レチクル検査システム及び方法
【課題】 任意のパターンを有するレチクル上のパーティクル及び異常の検出を可能にすること。
【解決手段】 レチクル検査のための方法及びシステムを開示する。この方法は、検査レチクル及び基準レチクルの表面をコヒーレントに照明すること、照明された表面からの散乱光にフーリエ変換を適用すること、基準レチクルからの変換された光の位相を、検査レチクルからの変換された光と基準レチクルからの変換された光との間の位相差が１８０度であるようにシフトすること、変換された光を像減算として合成すること、合成された光に逆フーリエ変換を適用すること、及び、ディテクタにおいて合成された光を検出することを含む。照明源からディテクタへの２つの光路間の光路長差は、照明源のコヒーレント長未満である。ディテクタにより検出される像は、レチクルの振幅及び位相分布における差を表し、これにより、外部パーティクル、異常などを容易に識別することが可能となる。
【解決手段】 レチクル検査のための方法及びシステムを開示する。この方法は、検査レチクル及び基準レチクルの表面をコヒーレントに照明すること、照明された表面からの散乱光にフーリエ変換を適用すること、基準レチクルからの変換された光の位相を、検査レチクルからの変換された光と基準レチクルからの変換された光との間の位相差が１８０度であるようにシフトすること、変換された光を像減算として合成すること、合成された光に逆フーリエ変換を適用すること、及び、ディテクタにおいて合成された光を検出することを含む。照明源からディテクタへの２つの光路間の光路長差は、照明源のコヒーレント長未満である。ディテクタにより検出される像は、レチクルの振幅及び位相分布における差を表し、これにより、外部パーティクル、異常などを容易に識別することが可能となる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001] 本発明は、一般にリソグラフィに関し、より具体的にはリソグラフィに用いられるレチクルの検査に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002] リソグラフィは、集積回路（ＩＣ）並びに他のデバイス及び／又は構造を製造する際の重要なプロセスとして広く知られている。リソグラフィ装置は、リソグラフィの間に所望のパターンを基板上、例えば基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置を用いてＩＣを製造する際に、パターニングデバイス（或いはマスク又はレチクルとも呼ばれる）によって、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンが生成される。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、又は1つ以上のダイを含む）上に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（例えば、レジスト）層への結像によって行われる。一般に、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。ＩＣの様々な層を製造することは、大抵の場合、異なるレチクルを用いて異なる層上に異なるパターンを結像することが必要となる。したがって、リソグラフィプロセスの間にレチクルを取り替える必要がある。
【０００３】
[0003] 現行のリソグラフィシステムは、極小のマスクパターンフィーチャを投影する。レチクルの表面上に出現する埃や外部からの粒子状物質が、結果として生じる製品に悪影響を及ぼしてしまう。リソグラフィプロセス前又はその間にレチクル上に堆積するあらゆる粒子状物質は、基板上に投影されるパターン内のフィーチャを変形させる可能性がある。したがって、フィーチャのサイズが小さいほど、レチクルから除去することが重要となるパーティクルのサイズも小さくなる。
【０００４】
[0004] 多くの場合、ペリクルがレチクルと共に用いられる。ペリクルは、レチクルの表面の上方にあるフレーム全体に広げられる薄い透明層である。ペリクルは、パーティクルが、パターンが付けられた側のレチクル面に到達することを阻止すべく用いられる。ペリクル面上のパーティクルは、焦点面から外れており、露光されるウェーハ上に結像されないはずであるが、ペリクル面を可能な限りパーティクルがない状態にすることが依然として好適である。しかし、一部のタイプのリソグラフィ（例えば、極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィ）では、ペリクルは用いられない。ＥＵＶレチクルにはカバーがないことによりパーティクル汚染の影響を受け易く、パーティクル汚染はリソグラフィプロセスに異常をもたらしてしまうことがある。ＥＵＶレチクル上のパーティクルは、結像異常の主な原因の１つである。ＥＵＶレチクルを露光位置に移動させる前にレチクルを検査及び洗浄することは、レチクルハンドリングプロセスの重要な一側面となりうる。レチクルは、通常、検査の結果又は過去の統計に基づいて汚染があると思われる場合に洗浄される。
【０００５】
[0005] レチクルは、通常、散乱光技術を利用したレーザスキャン型スキャトロメータ又はイメージングシステムを用いて異常を見つけるべく検査される。この技術では、レーザビームの焦点がレチクル上に合わされ、鏡面反射方向から離れるように散乱する放射ビームが検出される。物体面上のパーティクルが光をランダムに散乱させる。顕微鏡を用いて照射面を観察すると、パーティクルは明るいスポットとして浮き上がる。このスポットの強度がパーティクルのサイズの尺度となる。
【０００６】
[0006] 可視又は紫外線（ＵＶ）光と共に動作するスキャトロメータは、スキャン型イメージングシステム（例えば、共焦点、ＥＵＶ、又は電子ビーム顕微鏡システム）よりも著しく高速のレチクル検査を可能にする。レーザ照明ビームと、レチクル上のパターンから回折された光を遮断する瞳面におけるフーリエフィルタを有するコヒーレント光学系を使用するスキャトロメータが知られている。このタイプのスキャトロメータは、レチクル上の周期パターンからくる背景のレベルを超えてパーティクルによって散乱された光を検出する。
【０００７】
[0007] このようなシステムの一例が、２００７年１１月８日に公開され、「Inspection Method and Apparatus Using Same」なるタイトルで、Bleekerらによる米国特許出願公開番号第２００７／０２５８０８６号に記載される。図１に示すように、例示的な検査システム１００は、顕微鏡対物系１０４、瞳フィルタ１０６、投影光学系１０８、及びディテクタ１１０を含む。放射（例えば、レーザ）ビーム１１２が、物体（例えば、レチクル）１１４を照明する。瞳フィルタ１０６を用いて物体１１４のパターンによる光学散乱が遮断される。コンピュータ１１６を用いて、物体１１４のパターンに基づいて瞳フィルタ１０６のフィルタリングを制御することができる。したがって、フィルタ１０６は、物体１１４に対する瞳面における空間フィルタとして設けられ、物体１１４のパターン付き構造に関連付けられて散乱放射から放射を除去する。ディテクタ１１０は、汚染パーティクルの検出のためにフィルタ１０６を透過した放射の一部を検出する。
【０００８】
[0008] しかし、任意の（すなわち、非周期的な）パターンを有するレチクルには検査システム１００のような検査システムを用いることが適していない。この制限は、パターンによって回折される光によるディテクタの飽和の結果生じる。ディテクタは限られたダイナミックレンジを有し、パターンから散乱される光がある状態ではパーティクルからの光を検出することができない。換言すれば、周期パターンに対してのみ、コヒーレント光学系のフーリエ面における空間フィルタによって対応光を効率的に除去することができる。周期パターン（例えば、ＤＲＡＭ用）であっても、レチクルスキャンプロセスにおいてフーリエフィルタを変更する際に深刻な問題がある。検査システム１００などの検査システムでは、そのフーリエろ過のために平行照明ビームのみを使用するという制限もある。したがって、検査システム１００などの検査システムは、レチクル面ラフネスからの散乱を抑制するために必要な照明最適化を行うことができない。
【０００９】
[0009] 公知の検査システムを用いるとき、パーティクル検出の精度、品質及び確実性が非常に多くの場合に犠牲となる。より高いスループットがますます求められ、また、リソグラフィフィーチャのサイズが縮小するに従って、速度、より小さいパーティクルサイズ検出、及び望ましくない影響に対する耐性について検査システムの性能を高めることがますます重要となってきている。
【発明の概要】
【００１０】
[0010] 上述を鑑みるに、任意のパターンを有するレチクルを検査するためのシステム及び方法が必要とされている。この必要に応えることを目的として、本発明の実施形態は、任意のパターンを有するレチクル上のパーティクル及び異常の検出を可能にする検査システム及び方法に関する。
【００１１】
[0011] 例えば、本発明の一実施形態は、レチクルを検査する方法を提供する。この方法は、コヒーレント照明源を用いて、検査レチクルの表面及び基準レチクルの表面の各部分を照明することと、照明された部分からの散乱光にフーリエ変換を適用することと、検査レチクル及び基準レチクルのうち一方からの変換された光の位相を、検査レチクルからの変換された光と基準レチクルからの変換された光との間の位相差が１８０度となるようにシフトすることと、照明された部分からの変換された光を合成することと、合成された光に逆フーリエ変換を適用することと、ディテクタにおいて合成された光を検出することとを含む。本実施形態では、照明源からディテクタへの第１光路と、照明源からディテクタへの第２光路との間の光路長差が、照明源のコヒーレンス長未満であり、ディテクタにより検出された合成された光は、検査レチクル及び基準レチクルの振幅及び位相分布における差を表す像の形態にあり、それにより、外部パーティクル及び／又は異常を容易に識別することができる。
【００１２】
[0012] 本発明の別の実施形態は、検査レチクル及び基準レチクルの各部分を照明するように構成されたコヒーレント照明源と、検査レチクルの照明された部分から伝播された第１光ビームに第１フーリエ変換を適用するように構成された第１顕微鏡対物系を有する検査干渉計分岐と、基準レチクルの照明された部分から伝播された第２光ビームに第２フーリエ変換を適用するように構成された第２顕微鏡対物系を有する基準干渉計分岐とを含むレチクル検査システムを提供する。このシステムは更に、検査干渉計分岐と基準干渉計分岐との間に１８０度の位相シフトを生じさせるように構成された干渉計素子を含む。このシステムは更に、第１及び第２光ビームを受け取り且つ合成するように構成されたビームスプリッタと、合成された第１及び第２光ビームに逆フーリエ変換を与えるように構成されたフーリエレンズと、第１及び第２光ビームが検査レチクル及び基準レチクルの振幅及び位相分布における差を表す像を形成するように、合成された第１及び第２光ビームを検出するように構成されたディテクタとを含む。外部パーティクル及び／又は異常は像において容易に識別可能である。本実施形態では、検査干渉計分岐は検査レチクルとディテクタとの間の光路を有し、基準干渉計分岐は基準レチクルとディテクタとの間の光路を有する。検査干渉計分岐と基準干渉計分岐との間の光路長差は、照明源のコヒーレンス長未満である。一実施形態では、システムは、第１顕微鏡対物系からの第１光ビームをビームスプリッタに向けるように構成された検査干渉計分岐における干渉計素子を含む。この干渉計素子は、１８０度の位相シフトを生じさせるように用いられた干渉計素子と同じであってよい。別の実施形態では、このシステムは、第１顕微鏡対物系からの第１光ビームをビームスプリッタに向けるように構成された第１干渉計素子と、第２顕微鏡対物系からの第２光ビームをビームスプリッタに向けるように構成された第２干渉計素子とを含む。これらの干渉計素子のどちらも１８０度の位相シフトを生じさせるために用いることができる。
【００１３】
[0013] 本発明の更なる実施形態は、上述したシステムのいずれであってもよいレチクル検査システムを有するリソグラフィシステムを提供する。
【００１４】
[0014] 本発明の更なる特徴及び利点、並びに本発明の様々な実施形態の構造及び動作は、添付図面を参照して以下に詳述する。なお、本発明は、本明細書に記載した特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。このような実施形態は、本明細書中、説明することのみを目的として提示される。更なる実施形態が本明細書に含まれる教示内容に基づいて当業者には明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
[0015] 本願に組み込まれ且つ本明細書の一部を形成する添付図面は、本発明を例示し、また、以下の説明とともに本発明の原理を更に説明し且つ当業者が本発明をなす及び利用することを可能とするものである。
【図１】[0016] 図１はスキャトロメトリを用いる公知のレチクル検査システムの一例である。
【図２】[0017] 図２は本発明の一実施形態によるレチクル検査システムを示す。
【図３Ａ】[0018] 図３Ａは本発明の実施形態によるレチクル照明の一例を示す。
【図３Ｂ】[0018] 図３Ｂは本発明の実施形態によるレチクル照明の一例を示す。
【図３Ｃ】[0018] 図３Ｃは本発明の実施形態によるレチクル照明の一例を示す。
【図３Ｄ】[0018] 図３Ｄは本発明の実施形態によるレチクル照明の一例を示す。
【図４】[0018] 図４は本発明の実施形態によるレチクル照明の一例を示す。
【図５】[0019] 図５は本発明の一実施形態による、基準レチクルとして用いられる空間光モジュレータを示す。
【図６】[0020] 図６は本発明の一実施形態による、等光路長を有するレチクル検査システムを示す。
【図７Ａ】[0021] 図７Ａは本発明の実施形態によるレチクルサポートの別の例を示す。
【図７Ｂ】[0021] 図７Ｂは本発明の実施形態によるレチクルサポートの別の例を示す。
【図７Ｃ】[0021] 図７Ｃは本発明の実施形態によるレチクルサポートの別の例を示す。
【図８Ａ】[0022] 図８Ａは本発明の実施形態による、単一レチクルを用いる別の例を示す。
【図８Ｂ】[0022] 図８Ｂは本発明の実施形態による、単一レチクルを用いる別の例を示す。
【図９】[0023] 図９は本発明の実施形態を用いて検出された外部パーティクルを示す結像例を示す。
【図１０Ａ】[0024] 図１０Ａは反射型リソグラフィ装置を示す。
【図１０Ｂ】[0024] 図１０Ｂは透過型リソグラフィ装置を示す。
【図１１】[0025] 図１１は例示的なＥＵＶリソグラフィ装置を示す。
【図１２】[0026] 図１２は本発明の一実施形態によるレチクル検査方法を説明するフロー図である。
【図１３】[0027] 図１３は本発明の一実施形態による、図１２に示すレチクル検査方法の更なる工程を説明するフロー図である。
【図１４】[0028] 図１４は本発明の一実施形態による、図１２に示すレチクル検査方法の複数の更なる工程を説明するフロー図である。
【図１５】[0029] 図１５は本発明の一実施形態による、図１４に示すレチクル検査方法の更なる工程を説明するフロー図である。
【図１６】[0030] 図１６は本発明の一実施形態による、図１２に示すレチクル検査方法の更なる工程を説明するフロー図である。
【００１６】
[0031] 本発明の特徴及び利点は、図面と共に考慮された場合に以下に記載する詳細な説明からより明らかとなろう。図中、同様の参照文字は全体に亘って対応する構成要素を特定する。図中、同様の参照番号は、一般に、同一の、機能上同様の、及び／又は構造上同様の構成要素を示す。ある構成要素が最初に登場する図面は、対応する参照番号の左端の数字によって示す。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
Ｉ．概説
[0032] 本発明は、レチクル検査システム及び方法に関する。本明細書は、本発明の特徴が組み込まれた１以上の実施形態を開示する。開示する実施形態は、本発明を例示するに過ぎない。本発明の範囲は、開示する実施形態に限定されない。本発明は、添付の特許請求の範囲によって定義される。
【００１８】
[0033] 記載する実施形態、及び、明細書中における「一実施形態」、「実施形態」、「例示的な実施形態」などへの言及は、記載した実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を有してよいが、どの実施形態も必ずしもその特徴、構造、又は特性を含まなくてもよいことを示すものである。更に、このような語句は、必ずしも同じ実施形態を指しているわけではない。また、特定の特徴、構造、又は特性が一実施形態に関連して説明された場合、明示的な記載の有無に関わらず、その特徴、構造、又は特性を他の実施形態に関連して達成することは当業者の知識内であることは理解されよう。
【００１９】
[0034] 本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又は任意の組み合わせで実施されてよい。本発明の実施形態は、機械読取可能媒体上に記憶され、１以上のプロセッサによって読出し及び実行されてよい命令として実施されてもよい。機械読取可能媒体は、機械（例えば、コンピュータデバイス）によって読取可能な形態で情報を記憶及び伝送するための任意の機構を含んでよい。例えば、機械読取可能媒体の例としては、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光学、音響、又は他の形態の伝播信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号など）などが挙げられる。更に、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令を、本明細書においては、特定の動作を行うように説明する場合もある。しかし、そのような記載は便宜上のものに過ぎず、そのような動作は、実際には、コンピュータデバイス、プロセッサ、コントローラ、又はファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行する他のデバイスによるものであることは理解されるべきである。
【００２０】
[0035] 以下の説明は、レチクル上のパーティクル及び異常の検出を可能にし、かかるレチクルは任意のパターンを含んでいる、レチクル検査システム及び方法を提供する。この検査は、高度に生産的なスキャトロメトリの手段を用いて達成される。提示するアプローチは、光路において直接レチクル上の任意のパターンから散乱した光を抑制し、その結果、限られたダイナミックレンジを有するフォトディテクタを用いてパーティクル及び異常を検出することが可能である。
