【課題】 安定した低抵抗のシリサイド膜を形成する技術を提供する。
【解決手段】 半導体基板１上にゲート絶縁膜５を形成する工程、ゲート絶縁膜５上にシリコン膜７を形成する工程、シリコン膜７と半導体基板１との表面にＢＦ₂イオンおよびＢイオンを注入し、ｐチャネル型ＭＩＳトランジスタＱｐのゲート電極１１ｐと高濃度ｎ型半導体領域１５からなるソース／ドレインとを形成する工程、ゲート電極１１ｐの上部に第１コバルトシリサイド膜を形成し、ソース／ドレインの上部に第２コバルトシリサイド膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 内部回路をより確実に保護することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 内部回路内の内部トランジスタを電源パッド間に生じた静電気による破壊から保護する保護トランジスタが設けられている。保護トランジスタのチャネルを構成するｐウェル６の導電型は、内部トランジスタのチャネルを構成するｐウェル８の導電型と一致する。また、ｐウェル６の不純物濃度は、ｐウェル８の不純物濃度よりも高い。従って、保護トランジスタのドレイン接合は、内部トランジスタのドレイン接合よりも急峻となり、保護トランジスタの寄生バイポーラ動作の開始電圧が内部トランジスタのそれより低くなる。このため、内部回路をＥＳＤサージから適切に保護することができる。 （もっと読む）

【課題】 炭化金属を含むゲート電極を含む少なくとも１つのＦＥＴを含む相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）などの半導体デバイスおよび形成方法を提供することにある。
【解決手段】 このＣＭＯＳは、ある金属とある金属の炭化物によって二重仕事関数が与えられる、二重仕事関数の金属ゲート電極を含む。 （もっと読む）