【課題】耐イオンマイグレーションに優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態に係る半導体装置は、導体ベースプレートと、導体ベースプレートに配置された第１接着剤と、第１接着剤上に配置され、導体ベースプレートと接着される半導体チップと、導体ベースプレート上において、半導体チップと導体ベースプレートとの接合面の外周に配置され、第１接着剤を被覆する第２接着剤とを備え、第１接着剤は、導電性金属成分を含有し、前記第２接着剤は、導電性金属成分を含有していない。 （もっと読む）

【課題】加熱・焼結する際に、突沸が発生するのを抑制可能な導電性ペーストを提供する。
【解決手段】金属微粒子（Ｐ）と分散媒（Ｄ）との割合（Ｐ／Ｄ）（質量％）が５０〜９０／５０〜１０の導電性ペーストであって、該分散媒（Ｄ）が有機溶媒、及び突沸抑制溶媒（Ｔ）からなる有機分散媒（Ｄ１）であり、有機溶媒が（ｉ）常圧における沸点が１００℃以上で、かつ分子中に１もしくは２以上のヒドロキシル基（−ＯＨ）を有するアルコール及び／もしくは多価アルコールからなる、又は（ii）少なくとも有機溶媒５〜９５体積％、並びにアミド基を有する有機溶媒（ＳＡ）９５〜５体積％からなり、突沸抑制溶媒（Ｔ）がヒドロキシル基、及びカルボニル基を有し、かつカルボキシル基を有さず、分子量が５０以上で沸点が１００℃以上の化合物であり、有機分散媒（Ｄ１）中の突沸抑制溶媒（Ｔ）の割合（Ｔ／Ｄ１）（質量％）が２〜２５質量％である導電性ペースト。 （もっと読む）

【課題】シリコンダイに亀裂が入ることを防止し、ダイと基板との間の良好なジョイントを提供する。
【解決手段】ダイを基板に取付けるに際しては、ダイと基板との間にジョイントまたは電気カップリングが用いられる。装置は、基板１００と、この基板上に配置されたダイ１２０と、このダイとその基板との間の電気的ジョイントとを備え、この電気的ジョイントは、基板とダイとの間の電気的カップリングを与えるために３００℃以下で焼結されたナノ材料１１０を含む。 （もっと読む）

【課題】接合後に第１，第２の接合対象部材の接合信頼性を高め、更に第１，第２の接合対象部材間の間隔を高精度に制御できる接合用組成物及び接合構造体を提供する。
【解決手段】本発明に係る接合用組成物は、第１，第２の接合対象部材２，３，４を接合するために用いられる。本発明に係る接合用組成物は、金属原子含有粒子を含む接合材料と、粒子径のＣＶ値が１０％以下である導電性粒子２１とを含有する。本発明に係る接合構造体１は、第１の接合対象部材２と、第２の接合対象部材３，４と、第１，第２の接合対象部材２，３，４を接合している接合部５，６とを備える。接合部５，６は、上記接合用組成物を加熱して、上記金属原子含有粒子を焼結させることにより形成されている。第１，第２の接合対象部材２，３，４間に、導電性粒子２１が配置されている。 （もっと読む）

【課題】耐湿信頼性に優れた半導体装置を与える半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、半焼成ハイドロタルサイトと、半焼成ハイドロタルサイトと異なる無機充填剤とを含むことを特徴とする。また、半導体装置は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体素子１が封止されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高温処理を施しても半導体チップからの剥離が生じず、半導体装置の製造プロセスにおいて半導体チップに混入してくる金属イオンを捕捉して半導体装置の電気特性の低下を防止可能な接着シートを提供すること。
【解決手段】 イオン捕捉剤を含む接着剤組成物により構成され、１７５℃で５時間硬化させた後の２６０℃での引張貯蔵弾性率が０．５ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下である接着シート。 （もっと読む）

