【課題】 センサーチップをダイヤパターンに接着する際に、ダイヤパターンから流出した接着剤が基板表面に設けた他のパターンへ付着することを防止する。
【解決手段】 回路基板１上にセンサーチップを載置するためのダイヤパターン１１を回路基板１表面にパターン形成し、ダイヤパターン１１の周囲部には漏洩防止パターン１３を突設することで、ダイヤパターン１１との間で堀状の溝部１４として形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体レーザー素子を半田によりジャンクションダウン構造でヒートシンクに固定してなる半導体レーザー装置において、発光領域に生じる応力を十分に低減する。
【解決手段】 基板１ｓ上に複数の半導体層１ｃが形成されるとともに、該層１ｃの基板と反対側の表面に電極１ｄが形成されてなる半導体レーザー素子１と、この半導体レーザー素子１が、前記電極１ｄが形成された表面側から半田７で接合されたヒートシンク２とを備えてなる半導体レーザー装置10において、融解後に固化した半田７によって半導体レーザー素子１がヒートシンク２に接合された状態において、該半田７と半導体レーザー素子１の光導波路Ｑとの距離が２０μｍ以上有るようにする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体発光素子の基板に対して熱膨張率が大きく異なる支持部材を用いた場合であっても、半導体発光素子への残留応力を小さくすることができ、放熱性を向上させた発光装置を提供することにある。
【解決手段】本実施形態に係る発光装置は、対向する第１面１０ａおよび第２面１０ｂを有し、第１面１０ａおよび第２面１０ｂの対向方向に直交する方向に光を出射する半導体発光素子１０と、半導体発光素子１０の第１面１０ａに第１溶着層４１を介して接合された支持部材３０と、支持部材３０に第２溶着層４２を介して接合された放熱部材２０とを有し、支持部材３０の熱膨張率は、半導体発光素子１０の基板の熱膨張率に対して５０％以上異なり、支持部材３０の厚さは、５０μｍ以上２００μｍ以下であり、第１溶着層４１の融点が、１２０℃以上２３０℃以下である。 （もっと読む）

【課題】
高硬度で、耐熱性、透明性及び低波長領域での光透過性が優れた硬化物を与えることができるダイボンディング用シリコーン樹脂組成物を提供する。
【解決手段】
（Ａ）ケイ素原子結合アルケニル基を有し、粘度が1000mPa・s以下の直鎖状オルガノポリシロキサン、
（Ｂ）平均組成式：
【化１】


（Ｒ¹はアルケニル基を表し、Ｒ²はアルケニル基を含まない１価炭化水素基を表し、全Ｒ²の少なくとも80モル％はメチル基であり、ｌ≧０、ｍ≧０、ｎ≧０、ｐ≧０、ｑ≧０、ｒ≧０及びｓ≧０、並びにｍ＋ｎ＋ｑ＞０、ｑ＋ｒ＋ｓ＞０であり、かつｌ＋ｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＝１を満たす数である）
で表され、23℃で蝋状又は固体の三次元網状オルガノポリシロキサン樹脂、
（Ｃ）ＳｉＨ基を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、並びに
（Ｄ）白金族金属系触媒
を含有するダイボンディング用シリコーン樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】
ボンディングパッドとボンディングワイヤとの接続信頼性が向上した固体撮像装置を提供する。
【解決手段】
本発明の固体撮像装置１は、長尺状の金属基板１６と、金属基板１６表面に接着層１８を介して固着された長尺状の固体撮像素子４と、固体撮像素子４の表面に形成され、ボンディングワイヤ１４を介してリードフレームと電気的に接続するためのボンディングパッド６と、を備える。接着層１８は、第１接着層１８ａと、第１接着層１８ａよりも弾性率の高い第２接着層１８ｂとを含み、固体撮像素子４の長手方向両端部に設けられたボンディングパッド６の直下領域において、金属基板１６と固体撮像素子４とが、第２接着層１８ｂを介して固着されている。 （もっと読む）

【課題】基板間の距離を測定しながら基板間の平行を微調整することで、第１基板と第２基板とを平行に保持して、第１基板上の素子を第２基板に形成された接着層に接着させることを可能とする。
【解決手段】第１基板５１が載置される第１基板支持部１１と、第１基板５１に対向するように配置される第２基板５２を支持する第２基板支持部１２と、第１基板５１と第２基板５２とが平行になるように第１基板支持部１１の位置調整を行うあおり部２１と、あおり部２１を支持して移動させる可動ステージ３１と、第１基板５１と第２基板５２との間隔を測定する測定部４１とを備えた素子転写装置１である。 （もっと読む）

