【課題】窒化物半導体を用いたＦＥＴを樹脂封止パッケージに搭載した半導体装置の耐湿性を向上させること。
【解決手段】本発明は、窒化物半導体を用いたＦＥＴが形成されたチップ３０と、前記チップがＡｇペースト２２を用い搭載されたベース１２と、前記チップ３０を封止するガラス転移温度が１９０℃以上の樹脂２０と、を具備する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】シリコンダイに亀裂が入ることを防止し、ダイと基板との間の良好なジョイントを提供する。
【解決手段】ダイを基板に取付けるに際しては、ダイと基板との間にジョイントまたは電気カップリングが用いられる。装置は、基板１００と、この基板上に配置されたダイ１２０と、このダイとその基板との間の電気的ジョイントとを備え、この電気的ジョイントは、基板とダイとの間の電気的カップリングを与えるために３００℃以下で焼結されたナノ材料１１０を含む。 （もっと読む）

【課題】接着性に優れており、また、熱伝導性及び塗布作業性も良好に維持された樹脂ペースト組成物と、この樹脂ペースト組成物を用いた半導体装置とを提供する。
【解決手段】（Ａ１）１分子中に、２個のアクリロイルオキシ基と、炭素数５〜２０の脂環式構造又は炭素数４〜２０の脂肪族構造とを有するアクリロイルオキシ基含有化合物、（Ａ２）特定の一般式で表される化合物、（Ｂ）重合開始剤、及び（Ｃ）充填材を含有する樹脂ペースト組成物。支持部材、前記支持部材の表面に設置された半導体素子、前記支持部材の表面と前記半導体素子との間に介在して前記支持部材と前記半導体素子とを固定する前記の樹脂ペースト組成物の硬化物、及び前記支持部材の一部と前記半導体素子とを封止する封止材、を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】加熱・焼結する際に、突沸が発生するのを抑制可能な導電性ペーストを提供する。
【解決手段】金属微粒子（Ｐ）と分散媒（Ｄ）との割合（Ｐ／Ｄ）（質量％）が５０〜９０／５０〜１０の導電性ペーストであって、該分散媒（Ｄ）が有機溶媒、及び突沸抑制溶媒（Ｔ）からなる有機分散媒（Ｄ１）であり、有機溶媒が（ｉ）常圧における沸点が１００℃以上で、かつ分子中に１もしくは２以上のヒドロキシル基（−ＯＨ）を有するアルコール及び／もしくは多価アルコールからなる、又は（ii）少なくとも有機溶媒５〜９５体積％、並びにアミド基を有する有機溶媒（ＳＡ）９５〜５体積％からなり、突沸抑制溶媒（Ｔ）がヒドロキシル基、及びカルボニル基を有し、かつカルボキシル基を有さず、分子量が５０以上で沸点が１００℃以上の化合物であり、有機分散媒（Ｄ１）中の突沸抑制溶媒（Ｔ）の割合（Ｔ／Ｄ１）（質量％）が２〜２５質量％である導電性ペースト。 （もっと読む）

【課題】電子部品において平坦な上面を有するパッドを作製する方法を提供する。
【解決手段】ａ）第一電子基板上２０２に硬化性シリコーン組成物の平坦な上面を有する堆積物２０５をステンシル印刷する過程であって、第一電子基板が半導体ダイ又は半導体ダイ取り付け部材から選択され、平坦な上面を有する堆積物のステンシル印刷がダウンステップステンシルを通したスクイジーにより行われる、堆積物をステンシル印刷する過程と、ｂ）平坦な上面を有する堆積物を硬化させる過程であって、それにより、平坦な上面を有するパッドを形成する、堆積物を硬化させる過程と、任意にｃ）平坦な上面を有するパッドの上面に第二電子基板２０６を接着する過程であって、第二電子基板は半導体ダイ又は半導体ダイ取り付け部材から選択される、第二電子基板を接着する過程、並びに、任意にｄ）過程ａ）、ｂ）及びｃ）を反復する過程を包含する、パッドを作製する方法。 （もっと読む）

