【課題】ワイヤボンディング不良の発生を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップと、半導体チップを搭載するダイパッドと、ダイパッド上に半導体装置に接着するためのダイボンド材と、ダイパッドの周縁部に形成された溝構造と、溝構造に連結され、半導体チップの下面からはみ出したダイボンド材を溜める液溜まり構造と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】例えば、アルミニウム系金属材料のように、常温で安定な酸化膜を表面に有する部材を含む接合を大気中で、しかもフラックスを用いることなく、低コストで強度に優れた接合が可能な接合方法と共に、このような接合方法を適用した各種の接合部品を提供する。
【解決手段】重ね合わせた被接合材１，１の間にインサート材２を介在させた状態で、当該被接合材１，１を相対的に加圧しつつ加熱して、被接合材１，１とインサート材２の間で共晶反応を生じさせ、共晶反応溶融物を被接合材の酸化皮膜１ａと共に接合面から排出して被接合材１，１を接合するに際して、上記酸化皮膜１ａと共に共晶反応溶融物を含む排出物Ｄを排出するための凹部１ｃを接合面に設ける。 （もっと読む）

【課題】 放熱性がよく、ボンディング強度およびボンディング精度を損なうことのない半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ装置１は、少なくとも１つ以上のレーザ発光部１２を含む半導体レーザ素子１０と、半導体レーザ素子１０が実装されるサブマウント２０と、サブマウント２０が搭載される搭載面３１ａを有するパッケージ３０とを含み、サブマウント２０の厚み方向Ｚ２の一方の表面部は、半導体レーザ素子１０が実装される平坦な実装面２１ａを有し、他方の表面部である接合側表面部２１ｂは、その周縁の部分であって、平坦な表面を有する枠状の平坦部分２５ａと、平坦部分２５ａに囲繞される部分であって、平坦部分２５ａの表面よりも窪んだ凹部２６を有する凹凸部分２５ｂとから成り、接合側表面部２１ｂを介して、サブマウント２０がパッケージ３０に接合される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スクラブ動作を用いて部品を所定位置にずれなく固定できる半導体装置の製造方法と半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る半導体装置の製造方法は、平板状の第１部品を吸着コレットに吸着させる工程と、平板状の第２部品の上面に接着金属を配置する工程と、該第１部品を吸着した状態で該吸着コレットを移動させ、該接着金属に該第１部品をのせる工程と、該第１部品と該吸着コレットが接した状態で、該第１部品と該第２部品の間の距離が増減する方向にのみ該吸着コレットをスクラブ動作させ、該接着金属を介して該第１部品を該第２部品に固定する固定工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を被接合部材に対して確実にはんだ接合し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】ＩＣ素子２０がはんだ接合されるリードフレーム１１の接合面１２には、内方に塗布されたはんだ３０の外方への流出を防止する環状溝１３が形成されている。そして、接合面１２のうち環状溝１３内の中心１３ａの近傍には、はんだ３０に対する濡れ性を変化させた第１表面状態Ｓ１と第２表面状態Ｓ２とが上記中心１３ａから外方に向けて放射状に区分けされている。 （もっと読む）

【課題】はんだにより半導体チップを板状のダイパッドに接合した構成の半導体装置において、その信頼性の向上及び小型化・薄型化を図ることができるようにする。
【解決手段】はんだ４により半導体チップ２を接合するダイパッド３を備え、ダイパッド３の平坦な上面３ａのうち半導体チップ２の配置領域に、前記上面３ａから窪んではんだ４を収容する凹部１２が形成されたリードフレームを提供する。また、前記凹部１２が、前記ダイパッド３の上面３ａよりも低く位置して当該上面３ａに平行する平坦な底面１２ａと、当該底面１２ａの周縁から前記ダイパッド３の上面３ａに向かうにしたがって前記配置領域から離れるように延びる傾斜面１２ｂとによって構成されているリードフレームを提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の固着に用いられる導電性固着材が半導体素子の外周に染み出すと、導電性固着材と封止樹脂の密着性が悪いため、封止樹脂とアイランドの密着性が劣化する問題がある。一方で、半導体素子の外周への導電性固着材の染み出しが全くないと、導電性固着材の濡れの状態が目視できない。
【解決手段】アイランドとアイランド主面に導電性固着材で固着される半導体素子と、半導体素子と電気的に接続されて一部が外部に導出するリードと、これらを一体的に被覆する封止樹脂とを備えている。アイランドの主面に、半導体素子の側辺に沿って帯状に溝を設ける。溝は半導体素子のコーナー部下方において不連続とする。導電性固着材はリフローで液状となった場合に溝で規制され、半導体素子の側辺からの染み出しを低減できる。溝が不連続な領域では若干量の導電性固着材を染み出させ、導電性固着材の濡れを視認可能とする。 （もっと読む）