【課題】 一つのボンディング装置内において、雰囲気の適切な清浄度を確保可能なボンディング装置を提供する。
【解決手段】 回路部材供給部１２０、部品供給部１３０、ボンディング部１４０、及び搬出部１５０の構成部分におけるそれぞれの塵埃量を測定し、測定結果に応じて上記構成部分毎に清浄動作を行うことから、各構成部分の雰囲気を常に清浄な状態に維持することができる。よって、電子部品のボンディングの際に接合部分に塵埃が混入するのを低減させることができ、製品となる素子の不良率を低減させることができる。 （もっと読む）

本発明は、ハンドルを用いてホスト基板上にマイクロメートル級かミリメートル級のサイズの少なくとも１つの対象物を運搬するための方法に関する。この方法は以下の段階、
・ハンドルと載置される対象物から構成され、変形しやすい構造を得ることができるように前記対象物へポリマーハンドルを固定する段階と、
・ホスト基板の面上へのその付着を目的としてハンドルの反対側の対象物面を準備する段階と、
・少なくともハンドルの変形後にホスト基板の前記面上での、対象物の前記面の接触および付着に至らせる段階と、
・ポリマーハンドルを除去する段階と、
を有する。
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【課題】薄膜状素子を回路構成に応じて効率よく、かつ精度よく、基板に転写して高性能の薄膜回路デバイスを実現する方法を提供する。
【解決手段】透光性基板１面に光照射によって粘着力が低下する粘着層２と遮光性の薄膜状素子３とが設けられたキャリア基板２０に対して、薄膜状素子３側から光を照射して薄膜状素子３で遮光された領域を除く粘着層２の粘着力を低下させた感光済粘着性層２ｄとする第１の光照射工程と、薄膜状素子３が転写される被転写基板５とキャリア基板２０とを密着させて薄膜状素子３と被転写基板５とを接着剤層６により接着する接着工程と、透光性基板１側から光を照射して薄膜状素子３と透光性基板１との間の粘着層２の粘着力を低下させた感光済粘着性層２ｄとする第２の光照射工程と、粘着層２、薄膜状素子３および硬化済接着剤層６ａを透光性基板１とともに被転写基板５から分離する工程とを有する方法からなる。 （もっと読む）

【課題】 配置状態を柔軟に変更して半導体集積回路を基板に固定する。
【解決手段】 アーム５０により、側面に光素子８８を備えたＩＣチップ４２を保持し、光素子８８が他のＩＣチップの光素子と光通信することの可能な高さに、ＩＣチップ４２を位置させ、この状態でＩＣチップ４２をプリント基板３０上に、接着剤により固定する。ＩＣチップを異なる高さに固定したい場合でも柔軟に対処することができる。 （もっと読む）

【課題】AlN基板を850℃以上の高い温度に曝すこと無くビアを形成する方法及び該方法で使用する金属ペーストを提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム基板１に、サンドブラストによって、ビア用の孔４を形成する工程、該孔内に金属ペースト３をスクリーン印刷する工程、次いで、充填された金属ペーストをピーク温度350〜750℃で焼成する工程、を含むことを特徴とするビアの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 チップ相互の間隔を正確に保ち、実装位置精度に優れたダイボンディング装置およびダイボンディング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ボンドが塗布された基板に矩形のチップを移載ヘッドによって押圧しながらボンディングするダイボンディングにおいて、移載ヘッドを押圧手段によって第１押圧荷重で基板に対して押圧することにより前記接着材を押し広げた後に第１押圧荷重よりも低い第２押圧荷重に切り換え、押圧された状態のチップと既搭載の相隣るチップとの接近部をカメラで観察する。そしてこの観察結果に基づいて第２押圧荷重で押圧された状態のチップを基板に対して相対移動させて位置補正を行う。これにより、過大な押圧荷重によってチップと基板との相対滑りが阻害されることがなく、正確な位置補正を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 固体撮像素子の解像度が面内におけるバラツキを低減する。
【解決手段】 パッケージ１の収容部１ｄ底面上に所定の厚みを有する接着剤１５を散点状に塗布する工程と、パッケージ１と固体撮像素子３との各上面を基準面に平行度を合わせて固体撮像素子３を収容部１ｄに向けて移動させる工程と、固体撮像素子３の下面を接着剤１５に当接させ収容部１ｄの底面には当接しない状態で固体撮像素子３の移動を停止する工程と、固体撮像素子３が接着剤１５上に浮いた状態で接着剤１５を硬化させて固体撮像素子３を収容部１ｄ中に固定する工程とを含む。 （もっと読む）