【課題】基板の自由度があり、待機時（光非照射時）の電力消費が小さく、また光照射時のＳ／Ｎが大きい受光素子を提供することである。
【解決手段】紫外線が透過する材料をＦＥＴの電極として用い、また、電子走行領域をＡｌＧａＮとＧａＮとのヘテロ界面等のＧａＮ系膜同士のヘテロ界面とする。 （もっと読む）

【課題】共鳴トンネルダイオードを利用した低雑音のテラヘルツ検出素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１上に配置された第２の電極２，２ａと、第２の電極２上に配置された絶縁層３と、第２の電極２に対して絶縁層３を介して配置され、かつ半導体基板１上に第２の電極２に対向して配置された第１の電極４（４ａ，４ｂ，４ｃ）と、絶縁層３を挟み第１の電極４ａと第２の電極２間に形成されたＭＩＭリフレクタ５０と、ＭＩＭリフレクタ５０に隣接して、半導体基板１上に対向する第１の電極４と第２の電極２間に配置された共振器６０と、共振器６０の略中央部に配置された能動素子９０と、共振器６０に隣接して、半導体基板１上に対向する第１の電極４と第２の電極２間に配置された導波路７０と、導波路７０に隣接して、半導体基板１上に対向する第１の電極４と第２の電極２間に配置されたホーン開口部８０とを備える。 （もっと読む）

【課題】放射線の検出感度を維持しつつ、電線と電極部との剥離を抑制できる。
【解決手段】検出可能領域上に充填される第１充填材444は、原子番号９以下の元素で構成されているので、原子番号９を超える元素で構成される場合に比して、放射線の透過性がよい。このため、検出可能領域において、放射線の検出感度が維持できる。また、バイアス電極401と電線とが接続される接続部は、弾性を有する第２充填材445が充填されているため、硬化性を有する充填材に比して、延長電極部431と高電圧線432との密着性が保て、高電圧線432と延長電極部431との剥離を抑制できる。このように、本実施形態では、延長電極部431と高電圧線432とが接続される接続部と検出可能領域とで充填材を使い分けることにより、放射線の検出感度を維持しつつ、高電圧線432と電極部との剥離を抑制する。 （もっと読む）

【課題】強磁性体をＣＮＴに十分に内包させる。
【解決手段】炭素の供給源である液体又は気体のアルコール５中で基板７の表面に配置された陰極の電極１１により前記基板７との間に強磁性体の金属板１５を挟み、前記金属板１５が備える尖端部１９を前記陰極に対し間隔を置いて前記基板上に配置された陽極に指向させ、前記電極９，１１間で前記基板７を介して通電すると共に前記金属板１５の尖端部１９に可視光又は紫外光を照射し、棒状の磁性体金属２５を内包したＣＮＴ２７を析出させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光センシング回路、該光センシング回路の駆動方法、及び該光センシング回路を採用した光センシング装置を提供する。
【解決手段】光センシングのための感光性酸化物半導体トランジスタとスイッチングトランジスタとが直列に連結された構造を持つ光センシング回路。かかる構造で、待ち時には感光性酸化物半導体トランジスタのゲートにハイ電圧が印加され、スイッチングトランジスタにロー電圧が印加される。そして、データ出力時には感光性酸化物半導体トランジスタのゲートにロー電圧が印加され、スイッチングトランジスタにハイ電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ波を効率よく受信し、信号／雑音比を向上したテラヘルツ波受信素子を提供する。
【解決手段】第１の波長λ₁のテラヘルツ波を受信するテラヘルツ波受信素子１００であ
って、２以上の半導体層（バッファ層１０２ａおよび電子供給層１０４ａ）のヘテロ接合により形成される２次元電子チャネル層１０３ａ、ゲート幅方向にλ₁／２の長さを有するゲート電極１１１ａ、ドレイン電極１１３ａおよびソース電極１１２ａを有する第１のＦＥＴ１００ａと、第１のＦＥＴ１００ａのゲート電極１１１ａのゲート幅方向における中央部と接続され、かつ、ゲート電極１１１ａと直交するように配置されたゲート配線１１４ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】設置場所の自由度が高く、且つ、生産性の優れた安価な光センサー及び半導体位置検出器を提供する。
【解決手段】受光面を形成する半導体層２と、半導体層の両端部に半導体層に流れる電流を電極３ａ，ｂとを有する光センサーを用い、受光面上の入射光位置により電極から検出される電流値がそれぞれ変化することに基づき位置検出をおこなう半導体位置検出器において、半導体層はＰ型特性を有する芳香族化合物薄膜からなるＰ型有機半導体層２ａと、Ｎ型特性を有する芳香族化合物薄膜からなるＮ型有機半導体層２ｂとを積層した構成を有し、半導体層がアンバイポーラー性を有する。 （もっと読む）

