説明

金属含有ペーストおよび半導体装置

【課題】 本発明の目的は、接着性および耐侯性に優れた金属含有ペーストおよびそれを用いた半導体装置を提供することにある。
【解決手段】 本発明の金属含有ペーストは、有機樹脂と、アルミニウムを主成分とする第1の金属粉末と、前記アルミニウムと異なる金属を主成分とする第2の金属粉末とを体積比5:95〜40:60で含む組成物で構成される金属含有ペーストであって、280nmにおける紫外線反射率[A]は、50%以上であることを特徴とするものである。また、本発明の半導体装置は、上記に記載の金属含有ペーストを介して、半導体部材と、基板とが接合されていることを特徴とするものである。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、金属含有ペーストおよび半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来から半導体装置を製造するために、半導体素子、発光ダイオード等を金属リードフレームや基板に接着する導電性接着剤が多く用いられている(例えば、特許文献1参照)。このような導電性接着剤は、一般に導電性粉末と熱硬化性樹脂とを混合してペースト状にしたものであり、樹脂ペーストと呼ばれている。この樹脂ペーストには、接着性に加え、耐熱性、耐湿性等が要求されている。
【0003】
上述の半導体素子等を樹脂ペーストで接着するには、金属リードフレームや基板上に樹脂ペーストを供給し、この樹脂ペーストの上に半導体素子等を押し付けて乗せ、その後加熱炉等で加熱硬化することによって行われている。半導体素子等が付けられたリードフレームや基板は更にワイヤーボンデイングを施し、樹脂モールドされて半導体装置が完成する。
【0004】
近年の電子機器の軽量化、薄型化、小型化等に伴い、これら半導体装置は屋外に設置されて使用されることが多くなり、これに伴い半導体装置に使用される樹脂ペーストにも上記の要求特性に加え、耐候性が強く求められるようになっている。
しかし、十分な耐侯性と接着性とを両立する樹脂ペーストは得られていなかった。
【0005】
さらに発光波長380〜500nm付近の光半導体素子(青白色LED)が開発されたことにより、そのアッセンブリ工程および光半導体素子の周辺で使用される有機材料には、従来以上に耐紫外線性が強く要求されるようになった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開2002−12738号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明の目的は、接着性および耐侯性に優れた金属含有ペーストおよびそれを用いた半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
このような目的は、下記(1)〜(12)に記載の本発明により達成される。
(1)有機樹脂と、アルミニウムを主成分とする第1の金属粉末と、前記アルミニウムと異なる金属を主成分とする第2の金属粉末とを体積比5:95〜40:60で含む組成物で構成される金属含有ペーストであって、280nmにおける紫外線反射率[A]は、50%以上であることを特徴とする金属含有ペースト。
(2)前記第1の金属粉末の含有量は、前記組成物全体の1〜30体積%である上記(1)に記載の金属含有ペースト。
(3)前記第2の金属粉末を構成する金属は、主として銀を含むものである上記(1)または(2)に記載の金属含有ペースト。
(4)前記第1の金属粉末および前記第2の金属粉末の含有量は、前記組成物全体の20〜70体積%である上記(1)ないし(3)のいずれかに記載の金属含有ペースト。
(5)前記第1の金属粉末の平均粒子径は、前記第2の金属粉末の平均粒子径よりも大きいものである上記(1)ないし(4)のいずれかに記載の金属含有ペースト。
(6)前記第1の金属粉末は、主として板状の金属粉末を含むものである上記(1)ないし(5)のいずれかに記載の金属含有ペースト。
(7)前記有機樹脂は、エポキシ樹脂を含むものである上記(1)ないし(6)のいずれかに記載の金属含有ペースト。
(8)前記エポキシ樹脂は、芳香族環を有しないものである上記(7)に記載の金属含有ペースト。
(9)前記有機樹脂は、ラジカル重合性材料を含むものである上記(1)ないし(8)のいずれかに記載の金属含有ペースト。
(10)半導体部材を接合するために用いるものである上記(1)ないし(9)のいずれかに記載の金属含有ペースト。
(11)上記(1)ないし(10)のいずれかに記載の金属含有ペーストを介して、半導体部材と、支持部材とが接合されていることを特徴とする半導体装置。
(12)前記半導体部材は、LEDチップである上記(11)に記載の半導体装置。
【発明の効果】
【0009】
