【課題】ＥＵＶ光リソグラフィ用マスクの位相欠陥を簡便に救済する技術を提供する。
【解決手段】ＥＵＶリソグラフィ用マスクの製造に用いるマスクブランクの位相欠陥検査工程で位相欠陥が検出された場合、前記位相欠陥が凹欠陥か凸欠陥かを判定し、前記位相欠陥の凹凸に応じて、前記ＥＵＶリソグラフィ用マスクの前記位相欠陥を含む部位を局所的にデフォーカスさせて露光を行うことにより、ＥＵＶリソグラフィ用マスクの位相欠陥を修正することなく、半導体ウエハへの回路パターンの異常転写を抑制する。 （もっと読む）

【課題】マスクブランクに存在する位相欠陥とＥＵＶＬ用マスクを製造した後に残存する位相欠陥との両方を感度良く検出する方法を提供する。
【解決手段】マスクブランクを検査する場合は、中心遮蔽ＮＡ以内で大きい照明ＮＡを有するＥＵＶ光を照射し、ＥＵＶＬ用マスクを検査する場合は、ＥＵＶ光を遮蔽する中心遮蔽部と、中心遮蔽部の直径よりも小さい幅を有し、ＥＵＶ光を遮断する線状遮蔽部とをその瞳面に有する暗視野結像光学系を用いて、線状遮蔽部の幅と同じ照明ＮＡまたは線状遮蔽部の幅よりも小さい照明ＮＡを有するＥＵＶ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光源を用いたＥＵＶマスク検査装置において、ＥＵＶ光の利用効率を高めること。
【解決手段】本発明のＥＵＶマスク検査装置は、光源ガスを用いてＥＵＶ光を発生するＥＵＶ光発生手段と、ＥＵＶ光発生手段に光源ガスを供給する光源ガス供給手段と、を備える光源チャンバーと、ＥＵＶ光発生手段で発生したＥＵＶ光を選択的に透過させるフィルタと、第１排気手段と、を備える補助チャンバーと、フィルタを透過したＥＵＶ光を検査対象に導く検査光学系と、第２排気手段と、を備える検査光学系チャンバーと、を具備する。ここで、本発明のＥＵＶマスク検査装置は、光源チャンバーと補助チャンバーと検査光学系チャンバーは空間的に接続されており、第１排気手段及び第２排気手段により補助チャンバーと検査光学系チャンバーとの間で差動排気を行う。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光を検査光とする多層膜マスクブランクのマスクブランク検査装置において、プラズマ光源の位置を短時間で、かつ正確に位置決めする。
【解決手段】ＥＵＶ光検出用フォトダイオード２４によりＥＵＶ光を捉えるマスクステージ７の位置をあらかじめ記憶し、この位置におけるＥＵＶ光の第１強度分布を計測しておく。光源６を再設置した後、ＥＵＶ光を捉えるマスクステージ７の位置でのＥＵＶ光の第２強度分布をＥＵＶ光検出用フォトダイオード２４の位置座標の関数として計測し、第１強度分布と第２強度分布とが一致するように光源微動機構２３によって光源６を移動させる。さらに、散乱体２５にＥＵＶ光を照射し、散乱したＥＵＶ光の第３強度分布を２次元アレイセンサーＳＥで検知し、第３強度分布に応じて、光源６を光源微動機構２３によって移動させる。 （もっと読む）

【課題】高さ検査における検出誤差を低減させる。
【解決手段】検出装置１００は、光源２０１を有し、前記光源から発せられた光を対象物面１０１に照明する照明光学系２００と、前記対象物１０１に前記照明光学系２００からの照明光を照明して、反射光を集光する対物レンズ２１８と、前記対物レンズ２１８を通過した前記反射光を結像する結像光学系と、前記対象物１０１と共役な、前記照明光学系２００内の点に設置した照明スリット２１０と、結像光学系内のビームスプリッタ２２２と、前記2つに分岐された光線の一方の結像点より前に設置された前側検出スリット２３０と、他方の結像点より後に設置された後側検出スリット２４０と、前記前側検出スリットを通過透過光をそれぞれ独立に受光する複数の前側検出光量センサ２５２と、それぞれの透過光をそれぞれ独立に受光する複数の後側検出光量センサ２５４と、を少なくとも備える。 （もっと読む）