ＩＩ．レチクル検査システムの実施形態
【００２１】
[0036] 図２は、本発明の一実施形態によるレチクル検査システム２００を概略的に示す。レチクル検査システム２００は、基板サポート２３６を有し、基板サポートはその上に取り付けられた検査レチクル２３０及び基準レチクル２３２を有する。検査レチクル２３０は、検査用に設けられたレチクルである。基準レチクル２３２は、検査レチクル２３０との比較用に設けられたレチクルである。基準レチクル２３２は、汚染からの保護のためのペリクル２３４（すなわち、ガラス窓など）を含んでもよい。検査レチクル２３０もペリクルを含んでよいが、ＥＵＶリソグラフィプロセスに用いられる場合にはペリクルはない。
【００２２】
[0037] レチクル検査システム２００は更に、検査レチクル２３０及び基準レチクル２３２のそれぞれの等しい部分（例えば、同一レチクル上の同じ領域、等しいパターンを有する領域など）にコヒーレントな照明ビーム２０３を供給する照明源２２０と、照明された検査レチクル２３０及び基準レチクル２３２から伝播された照明ビームにフーリエ変換をそれぞれ行う顕微鏡対物系２０４及び２０５とを含む。後に、レンズ２２６が逆フーリエ変換を行い、レチクルの像を形成する。一実施形態では、顕微鏡対物系２０４及び２０５は、１以上のレンズを含むことができる。変換済みビーム２０７及び２０９は、ビームスプリッタ２２４において合成（例えば、減算）される。変換済みビーム２０７は、干渉計素子２０１（例えば、ミラー、チルトミラー、プリズムなど）を介してビームスプリッタ２２４に向けられる。干渉計素子２０１又は追加の干渉計素子（図示せず）は、ビーム２０７と２０９との間に１８０度の位相差を生じさせる。この位相シフトを生じさせるために用いてもよい他の干渉計素子としては、次に限定されないが、１以上のレンズ、ビームスプリッタ、電気光学光モジュレータ、音響光学光モジュレータなどが挙げられる。合成されたビーム２０７、２０９は、ビームスプリッタ２２４からフーリエレンズ２２６を通りディテクタ２１０に向けられる。対物系２０４及び２０５は、レンズ２２６と共に、２４２及びディテクタ２１０における光学的な共役面においてレチクル２３０及び２３２の重なり合った像を形成する。
【００２３】
[0038] 一実施形態では、レチクル検査システム２００は、レンズ２２６とディテクタ２１０との間にフィルタリングシステム２２５を任意選択的に含んでもよい。フィルタリングシステム２２５は、例えば、２つのフーリエレンズ２２７と、その間にあって望まない放射又はエネルギーを相殺する空間フィルタ２２８とを含むことができる。フィルタリングシステム２２５を用いることにより、より良好な出力信号対ノイズ比を提供することができ、また、レチクルパターンが周期部分を有する場合に特に有用である。空間フィルタリングシステム２２５が用いられない場合、フォトディテクタ２１０は、面２４２内に位置付けられる。
【００２４】
[0039] ビーム２０７と２０９との間に１８０度の位相差を維持するために、レチクル検査システム２００の一実施形態は更に、干渉計素子２０１を調節するためのフィードバックループを含むことができる。このフィードバックループは、ビーム２０７を検出し、アクチュエータ２４０に制御信号２５５を供給するディテクタ２３８を含む。アクチュエータ２４０は、次に必要な傾斜及びピストンのために必要に応じて干渉計素子２０１を調節することができる。制御信号２５５は、ディテクタ２３８によって検出された光強度から生成されることが可能である。図２に示すフィードバックループは、検査レチクルを含む光路内に示す。しかし、フィードバックループは、基準レチクルを含む路内に配置されてもよい。
【００２５】
[0040] 照明源２２０から検査レチクル２３０を通りディテクタ２１０に亘る光路は、検査路又は分岐を表し、照明源２２０から基準レチクル２３２を通りディテクタ２１０に亘る光路は、基準路又は分岐を表す。光路（すなわち、光路長）は、次式：ＯＰＬ＝ｃ∫ｎ（ｓ）ｄｓに示すように幾何学的長さ（ｓ）と屈折率（ｎ）の積であり、積分は光線に沿って行われる。均一な媒体を有する２つの（光源からディテクタまでの）分岐に直線光を用いる例では、光路差（ＯＰＤ）は、（ｎ１＊ｓ１）−（ｎ２＊ｓ２）に等しい。検査分岐と基準分岐との間の光路長差は、照明源２２０のコヒーレンス長未満でなければならない。この光路長差は、ゼロ又は略ゼロであってよい。短コヒーレンス長を有する光源を用いて動作するシステムでは、光路長差は、可能な限りゼロに近いことが好適である。
【００２６】
[0041] 上述したシステムでは、コヒーレント照明源を用い、検査分岐と基準分岐との間に１８０度の位相シフトを維持することによって、ディテクタ２１０において結果として得られる像は、検査レチクル及び基準レチクルの振幅及び位相分布における差を表す。この構成によって、外部パーティクル及び／又は異常は、例えば、図９を参照して以下に詳細に説明するように、像において識別することができるようになる。
【００２７】
[0042] 図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄ、及び図４は、本発明の実施形態による、レチクル照明の様々な例を示す。図３Ａに示す実施形態では、光ビーム３０３が、照明源２２０から検査レチクル２３０に直接供給されることを示す。光ビーム３０３は、図２に示したように、このように基準レチクル２３２にも直接供給されることが可能である。図３Ｂに示す別の実施形態では、光ビーム３０３は、オプションの照明システム３８１を介して検査レチクル２３０に供給される。図３Ｃに示す更なる実施形態では、照明源２２０からの照明は、光学素子３８３（例えば、ビームスプリッタ、回折格子など）を介して分割されて、折り返しミラー３８５を介してレチクル２３０、２３２に向けられることができる。本文書に記載する実施形態の多くは、反射型レチクルを用いた使用について記載されるが、本発明の実施形態は、図３Ｄに例示するように、透過型レチクル（検査レチクル、基準レチクル、又は両方用）を用いた使用にも適用してもよい。
【００２８】
[0043] 図４に示す実施形態では、光ビーム４０３が、照明源４２０によって、検査レチクル２３０及び基準レチクル２３２へと、それぞれ顕微鏡対物系２０４及び２０５を介して供給される。図４では、これは、ビームスプリッタ４５２及び４５４をそれぞれ用いることで達成される。図４に示す実施形態は、照明条件を最適化する際により多くの柔軟性を可能にする高い開口数照明を供給する。各実施形態では、コヒーレント照明ビームが、検査レチクル２３０及び基準レチクル２３２の同一の（又は同等の）領域に小さなスポットを形成する。このスポットは、１×１ｍｍ２、０．２５×０．２５ｍｍ２などのオーダーであることができる。
【００２９】
[0044] 本発明の一実施形態では、基準レチクル２３２は、空間光モジュレータであってよい。空間光モジュレータの例としては、次に限定されないが、液晶モジュレータアレイ（例えば、可視スペクトル範囲内）及びマイクロミラーアレイ（例えば、ＵＶシステム用）が挙げられる。図５は、基準パターンの生成のために基準レチクル２３２’にパターンデータを供給するべく用いることのできるプロセッサ５６０を含む本発明の一実施形態を示す。
【００３０】
[0045] 図６は、本発明の一実施形態による、等光路長を有するレチクル検査システム６００を示す。レチクル検査システム６００は、基板サポート６６４を含み、基板サポートは、両面に取り付けられた検査レチクル６３０及び基準レチクル６３２を有する。レチクル検査システム６００は更に、検査レチクル６３０及び基準レチクル６３２のそれぞれの等しい部分（例えば、同一レチクル上の同じ領域、等しいパターンを有する領域など）にコヒーレントな照明ビーム６０３を供給する照明源６７０を含む。照明ビーム６０３は、反射素子６７２及び６７４（例えば、ミラー、プリズムなど）をそれぞれ介してレチクル６３０及び６３２に向けられる。図３Ｃにおいて光学素子３８３が用いられたのと同様に、ビームスプリッタ又は回折格子といった光学素子を用いることもできる。レチクル検査システム６００は更に、図２における顕微鏡対物系２０４、２０５及びレンズ２２６と同様に機能する顕微鏡対物系６０４、６０５、及びレンズ６２６を含む。干渉計素子６０１及び６６８（例えば、ミラー、プリズムなど）が、各ビーム６０７、６０９を顕微鏡対物系６０４及び６０５からビームスプリッタ６２４に向ける。干渉計素子６０１、６６８は、ビーム６０７と６０９との間に１８０度の位相差を生じさせるように構成される。ビーム６０７及び６０９はビームスプリッタ６２４において合成（例えば、減算）される。合成されたビーム６０７、６０９は、ビームスプリッタ６２４からレンズ６２６を通りディテクタ６１０に向けられる。
【００３１】
[0046] 一実施形態では、レチクル検査システム６００は、図２におけるフィルタリングシステム２２５と同様にレンズ６２６とディテクタ６１０との間にフィルタリングシステム（図示せず）を任選択的に含むことができる。
【００３２】
[0047] ビーム６０７と６０９との間に１８０度の位相差を維持するために、レチクル検査システム６００の一実施形態は更に、図２に示すフィードバックループと同様に、干渉計素子６０１を調節するフィードバックループを含むことができる。このフィードバックループは、ビーム６０７を検出し、アクチュエータ６４０に制御信号６５５を供給するディテクタ６３８を含む。アクチュエータ６４０は、次に必要に応じて干渉計素子６０１を調節することができる。
【００３３】
[0048] 図６に示す実施形態では、検査レチクル６３０及び基準レチクル６３２とディテクタ６１０との間の光路長差は、照明源６７０のコヒーレンス長未満であることが好適である。図６では、これらの光路長は、全く等しいわけではないにしても略等しい。従って、光路長差は、完全にゼロではないがゼロに近い。このことは、短コヒーレンス長を有する光源を使用することを可能にし、また、用いる光学素子の光学面上の表面的な異常に対する感応性を最小限にする。
【００３４】
[0049] 図２を参照して上述したように、ディテクタ６１０において結果として得られる像は、検査レチクルと基準レチクルの振幅及び位相分布における差を表し、図９を参照して以下に詳細に説明するように、外部パーティクル及び／又は異常を容易に識別することを可能にする。
【００３５】
[0050] 図７Ａ、図７Ｂ、及び図７Ｃは、本発明の実施形態によるレチクルサポートの別の例を示す。図７Ａは、図２に示す実施形態に示したようなレチクルサポート２３６を示す。レチクルサポート２３６は、一端に検査レチクル２３０が取り付けられ、他端に基準レチクル２３２が取り付けられた単一サポートである。レチクルサポート２３６は、検査レチクル２３０の連続的な又は一連の部分の検査を可能にする可動式レチクルサポートである。レチクルサポート２３６は、検査レチクル２３０と基準レチクル２３２の両方を支持するので、検査レチクル２３０及び基準レチクル２３２は共に一致して（ユニゾンで）動く（すなわち、レチクル２３０及び２３２は、レチクルサポート２３６が移動させられると、同一の動作で一緒に動く）。
【００３６】
[0051] 図７Ｂに示す別の実施形態では、検査レチクル２３０は、第１レチクルサポート７７８上に取り付けられ、基準レチクル２３２は第２レチクルサポート７８０上に取り付けられる。２つの別個のレチクルサポート７７８、７８０が用いられる場合、これらは、検査レチクル２３０の連続的な又は一連の部分を検査するためにはユニゾンで移動可能であるべきである。
【００３７】
[0052] 図７Ｃに示す別の実施形態では、検査レチクル２３０は、第１レチクルサポート７８２上に取り付けられ、基準レチクル２３２は第２レチクルサポート７８４上に取り付けられ、第１レチクルサポート７８２及び基準レチクルサポート７８４は共に、第３レチクルサポート７８６の両端に配置される。この実施形態では、第１レチクルサポート７８２及び第２レチクルサポート７８４は、検査レチクル２３０の連続的な又は一連の部分の検査に対応すべくユニゾンで移動可能である。第３レチクルサポート７８６も、所望の位置へのより直接的な移動を可能にすべく移動可能である。
【００３８】
[0053] 上の説明では、レチクルは（各々のサポート上で）移動可能であるとして説明したが、本発明の別の実施形態は、固定のレチクルを有することを含む。この実施形態では、システムが移動して検査スキャンを行うことができ、その間、レチクルは固定されたままである。
【００３９】
[0054] 図８Ａ及び図８Ｂは、本発明の実施形態による、単一レチクルを用いた別の例を示す。図８Ａでは、レチクルサポート８３６上の単一レチクル８３１を示す。単一レチクル８３１は、その上に２つのパターン、すなわち、検査パターン８６３と別個の基準パターン８６５を有する。図８Ｂでは、レチクルサポート８３６上の単一レチクル８６７を示す。単一レチクル８６７はその上に単一パターン８６９を有する。単一パターン８６９は、検査パターン部８７１と基準パターン部８７３とを含む。検査パターン部８７１と基準パターン部８７３は、例えば、同一又は同等のパターンを含むことができる。図８Ａ及び図８Ｂの各実施形態は、例えば、図２のレチクル検査システム２００内に、検査レチクル２３０、基準レチクル２３２、及びレチクルサポート２３６の代わりに組み込んでもよい。
【００４０】
[0055] 図９は、本発明の実施形態を用いて検出された外部パーティクルを示す結像例９９０、９９１、及び９９２（コンピュータモデリング）を示す。例９９０及び９９１は、ランダムパターンを示す。例９９０では、検査レチクル９９３がパーティクル又は異常９９４を含み、基準レチクル９９５がパーティクル又は異常９９６を含む。レチクル検査システム２００（又は６００）を用いて数学的な減算を適用し、像９９７がディテクタ２１０（又は６１０）に結果として生じ、パーティクル９９４及び９９６が共に識別可能である。パーティクル又は異常が見つかったので、検査レチクル９９３を洗浄する（又は、そうでなければ、例えば、使用不可として廃棄する）ことができる。像９９７からは、パーティクル／異常が検査レチクル９９３上にあったのか基準レチクル９９５上にあったのかが不明なので、基準レチクル９９５も洗浄されてよく、又は、そうでなければ、注意を向けられてよい。例９９１及び９９２は、例９９２は規則的な（又は周期的な）パターンを示すこと以外は例９９０と類似する。例９９２では、潜在的なパーティクル又は異常９９８は、検査レチクルと基準レチクルの両方で同一であるので像９９９では出現しない。
【００４１】
[0056] 上述したように、ディテクタ２１０（又は６１０）において結果として生じる像は、検査レチクル及び基準レチクルの振幅及び位相分布における差を表す。１８０度の位相シフト及び光源のコヒーレント長未満の光路長差によって、１つのレチクルからの振幅像が、他のレチクルの振幅像から減算され、パターン間の差が、結果として生じる像内に明るいスポットとして示される。数理シミュレーションでは、このパターン像の減算は非常に効率的である。しかし、これには、２つのレチクル間の正確なオーバレイ調節と像フィールド全体に亘って１８０度の位相差を必要とする。レチクル間の正確なオーバレイは、メトロロジアライメントマークを用いるシステムの初期アライメント及び信号最小化アルゴリズムなどによって与えられることができる。視野全体に亘って必要な位相シフトは、（例えば、上述したようにレチクル検査システム２００及び６００内の干渉計素子２０１及び６０１を制御することによって）検査スキャンプロセスの間の傾斜及び位相のダイナミック調節によって与えられることが可能である。像減算後、多少の残留ノイズが観察されることがある。
【００４２】
[0057] ランダムパターン、又は、規則的な部分とランダムな部分の混合を有するパターンは、本文書の背景技術のセクションに記載した公知のフーリエフィルタリングアプローチでは効果的に処理することができない。本発明は、パターントポロジーの制限なく、効果的なパーティクル及び異常検出を可能にする。本発明は、光路において直接レチクル上のパターンから散乱した光を抑制し、その結果、限られたダイナミックレンジを有するフォトディテクタを用いてパーティクル及び異常を検出することが可能である。
ＩＩＩ．例示的なリソグラフィ環境
【００４３】
[0058] 上述の実施形態は、別個のデバイスとして説明した。或いは、これらの実施形態は、インツール（in-tool）デバイスとして、すなわち、リソグラフィシステム内に任意選択的に設けられてもよい。別個の装置としては、（例えば、出荷前の）レチクル検査のために用いることができる。インツールデバイスとしては、レチクルをリソグラフィプロセスに用いる前にそのレチクルの簡易検査を実行することができる。図１０Ａ、図１０Ｂ、及び図１１は、レチクル検査システム２００をインツールデバイスとして組み込むことのできるリソグラフィシステムの例を示す。図１０Ａ、図１０Ｂ、及び図１１では、レチクル検査システム２００は、各々のリソグラフィシステムと共に示す。
【００４４】
[0059] 以下の説明は、本発明の実施形態を実施してよい詳細な例示的な環境を表す。
Ａ．例示的な反射型及び透過型リソグラフィシステム
【００４５】
[0060] 図１０Ａ及び図１０Ｂは、それぞれ、リソグラフィ装置１０００及びリソグラフィ装置１０００’を概略的に示す。リソグラフィ装置１０００及びリソグラフィ装置１０００’は、それぞれ、放射ビームＢ（例えば、ＤＵＶ又はＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク、レチクル、又はダイナミックパターニングデバイス）ＭＡを支持するように構成され、且つパターニングデバイスＭＡを正確に位置付けるように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、且つ基板Ｗを正確に位置付けるように構成された第２のポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴとを含む。リソグラフィ装置１０００及び１０００’は更に、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分（例えば、１以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システムＰＳを有する。リソグラフィ装置１０００では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは反射型であり、リソグラフィ装置１０００’では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは透過型である。
【００４６】
[0061] 照明システムＩＬとしては、放射Ｂを誘導し、整形し、又は制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電型、若しくはその他のタイプの光コンポーネント、又はそれらのあらゆる組み合わせなどの様々なタイプの光コンポーネントを含んでよい。