本発明によれば、接着性および耐侯性に優れた金属含有ペーストおよびそれを用いた半導体装置を得ることができる。また、第1の金属粉末を特定の含有量とする場合、導電性および耐侯性の両方に優れる。また、有機樹脂として芳香族環を有しないエポキシ樹脂を用いた場合、とくに250時間紫外線照射後の反射率を向上することができ、それによって金属含有ペーストの紫外線による劣化が少ないことが示される。また、LEDチップに本発明の金属含有ペーストを用いた場合、特に耐侯性の低下を効果的に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本発明の半導体装置の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、本発明の金属含有ペーストおよび半導体装置について説明する。
本発明の金属含有ペーストは、有機樹脂と、アルミニウムを主成分とする第1の金属粉末と、前記アルミニウムと異なる金属を主成分とする第2の金属粉末とを体積比5:95〜40:60で含む組成物で構成される金属含有ペーストであって、280nmにおける紫外線反射率[A]は、50%以上であることを特徴とするものである。また、本発明の半導体装置は、上記に記載の金属含有ペーストを介して、半導体部材と、基板とが接合されていることを特徴とするものである。
【0012】
まず、金属含有ペーストについて説明する。
前記有機樹脂は、金属含有ペーストのバインダーとしての作用および接着性を付与する作用を有するものである。また、前記第1の金属粉末は、紫外線領域の波長の反射率に優れ、金属含有ペーストの光反射性を向上する作用を有するものである。また、前記第2の金属粉末は、金属含有ペーストの導電性を向上する作用を有するものである。さらに、前記第1の金属粉末と、第2の金属粉末とを体積比で5:95〜40:60で用いることにより、金属含有ペーストの接着性と耐候性(特に紫外線領域における耐候性)との両方に優れるものである。さらには、金属含有ペーストの熱放散性をも向上するものである。
【0013】
以下、各成分について具体的に説明する。
1.有機樹脂
前記有機樹脂としては、接着性を有する有機樹脂であれば特に限定されず、例えば硬化性樹脂、ラジカル重合性樹脂が挙げられる。前記硬化性樹脂の具体例としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂等の臭素化型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアネートなどの複素環式エポキシ樹脂のほか、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等の芳香族環を有するエポキシ樹脂、ブタンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル等の脂肪族エポキシ樹脂、ビニルシクロヘキセンジオキサイド、ジシクロペンタジエンジオキサイド、アリサイクリックジエポキシーアジペイト等の脂環式エポキシ樹脂、ビスフェノールA、ビスフェノールF、フェノールノボラック、クレゾールノボラック等を水素添加した後にエピクロルヒドリンと反応、またはポリグリシジルエーテルを直接水素添加した水添型ポリグリシジルエーテル等の芳香族環を有しないエポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、アセタール樹脂等が挙げられる。これらの中でもエポキシ樹脂が好ましく、特にその構造中に芳香族環を有しないエポキシ樹脂が好ましい。これにより、金属含有ペーストの耐侯性を特に向上することができる。これらの硬化性樹脂は、1種類あるいは複数種を併用することができる。
【0014】
前記硬化性樹脂を有機樹脂として用いる場合、硬化剤を用いることが好ましい。前記硬化剤としては、例えばイミダゾール化合物、ジカルボン酸ジヒドラジド化合物、脂肪族アミン、アミンアダクト等の変性アミン、酸無水物、ポリアミド、ジシアンジアミド、メラミン誘導体、ケチミン化合物、ポリメルカプタン等が挙げられ、これらは1種類あるいは複数種を併用することができる。
【0015】
また、前記ラジカル重合性樹脂の具体例としては、脂環式(メタ)アクリル酸エステル、脂肪族(メタ)アクリル酸エステル、1分子内に少なくとも1つのメタクリル基或いはアクリル基を有する化合物のモノマー、アクリル酸エステル重合体やウレタンアクリレート、(メタ)アクリル変性ポリブタジエン等のオリゴマー、不飽和ポリエステルジアリルフタレート樹脂、ビニルエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂が挙げられる。これらの中でも紫外光の吸収の無い飽和脂肪鎖を有する構造を有するラジカル重合性樹脂が好ましい。これにより、吸収損失および紫外線劣化を防止することができる。これらのラジカル重合性樹脂は、1種類あるいは複数種を併用することができる。
【0016】
前記ラジカル重合性樹脂を有機樹脂として用いる場合、ラジカル重合開始触媒を併用することが好ましい。
