本発明は、少なくとも１つの導電性層と電気デバイスを導電性結合する方法に関するものであり、導電性層は光の可視波長領域で実質的に透明の基板に塗布され、次の各ステップを含んでおり、すなわち、電気デバイスまたは導電性層にデバイスが導電性層と結合されるべき領域ではんだ材料が施され、はんだ材料にエネルギー源から放出されるエネルギーが供給され、それにより、はんだ材料が溶融し、取外し可能でない物質接合式の導電性結合が電気デバイスと導電性層との間に構成される。 （もっと読む）

【課題】均等なフィレットを簡単かつ確実に形成して、接合信頼性を高めることができる素子のはんだ付け方法を提供する。
【解決手段】基板２の上にはんだペースト１１を介して素子３を搭載し、これをリフロー処理することにより、はんだペースト１１を溶融させて凝固・固化し素子３を基板２に固着する第１工程と、この第１工程により素子３を固着した基板２を裏返し状態とし、素子３を基板２の下方に配置した状態で再度リフロー処理し、その裏返し状態ではんだを凝固・固化する第２工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】光出力を精度良く制御することが可能なマウント部材を提供する。
【解決手段】このヒートシンク（マウント部材）Ａ１は、半導体レーザチップ２０が設置される搭載部１１が設けられたシリコン基板１０と、シリコン基板１０に一体的に形成され、搭載部１１に設置された半導体レーザチップ２０からの光を検出するモニタ用の受光素子１２とを備えている。このモニタ用の受光素子１２は、半導体レーザチップ２０からの光を受光する受光面１２ａを含んでいる。また、シリコン基板１０の上面には、段差部１３が形成されている。そして、上記搭載部１１が段差部１３の底面１３ａに設けられるとともに、受光素子１２の受光面１２ａが段差部１３の上面１３ｂに形成されることによって、受光素子１２の受光面１２ａが、搭載部１１よりも高い位置に配されている。 （もっと読む）

【課題】 電気素子や光学素子などの複数の素子を作製した素子形成基板から、素子を素子配置基板へ異なるピッチで間引き転写する方法であって、転写を繰り返しても歩留まりが悪化しない転写方法、それを実施するための素子配置基板、並びにその転写方法を適用して作製されるデバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ピッチｐ1で作製された複数個の素子を、個片化されてはいるものの、ピッチｐ1を保ったひとまとまりの状態で、一時保持用基板２１上に保持する。他方、座面が周囲の基板主部表面よりわずかに高い台座３２が、ピッチｐ1の整数倍の大きさのピッチＰ1で複数個形成された素子配置基板３１を形成する。台座３２上に接着剤層３３を配置した後、一時保持用基板２１と素子配置基板３１とを接近させ、一部の素子５ａを接着剤層３３に接触させる。接着剤層３３を硬化させた後、素子５ａを台座３２上に残して、基板２１と３１とを離間させる。 （もっと読む）

【課題】基板上の所定位置に位置精度良好にチップが固定された実装基板を提供する。
【解決手段】実装基板１の中央部から放射状に突起部を突出させた平面形状の半田濡れ性パターン２１ａを実装基板上に形成し、半田濡れ性パターンと略同一の平面形状の半田パターン２３ａを、半田濡れ性パターン上に選択的に形成し、この半田パターンを押圧することにより半田パターンを表面平坦化する。次いで、表面平坦化した半田パターン上にチップ状の発光素子１０を載置する。その後、半田パターンをリフローすることにより、チップ状の発光素子を半田材料の表面張力により、自己整合的に中央部上に移動させて固定する。 （もっと読む）

【課題】受光素子との間の接着部の領域を限定しても、その接着力を高める。
【解決手段】固体撮像装置１のパッケージは、固体撮像素子４が搭載される搭載面１０を有する。搭載面１０の少なくとも一部の領域内において、凹部１０ａが搭載面１０内の所定直線に沿って断続するように形成される。接着剤２０は、搭載面１０の一部の領域のみに配置され、接着剤２０の一部が凹部１０ａの少なくとも一部に入り込んで固体撮像素子４を搭載面１０に接着する。 （もっと読む）

【課題】発光素子がダイアタッチ層により支持基板に接着・固定され、発光素子上にボンディングワイヤ接合を有する発光装置において、発光素子へのボンディングワイヤの強固な接合を可能とし、かつ長期使用におけるダイアタッチ材の劣化等に起因する発光装置の発光輝度低下が少ないダイアタッチ層を有する発光装置を提供する。
【解決手段】本発明の発光装置は、支持基板と、電極端子と、発光チップと、前記発光チップを支持基板上に接着・固定するダイアタッチ層と、前記電極端子と前記発光チップを接続するボンディングワイヤと、前記発光チップを封止するように形成された封止層を備えた発光装置であり、前記ダイアタッチ層が球状シリコーン微粒子を含有・分散したポリオルガノシロキサンから構成されている。 （もっと読む）