【課題】マイクロリトグラフィー用マスクなどの対象物の検査装置。
【解決手段】対象物から放出される照明光をより長波長の光線へ変換するためのコンバータ、および画像記録のためのセンサが装備されていて、そのセンサが真空チェンバの外側にあって、真空チェンバからコンバータのセンサに到るまでの光学インタフェースとして配置されている、または結像対物レンズＯの少なくとも一部が窓として真空チェンバ内に配置されている、真空チェンバ内に存在する、特にマイクロリトグラフィー用マスクなど対象物ＯＦの検査装置。 （もっと読む）

【課題】位相欠陥と、パターン欠陥または異物とを、同時に検出可能な検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】検査装置１００は、透過照明光学系３０１によってマスク１０１の一方の面に光を照射し、マスク１０１を透過した透過光を透過結像光学系３０３を介して第１のフォトダイオードアレイ１０４に結像する。また、反射照明光学系３０２によってマスク１０１の他方の面に光を照射し、マスク１０１で反射した反射光を反射結像光学系３０４を介して第２のフォトダイオードアレイ１０５に結像する。透過照明光学系３０１の瞳面には第１の開口絞り２０３が配置され、透過結像光学系３０３の瞳面には、第１の開口絞り２０３と共役な形状であって位相差フィルタを備えた第２の開口絞り２０８が配置されている。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニング用フォトマスクの欠陥判定及び欠陥影響度を検証するフォトマスクの検査方法及びフォトマスクの検査装置を提供する。
【解決手段】複数のフォトマスクを使って描画パターンを形成するためのフォトマスク群の検査方法であって、複数のフォトマスクについてフォトマスク画像を取得するフォトマスク画像取得工程と、フォトマスク画像を重ね合わせ、重ね合わせ画像を取得する画像重ね合わせ工程と、重ね合わせ画像から描画パターンへの影響を検査する検査工程と、を備えることを特徴とするフォトマスク群の検査方法。 （もっと読む）

【課題】マスク検査装置において、２つの検出画像を比較してマスクの欠陥有無を検出可能とする。
【解決手段】光源１から出射された深紫外線領域のレーザ光を照明光として、所定のパターンが形成されたマスク２００に照射する照明光学系２と、２つのＴＤＩセンサ１１，１２と、照明光が照射されたマスク２００の照明領域のうち、互いに異なる検出対象領域からの光を同時に、かつ各別に２つのＴＤＩセンサ１１，１２に結像させる２つの結像光学系と、２つのＴＤＩセンサ１１，１２によりそれぞれ検出して得られた２つの像のサイズを一致させる像倍率補正手段と、像倍率補正手段によりサイズが一致された２つの像に基づいて、マスク２００の欠陥を検出する信号処理系２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】照明光の短波長化にもかかわらずかつマスクのパターンの膜厚が厚くなってもマスクの欠陥検査を一度に行うことができかつその欠陥の種類の識別も容易に行うことができる。
【解決手段】マスク４のパターン形成面と反対の面の側から互いに異なる第１及び第２の領域に同時に光を照明する照明光学系２と、第１の領域を透過した光を取り込む第１の検出センサ１９と、第２の領域を透過した光を取り込む第２の検出センサ１７と、第１の領域を透過した光を第１の検出センサに結像する第１の検出光学系１６と、第２の領域を透過した光を第２の検出センサに結像する第２の検出光学系１５と、第１の領域から透過した光を反射して第１の検出光学系１６に導く反射ミラー２１と、検出光学系１５、１６に得られるパターン像との合焦関係をマスクの膜厚に応じてそれぞれ変更する合焦制御機構２３、２４がそれぞれ設けられる。 （もっと読む）