前記ラジカル重合開始触媒としては、例えばt−ブチルパーオキシネオデカノエート、ジクミルパーオキサイド、1.1−ビス(t−ブチルパーオキシ)−2−メチルシクロヘキサン、t−ブチルパーオキシネオデカノエート等が挙げられる。これらを単体で用いても、複数種を併用しても構わない。これらの中でも1.1−ビス(t−ブチルパーオキシ)−2−メチルシクロヘキサンまたはt−ブチルパ−オキシネオデカノエートが好ましい。これにより、硬化性とポットライフの両立とペーストの光反射率を向上することができる。その理由は、芳香族環を構造に有しないためUV光の吸収損失を防ぐことができるからである。
【0017】
前記ラジカル重合開始触媒の分解開始温度は、特に限定されないが、40〜140℃が好ましく、特に50〜130℃が好ましい。分解開始温度が前記下限値未満であると金属含有ペーストの常温における保存性が低下する場合があり、前記上限値を超えると硬化時間が極端に長くなる場合がある。
前記分解開始温度は、例えば急速加熱試験(試料1gを電熱板上で4℃/分の昇温速度で加熱した時の分解開始温度)で評価することができる。
【0018】
前記有機樹脂は、特に限定されないが、常温で液状のものが好ましい。これにより、配合する際の作業性を向上することができる。また、金属含有ペーストの粘度を好適にできる。
なお、液状とは常温で流動性を示すものをいう。具体的には、ペーストの粘度10〜50[Pa・s]が好ましく、特に15〜40[Pa・s]が好ましい。前記粘度は、例えば常温でE型粘度計を用いて測定することができる。
【0019】
前記有機樹脂のイオン性不純物の含有量は、特に限定されないが、800ppm以下が好ましく、特に600ppm以下が好ましい。イオン性不純物の含有量が前記範囲を超えると半導体の導通不良を生ずる場合がある。
【0020】
前記有機樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記半固形状の組成物全体の30〜80体積%が好ましく、特に50〜75体積%が好ましい。含有量が前記下限値未満であると光の反射性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると粘度が高くなり、作業性が低下する場合がある。
【0021】
2.アルミニウムを主成分とする第1の金属粉末
前記第1の金属粉末としては、例えば金属アルミニウム単体、Al−Mg系、Al−Mg−Si系、Al−Cu系等のアルミニウム合金等が挙げられる。これらの中でも金属アルミニウム単体が好ましい。これにより、紫外線反射性を特に向上することができる。
【0022】
前記第1の金属粉末の形状としては、例えば球状体、フレーク状、鱗片状、薄板状等の板状体、針状体、繊維状体、樹脂枝状体等が挙げられる。これらの中でも板状の第1の金属粉末が好ましい。これにより、光の反射性を向上することができる。
【0023】
前記第1の金属粉末の平均粒子径は、特に限定されないが、前記第2の金属粉末の平均粒子径よりも大きいことが好ましい。これにより、特に紫外光の反射性を向上することができる。
前記第1の金属粉末の平均粒子径は、具体的には3〜30μmが好ましく、特に5〜20μmが好ましい。平均粒子径が前記下限値未満であると耐候性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると金属含有ペーストを充填する際の作業性が低下する場合がある。
【0024】
前記第1の金属粉末のイオン性不純物含有量は、特に限定されないが、10ppm以下であることが好ましく、特に8ppm以下であることが好ましい。イオン性不純物の含有量が前記範囲を超えると半導体の導通不良を生ずる場合がある。前記イオン性不純物としては、例えばハロゲンイオン、アルカリ金属イオン等が挙げられる。
【0025】
前記第1の金属粉末の含有量は、特に限定されないが、前記半固形状の組成物全体の1〜30体積%が好ましく、特に2〜12体積%が好ましい。含有量が前記下限値未満であると耐候性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると導電性が低下する場合がある。
【0026】
前記第1の金属粉末は、特に限定されないが、その表面が表面処理されていることが好ましい。これにより、長期信頼性を向上することができる。すなわち、前記第1の金属粉末の表面が酸化されることにより、耐紫外線反射性が低下するのを防止することができる。
具体的には、前記第1の金属粉末を表面処理する材料としては、ステアリン酸、オレイン酸、ラウリン酸、オクチル酸等の飽和脂肪酸または不飽和脂肪酸等の脂肪酸が挙げられる。
前記脂肪酸の炭素数は、特に限定されないが、8〜25が好ましく、特に10〜20が好ましい。炭素数が前記範囲内であると、第1の金属粉末同士の凝集を防止できると共に、金属含有ペーストの長期信頼性を特に向上することができる。
【0027】