【００４７】
[0062] サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの配向、リソグラフィ装置１０００及び１０００’の設計、及び、パターニングデバイスＭＡが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様でパターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式、又はその他のクランプ技術を使ってパターニングデバイスＭＡを保持することができる。サポート構造ＭＴは、必要に応じて固定式若しくは可動式にすることができるフレーム又はテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムＰＳに対して所望の位置に確実に置くことができる。
【００４８】
[0063] 「パターニングデバイス」ＭＡという用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃ内にパターンを作り出すように、放射ビームＢの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。放射ビームＢに付けられたパターンは、集積回路などのターゲット部分Ｃ内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応する。
【００４９】
[0064] パターニングデバイスＭＡは、（図１０Ｂのリソグラフィ装置１０００’のように）透過型であっても（図１０Ａのリソグラフィ装置１０００のように）反射型であってもよい。パターニングデバイスＭＡの例としては、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レゼンソン型（alternating）位相シフト、及びハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスク型、並びに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームＢにパターンを付ける。
【００５０】
[0065] 「投影システム」ＰＳという用語は、使われている露光放射に、若しくは液浸液の使用又は真空の使用といった他の要因に適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、及び静電型光学系、又は、それらのあらゆる組み合わせを含むあらゆる型の投影システムを包含してよい。真空環境は、他のガスが放射又は電子を多く吸収し過ぎてしまうことがあるのでＥＵＶ又は電子ビーム放射に用いてよい。したがって、真空環境は、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に設けられてよい。上述したようなレチクル検査システムを真空環境内に含めることで、レチクルを真空環境から移動させることなくレチクルを検査できる。
【００５１】
[0066] リソグラフィ装置１０００及び／又はリソグラフィ装置１０００’は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）ＷＴを有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加の基板テーブルＷＴを平行して使うことができ、すなわち、予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上の基板テーブルＷＴを露光用に使うことができる。例えば、１つのマスクが露光用に用いられている間に、別のマスクテーブルが上述したようなレチクル検査システムを用いたレチクル検査用に用いられてよい。
【００５２】
[0067] 図１０Ａ及び図１０Ｂを参照すると、イルミネータＩＬが放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源ＳＯとリソグラフィ装置１０００、１０００’は、例えば、放射源ＳＯがエキシマレーザーである場合、別個の構成要素であってもよい。そのような場合、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置１０００又は１０００’の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームＢは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤ（図１０Ｂ）を使って送られる。その他の場合、例えば、放射源ＳＯが水銀ランプである場合、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置１０００、１０００’の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じて、ビームデリバリシステムＢＤと共に、放射システムと呼んでもよい。
【００５３】
[0068] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤ（図１０Ｂ）を含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯといった様々な他のコンポーネント（図１０Ｂ）を含むことができる。イルミネータＩＬを使って放射ビームＢを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。
【００５４】
[0069] 図１０Ａを参照すると、放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。リソグラフィ装置１０００では、放射ビームＢはパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは放射ビームＢの焦点を基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合わせる。第２ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使って、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭ及び別の位置センサＩＦ１を使って、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることができる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って位置合わせされてもよい。
【００５５】
[0070] 図１０Ｂを参照すると、放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点を合わせる。第２ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使って、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１０Ｂには明示的に示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後又はスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。
【００５６】
[0071] 通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、又は固定されてもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００５７】
[0072] リソグラフィ装置１０００及び１０００’は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
１．工程モードでは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームＢに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘ及び／又はＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
２．スキャンモードでは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームＢに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率及び像反転特性によって決めることができる。
３．別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、又はスキャンする一方で、放射ビームＢに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。パルス放射源ＳＯが採用されてよく、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、又はスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、本願において言及したタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００５８】
[0073] 上述の使用モードの組合せ及び／若しくはバリエーション、又は完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００５９】
[0074] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」又は「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、及び／又はインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツール及びその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００６０】
[0075] 更なる実施形態では、リソグラフィ装置１０００は、ＥＵＶリソグラフィ用のＥＵＶ放射ビームを発生するように構成された極端紫外線（ＥＵＶ）源を含む。一般に、ＥＵＶ源は、放射システム（下記参照）内に構成され、対応する照明システムがＥＵＶ源のＥＵＶ放射ビームを調整するように構成される。
Ｂ．例示的なＥＵＶリソグラフィ装置
【００６１】
[0076] 図１１は、本発明の一実施形態による例示的なＥＵＶリソグラフィ装置１１００を概略的に示す。前述したように、レチクル検査は、ペリクルによって保護されていないＥＵＶレチクルには特に重要である。本明細書に示すようにレチクル検査システムをＥＵＶリソグラフィ装置と一体にすることは有益であると考えられる。
【００６２】
[0077] 図１１では、ＥＵＶリソグラフィ装置１１００は、放射システム１１１１、照明光学ユニット１１１３、及び投影システムＰＳを含む。放射システム１１１１は、放射源ＳＯを含み、この放射源内で放射ビームが放電プラズマによって形成されてよい。一実施形態では、ＥＵＶ放射は、例えば、Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気、又はＳｎ蒸気といったガス又は蒸気によって生成されてよく、ガス又は蒸気内で非常に高温なプラズマが生成されて電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射が放出される。非常に高温なプラズマは、例えば、放電によって少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを発生させることによって生成ことができる。例えば、１０ＰａのＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気又は任意の他の好適なガス又は蒸気の部分圧が放射の効率的な発生には必要となることがある。放射源ＳＯによって放出される放射は、放射源チャンバ１１１５から、放射源チャンバ１１１５内の開口内又はその背後に位置付けられたガスバリア又は汚染トラップ１１１９を介してコレクタチャンバ１１１７内に渡さされる。一実施形態では、ガスバリア１１１９はチャネル構造を含んでもよい。
【００６３】
[0078] コレクタチャンバ１１１７は、かすめ入射コレクタから形成されてよい放射コレクタ１１２１（集光ミラー又はコレクタとも呼ばれてもよい）を含む。放射コレクタ１１２１は、上流放射コレクタ側１１２１ａ及び下流放射コレクタ側１１２１ｂを有し、コレクタ１１２１を通過した放射は、格子スペクトルフィルタ１１２３を反射して、コレクタチャンバ１１１７の開口における仮想放射源点１１２７にその焦点が合わされることが可能である。放射コレクタ１１２１は当業者には既知である。
【００６４】
[0079] 放射ビーム１１３３は、コレクタチャンバ１１１７から照明光学ユニット１１１３内を法線入射リフレクタ１１２９及び１１３１を介して、レチクル又はマスクテーブルＭＴ上に位置付けられたレチクル又はマスク（図示せず）上へと反射される。パターン付きビーム１１３５が形成され、このビームは、投影システムＰＳ内で反射素子１１３７及び１１３９を介してウェーハステージ又は基板テーブルＷＴ上に支持された基板（図示せず）上に結像される。様々な実施形態において、照明光学ユニット１１１３及び投影システムＰＳは、図１１に示すよりも多くの（又は少ない）素子を含んでよい。例えば、格子スペクトルフィルタ１１２３は、リソグラフィ装置のタイプに依存して任意選択的にあってよい。更に、一実施形態では、照明光学ユニット１１１３及び投影システムＰＳは、図１１に示すよりも多くのミラーを含んでもよい。例えば、投影システムＰＳには、反射素子１１３７及び１１３９に加えて１乃至４つの反射素子が組み込まれてもよい。図１１では、参照番号１１４７は、２つのリフレクタ間の空間、例えば、リフレクタ１１４１と１１４３との間の空間を示す。
【００６５】
[0080] 一実施形態では、コレクタミラー１１２１は、かすめ入射ミラーの代わりに又はそれに加えて法線入射コレクタを含んでもよい。更に、コレクタミラー１１２１は、リフレクタ１１４１、１１４３、及び１１４５を有する入れ子式のコレクタを参照して説明しているが、本明細書では以降コレクタの一例として用いる。
【００６６】
[0081] 更に、図１１に概略的に示すように、格子１１２３の代わりに、透過型光学フィルタを適用してもよい。ＥＵＶを透過させる光学フィルタ並びにＵＶ放射をあまり透過させない又は実質的に吸収する光学フィルタが当業者には知られている。したがって、本明細書における「格子スペクトル純度フィルタ」の使用は、「スペクトル純度フィルタ」と置換可能に示され、スペクトル純度フィルタには格子又は透過フィルタが含まれる。図１１には示さないが、ＥＵＶ透過型光学フィルタを、例えば、コレクタミラー１１２１の上流に構成された追加の光学素子、又は、照明ユニット１１１３及び／又は投影システムＰＳ内の光学ＥＵＶ透過型フィルタとして含んでもよい。
【００６７】
[0082] 光学素子に対して「上流」及び「下流」という用語は、それぞれ、１以上の光学素子の、１以上の追加の光学素子より「光学的に上流」及び「光学的に下流」の位置を示す。放射ビームがリソグラフィ装置１１００内を通過する光路に従って、放射源ＳＯに対して第２光学素子よりも近くにある第１光学素子は、第２光学素子より上流に構成され、第２光学素子は第１光学素子の下流に構成されている。例えば、コレクタミラー１１２１はスペクトルフィルタ１１２３の上流に構成され、光学素子１１２９はスペクトルフィルタ１１２３の下流に構成されている。
【００６８】
[0083] 図１１に示すあらゆる光学素子（及び本実施形態の概略図には示さない追加の光学素子）は、例えば、Ｓｎなどの放射源ＳＯによって生成された汚染物質の堆積に対して影響を受けやすい場合がある。このようなことは、放射コレクタ１１２１や、ある場合にはスペクトル純度フィルタ１１２３について該当する。したがって、洗浄デバイスを用いてこれらの光学素子のうちの１以上を洗浄し、また、洗浄方法をこれらの光学素子だけではなく、法線入射リフレクタ１１２９及び１１３１並びに反射素子１１３７及び１１３９、又は、追加のミラー、格子などの他の光学素子にも適用してよい。
【００６９】
[0084] 放射コレクタ１１２１は、かすめ入射コレクタであってよく、そのような実施形態では、コレクタ１１２１は、光軸Ｏに沿って位置合わせされる。放射源ＳＯ又はその像も光軸Ｏに沿って配置されてよい。放射コレクタ１１２１は、リフレクタ１１４１、１１４３、及び１１４５（「シェル」又は幾つかのウォルター（Wolter）型リフレクタを含むウォルター型リフレクタとしても知られている）を含んでもよい。リフレクタ１１４１、１１４３、及び１１４５は、入れ子式にされて光軸Ｏについて回転対称であってよい。図１１では、内側リフレクタを参照番号１１４１により示し、中間リフレクタを参照番号１１４３により示し、外側リフレクタを参照番号１１４５により示す。放射コレクタ１１２１は、特定の容積、すなわち、外側リフレクタ１１４５内の容積を囲む。通常、外側リフレクタ１１４５内の容積は周囲が閉じられるが、小さい穴があけられていてもよい。
【００７０】
[0085] リフレクタ１１４１、１１４３、及び１１４５は、それぞれ、少なくとも一部が反射層又は幾つかの反射層を表す表面を含んでよい。したがって、リフレクタ１１４１、１１４３、及び１１４５（又は、４以上のリフレクタ又はシェルを有する放射コレクタの実施形態では追加のリフレクタ）は、少なくとも部分的に、放射源ＳＯからのＥＵＶ放射を反射し且つ収集するために設計され、また、少なくとも一部のリフレクタ１１４１、１１４３、及び１１４５はＥＵＶ放射を反射し且つ収集するように設計されないこともある。例えば、リフレクタの裏面の少なくとも一部は、ＥＵＶ放射を反射且つ収集するようには設計されないことがある。これらの反射層の表面上には更に、保護のための、又は、反射層の表面の少なくとも一部上に設けられた光フィルタとしてのキャップ層があってもよい。
【００７１】
[0086] 放射コレクタ１１２１は、放射源ＳＯ又は放射源ＳＯの像の付近に配置されてよい。各リフレクタ１１４１、１１４３、及び１１４５は、少なくとも２つの隣接する反射面を含んでよく、放射源ＳＯから遠い反射面は、放射源ＳＯに近い反射面より小さい角度で光軸Ｏに対して配置される。このようにすると、かすめ入射コレクタ１１２１は、光軸Ｏに沿って伝播する（Ｅ）ＵＶ放射ビームを発生するように構成される。少なくとも２つのリフレクタが、実質的に同軸状に配置されて、光軸Ｏについて実質的に回転対称に延在してよい。なお、放射コレクタ１１２１は、外側リフレクタ１１４５の外面上に、又は、外側リフレクタ１１４５の周りに、例えば、保護ホルダ、ヒータなどの更なる特徴を有してもよいことは理解されるべきである。