【課題】特に２次元状に配された光センサを有してなる光センサ装置において、ＴＦＴの経時劣化や温度変化による影響を良好に補正できる光センサ装置及びそれを備える表示装置を提供すること。
【解決手段】ＴＦＴセンサＴ０、Ｔ１を２次元状に配置し、センサドライバ２０により分割エリア１１毎にＴＦＴセンサＴ０、Ｔ１の対を選択してＴＦＴセンサＴ１からのドレイン電流の取り込みを行う。ＴＦＴセンサＴ１からドレイン電流を取り込む際には、このＴＦＴセンサＴ１の各電極の電圧とこのＴＦＴセンサＴ１と対をなすＴＦＴセンサＴ０の各電極の電圧とを等電圧とした状態で取り込みを行うことにより、ＴＦＴセンサＴ１の経時劣化や温度変化による影響を補正する。 （もっと読む）

【課題】単一または多層のグラフェンが光伝導層である光検出デバイスを提供する。
【解決手段】光検出層として単一または多層グラフェンを用いる光検出器を開示する。異なる電極構成を有する多数の実施形態を開示する。更に、撮像および監視等の用途のために、多数の光検出要素を含む光検出器アレイを開示する。 （もっと読む）

【課題】単チャンネル薄膜トランジスタのみを使用する表示パネルにおいて、画素に光センサを組み込む場合に、光センサとしてＰＩＮ型ホトダイオードを使用せずに、コストを低減する。
【解決手段】複数の画素を有する表示パネルを有し、複数の画素の中の少なくとも１つの画素は光センサを有する表示装置であって、前記光センサは、受光部と、容量素子とを有し、前記受光部の前記表示パネルの観察者側と反対に、自表示パネルから発光する光を遮光する遮光膜を有し、前記受光部は、ｎ型の薄膜トランジスタで構成され、Ｖｇ、Ｖｓ、Ｖｔｈを、それぞれ前記薄膜トランジスタのゲート電圧、ソース電圧、しきい値電圧とするとき、センサ受光期間内に、前記薄膜トランジスタのゲートに、Ｖｇ≦（Ｖｔｈ−２．０Ｖ＋Ｖｓ）の逆バイアス電圧を入力し、前記センサ受光期間内に前記薄膜トランジスタを流れる電流により充電された前記容量素子の電圧を、前記光センサの出力として取り出す。 （もっと読む）

【課題】長波長放射を検出することができる装置を提供する。
【解決手段】
長波長放射を検出することができる光検出器であって、絶縁層の近位端上に配置されたソースと、絶縁層の遠位端上に配置されたドレインと、近位端と遠位端との間でソース及びドレインを結合する少なくとも１つのナノアセンブリと、ソースとドレインとの間に配置され、少なくとも１つのナノアセンブリの長手方向に少なくとも１つのナノアセンブリと並置された少なくとも２つの表面プラズモン導波路とを備え、少なくとも２つの表面プラズモン導波路のうちの一方は、少なくとも１つのナノアセンブリの第１の側に沿って配置され、少なくとも２つの表面プラズモン導波路のうちの他方は、第１の側に対向する少なくとも１つのナノアセンブリの第２の側に沿って配置される長波長放射を検出することができる光検出器を実現する。 （もっと読む）