3.前記アルミニウムと異なる金属を主成分とする第2の金属粉末
前記第2の金属粉末を構成する金属としては、金、銀、銅、ニッケル、鉄、ステンレス等の導電性の粉末が挙げられる。これらの中でも銀が好ましい。これにより、導電性と紫外光の反射性とを両立することができる。
【0028】
前記第2の金属粉末の形状としては、例えば球状体、フレーク状、鱗片状、薄板状等の板状体、針状体、繊維状体、樹脂枝状体等が挙げられる。これらの中でも板状の第2の金属粉末が好ましい。これにより、導電性を向上することができる。
【0029】
前記第1の金属粉末の形状と、前記第2の金属粉末の形状とは、異なるものでも良いが、同じ形状であることが好ましい。これにより、作業性を向上することができる。
【0030】
前記第2の金属粉末の平均粒子径は、特に限定されないが、0.05〜50μmが好ましく、特に0.1〜30μmが好ましい。平均粒子径が前記下限値未満であると金属含有ペーストの粘度が高くなり半導体素子へ供給するのが困難となる場合があり、前記上限値を超えると金属含有ペーストを塗布する際にブリードが発生する場合がある。
また、前記第2の金属粉末の最大粒子径は、50μm以下が好ましく、特に20μm以下が好ましい。最大粒子径が前記範囲内であると、ディスペンサーで金属含有ペーストを塗布する際の作業性に特に優れる。
【0031】
前記第2の金属粉末のイオン性不純物の含有量は、特に限定されないが、10ppm以下であることが好ましく、特に8ppm以下であることが好ましい。イオン性不純物の含有量が前記範囲を超えると半導体の導通不良を生じる場合がある。前記イオン性不純物としては、例えばハロゲンイオン、アルカリ金属イオン等が挙げられる。
【0032】
前記第2の金属粉末の含有量は、特に限定されないが、前記半固形状の組成物全体の10〜70体積%が好ましく、特に14〜65体積%が好ましい。含有量が前記下限値未満であると耐候性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると導電性が低下する場合がある。
【0033】
前述したように本発明では、前記第1の金属粉末と、第2の金属粉末とを体積比で5:95〜40:60で用いることを特徴とする。これにより、金属含有ペーストの接着性と耐候性(特に紫外線領域における耐候性)との両方に優れる。前記第1の金属粉末と、第2の金属粉末との体積比は、8:92〜35:65が好ましく、特に10:90〜30:70が好ましい。重量比が前記範囲内であると、特に導電性と紫外光反射性に優れる。
【0034】
また、前記第1の金属粉末および第2の金属粉末の含有量は、特に限定されないが、前記半固形状の組成物全体の20〜70体積%が好ましく、特に25〜50体積%が好ましい。含有量が前記下限値未満であると光反射性と導電性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると金属含有ペーストの作業性が低下する場合がある。
【0035】
また、本発明は有機樹脂と、280nmの紫外線の反射率60%以上の第3の金属粉末と、抵抗率2.0×10−8(Ω・m)以下の第4の金属粉末とを含む半固形状の組成物で構成される金属含有ペーストであって、前記第3の金属粉末と、第4の金属粉末とを体積比で5:95〜40:60で用いることもできる。
前記抵抗率は、温度20℃でのものである。
【0036】
前記第3の金属粉末としては、例えば金属アルミニウム単体等のアルミニウムを主成分とする金属粉末、ロジウムを主成分とする金属粉末等が挙げられる。これらの中でもアルミニウムを主成分とする金属粉末が好ましい。これにより、特に紫外線の反射性を向上することができ、それによって金属含有ペーストの耐侯性を向上することができる。
【0037】
前記第3の金属粉末の形状としては、例えば球状体、フレーク状、鱗片状、薄板状等の板状体、針状体、繊維状体、樹脂枝状体等が挙げられる。これらの中でも板状の第3の金属粉末が好ましい。これにより、光の反射性を向上することができる。
【0038】
前記第3の金属粉末の平均粒子径は、特に限定されないが、前記第4の金属粉末の平均粒子径よりも大きいことが好ましい。これにより、特に紫外光の反射性を向上することができる。
前記第3の金属粉末の平均粒子径は、具体的には3〜30μmが好ましく、特に5〜20μmが好ましい。平均粒子径が前記下限値未満であると耐候性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると金属含有ペーストを充填する際の作業性が低下する場合がある。
【0039】
前記第3の金属粉末のイオン性不純物含有量は、特に限定されないが、10ppm以下であることが好ましく、特に8ppm以下であることが好ましい。イオン性不純物の含有量が前記範囲を超えると半導体の導通不良を生ずる場合がある。前記イオン性不純物としては、例えばハロゲンイオン、アルカリ金属イオン等が挙げられる。
【0040】