【００７２】
[0087] 本明細書に記載した実施形態では、「レンズ」及び「レンズ素子」といった用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、及び静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つ又はこれらの組合せを指すことができる。
【００７３】
[0088] 更に、本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、又は１２６ｎｍの波長λを有する）、極端紫外線（ＥＵＶ又は軟Ｘ線）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲内、例えば、１３．５ｎｍの波長を有する）、又は５ｎｍ未満で作動する硬Ｘ線、並びにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。一般に、約７８０〜３０００ｎｍ（又はそれ以上）の波長を有する放射は、ＩＲ放射とみなされる。ＵＶは、約１００〜４００ｎｍの波長を有する放射を指す。リソグラフィにおいては、通常、水銀放電ランプによって生成可能な波長、すなわち、Ｇ線４３６ｎｍ、Ｈ線４０５ｎｍ、及び／又はＩ線３６５ｎｍも適用できる。真空ＵＶ、すなわち、ＶＵＶ（すなわち、空気により吸収されるＵＶ）は、約１００〜２００ｎｍの波長を有する放射を指す。ディープＵＶ（ＤＵＶ）は、通常、１２６ｎｍから４２８ｎｍの範囲の波長を有する放射を指し、一実施形態では、エキシマレーザーが、リソグラフィ装置において用いられるＤＵＶ放射を発生することができる。例えば、５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する放射は、特定の波長帯域を有する放射に関連して、この特定の波長帯域のうちの少なくとも一部が５〜２０ｎｍの範囲にあることは理解されるべきである。
ＩＶ．レチクル検査方法
【００７４】
[0089] 図１２は、本発明の一実施形態による、レチクル検査の方法１２００を説明するフロー図である。方法１２００は、工程１２０１において開始し、すぐに工程１２０２に進み、ここで、検査レチクルの表面の一部と基準レチクルの表面の一部がそれぞれコヒーレント照明源によって照明される。工程１２０４では、検査レチクルからの散乱光と基準レチクルからの散乱光にフーリエ変換が適用される。工程１２０６では、検査レチクル又は基準レチクルからの変換済み光の位相が、検査レチクルからの変換済み光と基準レチクルからの変換済み光との間の位相差が１８０度となるようにシフトされる。工程１２０８では、変換済み光は、各変換済み光が運ぶ像が減算されるように合成される。工程１２１０では、逆フーリエ変換が合成された光に適用される。工程１２１２では、合成された光がディテクタにおいて検出され、ここでは、照明源からディテクタまでの２つの光路（１つの光路は、検査レチクルを介し、もう１つの光路は基準レチクルを介する）の間の光路長における差が、照明源のコヒーレンス長未満である。その後、方法１２００は終了する。方法１２００では、コヒーレント照明源と、検査分岐と基準分岐との間の１８０度の位相シフトを利用することにより、検査レチクル及び基準レチクルの振幅及び位相分布における差を表す像がディテクタに結果として生じる。この構成によって、外部パーティクル及び／又は異常が容易に識別できるようになる。
【００７５】
[0090] 図１３は、本発明の一実施形態による、図１２に示すレチクル検査方法１２００の更なる工程を説明するフロー図である。工程１３０２は、工程１２１０から発生する。工程１３０２では、合成された光は、望ましくないエネルギーを除去すべくフィルタリングされる。例えば、フーリエフィルタリングシステムを用いることができる。このようなフィルタリングによってより良好な出力信号対ノイズ比を提供することができる。方法は、次に工程１２１２に進む。
【００７６】
[0091] 図１４は、本発明の一実施形態による、図１２に示すレチクル検査方法１２００の複数の更なる工程を説明するフロー図である。工程１４０２は、工程１２１０から発生する。工程１４０２では、検査レチクル及び基準レチクルはユニゾンで動かされる（すなわち、検査レチクル及び基準レチクルは、同一の動作で一緒に動く）。工程１４０４では、工程１２０２から工程１２１２までが繰り返されて、検査レチクルの連続する部分が検査される。その後方法は終了する。これは連続工程での検査レチクルのスキャンを表す。
【００７７】
[0092] 図１５は、本発明の一実施形態による、図１４に示すレチクル検査方法の更なる工程を説明するフロー図である。工程１５０２は、工程１４０２から発生する。工程１５０２では、干渉計素子が調節されて位相差が１８０度に維持される。方法は、次に工程１４０４に進む。
【００７８】
[0093] 図１６は、本発明の一実施形態による、図１２に示すレチクル検査方法１２００の更なる工程を説明するフロー図である。工程１６０２は、工程１２０１から発生する。工程１６０２では、コンピュータにより生成されたパターンが基準レチクルに付けられる。本実施形態では、基準レチクルは、マイクロミラーアレイといった空間光モジュレータである。方法は、次に工程１２０２に進む。
Ｖ．結論
【００７９】
[0094] 請求項を解釈するためには、発明の概要及び要約のセクションではなく、発明を実施するための形態のセクションを用いるべきであることは理解されるべきである。発明の概要及び要約のセクションは、発明者が熟考した本発明の１以上の例示的な実施形態を記載しうるが、全ての例示的な実施形態を記載しているわけではなく、したがって、本発明及び特許請求の範囲をいかようにも限定することを意図していない。
【００８０】
[0095] 本発明を、特定の機能の実装及びそれらの関係を説明する機能構築ブロックを用いて上に説明した。これらの機能構築ブロックの境界は説明の便宜上、本明細書では任意に定義されている。別の境界も、その境界が特定の機能及びその関係が適切に実行されるのであれば定義されてよい。
【００８１】
[0096] 特定の実施形態の上述の説明は、本発明の一般的な性質を、他者が当技術の知識を適用することによって、必要以上の実験なしで且つ本発明の一般的な概念から逸脱することなくかかる特定の実施形態を様々な適用のために容易に変更及び／又は適応できるように明らかにしているものである。したがって、そのような適応及び変更は、本願に提示した教示内容に基づいて開示した実施形態の均等物の意味及び範囲内であることを意図している。本明細書における表現又は用語は、本明細書の用語又は表現が教示内容を鑑みて解釈されるように限定ではなく説明を目的としていることは理解されるべきである。
【００８２】
[0097] 本発明の範囲は、上述した例示的な実施形態のいずれによっても制限されるべきではなく、特許請求の範囲及びその等価物に従ってのみ定義されるべきである。
【符号の説明】
【００８３】
１００ 例示的な検査システム
１０４ 顕微鏡対物系
１０６ 瞳フィルタ
１０８ 投影光学系
１１０ ディテクタ
１１２ 放射ビーム
１１４ 物体
１１６ コンピュータ
２００ レチクル検査システム
２０１ 干渉計素子
２０３ コヒーレントな照明ビーム
２０４、２０５ 顕微鏡対物系
２０７、２０９ フーリエ変換済みビーム
２１０ フォトディテクタ
２２０ 照明源
２２５ フィルタリングシステム
２２６ レンズ
２２７ フーリエレンズ
２２８ 空間フィルタ
２３０ 検査レチクル
２３２ 基準レチクル
２３４ ペリクル
２３６ 基板サポート
２３８ ディテクタ
２４０ アクチュエータ
２４２ 面
２５５ 制御信号
３０３ 光ビーム
３８１ オプションの照明システム
３８３ 光学素子
３８５ 折り返しミラー
４０３ 光ビーム
４２０ 照明源
４５２、４５４ ビームスプリッタ
５６０ プロセッサ
６００ レチクル検査システム
６０１、６６８ 干渉計素子
６０３ 照明ビーム
６０４、６０５ 顕微鏡対物系
６０７、６０９ ビーム
６１０ ディテクタ
６２４ ビームスプリッタ
６２６ レンズ
６３０ 検査レチクル
６３２ 基準レチクル
６３８ ディテクタ
６６４ 基板サポート
６７２、６７４ 反射素子
７７８ 第１レチクルサポート
７８０ 第２レチクルサポート
７８２ 第１レチクルサポート
７８４ 第２レチクルサポート
７８６ 第３レチクルサポート
８３６ レチクルサポート
８６３ 検査パターン
８６５ 基準パターン
８６７ 単一レチクル
８６９ 単一パターン
８７１ 検査パターン部
８７３ 基準パターン部
９９０、９９１、９９２ 結像例
９９３ 検査レチクル
９９４ パーティクル
９９５ 基準レチクル
９９６ パーティクル
９９７ 像
９９８ 潜在的なパーティクル又は異常
９９９ 像
１０００、１０００’ リソグラフィ装置
１１１３ 照明光学ユニット
１１１５ 放射源チャンバ
１１１７ コレクタチャンバ
１１１９ ガスバリア又は汚染トラップ
１１２１ 放射コレクタ
１１２３ 格子スペクトルフィルタ
１１２９、１１３１ 法線入射リフレクタ
１１３３ 放射ビーム
１１３５ パターン付きビーム
１１３７、１１３９ 反射素子
１１４１、１１４３、１１４５ リフレクタ
ＳＯ 放射源
ＩＬ イルミネータ
ＰＳ 投影システム
Ｂ 放射ビーム
Ｗ 基板
ＢＤ ビームデリバリシステム
ＭＡ パターニングデバイス
ＭＴ サポート構造
ＰＭ、ＰＷ 第１及び第２ポジショナ
ＩＦ１、ＩＦ２ 位置センサ
ＷＴ 基板テーブル
ＡＤ アジャスタ
ＩＮ インテグレータ
ＣＯ コンデンサ
Ｍ１、Ｍ２ マスクアライメントマーク
Ｐ１、Ｐ２ 基板アライメントマーク
【技術分野】
【０００１】
[0001] 本発明は、一般にリソグラフィに関し、より具体的にはリソグラフィに用いられるレチクルの検査に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002] リソグラフィは、集積回路（ＩＣ）並びに他のデバイス及び／又は構造を製造する際の重要なプロセスとして広く知られている。リソグラフィ装置は、リソグラフィの間に所望のパターンを基板上、例えば基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置を用いてＩＣを製造する際に、パターニングデバイス（或いはマスク又はレチクルとも呼ばれる）によって、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンが生成される。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、又は1つ以上のダイを含む）上に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（例えば、レジスト）層への結像によって行われる。一般に、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。ＩＣの様々な層を製造することは、大抵の場合、異なるレチクルを用いて異なる層上に異なるパターンを結像することが必要となる。したがって、リソグラフィプロセスの間にレチクルを取り替える必要がある。
【０００３】
[0003] 現行のリソグラフィシステムは、極小のマスクパターンフィーチャを投影する。レチクルの表面上に出現する埃や外部からの粒子状物質が、結果として生じる製品に悪影響を及ぼしてしまう。リソグラフィプロセス前又はその間にレチクル上に堆積するあらゆる粒子状物質は、基板上に投影されるパターン内のフィーチャを変形させる可能性がある。したがって、フィーチャのサイズが小さいほど、レチクルから除去することが重要となるパーティクルのサイズも小さくなる。
【０００４】
[0004] 多くの場合、ペリクルがレチクルと共に用いられる。ペリクルは、レチクルの表面の上方にあるフレーム全体に広げられる薄い透明層である。ペリクルは、パーティクルが、パターンが付けられた側のレチクル面に到達することを阻止すべく用いられる。ペリクル面上のパーティクルは、焦点面から外れており、露光されるウェーハ上に結像されないはずであるが、ペリクル面を可能な限りパーティクルがない状態にすることが依然として好適である。しかし、一部のタイプのリソグラフィ（例えば、極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィ）では、ペリクルは用いられない。ＥＵＶレチクルにはカバーがないことによりパーティクル汚染の影響を受け易く、パーティクル汚染はリソグラフィプロセスに異常をもたらしてしまうことがある。ＥＵＶレチクル上のパーティクルは、結像異常の主な原因の１つである。ＥＵＶレチクルを露光位置に移動させる前にレチクルを検査及び洗浄することは、レチクルハンドリングプロセスの重要な一側面となりうる。レチクルは、通常、検査の結果又は過去の統計に基づいて汚染があると思われる場合に洗浄される。
【０００５】
[0005] レチクルは、通常、散乱光技術を利用したレーザスキャン型スキャトロメータ又はイメージングシステムを用いて異常を見つけるべく検査される。この技術では、レーザビームの焦点がレチクル上に合わされ、鏡面反射方向から離れるように散乱する放射ビームが検出される。物体面上のパーティクルが光をランダムに散乱させる。顕微鏡を用いて照射面を観察すると、パーティクルは明るいスポットとして浮き上がる。このスポットの強度がパーティクルのサイズの尺度となる。
【０００６】
[0006] 可視又は紫外線（ＵＶ）光と共に動作するスキャトロメータは、スキャン型イメージングシステム（例えば、共焦点、ＥＵＶ、又は電子ビーム顕微鏡システム）よりも著しく高速のレチクル検査を可能にする。レーザ照明ビームと、レチクル上のパターンから回折された光を遮断する瞳面におけるフーリエフィルタを有するコヒーレント光学系を使用するスキャトロメータが知られている。このタイプのスキャトロメータは、レチクル上の周期パターンからくる背景のレベルを超えてパーティクルによって散乱された光を検出する。
【０００７】
[0007] このようなシステムの一例が、２００７年１１月８日に公開され、「Inspection Method and Apparatus Using Same」なるタイトルで、Bleekerらによる米国特許出願公開番号第２００７／０２５８０８６号に記載される。図１に示すように、例示的な検査システム１００は、顕微鏡対物系１０４、瞳フィルタ１０６、投影光学系１０８、及びディテクタ１１０を含む。放射（例えば、レーザ）ビーム１１２が、物体（例えば、レチクル）１１４を照明する。瞳フィルタ１０６を用いて物体１１４のパターンによる光学散乱が遮断される。コンピュータ１１６を用いて、物体１１４のパターンに基づいて瞳フィルタ１０６のフィルタリングを制御することができる。したがって、フィルタ１０６は、物体１１４に対する瞳面における空間フィルタとして設けられ、物体１１４のパターン付き構造に関連付けられて散乱放射から放射を除去する。ディテクタ１１０は、汚染パーティクルの検出のためにフィルタ１０６を透過した放射の一部を検出する。
【０００８】
[0008] しかし、任意の（すなわち、非周期的な）パターンを有するレチクルには検査システム１００のような検査システムを用いることが適していない。この制限は、パターンによって回折される光によるディテクタの飽和の結果生じる。ディテクタは限られたダイナミックレンジを有し、パターンから散乱される光がある状態ではパーティクルからの光を検出することができない。換言すれば、周期パターンに対してのみ、コヒーレント光学系のフーリエ面における空間フィルタによって対応光を効率的に除去することができる。周期パターン（例えば、ＤＲＡＭ用）であっても、レチクルスキャンプロセスにおいてフーリエフィルタを変更する際に深刻な問題がある。検査システム１００などの検査システムでは、そのフーリエろ過のために平行照明ビームのみを使用するという制限もある。したがって、検査システム１００などの検査システムは、レチクル面ラフネスからの散乱を抑制するために必要な照明最適化を行うことができない。
【０００９】
[0009] 公知の検査システムを用いるとき、パーティクル検出の精度、品質及び確実性が非常に多くの場合に犠牲となる。より高いスループットがますます求められ、また、リソグラフィフィーチャのサイズが縮小するに従って、速度、より小さいパーティクルサイズ検出、及び望ましくない影響に対する耐性について検査システムの性能を高めることがますます重要となってきている。
【発明の概要】
【００１０】
[0010] 上述を鑑みるに、任意のパターンを有するレチクルを検査するためのシステム及び方法が必要とされている。この必要に応えることを目的として、本発明の実施形態は、任意のパターンを有するレチクル上のパーティクル及び異常の検出を可能にする検査システム及び方法に関する。
【００１１】
[0011] 例えば、本発明の一実施形態は、レチクルを検査する方法を提供する。この方法は、コヒーレント照明源を用いて、検査レチクルの表面及び基準レチクルの表面の各部分を照明することと、照明された部分からの散乱光にフーリエ変換を適用することと、検査レチクル及び基準レチクルのうち一方からの変換された光の位相を、検査レチクルからの変換された光と基準レチクルからの変換された光との間の位相差が１８０度となるようにシフトすることと、照明された部分からの変換された光を合成することと、合成された光に逆フーリエ変換を適用することと、ディテクタにおいて合成された光を検出することとを含む。本実施形態では、照明源からディテクタへの第１光路と、照明源からディテクタへの第２光路との間の光路長差が、照明源のコヒーレンス長未満であり、ディテクタにより検出された合成された光は、検査レチクル及び基準レチクルの振幅及び位相分布における差を表す像の形態にあり、それにより、外部パーティクル及び／又は異常を容易に識別することができる。
【００１２】
[0012] 本発明の別の実施形態は、検査レチクル及び基準レチクルの各部分を照明するように構成されたコヒーレント照明源と、検査レチクルの照明された部分から伝播された第１光ビームに第１フーリエ変換を適用するように構成された第１顕微鏡対物系を有する検査干渉計分岐と、基準レチクルの照明された部分から伝播された第２光ビームに第２フーリエ変換を適用するように構成された第２顕微鏡対物系を有する基準干渉計分岐とを含むレチクル検査システムを提供する。このシステムは更に、検査干渉計分岐と基準干渉計分岐との間に１８０度の位相シフトを生じさせるように構成された干渉計素子を含む。このシステムは更に、第１及び第２光ビームを受け取り且つ合成するように構成されたビームスプリッタと、合成された第１及び第２光ビームに逆フーリエ変換を与えるように構成されたフーリエレンズと、第１及び第２光ビームが検査レチクル及び基準レチクルの振幅及び位相分布における差を表す像を形成するように、合成された第１及び第２光ビームを検出するように構成されたディテクタとを含む。外部パーティクル及び／又は異常は像において容易に識別可能である。本実施形態では、検査干渉計分岐は検査レチクルとディテクタとの間の光路を有し、基準干渉計分岐は基準レチクルとディテクタとの間の光路を有する。検査干渉計分岐と基準干渉計分岐との間の光路長差は、照明源のコヒーレンス長未満である。一実施形態では、システムは、第１顕微鏡対物系からの第１光ビームをビームスプリッタに向けるように構成された検査干渉計分岐における干渉計素子を含む。この干渉計素子は、１８０度の位相シフトを生じさせるように用いられた干渉計素子と同じであってよい。別の実施形態では、このシステムは、第１顕微鏡対物系からの第１光ビームをビームスプリッタに向けるように構成された第１干渉計素子と、第２顕微鏡対物系からの第２光ビームをビームスプリッタに向けるように構成された第２干渉計素子とを含む。これらの干渉計素子のどちらも１８０度の位相シフトを生じさせるために用いることができる。