【課題】はんだのボイドの発生を抑制し、パワー素子と基材との密着性を高めることができるパワーモジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】固相状態の金属粉末を圧縮された搬送ガスと共に吹き付けることにより、パワー素子１５をはんだ付けするための金属皮膜を、基材１１の表面に成膜する成膜工程は、搬送ガスが内包されるような吹き付け圧で基材１１の表面に金属粉末を吹き付けることにより、基材１１の表面に、金属粉末からなる第１の金属皮膜１２を成膜する第１成膜工程と、第１成膜工程における前記金属粉末の吹き付け圧よりも低い吹き付け圧で、金属粉末を前記第１の金属皮膜１２の表面に吹き付けることにより、第１の金属皮膜の表面に、前記金属粉末からなる第２の金属皮膜１３を成膜する第２成膜工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜形成性、低温での加工性（低温貼付性）、及び耐リフロー性に必要とされる高温時の高接着性を満足することができ、かつダイボンド後の組立工程で受ける熱履歴の低温化に対応可能な硬化性が得られると同時に高弾性化を達成できる接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）熱可塑性樹脂と（Ｂ）熱硬化性成分とを含み、（Ａ）熱可塑性樹脂が、（Ａ１）ガラス転移温度が６０℃以下、かつ重量平均分子量が１００００〜１０００００のポリイミド樹脂、及び（Ａ２）樹脂分が２０質量％となるようにＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解させたときの２５℃における粘度が１０ポイズ以上の非ポリイミド樹脂を含有し、（Ｂ）熱硬化性成分が、（Ｂ１）エポキシ樹脂及び（Ｂ２）ビスマレイミド樹脂を含有する、接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】有機物で被覆された金属ナノ粒子に対して、加熱することにより焼結、あるいは焼結による接合を促すプロセスに対して、加熱温度の低温化，加熱時間の短縮化を達成できる導電性焼結層形成用組成物および導電性焼結層形成方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、有機物で被覆された粒径が１ｎｍ〜５μｍの金属粒子と酸化銀とを混合することで、各々単体に比較して低温で焼結することができるという現象を利用した導電性焼結層形成用組成物である。本発明の導電性焼結層形成用組成物は、有機物で表面が被覆された粒径が１ｎｍ〜５μｍの金属粒子と、酸化銀粒子とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接着強度に優れるとともに、応力緩和性に優れ、半導体装置における耐半田クラック性等を良好とすることのできる半導体接着用熱硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】
（Ａ）下記一般式（１）で表されるポリサルファイド変性エポキシ樹脂、（Ｂ）前記（Ａ）成分のポリサルファイド変性エポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂、（Ｃ）硬化剤、および（Ｄ）充填材を必須成分とする半導体接着用熱硬化性樹脂組成物。
【化２】


（式中、Ｒ^１はビスフェノール骨格を有する２価の有機基を表し、ｍは各繰り返し単位毎に独立に１〜３の整数を表し、ｎは１〜５０の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】導電性フィラーとしてアルミニウム粉を用いながらも、優れた電気伝導性及びダイシェア強度を有する半導体素子接着用樹脂ペースト組成物を提供すること。
【解決手段】１分子中に１個の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する化合物と、１分子中に３個の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する化合物と、重合開始剤と、可とう化剤と、アルミニウム粉と、を含有する、半導体素子接着用樹脂ペースト組成物。 （もっと読む）

【課題】インライン方式とバッチ方式の両方式による硬化が可能で、十分な接着力等を有する半導体接着用熱硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）ポリサルファイド骨格を分子内に有する（メタ）アクリレート、（Ｂ）１分子内に少なくとも１つのメタクリル基あるいはアクリル基を有する化合物、（Ｃ）ラジカル重合触媒、および（Ｄ）充填材を必須成分とする半導体接着用熱硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 Ａｕ−Ｓｎ合金はんだより低温で接合可能な接合用ペースト、およびこの接合用ペーストを用いる半導体素子と基板の接合方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 （Ａ）平均粒子径が１００ｎｍ以下の金属ナノ粒子と、（Ｂ）沸点が５０〜１００℃の溶剤と、（Ｃ）沸点が１５０〜２００℃の溶剤を含有し、（Ｂ）成分と（Ｃ）成分の合計１００質量部に対して、（Ｂ）成分を１０〜３０質量部含有することを特徴とする、接合用ペーストである。 （もっと読む）

【課題】ダイシング・ダイボンドフィルムに引張張力を加えることにより半導体ウェハを分断して半導体チップを形成する際に、ダイボンドフィルムと半導体ウェハの間、及びダイボンドフィルムとダイシングフィルムの間に剥離や位置ズレが生じることのないダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】基材上に少なくとも粘着剤層を有するダイシングフィルムと、粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、ダイボンドフィルムにウェハを仮接着したときの２５℃における剪断接着力をτ１（ＭＰａ）、ダイボンドフィルムとダイシングフィルムの間の２５℃における剪断接着力をτ２（ＭＰａ）としたとき、τ１とτ２は０．５≦τ２≦３、４≦τ１−τ２≦２０の関係を満たし、ダイボンドフィルムの破断伸び率は４０〜５００％である。 （もっと読む）