前記第3の金属粉末の含有量は、特に限定されないが、前記半固形状の組成物全体の1〜30体積%が好ましく、特に2〜12体積%が好ましい。含有量が前記下限値未満であると耐候性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると導電性が低下する場合がある。
【0041】
前記第3の金属粉末は、特に限定されないが、その表面が表面処理されていることが好ましい。これにより、長期信頼性を向上することができる。すなわち、前記第3の金属粉末の表面が酸化されることにより、耐紫外線反射性が低下するのを防止することができる。
具体的には、前記第3の金属粉末を表面処理する材料としては、ステアリン酸、オレイン酸、ラウリン酸、オクチル酸等の飽和脂肪酸または不飽和脂肪酸等の脂肪酸が挙げられる。
前記脂肪酸の炭素数は、特に限定されないが、8〜25が好ましく、特に10〜20が好ましい。炭素数が前記範囲内であると、第1の金属粉末同士の凝集を防止できると共に、金属含有ペーストの長期信頼性を特に向上することができる。
【0042】
前記第4の金属粉末としては、例えば銀を主成分とする金属粉末、銅を主成分とする金属粉末、金を主成分とする金属粉末等が挙げられる。これらの中でも銀を主成分とする金属粉末が好ましい。これにより、金属含有ペーストの導電性を向上することができる。
【0043】
前記第4の金属粉末の形状としては、例えば球状体、フレーク状、鱗片状、薄板状等の板状体、針状体、繊維状体、樹脂枝状体等が挙げられる。これらの中でも板状の第4の金属粉末が好ましい。これにより、導電性を向上することができる。
【0044】
前記第3の金属粉末の形状と、前記第4の金属粉末の形状とは、異なるものでも良いが、同じ形状であることが好ましい。これにより、作業性を向上することができる。
【0045】
前記第4の金属粉末の平均粒子径は、特に限定されないが、0.05〜50μmが好ましく、特に0.1〜30μmが好ましい。平均粒子径が前記下限値未満であると金属含有ペーストの粘度が高くなり半導体素子へ供給するのが困難となる場合があり、前記上限値を超えると金属含有ペーストを塗布する際にブリードが発生する場合がある。
また、前記第4の金属粉末の最大粒子径は、50μm以下が好ましく、特に20μm以下が好ましい。最大粒子径が前記範囲内であると、ディスペンサーで金属含有ペーストを塗布する際の作業性に特に優れる。
【0046】
前記第4の金属粉末のイオン性不純物の含有量は、特に限定されないが、10ppm以下であることが好ましく、特に8ppm以下であることが好ましい。イオン性不純物の含有量が前記範囲を超えると半導体の導通不良を生じる場合がある。前記イオン性不純物としては、例えばハロゲンイオン、アルカリ金属イオン等が挙げられる。
【0047】
前記第4の金属粉末の含有量は、特に限定されないが、前記半固形状の組成物全体の10〜70体積%が好ましく、特に14〜65体積%が好ましい。含有量が前記下限値未満であると耐候性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると導電性が低下する場合がある。
【0048】
前記第3の金属粉末と、第4の金属粉末とを体積比で5:95〜40:60で用いることが好ましく、特に8:92〜35:65が好ましく、最も10:90〜30:70が好ましい。これにより、金属含有ペーストの接着性と耐候性(特に紫外線領域における耐候性)との両方に優れる。前記第3の金属粉末と、第4の金属粉末との体積比が前記範囲内であると、特に導電性と紫外光反射性に優れる。
【0049】
前記有機樹脂としては、上述と同様のものを用いることができる。
【0050】
前記半固形状の組成物には、本発明の目的を損なわない範囲で希釈剤、硬化促進剤、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤等のカップリング剤、顔料、染料、消泡剤、界面活性剤、nmサイズの充填材(例えば1〜100nmの充填材)、有機充填材の表面に金属を被覆した複合充填材等を添加しても良い。
特に前記有機樹脂が固形や半固形である場合、また液状でも粘度が高い場合は、希釈剤(溶剤)を用いることが好ましい。このような希釈剤としては、例えばフェニルグリシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、エチルヘキシルグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル等で代表される反応性希釈剤、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブ、ブチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトール等の非反応性希釈剤、およびリン酸トリクレシル、フタル酸ジフチル、フタル酸ジオクチル等で代表される可塑剤等が挙げられる。これらは、単体で用いても、複数種を併用しても構わない。