【課題】耐湿信頼性に優れた半導体装置を与える半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、半焼成ハイドロタルサイトと、半焼成ハイドロタルサイトと異なる無機充填剤とを含むことを特徴とする。また、半導体装置は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体素子１が封止されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】作業性が良好で、耐熱性、耐湿性、耐候性に優れ、かつ半導体素子と各種基材との接合において信頼性の高い物理的、電気的接合が可能な導電性ペースト、及びそのような導電性ペーストを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】導電性ペーストは、（Ａ）可溶性ポリイミド樹脂、（Ｂ）溶剤及び（Ｃ）比表面積（ＳＡ）０．３〜１．３ｍ^２／ｇ、タップ密度（ＴＤ）３．０〜６．０ｇ／ｃｍ^３のフレーク状銀粉を含有する。半導体装置は、そのような導電性ペーストにより、半導体素子を半導体素子支持部材上に接着してなる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のオン状態における素子全体にわたる抵抗成分のうち、半導体基板に起因する抵抗成分を低減することができ且つ半導体基板の裏面側からの放熱効果を向上できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子が形成された第１の主面と、該第１の主面の反対側の面である第２の主面とを有する半導体基板と、該半導体基板の第２の主面に固着されたリードフレーム１１４とを備えている。第２の主面を構成するコレクタ層８には、少なくとも１つの凹部８ａが形成されている。リードフレーム１１４における第２の主面と固着される面には、コレクタ層８に形成された各凹部８ａと嵌合する凸部１１４ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】回路層の一方の面に半導体素子が確実に接合され、熱サイクル及びパワーサイクル信頼性に優れたパワーモジュール及びパワーモジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１１の一方の面に回路層１２が配設されたパワーモジュール用基板１０と、回路層１２上に搭載される半導体素子３と、を備えたパワーモジュール１であって、回路層１２の一方の面には、ガラス成分を含有するガラス含有Ａｇペーストの焼成体からなる第１焼成層３１が形成されており、この第１焼成層３１の上に、酸化銀が還元されたＡｇの焼成体からなる第２焼成層３８が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性および接着性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、基材２と、半導体素子３と、基材２および半導体素子３の間に介在し、両者を接着する接着層１と、を備えている。この半導体装置１０は、接着層１中に、金属からなる中空粒子が分散している。接着層１は、金属からなる中空粒子を含有するペースト状の樹脂組成物を、半導体素子３と基材２とで圧着することにより形成される。 （もっと読む）

【課題】薄膜形成性、低温での加工性（低温貼付性）、及び耐リフロー性に必要とされる高温時の高接着性を満足することができ、かつダイボンド後の組立工程で受ける熱履歴の低温化に対応可能な硬化性が得られると同時に高弾性化を達成できる接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）熱可塑性樹脂と（Ｂ）熱硬化性成分とを含み、（Ａ）熱可塑性樹脂が、（Ａ１）ガラス転移温度が６０℃以下、かつ重量平均分子量が１００００〜１０００００のポリイミド樹脂、及び（Ａ２）樹脂分が２０質量％となるようにＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解させたときの２５℃における粘度が１０ポイズ以上の非ポリイミド樹脂を含有し、（Ｂ）熱硬化性成分が、（Ｂ１）エポキシ樹脂及び（Ｂ２）ビスマレイミド樹脂を含有する、接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】金及び銀に対して接着性に優れる樹脂ペースト組成物及び半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ１）１分子中に、２個のアクリロイルオキシ基と、炭素数５〜２０の脂環式構造又は炭素数４〜２０の脂肪族構造とを有するアクリロイルオキシ基含有化合物、（Ａ２）１分子中に、２個のメタクリロイルオキシ基と、炭素数５〜２０の脂環式構造又は炭素数４〜２０の脂肪族構造とを有するメタクリロイルオキシ基含有化合物、（Ｂ）重合開始剤、及び（Ｃ）充填材を含有する樹脂ペースト組成物。支持部材、支持部材の表面に設置された半導体素子、支持部材の表面と半導体素子との間に介在して支持部材と半導体素子とを固定する上記樹脂ペースト組成物の硬化物、及び支持部材の一部と半導体素子とを封止する封止材を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高い接合強度が得られる接合方法を提供することにある。
【手段】数平均一次粒子径５０ｎｍより大きく５０μｍ以下である金属粒子、及び分散媒を含有する接合剤（Ａ）を被接合部材に塗布し、加熱する工程（１）と、前記被接合部材の接合剤（Ａ）が塗布された面に、数平均一次粒子径１ｎｍ以上５０ｎｍ以下である金属粒子、及び分散媒を含有する接合剤（Ｂ）を塗布する工程（２）と、前記被接合部材の接合剤（Ａ）及び接合剤（Ｂ）が塗布された面に、他の被接合部材を接合する工程（３）と、を有する接合方法である。 （もっと読む）