【課題】 小型で、発光素子の放熱性及び接合強度に優れた発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 同一面側に正電極及び負電極を有する発光素子と、正電極及び負電極と電気的に接続される第１導電部材及び第２導電部材と、を有する発光装置であって、発光素子と第１導電部材と第２導電部材とが絶縁性の接着部材により一体的に固定される発光装置に関する。 （もっと読む）

【課題】 封止空間内の真空度の低下しにくい電子部品を提供する。
【解決手段】 上面に凹部１ａを有する絶縁基体１の凹部１ａの底面に金属層３ａが形成されるとともに凹部１ａ内から外面にかけて配線導体５が形成された配線基板と、配線導体５に電気的に接続されているとともに、金属層３ａに低融点ろう合金３ｃで接合されて、凹部１ａ内に搭載された電子部品素子と、外周が配線基板の上面に接合されて電子部品素子を気密封止している平板状の蓋体８とを備えた電子部品であって、金属層３ａは、平面視で電子部品素子の外形より大きく、中央側から外周側に向かって非形成部３ｂを有し、非形成部３ｂの一部が封止空間に露出した電子部品である。低融点ろう合金のボイドが少なく、ボイドから放出される気体の量が少ないので、真空度の低下を低減できる。 （もっと読む）

【課題】ダイボンディング材にクラックが生じて半導体チップがアイランドから剥離することを防止することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体チップと、半導体チップがダイボンディング材を介してダイボンディングされたアイランドとを備えた半導体装置であって、アイランドは、半導体チップがダイボンディングされるダイボンディング領域を有し、ダイボンディング領域の外周部には、ダイボンディング領域の外周の少なくとも一部に沿った溝が、ダイボンディング領域の各角の近傍を通るように形成され、ダイボンディング材は、半導体チップの裏面の全域とダイボンディング領域との間に介在していることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】非酸化性ガスを吹き付けてもＡｕＳｎシート状プリフォームが動かないようにし、また、ＡｕＳｎシート状プリフォームの下に残るボイドを減少させる。
【解決手段】サブマウント基板２の表面側に非酸化性ガス１６を吹き付けながら、吸引孔３を形成したサブマウント基板２の表面にＡｕＳｎシート状プリフォーム４を置き、ＡｕＳｎシート状プリフォーム４を吸引孔から真空吸引してサブマウント基板２の表面に吸着し、該ＡｕＳｎシート状プリフォーム４にＬＥＤチップ１を置くステップと、サブマウント基板２及びＬＥＤチップ１からＡｕＳｎシート状プリフォーム４を加熱して溶融させ、サブマウント基板２とＬＥＤチップ１とを接合するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディングを良好に実施できる、信頼性の高い弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】弾性表面波素子２と、接着剤により弾性表面波素子２が上面に接着されるダイパッド６と、ダイパッド６と離間して配置され、弾性表面波素子２と電気的に接続される複数のワイヤボンディングパッド８と、ダイパッド６と複数のワイヤボンディングパッド８の少なくとも１つとを電気的に接続する接続部１２と、を備える樹脂ベース４と、接続部１２の上に設けられた樹脂部１８と、を具備し、接続部１２はダイパッド６の上面より、樹脂ベース４側に屈曲した凹部１４を有し、凹部１４の上は樹脂部１８に覆われている、を具備し、接続部１２はダイパッド６の上面より、樹脂ベース４側に屈曲した凹部１４を有する弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】接着剤の揮発成分の付着によるリードフレームの汚染を防止することができる樹脂封止型半導体装置及び樹脂封止半導体装置を得る。
【解決手段】接着剤が塗布されるリードフレーム１６の支持部２４には、他の領域に比べて表面粗さが粗くされた粗面領域４０が設けられている。このため、粗面領域４０にのみに接着剤の揮発成分が拡散（ブリード効果）し、他の領域へ拡散が抑制される。このように、接着剤の揮発成分が他の領域に拡散するのを抑制することで、リードフレーム１６の汚染を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】
環境負荷が小さく低コストで、２００℃以上の高温で長時間使用しても接続信頼性を維持できる半導体素子の接続材料を提供することが課題である。
【解決手段】
半導体素子と、半導体素子の第一の面と第一の接続部材を介して接続された支持電極体と、
前記支持電極体に支持された前記半導体素子の第二の面と第二の接続部材を介して接続されたリード電極体と、を有する半導体装置であって、前記支持電極体と前記第一の接続部材の界面には、Ｎｉ系めっき層、および、Ｃｕ６Ｓｎ５化合物と（Ｃｕ、Ｎｉ）６Ｓｎ５化合物の少なくとも１つを含む金属間化合物層を有し、前記リード電極体と前記第二の接続部材の界面には、Ｎｉ系めっき層、および、Ｃｕ６Ｓｎ５化合物と（Ｃｕ、Ｎｉ）６Ｓｎ５化合物の少なくとも１つを含む金属間化合物層を有することを特徴とする半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の小型化が可能であり、半導体チップの接合強度が高く、半導体チップと基板との間にボイドが生じることがない半導体装置を提供する。
【解決手段】上面に電極１６が設けられた半導体チップ１１と、半導体チップが接着材層１８を介してダイボンディングされるエリアのうち当該接着材層が実際に接しているダイボンディング領域、及び、電極とワイヤ１７を介して電気的に接続されるワイヤボンディング領域を有する基板２１とを備えた半導体装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、疎水性の皮膜を形成することなく簡易な方法でブリードアウト成分の進行に伴う弊害を防止する半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】圧延により製作され圧延キズを有する金属板と、接着材料を介して該金属板に固着された素子と、該金属板と該素子を接続するワイヤと、該金属板にプレス加工を行うことで形成された溝とを備える。そして、該溝は、該接着材料の該圧延キズに沿ったブリードアウト成分が、該金属板と該ワイヤの接続点に伸びることを遮断するように配置され、該溝の深さは、該金属板の歪みを回避でき、かつ、該ブリードアウト成分が該接続点に伸びることを遮断する深さである。 （もっと読む）