これらの希釈剤は、金属含有ペーストを滴下するに適した粘度とする量が用いられることが好ましい。
【0051】
また、前記有機樹脂が、特にエポキシ樹脂である場合、その希釈剤としてはエポキシ基を有する反応性希釈剤を併用することが好ましい。これにより、金属含有ペーストの作業性を向上することができる。
前記反応性希釈剤としては、例えばn−ブチルジグリシジルエーテル、バーサティック酸ジグリシジルエステル、エチルヘキシルグリシジルエーテル等が挙げられる。これらは、単体で用いても、複数種を併用しても構わない。
【0052】
本発明の金属含有ペーストは、例えば上述したような半固形状の組成物を予備混合し、ロールを用いて混練した後、真空下脱泡することにより得ることができる。
【0053】
前記金属含有ペーストの280nmの紫外線反射率[A]は、特に限定されないが、50%以上が好ましく、特に60〜95%が好ましい。紫外線反射率が前記範囲内であると、特に耐侯性に優れる。
【0054】
前記金属含有ペーストに280nmの紫外線を250時間照射後の紫外線反射率[B]は、特に限定されないが、前記紫外線反射率[A]の80%以上であることが好ましく、特に90%以上であることが好ましい。紫外線反射率が前記範囲内であると、特に長期信頼性にも優れる。
【0055】
前記金属含有ペーストの粘度は、特に限定されないが、5〜100[Pa・s]が好ましく、特に10〜50[Pa・s]が好ましい。粘度が前記範囲内であると、特に作業性に優れる。
【0056】
このような金属含有ペーストは、例えばIC、LSI等の半導体素子と、リードフレーム、基板等の半導体支持部材とを接合するために用いることができる。
【0057】
次に、半導体装置について説明する。
図1は、本発明の半導体装置の一例を示す断面図である。
半導体装置1は、基板2と、金属含有ペースト3と、青白色LEDチップ4とで構成される。
基板2と、青白色LEDチップ4とは、金属含有ペースト3を介して接合される。
青白色LEDチップ4と、基板2とは、ワイヤー5で接続される。
【0058】
基板2としては、例えば、42アロイリードフレーム、銅リードフレーム等のリードフレーム、ガラスエポキシ基板(ガラス繊維強化エポキシ樹脂からなる基板)、BT基板(シアネートモノマー及びそのオリゴマーとビスマレイミドからなるBTレジン使用基板)等の有機基板が挙げられる。
【0059】
青白色LEDチップ4と、基板2との金属含有ペースト3を用いて接合する方法としては、例えば基板2上に金属含有ペースト3をディスペンス法、スクリーン印刷法、スタンピング法等により塗布した後、青白色LEDチップ4を圧着し、その後オーブン、ヒートブロックなどの加熱装置を用いて加熱硬化する方法が挙げられる。
また、さらに、ワイヤボンド工程を経たのち、通常の方法により封止することにより完成された半導体装置とすることができる。
【0060】
本発明の半導体装置1は、接着性および耐候性に優れた金属含有ペースト3を用いているので、耐候性に優れ、かつ接続信頼性に優れている。
また、半導体装置1は、耐紫外線反射性に優れる金属含有ペースト3を用いているので、長期信頼性にも優れている。長期信頼性に優れる理由は、以下の通りである。金属含有ペースト3は青白色LEDチップ4から発光される紫外線付近の波長の光に対しての反射性に優れているため、金属含有ペースト3の劣化を防止することができるからである。さらに、金属含有ペースト3は、青白色LEDチップ4から発光される紫外線付近の波長の光に対しての反射性に優れているため青白色LEDチップ4の輝度の低下をも防止することができる。
【0061】
なお、本実施の形態では半導体素子として青白色LEDチップ4を用いたが、本発明はこれに限定されず、IC、LSI等の半導体素子を用いることもできる。
【実施例】
【0062】
以下、本発明の金属含有ペーストおよび半導体装置について実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものでは無い。まず、金属含有ペーストの実施例および比較例について説明する。
(実施例1)
有機樹脂として脂環式エポキシ樹脂(ダイセル化学工業社製、セロキサイド2021、常温での粘度0.3Pa・s)80重量%(34.5体積%)と、硬化剤として4−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸(新日本理化社製、リカシッドMH−700)80重量%(34.4体積%)と、2−メチルイミダゾール0.2重量%(0.1体積%)と、第1の金属粉末としてステアリン酸で表面処理されたフレーク状のアルミニウム粉末A(平均粒子径10μm、イオン性不純物10ppm以下)33重量%(6.0体積%)と、第2の金属粉末としてフレーク状の銀粉(平均粒子径3μm、最大粒子径40μm)525重量%(25.0体積%)とを三本ロールで室温、20分間混練して金属含有ペーストを得た。この金属含有ペーストを真空チャンバーにて脱泡して、各種評価を行った。
