【課題】物体に設けられた複数のマークをより短時間に高精度に検出する。
【解決手段】ウエハマークの位置を検出するマーク検出方法であって、複数のアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２１〜ＡＬ２４の検出領域に対してウエハＷを移動中に、アライメント系ＡＬ１，ＡＬ２１〜ＡＬ２４とウエハＷの表面とのデフォーカス量を計測し、この計測結果に基づいてウエハＷの面位置及び傾斜角の少なくとも一方を制御し、ウエハマークＷＭＣ１，ＷＭＡ１，ＷＭＤ１がアライメント系ＡＬ２２，ＡＬ１，ＡＬ２３の検出領域内に達したときに、ウエハＷを静止させて、アライメント系ＡＬ２２，ＡＬ２３で対応するウエハマークＷＭＣ１，ＷＭＤ１の位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】 本体構造体の弾性変形によるフォーカス精度の低下と、先読み領域の計測計を用いることで発生する基板処理枚数の劣化の両問題について解決する露光装置の提供を行う。
【解決手段】 上記目的を達成するために、本体構造体の位置変位量と、基板ステージ、もしくは原版ステージの位置を用いて、本体構造体が弾性変形をした時のフォーカス変動量をリアルタイムで計算し、予測補正する手段を有することを特徴とする。また、フォーカス変動量の予測補正量を算出する時に、本体構造体に強制的な作用力を加えて本体構造体の変位量を測定すると同時に、投影光学系と基板ステージ間の相対位置、もしくは、投影露光系と原版ステージの相対高さを測定し、回帰分析することで前記補正量の更正を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高精度な合焦位置キャリブレーションを実現すると共に、優れたスループットの向上を達成することができる露光装置を提供すること。
【解決手段】 マスク１面上にマスク側合焦用マーク８を備え、プレートステージ５上に光電センサ１０と光電センサ１０上にプレート側合焦用マーク９とを備え、露光光７でマスク側合焦用マーク８を照明し、マスク側合焦用マーク８を通過した光束を、投影光学系３とプレート側合焦用マーク９を介して光電センサ１０に入射させ、プレートステージ５を投影光学系３の光軸方向と直交する平面上に振ったときに得られる光電センサ１０の信号とプレートステージ５の位置信号に基づいて投影光学系３の合焦位置の変化を検出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】実デバイスパターンの像位置を高速かつ高精度に推定あるいは決定するために有利な技術を提供する。
【解決手段】原版Ｒまたは原版ステージ２１には、互いに異なる複数のパターンが互いに異なる領域に配置されてなる第１計測パターン２３が設けられ、計測器は、前記第１計測パターン２３を投影光学系３０の投影倍率に応じて縮小した第２計測パターン５１と、前記第１計測パターン２３および前記投影光学系３０を透過し更に前記第２計測パターン５１を透過した光を検出するセンサ５２とを含み、制御部７０は、前記第１計測パターン２３の照明領域を前記原版に応じて決定し、決定された前記照明領域における前記第１計測パターン２３を照明して基板ステージ４１を移動させながら得られた前記センサ５２の出力に基づいて、前記投影光学系３０によって形成される前記照明領域における前記第１計測パターン２３の像の位置を計測する。 （もっと読む）

【課題】変位量への換算を迅速に処理する。
【解決手段】 対物レンズ１８は、光源１３が発した光束を被検面２３ａ上に微小スポットとして投射する。シリンドリカルレンズユニット２１は、曲率半径の異なる２つのシリンドリカルレンズ３０，３１をもっており、それぞれに被検面２３ａで反射した反射光束に異なる量の非点収差を与える。受光センサ１９は、非点収差が与えられた反射光束を入射させて受光パターンに応じた出力変化が得られるように受光面が複数に分割されている。信号処理部２４は、受光面から得られる出力信号に基づいて被検面２３ａの変位を検出する。選択部３３は、被検面２３ａの検出範囲に応じて、いずれか一方のシリンドリカルレンズ３０，３１を光路上にセットするように移動機構２２を制御する。 （もっと読む）

【課題】うねりによる影響を極力無くして被検面の変位量を検出する。
【解決手段】 対物レンズ１８は、光源１３が発した光束を被検面２３ａ上に微小なビーム光として投射する。シリンドリカルレンズ２１は、被検面２３ａで反射した反射光束に非点収差を与える。受光センサ１９は、非点収差が与えられた反射光束を入射させて受光パターンに応じた出力変化が得られるように受光面が複数に分割されている。信号処理部２６は、受光面から得られる変位信号に基づいて被検面２３ａの変位を検出する。表面すねり補正部２８は、変位信号に基づいて表面のうねりの周期ピッチを求め、その時点の被検面２３ａ上のビーム径が周期ピッチよりも大きくなるように集光レンズ２０と受光面１９ａとの間隔を変え、これに連動して対物レンズ１８を移動する。 （もっと読む）