【課題】信頼性及び寿命を向上させることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子１２と基板１１とが接合層１３によって接合された半導体装置１０であって、基板１１には半導体素子１２との接合面に基板側薄膜１５が設けられ、基板側薄膜１５には前記接合面の部分に亀裂１６が形成され、基板側薄膜１５は亀裂１６によって分割されて断続的に配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体ダイパッケージングにおいて、ダイ取付接着剤の流出を調節および制限する手段を提供する。
【解決手段】例示的な一実施例では、構造は、上面を有する基板３０１と、基板３０１の上面上に位置するダイ取付パッド３０２とを含む。ダイ取付パッド３０２は、ダイ取付領域３１１と、ダイ取付領域３１１に電気的に接続された少なくとも１つの基板接地パッド領域３１３ａとを含む。ダイ取付パッド３０２はさらに、ダイ取付領域３１１と少なくとも１つの基板接地パッド領域（３１３ａ）との間に、ダイ接着剤止め３３２ａを含む。ダイ接着剤止め３３２ａは、パッケージング中、少なくとも１つの基板接地パッド領域３１３ａへのダイ取付接着剤３１０の流出３１５を調節および制限するよう作用する。 （もっと読む）

【課題】はみ出した接合材の量が多くてもフレームのボンディング部に接合材が到達するのを防ぐことができる半導体装置を得る。
【解決手段】フレーム１０は、接合部１０ａとボンディング部１０ｂを有する。半導体チップ１２は、フレーム１０の接合部１０ａに接合材２０により接合されている。フレーム１０のボンディング部１０ｂと半導体チップ１２は金線１４により接続されている。そして、ボンディング部１０ｂは接合部１０ａよりも突出している。 （もっと読む）

【課題】基板上の所定位置に位置精度良好にチップが固定された実装基板を提供する。
【解決手段】実装基板１の中央部から放射状に突起部を突出させた平面形状の半田濡れ性パターン２１ａを実装基板上に形成し、半田濡れ性パターンと略同一の平面形状の半田パターン２３ａを、半田濡れ性パターン上に選択的に形成し、この半田パターンを押圧することにより半田パターンを表面平坦化する。次いで、表面平坦化した半田パターン上にチップ状の発光素子１０を載置する。その後、半田パターンをリフローすることにより、チップ状の発光素子を半田材料の表面張力により、自己整合的に中央部上に移動させて固定する。 （もっと読む）