オブジェクト検査のための、特に、リソグラフィプロセスで使用されるレチクルの検査のためのシステムおよび方法が開示される。当該方法は、基準放射ビームをプローブ放射ビームと干渉法により合成することと、それらの合成視野像を記憶することと、を含む。そして、１つのオブジェクトの合成視野像を、基準オブジェクトの合成視野像と比較して差を求める。これらのシステムおよび方法は、欠陥に関するレチクルの検査において特定の有用性を有する。 （もっと読む）

フーリエフィルタリングおよびイメージ比較を用いるマスク検査システムは、第１ディテクタと、動的フーリエフィルタと、コントローラと、第２ディテクタとを含んでよい。第１ディテクタは、検査システムのフーリエ面に配置され、かつマスクの領域によって生成されるパターン付き光の第１部分を検出することができる。動的フーリエフィルタは、パターン付き光の検出された第１部分に基づいてコントローラによって制御されてよい。第２ディテクタは、マスクの一部によって生成され、かつ動的フーリエフィルタを透過したパターン付き光の第２部分を検出することができる。さらに、マスク検査システムは、パターン付き光を別のパターン付き光と比較するためにデータ解析デバイスを含むことができる。結果的に、マスク検査システムは、マスクの領域上のあらゆる可能な欠陥をより正確にかつより高い解像度で検出することができる。 （もっと読む）

【課題】露光対象となっている露光領域以外の領域に光が漏洩することなく、精度よく欠陥検査ができる露光用マスク及びその製造方法並びに半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性の基板１１上に光反射膜１２、バッファ層１３及び光吸収膜１４が形成されたＥＵＶマスクブランクスを準備する。そして、パターン形成領域１７において光吸収膜１４を選択的に除去してパターン１８を形成すると共に、パターン形成領域１７を囲む枠状の領域において光吸収膜１４を除去する。次に、この枠状の領域においてバッファ層１３及び光反射膜１２を除去して遮光枠２０を形成する。次に、基板１１上に、積層膜１５における遮光枠２０の内部に配置された部分１５_ｉｎを積層膜１５における遮光枠２０の外部に配置された部分１５_ｏｕｔに接続するように配線２１を形成する。次に、電子ビームを照射してパターン１８を検査する。これにより、露光用マスク１を製造する。 （もっと読む）

【課題】検査中のパターン面へのパーティクルの落下を抑制すること。
【解決手段】本発明の一態様に係るＥＵＶマスク検査装置１００は、ＥＵＶマスク２０のパターン面２１を上側にした状態で、当該ＥＵＶマスク２０を載置するステージ７と、ＥＵＶマスク２０の検査中に、パターン面２１を覆うように、当該パターン面２１に平行に配置される平板状のツバ５とを備える。ツバ５は、ＥＵＶマスク２０のパターン面２１に検査光を集光する対物レンズ４の周囲に取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】 任意のパターンを有するレチクル上のパーティクル及び異常の検出を可能にすること。
【解決手段】 レチクル検査のための方法及びシステムを開示する。この方法は、検査レチクル及び基準レチクルの表面をコヒーレントに照明すること、照明された表面からの散乱光にフーリエ変換を適用すること、基準レチクルからの変換された光の位相を、検査レチクルからの変換された光と基準レチクルからの変換された光との間の位相差が１８０度であるようにシフトすること、変換された光を像減算として合成すること、合成された光に逆フーリエ変換を適用すること、及び、ディテクタにおいて合成された光を検出することを含む。照明源からディテクタへの２つの光路間の光路長差は、照明源のコヒーレント長未満である。ディテクタにより検出される像は、レチクルの振幅及び位相分布における差を表し、これにより、外部パーティクル、異常などを容易に識別することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高いコントラストで検査を行うことができる検査装置及び検査方法並びにそれを用いたパターン基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明にかかる検査装置は、光を透過するガラス基板２１の透過率に基づいて欠陥を検出して、ガラス基板２１と、反射面を有する第１の膜２９とを備える試料を検査する検査装置であって、ガラス基板２１の一方の面である入射面から試料に光を入射させる光源１１と、開口数が０．００２以上０．２以下で、光源１１からの光を反射面上に集光する対物レンズ１７と、ガラス基板２１に斜めに入射した入射光が反射面で正反射されることによって、ガラス基板２１において入射光が通過した位置と近い位置を斜めに通過して入射面から出射された光を検出する光検出器３２とを備えるものである （もっと読む）