なお、第1の金属粉末と、第2の金属粉末との体積比は19:81であった。
【0063】
(実施例2)
第1の金属粉末と、第2の金属粉末との割合を以下のようにした以外は、実施例1と同様に行った。
第1の金属粉末を11重量%(2.0体積%)と、第2の金属粉末を609重量%(29.0体積%)とした。
なお、第1の金属粉末と、第2の金属粉末との体積比は6:94であった。
【0064】
(実施例3)
第1の金属粉末と、第2の金属粉末との割合を以下のようにした以外は、実施例1と同様に行った。
第1の金属粉末を60重量%(11体積%)と、第2の金属粉末を380重量%(20体積%)とした。
なお、第1の金属粉末と、第2の金属粉末との体積比は35:65であった。
【0065】
(実施例4)
第1の金属粉末として以下のものを用いた以外は、実施例1と同様に行った。
第1の金属粉末として、ステアリン酸で表面処理されたフレーク状のアルミニウムB(平均粒子径3μm、イオン性不純物10ppm以下)を用いた。
【0066】
(実施例5)
第1の金属粉末として以下のものを用いた以外は、実施例1と同様に行った。
第1の金属粉末として、ステアリン酸で表面処理されたフレーク状のアルミニウムC(平均粒子径30μm、イオン性不純物10ppm以下)を用いた。
【0067】
(実施例6)
第1の金属粉末として以下のものを用いた以外は、実施例1と同様に行った。
第1の金属粉末として、ステアリン酸で表面処理された球状のアルミニウムD(平均粒子径10μm、イオン性不純物10ppm以下)を用いた。
【0068】
(実施例7)
第1の金属粉末として以下のものを用いた以外は、実施例1と同様に行った。
第1の金属粉末として、表面処理されていない球状のアルミニウムE(平均粒子径10μm、イオン性不純物10ppm以下)を用いた。
【0069】
(実施例8)
有機樹脂として以下のものを用い、第1の金属粉末および第2の金属粉末の含有量を以下のようにした以外は、実施例1と同様に行った。
有機樹脂として、ラジカル重合性オリゴマー(アクリル変性水素添加型ポリブタジエン、数平均分子量:約2250、日本曹達社製、TEAI−1000)50重量%(32.1体積%)と、ラジカル重合性モノマー(1.6−ヘキサンジオール)50重量%(30.3体積%)と、ラジカル重合触媒[1.1−ビス(t−ブチルパーオキシ)−2−メチルシクロヘキサン、急速加熱試験分解温度:109℃、日本油脂社製、パーヘキサ3M]1重量%(0.6体積%)とを用い、第1の金属粉末を8重量%(2.0体積%)と、第2の金属粉末を608重量%(35.0体積%)とした。
なお、第1の金属粉末と、第2の金属粉末との体積比は5:95であった。
【0070】
(比較例1)
第1の金属粉末と、第2の金属粉末との割合を以下のようにした以外は、実施例1と同様に行った。
第1の金属粉末を6重量%(1.0体積%)と、第2の金属粉末を630重量%(30.0体積%)とした。
なお、第1の金属粉末と、第2の金属粉末との体積比は3:97であった。
【0071】
(比較例2)
第1の金属粉末と、第2の金属粉末との割合を以下のようにした以外は、実施例1と同様に行った。
第1の金属粉末を81重量%(15体積%)と、第2の金属粉末を336重量%(16体積%)とした。
なお、第1の金属粉末と、第2の金属粉末との体積比は48:52であった。
【0072】
各実施例および比較例で得られた金属含有ペーストについて、以下の評価を行った。評価項目を内容と共に以下に示す。得られた結果を表1に示す。
1.紫外線反射率[A]
各実施例および比較例で得られた金属含有ペーストをガラス板上に塗布し、175℃で1時間硬化を行った。その後、紫外分光光度計(240〜800nmを測定)を用いて金属含有ペーストの硬化物表面の紫外線反射率[A]を測定した。
【0073】
2.250時間紫外線照射後の紫外線反射率[B]
各実施例および比較例で得られた金属含有ペーストをガラス板上に塗布し、175℃で1時間硬化を行った後、常温で250時間紫外線照射を行った。その後、紫外分光光度計(240〜800nmを測定)を用いて金属含有ペーストの硬化物表面の紫外線反射率[B]を測定した。各符号は、以下の通りである。
◎:紫外線反射率[B]は、紫外線反射率[A]の90%を超える。
○:紫外線反射率[B]は、紫外線反射率[A]の80%以上〜90%以下である。
△:紫外線反射率[B]は、紫外線反射率[A]の70%以上〜80%未満である。
×:紫外線反射率[B]は、紫外線反射率[A]の70%未満である。
【0074】
3.導電性(抵抗値)
各実施例および比較例で得られた金属含有ペーストを用いて、リードフレームに2mmx2mmの42アロイチップをマウントし、175℃で1時間硬化を行った。その後、テスターにて縦方向の抵抗値を測定した。
【0075】
4.作業性
作業性は、金属含有ペーストをディスペンサーより吐出する際の作業性を評価した。各符号は、以下の通りである。