【課題】被露光部材の焦点方向の位置情報を高精度に検出できる露光装置を提供する。
【解決手段】パターンを形成するパターン形成部を照明光で照明する照明部と、パターンが転写される被露光部材Ｐを載置面で載置させる載置部２１と、載置部に載置された被露光部材に、照明光で照明されたパターンの像を投影する投影部３と、投影部を介して照明光とは異なる波長の第２照明光ＳＬで載置部に載置された被露光部材を照明して、被露光部材の位置情報を計測する計測装置４と、載置部に設けられ、被露光部材を透過した第２照明光の計測装置への反射を規制する反射規制部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】テーブルの位置決めに有利なステージ装置を提供する。
【解決手段】ベース部と、ＸＹ平面に沿って移動可能なテーブルと、Ｙ軸方向に沿った前記第１の端面の位置を計測する第１のＹ軸干渉計２２２と、前記Ｙ軸方向に沿った第２の計測光路を有する第２の端面の位置を計測する第２のＹ軸干渉計２２４と、前記第１のＹ軸干渉計及び前記第２のＹ軸干渉計から前記ＸＹＺ座標系のＸ軸方向に離間して、且つ、前記Ｙ軸方向に沿った第３の計測光路を有する第３のＹ軸干渉計２２８と、前記第１のＹ軸干渉計の計測値、前記第２のＹ軸干渉計の計測値及び前記第３のＹ軸干渉計の計測値に基づいて前記テーブルの変形量を求め、前記変形量に基づいて目標位置を補正した補正目標位置を求め、前記第１のＹ軸干渉計の計測値と前記第２のＹ軸干渉計の計測値から求まる前記テーブルの位置が前記補正目標位置に位置するように前記テーブルを位置決めする制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】 温度調節機能を持った基板位置合わせ装置の処理速度を向上する。
【解決手段】 基板の外周上の切り欠き位置に基いて第１の位置合わせを行う工程と、前記基板の切り欠きを含む外周形状に基いて第２の位置合わせを行う工程と、前記基板を目標管理温度に調整する温調工程とを含む位置合わせ方法を行う。前記方法において、Ｎ枚目の基板の前記第１位置合わせ工程の期間内にて、Ｎ−１枚目の基板の前記第２位置合わせ工程と、Ｎ−１枚目の基板の前記温調工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】パターン形状の測定精度を向上させた検査装置を提供する。
【解決手段】下地層の上に所定のパターンを有するウェハ５のパターンを検査する検査装置であって、対物レンズ７の瞳面もしくは該瞳面と共役な面における領域毎の光の強度情報を検出する撮像素子１８と、パターンの形状変化に対しては強度情報の変化が異なり、下地層の変化に対しては強度情報の変化が同程度である、瞳面もしくは該瞳面と共役な面内の第１領域と第２領域の位置情報をそれぞれ記憶する記憶部と、撮像素子１８で検出される、第１領域の強度情報と、第２領域の強度情報との差異に基づいてパターンの形状を求める演算処理部２０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ステージの位置を計測する。
【解決手段】ステージ定盤に設けられたエンコーダ７２，７７及びＺヘッド７３，７８とステージＲＳＴに設けられたグレーティングＧＲ１，ＧＲ２とを用いて、ステージ定盤に対するステージＲＳＴの位置を計測する第１計測システムと、ステージ定盤に設けられたエンコーダ８２〜８４及びＺヘッド８７〜８９と投影光学系ＰＬに設けられたグレーティングＧＲ３〜ＧＲ５及び反射面ＲＦ１〜ＲＦ３を用いて、ステージ定盤に対する投影光学系ＰＬの位置を計測する第２計測システムと、から計測システムが構成される。これを用いることにより、投影光学系ＰＬに対するステージＲＳＴの位置を高精度に計測することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高精度なウエハステージの位置計測を可能とする。
【解決手段】 ウエハステージの上面のＸ軸方向の両端部近傍にＹ軸方向に延設された一対の計測面のそれぞれに対応して設けられ、対応する計測面上の第１照射点に計測ビームを照射しその計測ビームの計測面からの戻り光を受光するＸ軸方向を計測方向とする複数の第１ヘッド６５、６４を含む複数のヘッドを有し、複数のヘッドの出力に基づいて少なくともＸＹ平面内のウエハステージの位置情報を求める位置計測系を備えている。ここで、第１照射点は、計測面上において、照明光の照射中心を通るＸ軸方向の直線上に位置する。従って、第１ヘッドによりウエハステージの少なくともＸ軸方向の位置をアッベ誤差なく計測可能である。 （もっと読む）

【課題】可変成形マスクを用いて基板上に形成されるパターンの形状の精度を高めることができる走査型露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】
走査型露光装置は、照明系２１、反射ミラー２３，複数のＳＬＭミラーを有するＳＬＭ２４、ＳＬＭミラーからの光によって投影領域に露光パターンを形成する投影光学系２２、投影領域に対して基板Ｓを走査するステージ１１、及び、ＳＬＭ２４を制御するＳＬＭ駆動装置２５を備えている。ＳＬＭ駆動装置２５は、ＳＬＭミラー各々の共役位置を基板表面に合わせるように、該基板表面の段差に応じてＳＬＭミラー各々の位置を変更する。加えてＳＬＭ駆動装置２５は、隣り合うＳＬＭミラーからの光同士がＳＬＭミラーの位置変更に伴って互いに弱め合う部分には、それ以外の部分よりも多くのＳＬＭミラーからの光が到達するようにＳＬＭ２４の駆動を制御する。 （もっと読む）