【００１３】
[0013] 本発明の更なる実施形態は、上述したシステムのいずれであってもよいレチクル検査システムを有するリソグラフィシステムを提供する。
【００１４】
[0014] 本発明の更なる特徴及び利点、並びに本発明の様々な実施形態の構造及び動作は、添付図面を参照して以下に詳述する。なお、本発明は、本明細書に記載した特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。このような実施形態は、本明細書中、説明することのみを目的として提示される。更なる実施形態が本明細書に含まれる教示内容に基づいて当業者には明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
[0015] 本願に組み込まれ且つ本明細書の一部を形成する添付図面は、本発明を例示し、また、以下の説明とともに本発明の原理を更に説明し且つ当業者が本発明をなす及び利用することを可能とするものである。
【図１】[0016] 図１はスキャトロメトリを用いる公知のレチクル検査システムの一例である。
【図２】[0017] 図２は本発明の一実施形態によるレチクル検査システムを示す。
【図３Ａ】[0018] 図３Ａは本発明の実施形態によるレチクル照明の一例を示す。
【図３Ｂ】[0018] 図３Ｂは本発明の実施形態によるレチクル照明の一例を示す。
【図３Ｃ】[0018] 図３Ｃは本発明の実施形態によるレチクル照明の一例を示す。
【図３Ｄ】[0018] 図３Ｄは本発明の実施形態によるレチクル照明の一例を示す。
【図４】[0018] 図４は本発明の実施形態によるレチクル照明の一例を示す。
【図５】[0019] 図５は本発明の一実施形態による、基準レチクルとして用いられる空間光モジュレータを示す。
【図６】[0020] 図６は本発明の一実施形態による、等光路長を有するレチクル検査システムを示す。
【図７Ａ】[0021] 図７Ａは本発明の実施形態によるレチクルサポートの別の例を示す。
【図７Ｂ】[0021] 図７Ｂは本発明の実施形態によるレチクルサポートの別の例を示す。
【図７Ｃ】[0021] 図７Ｃは本発明の実施形態によるレチクルサポートの別の例を示す。
【図８Ａ】[0022] 図８Ａは本発明の実施形態による、単一レチクルを用いる別の例を示す。
【図８Ｂ】[0022] 図８Ｂは本発明の実施形態による、単一レチクルを用いる別の例を示す。
【図９】[0023] 図９は本発明の実施形態を用いて検出された外部パーティクルを示す結像例を示す。
【図１０Ａ】[0024] 図１０Ａは反射型リソグラフィ装置を示す。
【図１０Ｂ】[0024] 図１０Ｂは透過型リソグラフィ装置を示す。
【図１１】[0025] 図１１は例示的なＥＵＶリソグラフィ装置を示す。
【図１２】[0026] 図１２は本発明の一実施形態によるレチクル検査方法を説明するフロー図である。
【図１３】[0027] 図１３は本発明の一実施形態による、図１２に示すレチクル検査方法の更なる工程を説明するフロー図である。
【図１４】[0028] 図１４は本発明の一実施形態による、図１２に示すレチクル検査方法の複数の更なる工程を説明するフロー図である。
【図１５】[0029] 図１５は本発明の一実施形態による、図１４に示すレチクル検査方法の更なる工程を説明するフロー図である。
【図１６】[0030] 図１６は本発明の一実施形態による、図１２に示すレチクル検査方法の更なる工程を説明するフロー図である。
【００１６】
[0031] 本発明の特徴及び利点は、図面と共に考慮された場合に以下に記載する詳細な説明からより明らかとなろう。図中、同様の参照文字は全体に亘って対応する構成要素を特定する。図中、同様の参照番号は、一般に、同一の、機能上同様の、及び／又は構造上同様の構成要素を示す。ある構成要素が最初に登場する図面は、対応する参照番号の左端の数字によって示す。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
Ｉ．概説
[0032] 本発明は、レチクル検査システム及び方法に関する。本明細書は、本発明の特徴が組み込まれた１以上の実施形態を開示する。開示する実施形態は、本発明を例示するに過ぎない。本発明の範囲は、開示する実施形態に限定されない。本発明は、添付の特許請求の範囲によって定義される。
【００１８】
[0033] 記載する実施形態、及び、明細書中における「一実施形態」、「実施形態」、「例示的な実施形態」などへの言及は、記載した実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を有してよいが、どの実施形態も必ずしもその特徴、構造、又は特性を含まなくてもよいことを示すものである。更に、このような語句は、必ずしも同じ実施形態を指しているわけではない。また、特定の特徴、構造、又は特性が一実施形態に関連して説明された場合、明示的な記載の有無に関わらず、その特徴、構造、又は特性を他の実施形態に関連して達成することは当業者の知識内であることは理解されよう。
【００１９】
[0034] 本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又は任意の組み合わせで実施されてよい。本発明の実施形態は、機械読取可能媒体上に記憶され、１以上のプロセッサによって読出し及び実行されてよい命令として実施されてもよい。機械読取可能媒体は、機械（例えば、コンピュータデバイス）によって読取可能な形態で情報を記憶及び伝送するための任意の機構を含んでよい。例えば、機械読取可能媒体の例としては、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光学、音響、又は他の形態の伝播信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号など）などが挙げられる。更に、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令を、本明細書においては、特定の動作を行うように説明する場合もある。しかし、そのような記載は便宜上のものに過ぎず、そのような動作は、実際には、コンピュータデバイス、プロセッサ、コントローラ、又はファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行する他のデバイスによるものであることは理解されるべきである。
【００２０】
[0035] 以下の説明は、レチクル上のパーティクル及び異常の検出を可能にし、かかるレチクルは任意のパターンを含んでいる、レチクル検査システム及び方法を提供する。この検査は、高度に生産的なスキャトロメトリの手段を用いて達成される。提示するアプローチは、光路において直接レチクル上の任意のパターンから散乱した光を抑制し、その結果、限られたダイナミックレンジを有するフォトディテクタを用いてパーティクル及び異常を検出することが可能である。
ＩＩ．レチクル検査システムの実施形態
【００２１】
[0036] 図２は、本発明の一実施形態によるレチクル検査システム２００を概略的に示す。レチクル検査システム２００は、基板サポート２３６を有し、基板サポートはその上に取り付けられた検査レチクル２３０及び基準レチクル２３２を有する。検査レチクル２３０は、検査用に設けられたレチクルである。基準レチクル２３２は、検査レチクル２３０との比較用に設けられたレチクルである。基準レチクル２３２は、汚染からの保護のためのペリクル２３４（すなわち、ガラス窓など）を含んでもよい。検査レチクル２３０もペリクルを含んでよいが、ＥＵＶリソグラフィプロセスに用いられる場合にはペリクルはない。
【００２２】
[0037] レチクル検査システム２００は更に、検査レチクル２３０及び基準レチクル２３２のそれぞれの等しい部分（例えば、同一レチクル上の同じ領域、等しいパターンを有する領域など）にコヒーレントな照明ビーム２０３を供給する照明源２２０と、照明された検査レチクル２３０及び基準レチクル２３２から伝播された照明ビームにフーリエ変換をそれぞれ行う顕微鏡対物系２０４及び２０５とを含む。後に、レンズ２２６が逆フーリエ変換を行い、レチクルの像を形成する。一実施形態では、顕微鏡対物系２０４及び２０５は、１以上のレンズを含むことができる。変換済みビーム２０７及び２０９は、ビームスプリッタ２２４において合成（例えば、減算）される。変換済みビーム２０７は、干渉計素子２０１（例えば、ミラー、チルトミラー、プリズムなど）を介してビームスプリッタ２２４に向けられる。干渉計素子２０１又は追加の干渉計素子（図示せず）は、ビーム２０７と２０９との間に１８０度の位相差を生じさせる。この位相シフトを生じさせるために用いてもよい他の干渉計素子としては、次に限定されないが、１以上のレンズ、ビームスプリッタ、電気光学光モジュレータ、音響光学光モジュレータなどが挙げられる。合成されたビーム２０７、２０９は、ビームスプリッタ２２４からフーリエレンズ２２６を通りディテクタ２１０に向けられる。対物系２０４及び２０５は、レンズ２２６と共に、２４２及びディテクタ２１０における光学的な共役面においてレチクル２３０及び２３２の重なり合った像を形成する。
【００２３】
[0038] 一実施形態では、レチクル検査システム２００は、レンズ２２６とディテクタ２１０との間にフィルタリングシステム２２５を任意選択的に含んでもよい。フィルタリングシステム２２５は、例えば、２つのフーリエレンズ２２７と、その間にあって望まない放射又はエネルギーを相殺する空間フィルタ２２８とを含むことができる。フィルタリングシステム２２５を用いることにより、より良好な出力信号対ノイズ比を提供することができ、また、レチクルパターンが周期部分を有する場合に特に有用である。空間フィルタリングシステム２２５が用いられない場合、フォトディテクタ２１０は、面２４２内に位置付けられる。
【００２４】
[0039] ビーム２０７と２０９との間に１８０度の位相差を維持するために、レチクル検査システム２００の一実施形態は更に、干渉計素子２０１を調節するためのフィードバックループを含むことができる。このフィードバックループは、ビーム２０７を検出し、アクチュエータ２４０に制御信号２５５を供給するディテクタ２３８を含む。アクチュエータ２４０は、次に必要な傾斜及びピストンのために必要に応じて干渉計素子２０１を調節することができる。制御信号２５５は、ディテクタ２３８によって検出された光強度から生成されることが可能である。図２に示すフィードバックループは、検査レチクルを含む光路内に示す。しかし、フィードバックループは、基準レチクルを含む路内に配置されてもよい。
【００２５】
[0040] 照明源２２０から検査レチクル２３０を通りディテクタ２１０に亘る光路は、検査路又は分岐を表し、照明源２２０から基準レチクル２３２を通りディテクタ２１０に亘る光路は、基準路又は分岐を表す。光路（すなわち、光路長）は、次式：ＯＰＬ＝ｃ∫ｎ（ｓ）ｄｓに示すように幾何学的長さ（ｓ）と屈折率（ｎ）の積であり、積分は光線に沿って行われる。均一な媒体を有する２つの（光源からディテクタまでの）分岐に直線光を用いる例では、光路差（ＯＰＤ）は、（ｎ１＊ｓ１）−（ｎ２＊ｓ２）に等しい。検査分岐と基準分岐との間の光路長差は、照明源２２０のコヒーレンス長未満でなければならない。この光路長差は、ゼロ又は略ゼロであってよい。短コヒーレンス長を有する光源を用いて動作するシステムでは、光路長差は、可能な限りゼロに近いことが好適である。
【００２６】
[0041] 上述したシステムでは、コヒーレント照明源を用い、検査分岐と基準分岐との間に１８０度の位相シフトを維持することによって、ディテクタ２１０において結果として得られる像は、検査レチクル及び基準レチクルの振幅及び位相分布における差を表す。この構成によって、外部パーティクル及び／又は異常は、例えば、図９を参照して以下に詳細に説明するように、像において識別することができるようになる。
【００２７】
[0042] 図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄ、及び図４は、本発明の実施形態による、レチクル照明の様々な例を示す。図３Ａに示す実施形態では、光ビーム３０３が、照明源２２０から検査レチクル２３０に直接供給されることを示す。光ビーム３０３は、図２に示したように、このように基準レチクル２３２にも直接供給されることが可能である。図３Ｂに示す別の実施形態では、光ビーム３０３は、オプションの照明システム３８１を介して検査レチクル２３０に供給される。図３Ｃに示す更なる実施形態では、照明源２２０からの照明は、光学素子３８３（例えば、ビームスプリッタ、回折格子など）を介して分割されて、折り返しミラー３８５を介してレチクル２３０、２３２に向けられることができる。本文書に記載する実施形態の多くは、反射型レチクルを用いた使用について記載されるが、本発明の実施形態は、図３Ｄに例示するように、透過型レチクル（検査レチクル、基準レチクル、又は両方用）を用いた使用にも適用してもよい。
【００２８】
[0043] 図４に示す実施形態では、光ビーム４０３が、照明源４２０によって、検査レチクル２３０及び基準レチクル２３２へと、それぞれ顕微鏡対物系２０４及び２０５を介して供給される。図４では、これは、ビームスプリッタ４５２及び４５４をそれぞれ用いることで達成される。図４に示す実施形態は、照明条件を最適化する際により多くの柔軟性を可能にする高い開口数照明を供給する。各実施形態では、コヒーレント照明ビームが、検査レチクル２３０及び基準レチクル２３２の同一の（又は同等の）領域に小さなスポットを形成する。このスポットは、１×１ｍｍ２、０．２５×０．２５ｍｍ２などのオーダーであることができる。
【００２９】
[0044] 本発明の一実施形態では、基準レチクル２３２は、空間光モジュレータであってよい。空間光モジュレータの例としては、次に限定されないが、液晶モジュレータアレイ（例えば、可視スペクトル範囲内）及びマイクロミラーアレイ（例えば、ＵＶシステム用）が挙げられる。図５は、基準パターンの生成のために基準レチクル２３２’にパターンデータを供給するべく用いることのできるプロセッサ５６０を含む本発明の一実施形態を示す。
【００３０】
[0045] 図６は、本発明の一実施形態による、等光路長を有するレチクル検査システム６００を示す。レチクル検査システム６００は、基板サポート６６４を含み、基板サポートは、両面に取り付けられた検査レチクル６３０及び基準レチクル６３２を有する。レチクル検査システム６００は更に、検査レチクル６３０及び基準レチクル６３２のそれぞれの等しい部分（例えば、同一レチクル上の同じ領域、等しいパターンを有する領域など）にコヒーレントな照明ビーム６０３を供給する照明源６７０を含む。照明ビーム６０３は、反射素子６７２及び６７４（例えば、ミラー、プリズムなど）をそれぞれ介してレチクル６３０及び６３２に向けられる。図３Ｃにおいて光学素子３８３が用いられたのと同様に、ビームスプリッタ又は回折格子といった光学素子を用いることもできる。レチクル検査システム６００は更に、図２における顕微鏡対物系２０４、２０５及びレンズ２２６と同様に機能する顕微鏡対物系６０４、６０５、及びレンズ６２６を含む。干渉計素子６０１及び６６８（例えば、ミラー、プリズムなど）が、各ビーム６０７、６０９を顕微鏡対物系６０４及び６０５からビームスプリッタ６２４に向ける。干渉計素子６０１、６６８は、ビーム６０７と６０９との間に１８０度の位相差を生じさせるように構成される。ビーム６０７及び６０９はビームスプリッタ６２４において合成（例えば、減算）される。合成されたビーム６０７、６０９は、ビームスプリッタ６２４からレンズ６２６を通りディテクタ６１０に向けられる。
【００３１】
[0046] 一実施形態では、レチクル検査システム６００は、図２におけるフィルタリングシステム２２５と同様にレンズ６２６とディテクタ６１０との間にフィルタリングシステム（図示せず）を任選択的に含むことができる。
【００３２】
[0047] ビーム６０７と６０９との間に１８０度の位相差を維持するために、レチクル検査システム６００の一実施形態は更に、図２に示すフィードバックループと同様に、干渉計素子６０１を調節するフィードバックループを含むことができる。このフィードバックループは、ビーム６０７を検出し、アクチュエータ６４０に制御信号６５５を供給するディテクタ６３８を含む。アクチュエータ６４０は、次に必要に応じて干渉計素子６０１を調節することができる。
【００３３】
[0048] 図６に示す実施形態では、検査レチクル６３０及び基準レチクル６３２とディテクタ６１０との間の光路長差は、照明源６７０のコヒーレンス長未満であることが好適である。図６では、これらの光路長は、全く等しいわけではないにしても略等しい。従って、光路長差は、完全にゼロではないがゼロに近い。このことは、短コヒーレンス長を有する光源を使用することを可能にし、また、用いる光学素子の光学面上の表面的な異常に対する感応性を最小限にする。
【００３４】
[0049] 図２を参照して上述したように、ディテクタ６１０において結果として得られる像は、検査レチクルと基準レチクルの振幅及び位相分布における差を表し、図９を参照して以下に詳細に説明するように、外部パーティクル及び／又は異常を容易に識別することを可能にする。
【００３５】
[0050] 図７Ａ、図７Ｂ、及び図７Ｃは、本発明の実施形態によるレチクルサポートの別の例を示す。図７Ａは、図２に示す実施形態に示したようなレチクルサポート２３６を示す。レチクルサポート２３６は、一端に検査レチクル２３０が取り付けられ、他端に基準レチクル２３２が取り付けられた単一サポートである。レチクルサポート２３６は、検査レチクル２３０の連続的な又は一連の部分の検査を可能にする可動式レチクルサポートである。レチクルサポート２３６は、検査レチクル２３０と基準レチクル２３２の両方を支持するので、検査レチクル２３０及び基準レチクル２３２は共に一致して（ユニゾンで）動く（すなわち、レチクル２３０及び２３２は、レチクルサポート２３６が移動させられると、同一の動作で一緒に動く）。
【００３６】