【課題】基板表面に付着した異物の検出精度を向上する。
【解決手段】レチクルＲの被検査面（ガラス面ＲＧ）に波長の異なる複数のプローブ光を照射し、ガラス面ＲＧからの散乱光を複数の受光角で受光し、受光した散乱光Ｌ_１，Ｌ_２のそれぞれの強度を計測する。ガラス面ＲＧでのプローブ光の照射位置と照射位置に対応する散乱光Ｌ_１，Ｌ_２の強度の計測結果とから、複数のプローブ光の波長と複数の散乱光の受光角毎に、ガラス面ＲＧについての散乱光の強度分布を求める。求められた複数の強度分布を相互に比較して解析することにより、レチクルパターンによる回折光からガラス面ＲＧ上に付着した異物ＡＰによる散乱光を分離して検出することができるので、精度良く異物ＡＰを検出することが可能となる。 （もっと読む）

【目的】二重パターニング用や二重露光用のマスクにおける単体では問題無いが両者が組み合わされた場合に問題となる欠陥を検査する検査装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のパターン検査装置１００は、相補関係にある露光用マスク基板５２，５４を並べて配置するＸＹθテーブル１０２と、露光用マスク基板５２，５４中の互いに相補される領域が１つの検査ストライプ内に含まれるように仮想分割された検査ストライプ毎に光学画像を取得する光学画像取得部１５０と、光学画像中における互いに相補される領域における露光用マスク基板５２，５４の画像同士を重ね合わせ、欠陥の有無を判定する判定回路１０８と、判定された結果を出力するパターンモニタ１１８と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、マスク単体では問題無いが両者が組み合わされた場合に問題となる欠陥を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを向上させることができるフォトマスクの検査方法、半導体デバイスの検査方法及びパターン検査装置を提供する。
【解決手段】同一の半導体デバイスの製造に用いられる複数枚のフォトマスクＦであって、それぞれに相互に代替可能な複数の単位領域Ｒが設定されたフォトマスクＦを検査して欠陥を検出し、検出された欠陥に、それが位置する単位領域Ｒを他の単位領域Ｒに代替することによってフォトマスクＦを救済可能なリダンダンシー欠陥Ｄがあるか否かを判定する。そして、２枚目以降のフォトマスクＦを検査するときには、それより前に検査された他のフォトマスクにおいて検出されたリダンダンシー欠陥Ｄの座標を含む単位領域Ｒを非検査領域ＲＸに設定し、この非検査領域ＲＸは検査しない。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクの高信頼性を十分に保ちつつも、フォトマスクの再製造を可及的に抑えて高い製品歩留まりを容易に達成し、製品納期の遵守及び製造コスト・価格の低廉なフォトマスクを可能する。
【解決手段】いくつかのチップ領域が不良であっても、一定の条件を満たす場合には当該フォトマスクを製品として供するものであり、フォトマスクの信頼性の保持及び不良チップ領域の容易且つ確実な認知を可能とすべく、フォトマスクごとに各チップ領域について検査し、その検査結果を用いて予め規定された判定基準と比較する。比較の結果、当該判定基準を満たす場合には、当該フォトマスク群を良品であると判定し、製品として供する。 （もっと読む）