【課題】 鉛を実質的に含有しない接合材を用い、高温条件においても良好な機械的強度を保持可能な接合体及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、金属材料の溶融温度が２６０℃以上であり、鉛及び金を主成分とした金属合金を代替する接合材料として、被接合部に物理蒸着法により形成されるＳｎと、前記Ｓｎより高融点を有する金属材料とからなる接合層を、他方の被接合部に接合することにより、３００℃以上４５０℃以下の温度範囲において、良好な接合状態が確保でき、かつ高い高温強度を維持することを可能とした。 （もっと読む）

【課題】汎用性が高く、良好な高温環境下での信頼性が得られる方法で半導体チップの実装を行い、半導体装置の高温動作を可能とする。
【解決手段】実装基板と半導体チップとの間に、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔｉより選択されるいずれかの金属又はその合金を含む接合支持層と、接合支持層を挟んで積層され、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎより選択されるいずれかの金属又はこれらの金属から選択される２以上の金属からなる合金を含む溶融層と、を有し、少なくとも最外層に溶融層が形成された接合層を介在させ、溶融層の融点以上の温度で保持し、液相拡散により溶融層より融点が高い合金層を形成して、実装基板と半導体チップを接合させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接合材料を微細ピッチで供給し電気的な接続が可能な電子部材を提供することを目的とする。
【解決手段】回路基板に設けられた一つ以上の接続端子に対して、電子部材に設けられた一つ以上の電極が接合層を介して電気的に接合され、前記接合層は焼結銀を主体として構成され、前記接合層と接していない電極表面の全面あるいは一部が酸化銀の粗化層であり、当該酸化銀の粗化層の厚さは４００ｎｍ以上５μｍ以下であり、前記酸化銀の層の最表面は１μｍより小さい曲率半径となっていることを特徴とする電子部品。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の使用時の２５０℃程度の発熱に対しても放熱性が優れ、また半導体素子と電極とを品質良く接合すること。
【解決手段】 半導体素子１０２と電極１０３との間に形成され、それらを接合する接合部２０４を備え、接合部２０４は、Ａｌ層１０５と、その両側に形成された各金属間化合物層１０９−１、１０９−２とを有し、接合部２０４は、箔状のＡｌ１０５の外層に、ＮｉまたはＺｎよりなる中間層１０６−１、１０６−２と、ＣｕまたはＮｉまたはＡｇよりなる第１金属層１０７−１、１０７−２と、Ｓｎよりなる第２金属層１０８−１、１０８−２とをこの順で有する接合材料１０４を利用して形成される、半導体素子の接合構造体。 （もっと読む）

【課題】接合信頼性を向上させた接合材料およびその接合材料を用いた半導体装置とそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子と、フレームあるいは基板との接合材料として、Al系層１０1がX系層１０２（X=Ge、Mg、In、Sn、Ag、Au、Ga）によって挟持され、さらにX系層１０２の外側がZn系層１０３によって挟持されたクラッド材を接合材料として用いる。このようなクラッド材を用いて接合することによって、材料の融点を下げ、半導体素子の割れを防ぐとともに、接合部のボイド率を１０wt.%以下に抑えることが出来る。また、半導体素子とフレームあるいは基板との濡れ性も確保できる。したがって、接合部の高い信頼性を確保することが出来る。 （もっと読む）

【課題】製造コストの上昇を抑えつつ、Ｚｎ−Ａｌ系はんだの表面の酸化を抑止することができると共に良好な濡れ性を示し、フラックスレスで接続を行うことができる高耐熱接合材料、及び、それを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】アルミニウム２を中心に、第一の亜鉛３、アルミニウム２、第二の亜鉛４の三層がクラッドされた金属箔からなり、第一の亜鉛３及び第二の亜鉛４のアルミニウム２との接続界面ではない表面に、耐酸化性を有する金属層５、６が形成されている、高耐熱接合材料。 （もっと読む）

【課題】
パワーモジュールの大容量化に伴う素子接続部の温度上昇に伴い、濡れ性がよく、高耐熱な鉛フリーの接続材料が必要となっていた。
【解決手段】
Sn１１bとAl１２を主成分とする合金箔１３でありAl含有率が40mass%以下の合金箔１３の最表層にSn系層１１aをクラッドまたは加圧成形して、合金表層の酸化膜を除去する。このときに、合金箔のAl含有率を40mass％以下とする。これにより、SnとAlの分離を抑えて、濡れ性が確保でき、耐熱性が高く、軽量な接続材料および接続ができる。 （もっと読む）

【課題】少量の高価な銀を使用して、２４０〜３００℃の温度にてリードフレームとＬＥＤチップとを高い接合強度で簡単に接合することができる接合方法の提供を提供する。
【解決手段】リードフレーム８は、所定の形状に打ち抜き加工された銅合金部材１１の上にニッケルめっき層１２、銅錫合金層１３、錫めっき層１４、Ａｇ_３Ｓｎ合金層１６を順に形成したものであり、最表面がＡｇ_３Ｓｎ合金層１６とされている。このリードフレーム８とＬＥＤチップ１との接合部は、ＬＥＤチップ１の最表面層を形成していた金層９が、リードフレーム７の最表面のＡｇ_３Ｓｎ合金層１６の一部と錫めっき層１４の一部と合金化反応して、金銀錫合金層１５を形成しており、この金銀錫合金層１５によってＬＥＤチップ１とリードフレーム７とが接合されている。 （もっと読む）