[0051] 図７Ｂに示す別の実施形態では、検査レチクル２３０は、第１レチクルサポート７７８上に取り付けられ、基準レチクル２３２は第２レチクルサポート７８０上に取り付けられる。２つの別個のレチクルサポート７７８、７８０が用いられる場合、これらは、検査レチクル２３０の連続的な又は一連の部分を検査するためにはユニゾンで移動可能であるべきである。
【００３７】
[0052] 図７Ｃに示す別の実施形態では、検査レチクル２３０は、第１レチクルサポート７８２上に取り付けられ、基準レチクル２３２は第２レチクルサポート７８４上に取り付けられ、第１レチクルサポート７８２及び基準レチクルサポート７８４は共に、第３レチクルサポート７８６の両端に配置される。この実施形態では、第１レチクルサポート７８２及び第２レチクルサポート７８４は、検査レチクル２３０の連続的な又は一連の部分の検査に対応すべくユニゾンで移動可能である。第３レチクルサポート７８６も、所望の位置へのより直接的な移動を可能にすべく移動可能である。
【００３８】
[0053] 上の説明では、レチクルは（各々のサポート上で）移動可能であるとして説明したが、本発明の別の実施形態は、固定のレチクルを有することを含む。この実施形態では、システムが移動して検査スキャンを行うことができ、その間、レチクルは固定されたままである。
【００３９】
[0054] 図８Ａ及び図８Ｂは、本発明の実施形態による、単一レチクルを用いた別の例を示す。図８Ａでは、レチクルサポート８３６上の単一レチクル８３１を示す。単一レチクル８３１は、その上に２つのパターン、すなわち、検査パターン８６３と別個の基準パターン８６５を有する。図８Ｂでは、レチクルサポート８３６上の単一レチクル８６７を示す。単一レチクル８６７はその上に単一パターン８６９を有する。単一パターン８６９は、検査パターン部８７１と基準パターン部８７３とを含む。検査パターン部８７１と基準パターン部８７３は、例えば、同一又は同等のパターンを含むことができる。図８Ａ及び図８Ｂの各実施形態は、例えば、図２のレチクル検査システム２００内に、検査レチクル２３０、基準レチクル２３２、及びレチクルサポート２３６の代わりに組み込んでもよい。
【００４０】
[0055] 図９は、本発明の実施形態を用いて検出された外部パーティクルを示す結像例９９０、９９１、及び９９２（コンピュータモデリング）を示す。例９９０及び９９１は、ランダムパターンを示す。例９９０では、検査レチクル９９３がパーティクル又は異常９９４を含み、基準レチクル９９５がパーティクル又は異常９９６を含む。レチクル検査システム２００（又は６００）を用いて数学的な減算を適用し、像９９７がディテクタ２１０（又は６１０）に結果として生じ、パーティクル９９４及び９９６が共に識別可能である。パーティクル又は異常が見つかったので、検査レチクル９９３を洗浄する（又は、そうでなければ、例えば、使用不可として廃棄する）ことができる。像９９７からは、パーティクル／異常が検査レチクル９９３上にあったのか基準レチクル９９５上にあったのかが不明なので、基準レチクル９９５も洗浄されてよく、又は、そうでなければ、注意を向けられてよい。例９９１及び９９２は、例９９２は規則的な（又は周期的な）パターンを示すこと以外は例９９０と類似する。例９９２では、潜在的なパーティクル又は異常９９８は、検査レチクルと基準レチクルの両方で同一であるので像９９９では出現しない。
【００４１】
[0056] 上述したように、ディテクタ２１０（又は６１０）において結果として生じる像は、検査レチクル及び基準レチクルの振幅及び位相分布における差を表す。１８０度の位相シフト及び光源のコヒーレント長未満の光路長差によって、１つのレチクルからの振幅像が、他のレチクルの振幅像から減算され、パターン間の差が、結果として生じる像内に明るいスポットとして示される。数理シミュレーションでは、このパターン像の減算は非常に効率的である。しかし、これには、２つのレチクル間の正確なオーバレイ調節と像フィールド全体に亘って１８０度の位相差を必要とする。レチクル間の正確なオーバレイは、メトロロジアライメントマークを用いるシステムの初期アライメント及び信号最小化アルゴリズムなどによって与えられることができる。視野全体に亘って必要な位相シフトは、（例えば、上述したようにレチクル検査システム２００及び６００内の干渉計素子２０１及び６０１を制御することによって）検査スキャンプロセスの間の傾斜及び位相のダイナミック調節によって与えられることが可能である。像減算後、多少の残留ノイズが観察されることがある。
【００４２】
[0057] ランダムパターン、又は、規則的な部分とランダムな部分の混合を有するパターンは、本文書の背景技術のセクションに記載した公知のフーリエフィルタリングアプローチでは効果的に処理することができない。本発明は、パターントポロジーの制限なく、効果的なパーティクル及び異常検出を可能にする。本発明は、光路において直接レチクル上のパターンから散乱した光を抑制し、その結果、限られたダイナミックレンジを有するフォトディテクタを用いてパーティクル及び異常を検出することが可能である。
ＩＩＩ．例示的なリソグラフィ環境
【００４３】
[0058] 上述の実施形態は、別個のデバイスとして説明した。或いは、これらの実施形態は、インツール（in-tool）デバイスとして、すなわち、リソグラフィシステム内に任意選択的に設けられてもよい。別個の装置としては、（例えば、出荷前の）レチクル検査のために用いることができる。インツールデバイスとしては、レチクルをリソグラフィプロセスに用いる前にそのレチクルの簡易検査を実行することができる。図１０Ａ、図１０Ｂ、及び図１１は、レチクル検査システム２００をインツールデバイスとして組み込むことのできるリソグラフィシステムの例を示す。図１０Ａ、図１０Ｂ、及び図１１では、レチクル検査システム２００は、各々のリソグラフィシステムと共に示す。
【００４４】
[0059] 以下の説明は、本発明の実施形態を実施してよい詳細な例示的な環境を表す。
Ａ．例示的な反射型及び透過型リソグラフィシステム
【００４５】
[0060] 図１０Ａ及び図１０Ｂは、それぞれ、リソグラフィ装置１０００及びリソグラフィ装置１０００’を概略的に示す。リソグラフィ装置１０００及びリソグラフィ装置１０００’は、それぞれ、放射ビームＢ（例えば、ＤＵＶ又はＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク、レチクル、又はダイナミックパターニングデバイス）ＭＡを支持するように構成され、且つパターニングデバイスＭＡを正確に位置付けるように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、且つ基板Ｗを正確に位置付けるように構成された第２のポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴとを含む。リソグラフィ装置１０００及び１０００’は更に、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分（例えば、１以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システムＰＳを有する。リソグラフィ装置１０００では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは反射型であり、リソグラフィ装置１０００’では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは透過型である。
【００４６】
[0061] 照明システムＩＬとしては、放射Ｂを誘導し、整形し、又は制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電型、若しくはその他のタイプの光コンポーネント、又はそれらのあらゆる組み合わせなどの様々なタイプの光コンポーネントを含んでよい。
【００４７】
[0062] サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの配向、リソグラフィ装置１０００及び１０００’の設計、及び、パターニングデバイスＭＡが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様でパターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式、又はその他のクランプ技術を使ってパターニングデバイスＭＡを保持することができる。サポート構造ＭＴは、必要に応じて固定式若しくは可動式にすることができるフレーム又はテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムＰＳに対して所望の位置に確実に置くことができる。
【００４８】
[0063] 「パターニングデバイス」ＭＡという用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃ内にパターンを作り出すように、放射ビームＢの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。放射ビームＢに付けられたパターンは、集積回路などのターゲット部分Ｃ内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応する。
【００４９】
[0064] パターニングデバイスＭＡは、（図１０Ｂのリソグラフィ装置１０００’のように）透過型であっても（図１０Ａのリソグラフィ装置１０００のように）反射型であってもよい。パターニングデバイスＭＡの例としては、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レゼンソン型（alternating）位相シフト、及びハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスク型、並びに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームＢにパターンを付ける。
【００５０】
[0065] 「投影システム」ＰＳという用語は、使われている露光放射に、若しくは液浸液の使用又は真空の使用といった他の要因に適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、及び静電型光学系、又は、それらのあらゆる組み合わせを含むあらゆる型の投影システムを包含してよい。真空環境は、他のガスが放射又は電子を多く吸収し過ぎてしまうことがあるのでＥＵＶ又は電子ビーム放射に用いてよい。したがって、真空環境は、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に設けられてよい。上述したようなレチクル検査システムを真空環境内に含めることで、レチクルを真空環境から移動させることなくレチクルを検査できる。
【００５１】
[0066] リソグラフィ装置１０００及び／又はリソグラフィ装置１０００’は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）ＷＴを有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加の基板テーブルＷＴを平行して使うことができ、すなわち、予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上の基板テーブルＷＴを露光用に使うことができる。例えば、１つのマスクが露光用に用いられている間に、別のマスクテーブルが上述したようなレチクル検査システムを用いたレチクル検査用に用いられてよい。
【００５２】
[0067] 図１０Ａ及び図１０Ｂを参照すると、イルミネータＩＬが放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源ＳＯとリソグラフィ装置１０００、１０００’は、例えば、放射源ＳＯがエキシマレーザーである場合、別個の構成要素であってもよい。そのような場合、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置１０００又は１０００’の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームＢは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤ（図１０Ｂ）を使って送られる。その他の場合、例えば、放射源ＳＯが水銀ランプである場合、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置１０００、１０００’の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じて、ビームデリバリシステムＢＤと共に、放射システムと呼んでもよい。
【００５３】
[0068] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤ（図１０Ｂ）を含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯといった様々な他のコンポーネント（図１０Ｂ）を含むことができる。イルミネータＩＬを使って放射ビームＢを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。
【００５４】
[0069] 図１０Ａを参照すると、放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。リソグラフィ装置１０００では、放射ビームＢはパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは放射ビームＢの焦点を基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合わせる。第２ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使って、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭ及び別の位置センサＩＦ１を使って、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることができる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って位置合わせされてもよい。
【００５５】
[0070] 図１０Ｂを参照すると、放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点を合わせる。第２ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使って、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１０Ｂには明示的に示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後又はスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。
【００５６】
[0071] 通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、又は固定されてもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００５７】
[0072] リソグラフィ装置１０００及び１０００’は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
１．工程モードでは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームＢに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘ及び／又はＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
２．スキャンモードでは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームＢに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率及び像反転特性によって決めることができる。
３．別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、又はスキャンする一方で、放射ビームＢに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。パルス放射源ＳＯが採用されてよく、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、又はスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、本願において言及したタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００５８】
[0073] 上述の使用モードの組合せ及び／若しくはバリエーション、又は完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００５９】
[0074] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」又は「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、及び／又はインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツール及びその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００６０】
[0075] 更なる実施形態では、リソグラフィ装置１０００は、ＥＵＶリソグラフィ用のＥＵＶ放射ビームを発生するように構成された極端紫外線（ＥＵＶ）源を含む。一般に、ＥＵＶ源は、放射システム（下記参照）内に構成され、対応する照明システムがＥＵＶ源のＥＵＶ放射ビームを調整するように構成される。
Ｂ．例示的なＥＵＶリソグラフィ装置
【００６１】
[0076] 図１１は、本発明の一実施形態による例示的なＥＵＶリソグラフィ装置１１００を概略的に示す。前述したように、レチクル検査は、ペリクルによって保護されていないＥＵＶレチクルには特に重要である。本明細書に示すようにレチクル検査システムをＥＵＶリソグラフィ装置と一体にすることは有益であると考えられる。
【００６２】