【課題】所期の転写パターン形成精度を維持すること。
【解決手段】マスクに設けられたパターンの露光光像を基板に投影して当該基板にパターンの転写パターンを形成する露光方法であって、転写パターンを計測し、この計測結果に対して投影時の所定の寄与分を補正して算出されたマスク伸縮変動量に基づいて算出されたマスク伸縮補正値に応じて、露光光像の像面の位置及び姿勢のうち少なくとも一方についての調整を行い、調整が行われた露光光像を前記基板に投影する。 （もっと読む）

【課題】複数の合焦位置のうちの所望の位置で合焦可能にする
【解決手段】本発明の態様の合焦装置４は、光学系３の焦点をステージ１上の対象物に合焦する合焦装置である。複数の合焦位置が得られたときに、光学系３からステージ１までの距離と合焦の判定パラメータ値との対応情報に基づいて、複数の合焦位置の中からいずれに合焦するかを制御する制御部５を有する。 （もっと読む）

【課題】パターンを正確に位置合わせする。
【解決手段】ダブルパターニング法において使用される２つのレチクルのそれぞれの伸縮量を記述するレチクル伸縮補正モデルについて、伸縮に係るパラメータ（レチクル伸縮補正パラメータ（時定数と飽和値））を最適化する。そして、最適化後のレチクル伸縮補正モデルを用いて、パターンを次の露光対象のウエハのターゲット層に位置合わせする。これにより、レチクルの熱変形に起因する補正誤差に影響を受けることなく、目標パターンをウエハ上のターゲット層に正確に位置合わせすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】対象面に対して光を照射し、その反射光を検出することによって当該表面の位置を検出するにあたって、適切な出射光量の値を簡易に決定できる技術を提供する。
【解決手段】光源から、光源に対して相対的に移動する対象面（基板Ｗの上面）に対して、出射光量を変化させながら間欠的に光を照射させるとともに、その反射光の光量分布データを受光部に取得させて、対象面内の異なる位置Ｐ（１），Ｐ（２），・・・Ｐ（Ｎ）で反射した反射光の光量分布データをサンプルデータとして次々と取得していく。続いて、取得された複数のサンプルデータのうち、受光量が許容範囲内にあるものを有効データとして抽出し、有効データを与えた最大の出射光量を、位置検出を行う位置検出用光源の出射光量の最適値とする。 （もっと読む）

【課題】デバイスパターンと露光量調整用のテストパターンとの間に寸法誤差があっても、ウェハ上に最適な露光量分布を与えることが可能な露光方法、露光装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態に係る露光方法は、デバイスパターン及び露光量調整用のテストパターンを含むマスクパターンを有するフォトマスクを設置し、前記フォトマスクの前記テストパターンを用いて露光量とウェハ上のレジストパターンの寸法の変化量との関係情報を取得し、前記デバイスパターンと前記テストパターンとの寸法誤差を測定し、前記関係情報及び前記寸法誤差に基づいて前記マスクパターンに対する露光量分布情報を設定し、前記露光量分布情報に基づいて前記ウェハ上のレジストを露光し、前記マスクパターンを前記レジストに転写する。 （もっと読む）

【課題】検出対象面の光学特性に依らずに検出対象面を検出可能にする。
【解決手段】本発明の表面検出装置９は、流体Ｇの吹出口２４を有する第１部材２０と、第１部材２０と検出対象面との間に配置され、吹出口２４からの流体Ｇの少なくとも一部が流入する流入口２７、及び流入口２７を通った流体Ｇが検出対象面に向けて流出する流出口２８を有する第２部材２１と、流出口２８から流出する流体Ｇの流れ方向における第２部材２１の位置を検出する検出部２３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクを用いて露光装置の検査を行う際に、高精度な転写パターンを形成し、回折光検出データを取得し、高精度の検査結果を得ることが可能な露光装置の検査方法、及び露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置の検査方法では、両端間に位置するパターンと異なるパターン幅を有する第１ピッチで並んだ複数のストライプ形状のパターンを含む第１のパターン群２０１と、第２ピッチで並んだ複数のストライプ形状のパターンを含む第２のパターン群２０２とを有するフォトマスク１１２に、光軸に対し傾いた方向から前記フォトマスク上に照明して、前記第１及び第２のパターン群からそれぞれ第１及び第２の回折光を発生させる。ウエハ上に、前記第１の回折光による第１の像と、前記第２の回折光による第２の像とを結像させ、第１の像と前記第２の像との間の相対距離を測定し、前記相対距離に基づいて、前記露光装置の投影光学系の状態を検査する。 （もっと読む）