【課題】はんだペーストを用いて基板に対して被搭載物を同じ位置および方向となるように接合する方法、特にＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを用いて基板に対して素子を同じ位置および方向となるように接合する方法を提供する。
【解決手段】メタライズ層を有する基板のメタライズ層とメタライズ層を有する被搭載物のメタライズ層との間にはんだペースト３を搭載または塗布したのち非酸化性雰囲気中でリフロー処理して基板と被搭載物を接合するはんだペーストを用いた基板と被搭載物の接合方法において、前記基板のメタライズ層を図１（ａ）のように面積が被搭載物４のメタライズ層の面積よりも小さいメタライズ層本体部分６と前記メタライズ層本体部分６の周囲から突出したはんだ誘引部７とからなる平面形状を有するようにすると、被搭載物が図１（ｂ）の如くはんだ誘引部７の方向に揃ってはんだ付けされる。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れるため、長期にわたって安定的に高輝度の発光を行うことができる発光ダイオード装置、かかる発光ダイオード装置を備える信頼性に優れた電子機器を提供すること。
【解決手段】発光ダイオード装置１は、第１のリードフレーム２１および第２のリードフレーム２２と、第１のリードフレーム２１に接合された基板３と、基板３の第１のリードフレーム２１と反対側の面に設けられた発光部４と、基板３と第１のリードフレーム２１とを接合する接合膜８とを有する。この発光ダイオード装置１が備える接合膜８は、金属原子と、金属原子と結合する酸素原子と、これらに結合する脱離基とを含み、接合膜８の少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、表面付近に存在する脱離基が脱離し、これにより接合膜８の表面に発現した接着性によって、第１のリードフレーム２１と基板３とを接合している。 （もっと読む）

【課題】硬化時のボイドを含まず、良好な熱時接着性を備え、高温環境における経時的変化が小さく、耐熱性および耐久性に優れた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】リードフレーム上に導電性接着剤を介して半導体素子をダイボンディングし、前記接着剤を加熱硬化して固定する半導体装置の製造方法において、前記接着剤が反応性希釈剤を含み、前記反応性希釈剤の沸点が２５０℃以上であり、前記接着剤の加熱硬化を１００℃以上２５０℃未満と２５０℃以上３５０℃未満の少なくとも二回に分けて行うことを特徴とする半導体装置の製造方法および同製造方法により作製された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】保存安定性が良好であり、硬化後に耐光性、耐熱性、熱衝撃性、反射率に優れたＬＥＤ用導電性ダイボンディング剤を提供することであり、光安定性、耐熱性と熱衝撃性に優れたＬＥＤを提供する。
【解決手段】（Ａ）一般式（１）：


（式中、各Ｒ¹は、独立して、末端にエポキシシクロヘキシル基を有する炭素数１〜５のアルキル基であり、各Ｒ²は、独立して、炭素数１〜３のアルキル基であり、ｎは３〜５の整数である。）で示されるエポキシ樹脂、（Ｂ）トリアクリル酸アルミニウム又はトリメタクリル酸アルミニウム、（Ｃ）一般式（２）：


（式中、Ｘは、直接結合、−ＣＨ₂Ｏ−ＣＯ−等である。）で示される脂環式エポキシ樹脂、及び（Ｄ）導電性フィラーを含有する、ＬＥＤ用導電性ダイボンディング剤である。 （もっと読む）

【課題】透明性、耐熱性、耐光性、及び、ハウジング材への密着性に優れ、高輝度が要求される用途に用いた場合にも光半導体の輝度低下を効果的に防止することができる光半導体用熱硬化性組成物を提供する。
【解決手段】分子内に環状エーテル含有基を有するシリコーン樹脂と、前記環状エーテル含有基と反応する熱硬化剤と、下記一般式で表されるフェノール化合物とを含有する光半導体用熱硬化性組成物。


Ｒ^ａは炭素数１〜８の直鎖状又は分岐状のアルキル基、Ｒ^ｂは任意の置換基、Ｒ^ｃは水素又は炭素数１〜８の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表わす。 （もっと読む）

【課題】フラックスを用いる必要がなく且つチップの耐熱温度以下の加熱によりチップと被搭載部材との接合強度を高めることが可能なチップの実装方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１の実装面側にＡｕ層からなる下地層１１、ＡｕＳｎ層からなるはんだ層１２ａを順次形成してベース基板２０のダイパッド部２５ａａに形成された導体パターン２０１と対向させてから、ＬＥＤチップ１側から加熱してはんだ層１２ｂを形成し、続いて、ＬＥＤチップ１の加熱状態を維持したままＬＥＤチップ１のはんだ層１２ｂとベース基板２０の導体パターン２０１とを接触させて適宜荷重を印加することでＬＥＤチップ１とベース基板２０とがはんだ層１２ｃを介して接合される。はんだ層１２ａを形成するはんだ層形成工程では、はんだ層１２ａとして、共晶温度の組成比とは異なり且つＬＥＤチップ１の耐熱温度以下で溶融する組成比のＡｕＳｎ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 リフロー時の熱等の高温環境により、第１の電極パターンから樹脂を基材とした接着剤が剥離するのを防止することの可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体発光装置では、封止樹脂７で覆われている第１の電極パターン２に、カップリング剤からなる接着処理層９が形成されている部分２ａと、カップリング剤からなる接着処理層９が形成されていない部分２ｂとが設けられており、カップリング剤からなる接着処理層９が形成されている部分２ａには導電性接着剤４を介して半導体発光素子５が載置されている。 （もっと読む）