【課題】確実にダイを剥離できるピックアップ装置を提供すること、または前記ピックアップ装置を用い、信頼性の高いダイボンダのピックアップ装置を提供することを特徴とする。
【解決手段】ダイ４を表面に搭載したダイシングフィルムが固定されたピックアップ装置と、前記ダイシングフィルム上より剥離された前記ダイ４を吸着して基板に実装するコレット４２を備えたダイボンダのピックアップ装置において、前記ダイ４の周辺部の前記ダイシングフィルムを突き上げて剥離起点を形成する剥離起点形成手段と、前記剥離起点とは異なる部分の前記ダイシングフィルムを突き上げて前記ダイ４を前記ダイシングフィルムから剥離する剥離手段と、前記剥離起点形成手段の前記突き上げと前記剥離手段の前記突き上げとを別々に駆動する駆動手段とを有する突き上げユニット５０とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機物で被覆された金属ナノ粒子に対して、加熱することにより焼結、あるいは焼結による接合を促すプロセスに対して、加熱温度の低温化，加熱時間の短縮化を達成できる導電性焼結層形成用組成物および導電性焼結層形成方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、有機物で被覆された粒径が１ｎｍ〜５μｍの金属粒子と酸化銀とを混合することで、各々単体に比較して低温で焼結することができるという現象を利用した導電性焼結層形成用組成物である。本発明の導電性焼結層形成用組成物は、有機物で表面が被覆された粒径が１ｎｍ〜５μｍの金属粒子と、酸化銀粒子とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】硬化成分及び該硬化成分用の硬化剤を含有する熱硬化性接着剤と、その熱硬化性接着剤中に分散した金属フィラーとを含有する熱伝導性接着剤において、熱伝導性接着剤が固化する前に、低融点金属を液化させて高融点金属粉間を互いに十分に結びつけることができるようにし、且つ熱伝導性接着剤自体の接着力を良好なレベルに維持できるようにする。
【解決手段】硬化成分及び該硬化成分用の硬化剤を含有する熱硬化性接着剤と、その熱硬化性接着剤中に分散した金属フィラーとを有する熱伝導性接着剤は、金属フィラーとして、銀粉及びハンダ粉を使用する。ハンダ粉は、熱伝導性接着剤の熱硬化処理温度よりも低い溶融温度を示し、且つ該熱硬化性接着剤の熱硬化処理条件下で銀粉と反応して、当該ハンダ粉の溶融温度より高い融点を示す高融点ハンダ合金を生成するものを使用する。硬化剤としては、金属フィラーに対してフラックス活性を有する硬化剤を使用する。 （もっと読む）

【課題】接着強度に優れるとともに、応力緩和性に優れ、半導体装置における耐半田クラック性等を良好とすることのできる半導体接着用熱硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】
（Ａ）下記一般式（１）で表されるポリサルファイド変性エポキシ樹脂、（Ｂ）前記（Ａ）成分のポリサルファイド変性エポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂、（Ｃ）硬化剤、および（Ｄ）充填材を必須成分とする半導体接着用熱硬化性樹脂組成物。
【化２】


（式中、Ｒ^１はビスフェノール骨格を有する２価の有機基を表し、ｍは各繰り返し単位毎に独立に１〜３の整数を表し、ｎは１〜５０の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】低温で半導体ウェハに貼り付け可能であって、チップクラックやバリの発生を十分に抑制しながら半導体ウェハから半導体チップを歩留よく得ることを可能にする半導体用接着フィルムを提供する。
【解決手段】下記化学式（Ｉ）で表される４，４’−オキシジフタル酸二無水物を含むテトラカルボン酸二無水物と、下記一般式（ＩＩ）で表されるシロキサンジアミンを含むジアミンとの反応により得ることのできるポリイミド樹脂を含有し、１００℃以下で半導体ウェハに貼り付け可能である、半導体用接着フィルム。
（もっと読む）

【課題】導電性フィラーとしてアルミニウム粉を用いながらも、優れた電気伝導性及びダイシェア強度を有する半導体素子接着用樹脂ペースト組成物を提供すること。
【解決手段】１分子中に１個の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する化合物と、１分子中に３個の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する化合物と、重合開始剤と、可とう化剤と、アルミニウム粉と、を含有する、半導体素子接着用樹脂ペースト組成物。 （もっと読む）

【課題】低粘度で作業性が良く、ブリードアウトが十分に抑制され、信頼性に優れる半導体装置を生産性よく製造することが可能な、樹脂ペースト組成物を提供すること。
【解決手段】（メタ）アクリル酸エステル化合物と、重合開始剤と、充填材と、環式モノテルペン骨格を有する化合物と、を含有する、樹脂ペースト組成物。 （もっと読む）