【課題】Ｚｎ／Ａｌクラッド材の接合温度を低下させることによって、使用温度域における残留熱応力を低減し、接合部の信頼性を向上させることができる接続材料を提供する。
【解決手段】Ｍｇを含有するＡｌ系合金層２と、Ａｌ系合金層２の両面に隣接するＺｎ層３，４とからなるものである。 （もっと読む）

【課題】第１金属薄膜層を有するＬＥＤチップを基板に接合するのに適したダイボンド方法を提供する。
【解決手段】本方法は、該基板の表面上に第２金属薄膜層を形成することと、該第２金属薄膜層上にダイボンド材層を形成することと、該第１金属薄膜層が該ダイボンド材層に接触した状態で、該ＬＥＤチップを該ダイボンド材層上に配置することと、該ダイボンド材層を液体‐固体反応温度で予備キュア時間、加熱して第１金属間化合物層と第２金属間化合物層とを形成することと、該ダイボンド材層を固体‐固体反応温度でキュア時間、加熱して固体‐固体反応を行わせることとを含む。該液体‐固体反応温度と該固体‐固体反応温度は両方とも１１０℃未満で、該固体‐固体反応後の該第１と該第２金属間化合物層の融点は２００℃より高い。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と、フレームあるいは基板との接続を、鉛を使用しない材料を用い、かつ、高い信頼性を確保する。
【解決手段】半導体素子と、フレームあるいは基板との接続材料として、Al系合金層１０２がZn系合金層１０１によって挟持されたクラッド材による接続材料を用いる。クラッド材にはZn-Al合金１０３が存在するが、Zn-Al合金１０３の割合は全体の４０％以下とする。また、Zn合金層１０１の平均結晶粒径は0.85μm 以上、50μm以下である。このようなクラッド材を用いて接続することによって接続部のボイド率を１０％以下に抑えることが出来る。また、半導体とフレームあるいは基板との濡れ性も確保できる。したがって、接続部の高い信頼性を確保することが出来る。 （もっと読む）

【課題】
従来のＺｎ／Ａｌ／Ｚｎクラッド材を用いた接続を行う場合、接続部の熱抵抗を少なくとも現行の高鉛はんだ並みとするためには、接続部の厚さは現行のはんだの２倍（約１００μｍ）以下とする必要がある。またＡｌ層の応力緩衝能を十分に発現するためには、Ａｌ層の厚さを出来る限り厚くする必要がある。十分な接続性を得るためには、接続時に約２ｇ／ｍｍ２以上の荷重で加圧する必要があり、量産コストが著しく上昇してしまうという課題を有する。
【解決手段】
半導体素子と、フレームと、前記半導体素子と前記フレームとを接続する接続部と、を有し、前記接続部はＺｎ−Ａｌ合金を含み、前記接続部と前記半導体素子との界面および前記接続部と前記フレームとの界面は、Ａｌ酸化物膜の面積が界面全体の面積に対して０％以上５％以下であることを特徴とする半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】接合材料の主成分であるＢｉは、延性が低いことから、パワー半導体素子とリードフレームとの間の接合部の接合材料に用い、ヒートサイクルによる繰り返し応力が加わると、モールド樹脂と接合部との界面で剥離が発生しやすくなる。
【解決手段】接合構造体２００は、半導体素子１０１と、半導体素子１０１に対向して配置される電極１０３と、半導体素子１０１の裏面電極２０１に対向する側の表面のバリア層２０４と、半導体素子１０１と電極１０３とを接続するＢｉを主成分とする接合材料からなる接合部１０５とを有し、半導体素子１０１、バリア層２０４、電極１０３及び接合部１０５の外周をモールド樹脂２０６により封止されている接合構造体２００であって、接合材料が有機物由来の官能基２０７を含有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】約３００℃（約５７２°Ｆ）以上の高温における使用を可能にする、半導体デバイスの高温パッケージングを提供する。
【解決手段】第１の結合は、結合金属の複数の層３２から形成されている。層３２の各々が１種類の金属を含むことによって、合金の所望の組成が構成される。層３２は、第１の結合の所望の組成に対応する厚さに堆積されている。金と錫との合金を形成する一例においては、金の層３４と錫の層３６とは、所望の厚さに堆積されている。錫の層３６の厚さに対する金の層の厚さ３４の比は、最終的に形成された第１の結合に含まれる金と錫との所望の組成に対応する。第１の部品１６または基材１２に各層３２を堆積させた後、各層３２は、所望の合金の共融温度の付近の温度などの所定の拡散温度で加熱される。例えば、拡散温度は、共融温度である約８０℃（約１７６℃）付近に存在する。 （もっと読む）