【課題】 低湿度のクリーンルーム内でも剥離帯電が起こりにくく、ダイボンディング時の接着性、パッケージの信頼性等に優れたダイシング・ダイボンドフィルム、及び当該ダイシング・ダイボンドフィルムを用いて製造される半導体装置を提供すること。
【解決手段】 ダイシングフィルム上に熱硬化型ダイボンドフィルムが設けられたダイシング・ダイボンドフィルムであって、前記熱硬化型ダイボンドフィルムを構成する接着剤組成物は、アクリル樹脂、フェノール樹脂及び導電性粒子を含み、前記接着剤組成物の全量に対してそれぞれ、前記アクリル樹脂及び前記エポキシ樹脂の合計含有量をＡ重量％とし、前記導電性粒子の含有量をＢ重量％としたとき、式（Ｂ／（Ａ＋Ｂ））により得られる値が０．４０以上０．９６以下であり、前記熱硬化型ダイボンドフィルムの体積抵抗率が１×１０^−６Ω・ｃｍ以上９×１０^−３Ω・ｃｍ以下であるダイシング・ダイボンドフィルム。 （もっと読む）

【課題】 低湿度のクリーンルーム内でも剥離帯電が起こりにくく、ピックアップ時の剥離性やダイボンディング時の接着性、パッケージの信頼性等に優れたダイシング・ダイボンドフィルム、及び当該ダイシング・ダイボンドフィルムを用いて製造される半導体装置を提供すること。
【解決手段】 ダイシングフィルム上に熱硬化型ダイボンドフィルムが設けられたダイシング・ダイボンドフィルムであって、前記熱硬化型ダイボンドフィルムを構成する接着剤組成物は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂及び導電性粒子を含み、前記接着剤組成物の全量に対してそれぞれ、前記アクリル樹脂及び前記エポキシ樹脂の合計含有量をＡ重量％とし、前記導電性粒子の含有量をＢ重量％としたとき、式（Ｂ／（Ａ＋Ｂ））により得られる値が０．４０以上０．９６以下であり、前記熱硬化型ダイボンドフィルムの体積抵抗率が１×１０^−６Ω・ｃｍ以上９×１０^−３Ω・ｃｍ以下であるダイシング・ダイボンドフィルム。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下させることなく、電磁波シールド層を有するダイボンドフィルム、ダイボンドフィルムの製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】接着剤層３０と、金属箔からなる電磁波シールド層３１とを有するダイボンドフィルム４０、又は、接着剤層３０と、蒸着により形成された電磁波シールド層３１とを有するダイボンドフィルム４０。前記ダイボンドフィルムが、ダイシングフィルム上に積層されたダイシング・ダイボンドフィルムであって、前記ダイシングフィルムは、基材上に粘着剤層が積層された構造であり、前記ダイボンドフィルムは、前記ダイシングフィルムの粘着剤層上に積層されていることを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルム。 （もっと読む）

【課題】電子部品中の電気的接合部の接合層に関し、鉛成分を含有せず先行技術よりもより高い接合強度・破壊靱性が得られる接合材を接合層として有する半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、電子部材同士が接合層を介して電気的に接続されている半導体装置であって、前記接合層は、Agマトリックスと、前記Agマトリックス中に分散しAgよりも硬度が高い金属Ｘからなる分散相とを含み、前記Agマトリックスと前記金属Ｘ分散相とは互いに金属接合し、前記Agマトリックスと前記電子部材の最表面とは互いに金属接合し、前記金属Ｘ分散相と前記電子部材の最表面とは互いに金属接合しており、前記金属Ｘ分散相は1μm以下の結晶粒を含み、前記Agマトリックスは100 nmよりも小さな結晶粒を含んでいることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】平均粒径が１００ｎｍ以下の金属粒子を用いた接合用材料と比較して、接合界面で金属結合による接合をより低温で実現可能な接合用材料，接合方法を提供することを目的とする。
【解決手段】平均粒径が１ｎｍ〜５０μｍ以下の金属酸化物，金属炭酸塩、又はカルボン酸金属塩の粒子から選ばれる少なくとも１種以上の金属粒子前駆体と、有機物からなる還元剤とを含み、前記金属粒子前駆体の含有量が接合用材料中における全質量部において５０質量部を超えて９９質量部以下である接合用材料を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接着促進剤及び導電促進剤としてのキノリノール誘導体の金属塩を含有するダイ取付接着材を提供すること。
【解決手段】本発明のダイ取付組成物は、接着性及び／又は導電性促進剤として８−キノリノール誘導体の金属塩を添加することによって、改善された接着性及び導電性を示す。８−キノリノール誘導体の金属塩は、Ｃｕ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｙｔ、Ｌａ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｅ及びＰｒからなる群から選ばれる金属が配位することによって形成される。 （もっと読む）