◎:金属含有ペーストの吐出速度および広がり共に問題無し。
○:金属含有ペーストの吐出速度は少し遅いが、広がりは問題無し。
△:金属含有ペーストの吐出速度は問題無いが、広がりが不十分である。
×:金属含有ペーストを吐出できず。
【0076】
5.接着性
接着性は、シリコンチップと、銀メッキ銅フレームとを各実施例および比較例で得られた金属含有ペーストで接合した後のシェア強度で評価した。
【0077】
【表1】


【0078】
表1から明らかなように、実施例1〜8は、シェア強度が高く、かつ250時間照射後の紫外線反射率にも優れていた。これにより、接着強度および耐侯性の両方に優れていることが示された。
また、実施例1〜8は、特に紫外線反射性に優れており、LEDチップに用いた場合に輝度に優れることが示された。
また、実施例1〜4および6〜8は、作業性にも優れていた。
また、実施例1、2、4、6および8は、抵抗値も低く、導電性に優れていることも示された。
【0079】
次に半導体装置の実施例および比較例について説明する。
(実施例1A〜8A)
実施例1〜8で得られた金属含有ペーストを介して、リードフレームに、2mmx2mmの42アロイチップをマウントし、175℃で1時間金属含有ペーストを硬化して半導体装置を得た。
【0080】
(比較例1Aおよび2A)
比較例1および2で得られた金属含有ペーストを介して、リードフレームに、2mmx2mmの42アロイチップをマウントし、175℃で1時間金属含有ペーストを硬化して半導体装置を得た。
【0081】
実施例1A〜8Aで得られた半導体装置は、いずれも正常に動作し、さらに紫外線を照射した状態で、常温通電試験(順電流30mA)、60℃、95%RH環境下での高温高湿放置試験において250時間経過後においても不良の発生個数が少なかった。
一方、比較例1Aおよび2Aで得られた半導体装置は、いずれも正常に動作したが、上述の高温高湿放置試験において250時間経過後において不良の発生個数が多かった。
【符号の説明】
【0082】
1 ・・・半導体装置
2 ・・・基板
3 ・・・金属含有ペースト
4 ・・・青白色LEDチップ
5 ・・・ワイヤー

【特許請求の範囲】
【請求項1】
有機樹脂と、アルミニウムを主成分とする第1の金属粉末と、前記アルミニウムと異なる金属を主成分とする第2の金属粉末とを体積比5:95〜40:60で含む組成物で構成される金属含有ペーストであって、
280nmにおける紫外線反射率[A]は、50%以上であることを特徴とする金属含有ペースト。
【請求項2】
前記第1の金属粉末の含有量は、前記組成物全体の1〜30体積%である請求項1に記載の金属含有ペースト。
【請求項3】
前記第2の金属粉末を構成する金属は、主として銀を含むものである請求項1または2に記載の金属含有ペースト。
【請求項4】
前記第1の金属粉末および前記第2の金属粉末の含有量は、前記組成物全体の20〜70体積%である請求項1ないし3のいずれかに記載の金属含有ペースト。
【請求項5】
前記第1の金属粉末の平均粒子径は、前記第2の金属粉末の平均粒子径よりも大きいものである請求項1ないし4のいずれかに記載の金属含有ペースト。
【請求項6】
前記第1の金属粉末は、主として板状の金属粉末を含むものである請求項1ないし5のいずれかに記載の金属含有ペースト。
【請求項7】
前記有機樹脂は、エポキシ樹脂を含むものである請求項1ないし6のいずれかに記載の金属含有ペースト。
【請求項8】
前記エポキシ樹脂は、芳香族環を有しないものである請求項7に記載の金属含有ペースト。
【請求項9】
前記有機樹脂は、ラジカル重合性材料を含むものである請求項1ないし8のいずれかに記載の金属含有ペースト。
【請求項10】
半導体部材を接合するために用いるものである請求項1ないし9のいずれかに記載の金属含有ペースト。
【請求項11】
請求項1ないし10のいずれかに記載の金属含有ペーストを介して、半導体部材と、支持部材とが接合されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項12】
前記半導体部材は、LEDチップである請求項11に記載の半導体装置。

【図1】
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【公開番号】特開2009−259839(P2009−259839A)
【公開日】平成21年11月5日(2009.11.5)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−173805(P2009−173805)
【出願日】平成21年7月27日(2009.7.27)
【分割の表示】特願2004−3171(P2004−3171)の分割
【原出願日】平成16年1月8日(2004.1.8)
【出願人】(000002141)住友ベークライト株式会社 (2,927)
【Fターム(参考)】