[0077] 図１１では、ＥＵＶリソグラフィ装置１１００は、放射システム１１１１、照明光学ユニット１１１３、及び投影システムＰＳを含む。放射システム１１１１は、放射源ＳＯを含み、この放射源内で放射ビームが放電プラズマによって形成されてよい。一実施形態では、ＥＵＶ放射は、例えば、Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気、又はＳｎ蒸気といったガス又は蒸気によって生成されてよく、ガス又は蒸気内で非常に高温なプラズマが生成されて電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射が放出される。非常に高温なプラズマは、例えば、放電によって少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを発生させることによって生成ことができる。例えば、１０ＰａのＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気又は任意の他の好適なガス又は蒸気の部分圧が放射の効率的な発生には必要となることがある。放射源ＳＯによって放出される放射は、放射源チャンバ１１１５から、放射源チャンバ１１１５内の開口内又はその背後に位置付けられたガスバリア又は汚染トラップ１１１９を介してコレクタチャンバ１１１７内に渡さされる。一実施形態では、ガスバリア１１１９はチャネル構造を含んでもよい。
【００６３】
[0078] コレクタチャンバ１１１７は、かすめ入射コレクタから形成されてよい放射コレクタ１１２１（集光ミラー又はコレクタとも呼ばれてもよい）を含む。放射コレクタ１１２１は、上流放射コレクタ側１１２１ａ及び下流放射コレクタ側１１２１ｂを有し、コレクタ１１２１を通過した放射は、格子スペクトルフィルタ１１２３を反射して、コレクタチャンバ１１１７の開口における仮想放射源点１１２７にその焦点が合わされることが可能である。放射コレクタ１１２１は当業者には既知である。
【００６４】
[0079] 放射ビーム１１３３は、コレクタチャンバ１１１７から照明光学ユニット１１１３内を法線入射リフレクタ１１２９及び１１３１を介して、レチクル又はマスクテーブルＭＴ上に位置付けられたレチクル又はマスク（図示せず）上へと反射される。パターン付きビーム１１３５が形成され、このビームは、投影システムＰＳ内で反射素子１１３７及び１１３９を介してウェーハステージ又は基板テーブルＷＴ上に支持された基板（図示せず）上に結像される。様々な実施形態において、照明光学ユニット１１１３及び投影システムＰＳは、図１１に示すよりも多くの（又は少ない）素子を含んでよい。例えば、格子スペクトルフィルタ１１２３は、リソグラフィ装置のタイプに依存して任意選択的にあってよい。更に、一実施形態では、照明光学ユニット１１１３及び投影システムＰＳは、図１１に示すよりも多くのミラーを含んでもよい。例えば、投影システムＰＳには、反射素子１１３７及び１１３９に加えて１乃至４つの反射素子が組み込まれてもよい。図１１では、参照番号１１４７は、２つのリフレクタ間の空間、例えば、リフレクタ１１４１と１１４３との間の空間を示す。
【００６５】
[0080] 一実施形態では、コレクタミラー１１２１は、かすめ入射ミラーの代わりに又はそれに加えて法線入射コレクタを含んでもよい。更に、コレクタミラー１１２１は、リフレクタ１１４１、１１４３、及び１１４５を有する入れ子式のコレクタを参照して説明しているが、本明細書では以降コレクタの一例として用いる。
【００６６】
[0081] 更に、図１１に概略的に示すように、格子１１２３の代わりに、透過型光学フィルタを適用してもよい。ＥＵＶを透過させる光学フィルタ並びにＵＶ放射をあまり透過させない又は実質的に吸収する光学フィルタが当業者には知られている。したがって、本明細書における「格子スペクトル純度フィルタ」の使用は、「スペクトル純度フィルタ」と置換可能に示され、スペクトル純度フィルタには格子又は透過フィルタが含まれる。図１１には示さないが、ＥＵＶ透過型光学フィルタを、例えば、コレクタミラー１１２１の上流に構成された追加の光学素子、又は、照明ユニット１１１３及び／又は投影システムＰＳ内の光学ＥＵＶ透過型フィルタとして含んでもよい。
【００６７】
[0082] 光学素子に対して「上流」及び「下流」という用語は、それぞれ、１以上の光学素子の、１以上の追加の光学素子より「光学的に上流」及び「光学的に下流」の位置を示す。放射ビームがリソグラフィ装置１１００内を通過する光路に従って、放射源ＳＯに対して第２光学素子よりも近くにある第１光学素子は、第２光学素子より上流に構成され、第２光学素子は第１光学素子の下流に構成されている。例えば、コレクタミラー１１２１はスペクトルフィルタ１１２３の上流に構成され、光学素子１１２９はスペクトルフィルタ１１２３の下流に構成されている。
【００６８】
[0083] 図１１に示すあらゆる光学素子（及び本実施形態の概略図には示さない追加の光学素子）は、例えば、Ｓｎなどの放射源ＳＯによって生成された汚染物質の堆積に対して影響を受けやすい場合がある。このようなことは、放射コレクタ１１２１や、ある場合にはスペクトル純度フィルタ１１２３について該当する。したがって、洗浄デバイスを用いてこれらの光学素子のうちの１以上を洗浄し、また、洗浄方法をこれらの光学素子だけではなく、法線入射リフレクタ１１２９及び１１３１並びに反射素子１１３７及び１１３９、又は、追加のミラー、格子などの他の光学素子にも適用してよい。
【００６９】
[0084] 放射コレクタ１１２１は、かすめ入射コレクタであってよく、そのような実施形態では、コレクタ１１２１は、光軸Ｏに沿って位置合わせされる。放射源ＳＯ又はその像も光軸Ｏに沿って配置されてよい。放射コレクタ１１２１は、リフレクタ１１４１、１１４３、及び１１４５（「シェル」又は幾つかのウォルター（Wolter）型リフレクタを含むウォルター型リフレクタとしても知られている）を含んでもよい。リフレクタ１１４１、１１４３、及び１１４５は、入れ子式にされて光軸Ｏについて回転対称であってよい。図１１では、内側リフレクタを参照番号１１４１により示し、中間リフレクタを参照番号１１４３により示し、外側リフレクタを参照番号１１４５により示す。放射コレクタ１１２１は、特定の容積、すなわち、外側リフレクタ１１４５内の容積を囲む。通常、外側リフレクタ１１４５内の容積は周囲が閉じられるが、小さい穴があけられていてもよい。
【００７０】
[0085] リフレクタ１１４１、１１４３、及び１１４５は、それぞれ、少なくとも一部が反射層又は幾つかの反射層を表す表面を含んでよい。したがって、リフレクタ１１４１、１１４３、及び１１４５（又は、４以上のリフレクタ又はシェルを有する放射コレクタの実施形態では追加のリフレクタ）は、少なくとも部分的に、放射源ＳＯからのＥＵＶ放射を反射し且つ収集するために設計され、また、少なくとも一部のリフレクタ１１４１、１１４３、及び１１４５はＥＵＶ放射を反射し且つ収集するように設計されないこともある。例えば、リフレクタの裏面の少なくとも一部は、ＥＵＶ放射を反射且つ収集するようには設計されないことがある。これらの反射層の表面上には更に、保護のための、又は、反射層の表面の少なくとも一部上に設けられた光フィルタとしてのキャップ層があってもよい。
【００７１】
[0086] 放射コレクタ１１２１は、放射源ＳＯ又は放射源ＳＯの像の付近に配置されてよい。各リフレクタ１１４１、１１４３、及び１１４５は、少なくとも２つの隣接する反射面を含んでよく、放射源ＳＯから遠い反射面は、放射源ＳＯに近い反射面より小さい角度で光軸Ｏに対して配置される。このようにすると、かすめ入射コレクタ１１２１は、光軸Ｏに沿って伝播する（Ｅ）ＵＶ放射ビームを発生するように構成される。少なくとも２つのリフレクタが、実質的に同軸状に配置されて、光軸Ｏについて実質的に回転対称に延在してよい。なお、放射コレクタ１１２１は、外側リフレクタ１１４５の外面上に、又は、外側リフレクタ１１４５の周りに、例えば、保護ホルダ、ヒータなどの更なる特徴を有してもよいことは理解されるべきである。
【００７２】
[0087] 本明細書に記載した実施形態では、「レンズ」及び「レンズ素子」といった用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、及び静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つ又はこれらの組合せを指すことができる。
【００７３】
[0088] 更に、本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、又は１２６ｎｍの波長λを有する）、極端紫外線（ＥＵＶ又は軟Ｘ線）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲内、例えば、１３．５ｎｍの波長を有する）、又は５ｎｍ未満で作動する硬Ｘ線、並びにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。一般に、約７８０〜３０００ｎｍ（又はそれ以上）の波長を有する放射は、ＩＲ放射とみなされる。ＵＶは、約１００〜４００ｎｍの波長を有する放射を指す。リソグラフィにおいては、通常、水銀放電ランプによって生成可能な波長、すなわち、Ｇ線４３６ｎｍ、Ｈ線４０５ｎｍ、及び／又はＩ線３６５ｎｍも適用できる。真空ＵＶ、すなわち、ＶＵＶ（すなわち、空気により吸収されるＵＶ）は、約１００〜２００ｎｍの波長を有する放射を指す。ディープＵＶ（ＤＵＶ）は、通常、１２６ｎｍから４２８ｎｍの範囲の波長を有する放射を指し、一実施形態では、エキシマレーザーが、リソグラフィ装置において用いられるＤＵＶ放射を発生することができる。例えば、５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する放射は、特定の波長帯域を有する放射に関連して、この特定の波長帯域のうちの少なくとも一部が５〜２０ｎｍの範囲にあることは理解されるべきである。
ＩＶ．レチクル検査方法
【００７４】
[0089] 図１２は、本発明の一実施形態による、レチクル検査の方法１２００を説明するフロー図である。方法１２００は、工程１２０１において開始し、すぐに工程１２０２に進み、ここで、検査レチクルの表面の一部と基準レチクルの表面の一部がそれぞれコヒーレント照明源によって照明される。工程１２０４では、検査レチクルからの散乱光と基準レチクルからの散乱光にフーリエ変換が適用される。工程１２０６では、検査レチクル又は基準レチクルからの変換済み光の位相が、検査レチクルからの変換済み光と基準レチクルからの変換済み光との間の位相差が１８０度となるようにシフトされる。工程１２０８では、変換済み光は、各変換済み光が運ぶ像が減算されるように合成される。工程１２１０では、逆フーリエ変換が合成された光に適用される。工程１２１２では、合成された光がディテクタにおいて検出され、ここでは、照明源からディテクタまでの２つの光路（１つの光路は、検査レチクルを介し、もう１つの光路は基準レチクルを介する）の間の光路長における差が、照明源のコヒーレンス長未満である。その後、方法１２００は終了する。方法１２００では、コヒーレント照明源と、検査分岐と基準分岐との間の１８０度の位相シフトを利用することにより、検査レチクル及び基準レチクルの振幅及び位相分布における差を表す像がディテクタに結果として生じる。この構成によって、外部パーティクル及び／又は異常が容易に識別できるようになる。
【００７５】
[0090] 図１３は、本発明の一実施形態による、図１２に示すレチクル検査方法１２００の更なる工程を説明するフロー図である。工程１３０２は、工程１２１０から発生する。工程１３０２では、合成された光は、望ましくないエネルギーを除去すべくフィルタリングされる。例えば、フーリエフィルタリングシステムを用いることができる。このようなフィルタリングによってより良好な出力信号対ノイズ比を提供することができる。方法は、次に工程１２１２に進む。
【００７６】
[0091] 図１４は、本発明の一実施形態による、図１２に示すレチクル検査方法１２００の複数の更なる工程を説明するフロー図である。工程１４０２は、工程１２１０から発生する。工程１４０２では、検査レチクル及び基準レチクルはユニゾンで動かされる（すなわち、検査レチクル及び基準レチクルは、同一の動作で一緒に動く）。工程１４０４では、工程１２０２から工程１２１２までが繰り返されて、検査レチクルの連続する部分が検査される。その後方法は終了する。これは連続工程での検査レチクルのスキャンを表す。
【００７７】
[0092] 図１５は、本発明の一実施形態による、図１４に示すレチクル検査方法の更なる工程を説明するフロー図である。工程１５０２は、工程１４０２から発生する。工程１５０２では、干渉計素子が調節されて位相差が１８０度に維持される。方法は、次に工程１４０４に進む。
【００７８】
[0093] 図１６は、本発明の一実施形態による、図１２に示すレチクル検査方法１２００の更なる工程を説明するフロー図である。工程１６０２は、工程１２０１から発生する。工程１６０２では、コンピュータにより生成されたパターンが基準レチクルに付けられる。本実施形態では、基準レチクルは、マイクロミラーアレイといった空間光モジュレータである。方法は、次に工程１２０２に進む。
Ｖ．結論
【００７９】
[0094] 請求項を解釈するためには、発明の概要及び要約のセクションではなく、発明を実施するための形態のセクションを用いるべきであることは理解されるべきである。発明の概要及び要約のセクションは、発明者が熟考した本発明の１以上の例示的な実施形態を記載しうるが、全ての例示的な実施形態を記載しているわけではなく、したがって、本発明及び特許請求の範囲をいかようにも限定することを意図していない。
【００８０】
[0095] 本発明を、特定の機能の実装及びそれらの関係を説明する機能構築ブロックを用いて上に説明した。これらの機能構築ブロックの境界は説明の便宜上、本明細書では任意に定義されている。別の境界も、その境界が特定の機能及びその関係が適切に実行されるのであれば定義されてよい。
【００８１】
[0096] 特定の実施形態の上述の説明は、本発明の一般的な性質を、他者が当技術の知識を適用することによって、必要以上の実験なしで且つ本発明の一般的な概念から逸脱することなくかかる特定の実施形態を様々な適用のために容易に変更及び／又は適応できるように明らかにしているものである。したがって、そのような適応及び変更は、本願に提示した教示内容に基づいて開示した実施形態の均等物の意味及び範囲内であることを意図している。本明細書における表現又は用語は、本明細書の用語又は表現が教示内容を鑑みて解釈されるように限定ではなく説明を目的としていることは理解されるべきである。
【００８２】
[0097] 本発明の範囲は、上述した例示的な実施形態のいずれによっても制限されるべきではなく、特許請求の範囲及びその等価物に従ってのみ定義されるべきである。
【符号の説明】
【００８３】
１００ 例示的な検査システム
１０４ 顕微鏡対物系
１０６ 瞳フィルタ
１０８ 投影光学系
１１０ ディテクタ
１１２ 放射ビーム
１１４ 物体
１１６ コンピュータ
２００ レチクル検査システム
２０１ 干渉計素子
２０３ コヒーレントな照明ビーム
２０４、２０５ 顕微鏡対物系
２０７、２０９ フーリエ変換済みビーム
２１０ フォトディテクタ
２２０ 照明源
２２５ フィルタリングシステム
２２６ レンズ
２２７ フーリエレンズ
２２８ 空間フィルタ
２３０ 検査レチクル
２３２ 基準レチクル
２３４ ペリクル
２３６ 基板サポート
２３８ ディテクタ
２４０ アクチュエータ
２４２ 面
２５５ 制御信号
３０３ 光ビーム
３８１ オプションの照明システム
３８３ 光学素子
３８５ 折り返しミラー
４０３ 光ビーム
４２０ 照明源
４５２、４５４ ビームスプリッタ
５６０ プロセッサ
６００ レチクル検査システム
６０１、６６８ 干渉計素子
６０３ 照明ビーム
６０４、６０５ 顕微鏡対物系
６０７、６０９ ビーム
６１０ ディテクタ
６２４ ビームスプリッタ
６２６ レンズ
６３０ 検査レチクル
６３２ 基準レチクル
６３８ ディテクタ
６６４ 基板サポート
６７２、６７４ 反射素子
７７８ 第１レチクルサポート
７８０ 第２レチクルサポート
７８２ 第１レチクルサポート
７８４ 第２レチクルサポート
７８６ 第３レチクルサポート
８３６ レチクルサポート
８６３ 検査パターン
８６５ 基準パターン
８６７ 単一レチクル
８６９ 単一パターン
８７１ 検査パターン部
８７３ 基準パターン部
９９０、９９１、９９２ 結像例
９９３ 検査レチクル
９９４ パーティクル
９９５ 基準レチクル
９９６ パーティクル
９９７ 像
９９８ 潜在的なパーティクル又は異常
９９９ 像
１０００、１０００’ リソグラフィ装置
１１１３ 照明光学ユニット
１１１５ 放射源チャンバ
１１１７ コレクタチャンバ
１１１９ ガスバリア又は汚染トラップ
１１２１ 放射コレクタ
１１２３ 格子スペクトルフィルタ
１１２９、１１３１ 法線入射リフレクタ
１１３３ 放射ビーム
１１３５ パターン付きビーム
１１３７、１１３９ 反射素子
１１４１、１１４３、１１４５ リフレクタ
ＳＯ 放射源
ＩＬ イルミネータ
ＰＳ 投影システム
Ｂ 放射ビーム
Ｗ 基板
ＢＤ ビームデリバリシステム
ＭＡ パターニングデバイス
ＭＴ サポート構造
ＰＭ、ＰＷ 第１及び第２ポジショナ
ＩＦ１、ＩＦ２ 位置センサ
ＷＴ 基板テーブル
ＡＤ アジャスタ
ＩＮ インテグレータ
ＣＯ コンデンサ
Ｍ１、Ｍ２ マスクアライメントマーク
Ｐ１、Ｐ２ 基板アライメントマーク
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査レチクル及び基準レチクルの各部分を照明するように構成されたコヒーレント照明源と、
前記検査レチクルの前記照明された部分から伝播された第１光ビームに第１フーリエ変換を適用するように構成された第１顕微鏡対物系を有する検査干渉計分岐と、
前記基準レチクルの前記照明された部分から伝播された第２光ビームに第２フーリエ変換を適用するように構成された第２顕微鏡対物系を有する基準干渉計分岐と、
前記第１及び第２光ビームを受け取り且つ合成するように構成されたビームスプリッタと、
前記検査干渉計分岐における干渉計素子であって、前記検査干渉計分岐と前記基準干渉計分岐との間に１８０度の位相シフトを生じさせ且つ前記第１顕微鏡対物系からの前記第１光ビームを前記ビームスプリッタに向けるように構成された、干渉計素子と、
前記合成された第１及び第２光ビームに逆フーリエ変換を与えて、それにより像が形成されるように構成されたフーリエレンズと、
前記像を検出するように構成されたディテクタと
を含み、
前記像は、前記検査レチクル及び前記基準レチクルの振幅及び位相分布における差を表し、
前記検査干渉計分岐は前記照明源と前記ディテクタとの間の光路を有し、
前記基準干渉計分岐は前記照明源と前記ディテクタとの間の光路を有し、
前記検査干渉計分岐と前記基準干渉計分岐との間の光路長差は、前記照明源のコヒーレンス長未満である、レチクル検査システム。
【請求項２】
前記フーリエレンズから伝播された前記合成された第１及び第２光ビームにおける不所望のエネルギーを遮断するように構成されたフィルタリングシステムを更に含む、請求項１に記載のレチクル検査システム。