【課題】チップと被搭載部材との間に介在する接合部の信頼性を高めることが可能なチップの実装方法を提供する。
【解決手段】チップたるＬＥＤチップ１の実装面側（裏面側）に共晶組成付近の第１のＡｕＳｎ層１２ａを形成するとともに被搭載部材たるベース基板２０の実装面側にＡｕ層１３を形成してから、ＬＥＤチップ１の実装面側の第１のＡｕＳｎ層１２ａとステージ１１０の上面側に配置されたベース基板２０のＡｕ層１３とを対向させ、第１のＡｕＳｎ層１２ａとＡｕ層１３とを接触させてから、ＬＥＤチップ１側からの加圧および加熱により第１のＡｕＳｎ層１２ａとＡｕ層１３とを溶融させて等温凝固させ、減圧および冷却を行うことで第１のＡｕＳｎ層１２ａよりもＡｕの組成比が高く且つ高融点の第２のＡｕＳｎ層からなる接合部１５を形成する接合工程を行う。 （もっと読む）

【課題】 隠蔽性が高く、LEDチップから出る光を効果的に反射し、かつチップの収まり性が良好で、接着力も高く、耐久性に優れるダイボンド材として使用される、半導体素子用シリコーン接着剤を提供する。
【解決手段】 ａ）２５℃で粘度が１００Ｐａ．ｓ以下であり、１５０℃で３時間の加熱により得られる硬化物のＪＩＳＫ６２５３に規定のタイプＤ硬度が３０度以上である付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、
ｂ）平均粒子径が１μｍ未満の白色顔料粉、及び
ｃ）白色または無色透明の平均粒子径が１μｍ以上、１０μｍ未満の粉
を含み、ｂ）成分及びｃ）成分の合計がａ）成分１００質量部に対して１２〜６００質量部である半導体素子用シリコーン接着剤。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、接着性および耐侯性に優れた金属含有ペーストおよびそれを用いた半導体装置を提供することにある。
【解決手段】 本発明の金属含有ペーストは、有機樹脂と、アルミニウムを主成分とする第１の金属粉末と、前記アルミニウムと異なる金属を主成分とする第２の金属粉末とを体積比５：９５〜４０：６０で含む組成物で構成される金属含有ペーストであって、２８０ｎｍにおける紫外線反射率[Ａ]は、５０％以上であることを特徴とするものである。また、本発明の半導体装置は、上記に記載の金属含有ペーストを介して、半導体部材と、基板とが接合されていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、保存安定性に優れ、硬化後に耐熱性、耐光性、透光性に優れるエポキシ樹脂組成物を提供することである。特に、耐熱性、耐光性に優れるＬＥＤ等の半導体発光装置を提供することができる、保存安定性が良好なエポキシ樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】（Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ樹脂、及び（Ｂ）トリ（メタ）アクリル酸アルミニウムを含有するエポキシ樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】チップの特性を劣化させることなく低コストで基板へ実装することが可能な実装方法および吸着コレットを提供する。
【解決手段】吸着コレット１００として、セラミック（例えば、窒化アルミニウムなど）により形成されるとともにＬＥＤチップ（チップ）１の吸着部位１０１を含む第１の平面Ｐ１とＬＥＤチップ１における接合面を含む第２の平面Ｐ２との間で第１の平面Ｐ１および第２の平面Ｐ２に平行な仮想平面ＶＰ（ここでは、第１の平面Ｐ１と同一平面）上に表面が位置する熱放射領域１０２を吸着部位１０１の周囲に設けたものを用い、ＬＥＤチップ１を介するウェハ（基板）２００の加熱に加えて熱放射領域１０２からの熱放射によりウェハ２００を加熱するようにしている。 （もっと読む）

【課題】集積回路素子裏面の電位を基準電位に保ちながら、フレキシブルプリント配線板の面積の増大を抑制できる集積回路を提供すること。
【解決手段】集積回路１は、配線パターン４を有するフレキシブルプリント配線板２と、配線パターン４上の一部に覆設された絶縁性保護膜７と、少なくとも絶縁性保護膜７上の一部に覆設され、かつ基準電位に接続される導電性接着膜８と、導電性接着膜８上に接して配置された集積回路素子１とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）