいは導電性AFMのAFM機能で異物の位置出しを行い、導電性探針を異物直上に配置して導電性AFMのSTS機能で電流-電圧特性を測定しその形状から異物材料の推定を行う。 （もっと読む）

【課題】半透光部に半透光膜を用いたグレートーンマスクの製造段階で生じ得るアライメントずれを定量的に検査できるグレートーンマスクの検査方法を提供する。
【解決手段】少なくとも２回の描画工程を含むパターニング工程を用いて透明基板上に形成した膜にパターンを形成することにより製造される遮光部と透光部と半透光部を有するグレートーンマスクの検査方法であって、１度目の描画工程によって得られる第一レジストパターンは第一マークを含み、２度目の描画工程によって得られる第二レジストパターンは第二マークを含み、第一レジストパターンにおける第一マーク又は該第一マークに相当する膜パターンのエッジと、第二レジストパターンにおける第二マーク又は該第二マークに相当する膜パターンのエッジとの距離を測定し、当該距離が所定範囲内であるか否かを検査する。 （もっと読む）