【請求項３】
前記干渉計素子から向けられた前記第１光ビームを検出し、位相調節信号を出力するように構成された位相調節ディテクタと、
前記位相調節ディテクタから前記位相調節信号を受け取り、前記位相調節信号に呼応して前記干渉計素子を調節するように構成されたアクチュエータと
を更に含む、請求項１に記載のレチクル検査システム。
【請求項４】
前記基準干渉計分岐における干渉計素子を更に含み、
前記基準干渉計分岐における前記干渉計素子は、前記第２顕微鏡対物系からの前記第２光ビームを前記ビームスプリッタに向けるように構成される、請求項１に記載のレチクル検査システム。
【請求項５】
前記基準レチクルは、空間光モジュレータ（ＳＬＭ）である、請求項１に記載のレチクル検査システム。
【請求項６】
前記検査レチクル及び前記基準レチクルがその上に取り付けられた可動プラットフォームを更に含み、
前記可動プラットフォームは、前記検査レチクルの連続的な部分の検査のために動かされるように構成される、請求項１に記載のレチクル検査システム。
【請求項７】
前記検査レチクルがその上に取り付けられた第１可動プラットフォームと、
前記基準レチクルがその上に取り付けられた第２可動プラットフォームと
を更に含み、
前記第２可動プラットフォームは、前記第１可動プラットフォーム及び第２可動プラットフォームの動作が前記検査レチクルの連続的な部分の検査のために同一であるように、前記第１可動プラットフォームとユニゾンで動くように構成される、請求項１に記載のレチクル検査システム。
【請求項８】
前記検査レチクルがその上に取り付けられた第１可動プラットフォームと、
前記基準レチクルがその上に取り付けられた第２可動プラットフォームであって、前記第１可動プラットフォーム及び第２可動プラットフォームの動作が前記検査レチクルの連続的な部分の検査のために同一であるように、前記第１可動プラットフォームとユニゾンで動くように構成される、第２可動プラットフォームと、
前記第１可動プラットフォーム及び前記第２可動プラットフォームがその上に配置された第３可動プラットフォームであって、前記第１及び第２可動プラットフォームを所望の位置に動かすように構成される、第３可動プラットフォームと
を更に含む、請求項１に記載のレチクル検査システム。
【請求項９】
前記照明源からの照明を、前記第１顕微鏡対物系を通り前記検査レチクルに向けるように構成された第１照明ビームスプリッタと、
前記照明源からの照明を、前記第２顕微鏡対物系を通り前記基準レチクルに向けるように構成された第２照明ビームスプリッタと
を更に含む、請求項１に記載のレチクル検査システム。
【請求項１０】
検査レチクル及び基準レチクルの各部分を照明するように構成されたコヒーレント照明源と、
前記照明源からの照明を前記検査レチクルに向けるように構成された第１反射素子と、
前記照明源からの照明を前記基準レチクルに向けるように構成された第２反射素子と、
前記検査レチクルの前記照明された部分から伝播された第１光ビームに第１フーリエ変換を適用するように構成された第１顕微鏡対物系を有する検査干渉計分岐と、
前記基準レチクルの前記照明された部分から伝播された第２光ビームに第２フーリエ変換を適用するように構成された第２顕微鏡対物系を有する基準干渉計分岐と、
前記第１及び第２光ビームを受け取り且つ合成するように構成されたビームスプリッタと、
前記検査干渉計分岐と前記基準干渉計分岐との間に１８０度の位相シフトを生じさせ且つ前記第１顕微鏡対物系からの前記第１光ビームを前記ビームスプリッタに向けるように構成された第１干渉計素子と、
前記第２顕微鏡対物系からの前記第２光ビームを前記ビームスプリッタに向けるように構成された第２干渉計素子と、
前記合成された第１及び第２光ビームに逆フーリエ変換を与えて、それにより像が形成されるように構成されたフーリエレンズと、
前記像を検出するように構成されたディテクタと
を含み、
前記像は、前記検査レチクル及び前記基準レチクルの振幅及び位相分布における差を表し、
前記検査干渉計分岐は前記照明源と前記ディテクタとの間の光路を有し、
前記基準干渉計分岐は前記照明源と前記ディテクタとの間の光路を有し、
前記検査干渉計分岐と前記基準干渉計分岐との間の光路長差は、前記照明源のコヒーレンス長未満である、レチクル検査システム。
【請求項１１】
レチクル検査システムを有するリソグラフィシステムであって、
前記レチクル検査システムは、
検査レチクル及び基準レチクルの各部分を照明するように構成されたコヒーレント照明源と、
前記検査レチクルの前記照明された部分から伝播された第１光ビームに第１フーリエ変換を適用するように構成された第１顕微鏡対物系を有する検査干渉計分岐と、
前記基準レチクルの前記照明された部分から伝播された第２光ビームに第２フーリエ変換を適用するように構成された第２顕微鏡対物系を有する基準干渉計分岐と、
前記第１及び第２光ビームを受け取り且つ合成するように構成されたビームスプリッタと、
前記検査干渉計分岐における干渉計素子であって、前記検査干渉計分岐と前記基準干渉計分岐との間に１８０度の位相シフトを生じさせ且つ前記第１顕微鏡対物系からの前記第１光ビームを前記ビームスプリッタに向けるように構成された、干渉計素子と、
前記合成された第１及び第２光ビームに逆フーリエ変換を与えて、それにより像が形成されるように構成されたフーリエレンズと、
前記像を検出するように構成されたディテクタと
を含み、
前記像は、前記検査レチクル及び前記基準レチクルの振幅及び位相分布における差を表し、
前記検査干渉計分岐は前記照明源と前記ディテクタとの間の光路を有し、
前記基準干渉計分岐は前記照明源と前記ディテクタとの間の光路を有し、
前記検査干渉計分岐と前記基準干渉計分岐との間の光路長差は、前記照明源のコヒーレンス長未満である、リソグラフィシステム。
【請求項１２】
コヒーレント照明源を用いて、検査レチクルの表面及び基準レチクルの表面の各部分を照明すること、
前記照明された部分からの散乱光にフーリエ変換を適用すること、
前記検査レチクル及び前記基準レチクルのうち一方からの前記変換された光の位相を、前記検査レチクルからの前記変換された光と前記基準レチクルからの前記変換された光との間の位相差が１８０度となるようにシフトすること、
前記照明された部分からの前記変換された光を合成すること、
前記合成された光に逆フーリエ変換を適用すること、及び、
ディテクタにおいて前記合成された光を検出すること
を含み、
前記検査レチクルを介する前記照明源と前記ディテクタとの間の第１光路と、前記基準レチクルを介する前記照明源と前記ディテクタとの間の第２光路との間の光路長差が、前記照明源のコヒーレンス長未満であり、
前記ディテクタにより検出された前記合成された光は、前記検査レチクル及び前記基準レチクルの振幅分布における差を表す像の形態にある、レチクル検査方法。
【請求項１３】
不所望のエネルギーを除去すべく前記合成された光をフィルタリングすることを更に含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
連続する工程で前記検査レチクル及び前記基準レチクルをユニゾンで動かすこと、及び、
照明ステップ、フーリエ変換の適用ステップ、シフト、合成ステップ、逆フーリエ変換の適用ステップ及び検出ステップを繰り返して、前記検査レチクルの連続的な部分を検査すること
を更に含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
干渉計素子を調節して前記位相差を１８０度に維持すること、及び、
コンピュータにより生成されたパターンを前記基準レチクルに付けること
を更に含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１】
検査レチクル及び基準レチクルの各部分を照明するように構成されたコヒーレント照明源と、
前記検査レチクルの前記照明された部分から伝播された第１光ビームに第１フーリエ変換を適用するように構成された第１顕微鏡対物系を有する検査干渉計分岐と、
前記基準レチクルの前記照明された部分から伝播された第２光ビームに第２フーリエ変換を適用するように構成された第２顕微鏡対物系を有する基準干渉計分岐と、
前記第１及び第２光ビームを受け取り且つ合成するように構成されたビームスプリッタと、
前記検査干渉計分岐における干渉計素子であって、前記検査干渉計分岐と前記基準干渉計分岐との間に１８０度の位相シフトを生じさせ且つ前記第１顕微鏡対物系からの前記第１光ビームを前記ビームスプリッタに向けるように構成された、干渉計素子と、
前記合成された第１及び第２光ビームに逆フーリエ変換を与えて、それにより像が形成されるように構成されたフーリエレンズと、
前記像を検出するように構成されたディテクタと
を含み、
前記像は、前記検査レチクル及び前記基準レチクルの振幅及び位相分布における差を表し、
前記検査干渉計分岐は前記照明源と前記ディテクタとの間の光路を有し、
前記基準干渉計分岐は前記照明源と前記ディテクタとの間の光路を有し、
前記検査干渉計分岐と前記基準干渉計分岐との間の光路長差は、前記照明源のコヒーレンス長未満である、レチクル検査システム。
【請求項２】
前記フーリエレンズから伝播された前記合成された第１及び第２光ビームにおける不所望のエネルギーを遮断するように構成されたフィルタリングシステムを更に含む、請求項１に記載のレチクル検査システム。
【請求項３】
前記干渉計素子から向けられた前記第１光ビームを検出し、位相調節信号を出力するように構成された位相調節ディテクタと、
前記位相調節ディテクタから前記位相調節信号を受け取り、前記位相調節信号に呼応して前記干渉計素子を調節するように構成されたアクチュエータと
を更に含む、請求項１に記載のレチクル検査システム。
【請求項４】
前記基準干渉計分岐における干渉計素子を更に含み、
前記基準干渉計分岐における前記干渉計素子は、前記第２顕微鏡対物系からの前記第２光ビームを前記ビームスプリッタに向けるように構成される、請求項１に記載のレチクル検査システム。
【請求項５】
前記基準レチクルは、空間光モジュレータ（ＳＬＭ）である、請求項１に記載のレチクル検査システム。
【請求項６】
前記検査レチクル及び前記基準レチクルがその上に取り付けられた可動プラットフォームを更に含み、
前記可動プラットフォームは、前記検査レチクルの連続的な部分の検査のために動かされるように構成される、請求項１に記載のレチクル検査システム。
【請求項７】
前記検査レチクルがその上に取り付けられた第１可動プラットフォームと、
前記基準レチクルがその上に取り付けられた第２可動プラットフォームと
を更に含み、
前記第２可動プラットフォームは、前記第１可動プラットフォーム及び第２可動プラットフォームの動作が前記検査レチクルの連続的な部分の検査のために同一であるように、前記第１可動プラットフォームとユニゾンで動くように構成される、請求項１に記載のレチクル検査システム。
【請求項８】
前記検査レチクルがその上に取り付けられた第１可動プラットフォームと、
前記基準レチクルがその上に取り付けられた第２可動プラットフォームであって、前記第１可動プラットフォーム及び第２可動プラットフォームの動作が前記検査レチクルの連続的な部分の検査のために同一であるように、前記第１可動プラットフォームとユニゾンで動くように構成される、第２可動プラットフォームと、
前記第１可動プラットフォーム及び前記第２可動プラットフォームがその上に配置された第３可動プラットフォームであって、前記第１及び第２可動プラットフォームを所望の位置に動かすように構成される、第３可動プラットフォームと
を更に含む、請求項１に記載のレチクル検査システム。
【請求項９】
前記照明源からの照明を、前記第１顕微鏡対物系を通り前記検査レチクルに向けるように構成された第１照明ビームスプリッタと、
前記照明源からの照明を、前記第２顕微鏡対物系を通り前記基準レチクルに向けるように構成された第２照明ビームスプリッタと
を更に含む、請求項１に記載のレチクル検査システム。
【請求項１０】
検査レチクル及び基準レチクルの各部分を照明するように構成されたコヒーレント照明源と、
前記照明源からの照明を前記検査レチクルに向けるように構成された第１反射素子と、
前記照明源からの照明を前記基準レチクルに向けるように構成された第２反射素子と、
前記検査レチクルの前記照明された部分から伝播された第１光ビームに第１フーリエ変換を適用するように構成された第１顕微鏡対物系を有する検査干渉計分岐と、
前記基準レチクルの前記照明された部分から伝播された第２光ビームに第２フーリエ変換を適用するように構成された第２顕微鏡対物系を有する基準干渉計分岐と、
前記第１及び第２光ビームを受け取り且つ合成するように構成されたビームスプリッタと、
前記検査干渉計分岐と前記基準干渉計分岐との間に１８０度の位相シフトを生じさせ且つ前記第１顕微鏡対物系からの前記第１光ビームを前記ビームスプリッタに向けるように構成された第１干渉計素子と、
前記第２顕微鏡対物系からの前記第２光ビームを前記ビームスプリッタに向けるように構成された第２干渉計素子と、
前記合成された第１及び第２光ビームに逆フーリエ変換を与えて、それにより像が形成されるように構成されたフーリエレンズと、
前記像を検出するように構成されたディテクタと
を含み、
前記像は、前記検査レチクル及び前記基準レチクルの振幅及び位相分布における差を表し、
前記検査干渉計分岐は前記照明源と前記ディテクタとの間の光路を有し、
前記基準干渉計分岐は前記照明源と前記ディテクタとの間の光路を有し、
前記検査干渉計分岐と前記基準干渉計分岐との間の光路長差は、前記照明源のコヒーレンス長未満である、レチクル検査システム。
【請求項１１】
レチクル検査システムを有するリソグラフィシステムであって、
前記レチクル検査システムは、
検査レチクル及び基準レチクルの各部分を照明するように構成されたコヒーレント照明源と、
前記検査レチクルの前記照明された部分から伝播された第１光ビームに第１フーリエ変換を適用するように構成された第１顕微鏡対物系を有する検査干渉計分岐と、
前記基準レチクルの前記照明された部分から伝播された第２光ビームに第２フーリエ変換を適用するように構成された第２顕微鏡対物系を有する基準干渉計分岐と、
前記第１及び第２光ビームを受け取り且つ合成するように構成されたビームスプリッタと、
前記検査干渉計分岐における干渉計素子であって、前記検査干渉計分岐と前記基準干渉計分岐との間に１８０度の位相シフトを生じさせ且つ前記第１顕微鏡対物系からの前記第１光ビームを前記ビームスプリッタに向けるように構成された、干渉計素子と、
前記合成された第１及び第２光ビームに逆フーリエ変換を与えて、それにより像が形成されるように構成されたフーリエレンズと、
前記像を検出するように構成されたディテクタと
を含み、
前記像は、前記検査レチクル及び前記基準レチクルの振幅及び位相分布における差を表し、
前記検査干渉計分岐は前記照明源と前記ディテクタとの間の光路を有し、
前記基準干渉計分岐は前記照明源と前記ディテクタとの間の光路を有し、
前記検査干渉計分岐と前記基準干渉計分岐との間の光路長差は、前記照明源のコヒーレンス長未満である、リソグラフィシステム。
【請求項１２】
コヒーレント照明源を用いて、検査レチクルの表面及び基準レチクルの表面の各部分を照明すること、
前記照明された部分からの散乱光にフーリエ変換を適用すること、
前記検査レチクル及び前記基準レチクルのうち一方からの前記変換された光の位相を、前記検査レチクルからの前記変換された光と前記基準レチクルからの前記変換された光との間の位相差が１８０度となるようにシフトすること、
前記照明された部分からの前記変換された光を合成すること、
前記合成された光に逆フーリエ変換を適用すること、及び、
ディテクタにおいて前記合成された光を検出すること
を含み、
前記検査レチクルを介する前記照明源と前記ディテクタとの間の第１光路と、前記基準レチクルを介する前記照明源と前記ディテクタとの間の第２光路との間の光路長差が、前記照明源のコヒーレンス長未満であり、
前記ディテクタにより検出された前記合成された光は、前記検査レチクル及び前記基準レチクルの振幅分布における差を表す像の形態にある、レチクル検査方法。
【請求項１３】
不所望のエネルギーを除去すべく前記合成された光をフィルタリングすることを更に含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
連続する工程で前記検査レチクル及び前記基準レチクルをユニゾンで動かすこと、及び、
照明ステップ、フーリエ変換の適用ステップ、シフト、合成ステップ、逆フーリエ変換の適用ステップ及び検出ステップを繰り返して、前記検査レチクルの連続的な部分を検査すること
を更に含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
干渉計素子を調節して前記位相差を１８０度に維持すること、及び、
コンピュータにより生成されたパターンを前記基準レチクルに付けること
を更に含む、請求項１４に記載の方法。
【図１】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図３Ｄ】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９】
【図１０Ａ】
【図１０Ｂ】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図３Ｄ】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９】
【図１０Ａ】
【図１０Ｂ】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１０−１４００２７（Ｐ２０１０−１４００２７Ａ）
【公開日】平成２２年６月２４日（２０１０．６．２４）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２００９−２７８１１２（Ｐ２００９−２７８１１２）
【出願日】平成２１年１２月８日（２００９．１２．８）
【出願人】（５０３１９５２６３）エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． (232)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年６月２４日（２０１０．６．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２７８１１２（Ｐ２００９−２７８１１２）
【出願日】平成２１年１２月８日（２００９．１２．８）
【出願人】（５０３１９５２６３）エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． (232)
【Ｆターム（参考）】
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