【課題】赤外光への感度のさらなる向上を図りうる赤外光検出器を提供する。
【解決手段】本発明の赤外光検出器１００によれば、単一の第１電子領域が分割されることにより、相互に電気的に独立しているとともに、指定方向に並んでいる複数の第１電子領域１０が形成されている。遮断状態における複数の第１電子領域１０のそれぞれの励起サブバンドの電子エネルギーレベルが、伝導チャネル１２０において第１電子領域１０のそれぞれに対向する第２電子領域２０のそれぞれにおけるフェルミ準位よりも十分に高くなるように、接続状態における第１電子領域１０のそれぞれの電気的な接続先である外部電子系が構成されている。 （もっと読む）

【課題】さまざまな偏光特性を持つ電磁波、光波の存在下においても、テラヘルツ信号を正確に受信するテラヘルツ受信素子を提供する。
【解決手段】本発明のテラヘルツ受信素子は、２つの電界効果型トランジスタＦＥＴ−Ａ、ＦＥＴ−Ｂと、アンテナとしての２本のゲートワイヤ１２、１２’と、差分回路２１とを有し、前記２本のゲートワイヤ１２、１２’のそれぞれは、対応する電界効果型トランジスタに電気的に接続され、２つの電界効果型トランジスタへの２つのゲートワイヤ１２、１２’の取り付け方向のなす角度は０°以外の一定の角度であり、差分回路２１は、２つの電界効果型トランジスタのドレイン部から出力される２つの信号の差分を算出し、受信信号として出力する。 （もっと読む）

【課題】グラフェンの特異な電子特性を利用して、極低温を必要することなく、小規模の装置で、非常に微弱なテラヘルツ光の強度を明確に検出でき、かつその周波数を非常に広い周波数範囲で正確に測定することができるテラヘルツ電磁波検出装置とその検出方法を提供する。
【解決手段】表面に酸化層が形成された半導体チップ１２と、半導体チップの表面に密着して設けられた２次元グラフェン１４、導電性のソース電極１５、及びドレイン電極１６と、半導体チップの裏面に密着して設けられたゲート電極１７とを備える。２次元グラフェン１４は、半導体チップの表面に沿って延び、かつその両端部がソース電極とドレイン電極に接続されている。さらに、ソース電極とドレイン電極の間に所定の電流を流し、その間のＳＤ電圧Ｖ１を検出するＳＤ電圧検出回路１８と、ゲート電極に可変ゲート電圧Ｖ２を印加するゲート電圧印加回路１９と、２次元グラフェンに可変磁場Ｂを印加する磁場発生装置２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】無機半導体微粒子を出発物質とし、所望の特性を有する半導体薄膜の形成方法を適用した電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】制御電極１４、第１電極及び第２電極１６、並びに、第１電極と第２電極１６との間であって、絶縁層１５を介して制御電極１４と対向して設けられた、半導体薄膜から成る能動層１７を備えた電子デバイスの製造方法において、半導体薄膜を、（ａ）無機半導体微粒子分散溶液を基体上に塗布、乾燥して、半導体微粒子層を形成した後、（ｂ）半導体微粒子層を溶液に浸漬する各工程にて得る。 （もっと読む）

【課題】小型化することができ、かつ集積化することができるフォトトランジスタ及びそれを用いた光センサを得る。
【解決手段】 基板１と、基板１上に設けられ、上面２ｃ及び傾斜した側面２ａ，２ｂを有するメサ部２と、メサ部２から形成されるか、あるいはメサ部２の少なくとも側面２ａ，２ｂ上に設けられた導電膜から形成される第１の電極と、第１の電極上を覆うように設けられる絶縁層３と、絶縁層３を介して第１の電極上に設けられる光導電性半導体層７と、メサ部２の上面２ｃの上方に位置し、光導電性半導体層７と接するように設けられる第２の電極４と、第２の電極４との間でメサ部２の側面２ａ，２ｂに沿ってチャネル領域が形成されるように、光導電性半導体層７と接して設けられる第３の電極とを備えることを特徴とするフォトトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】半導体と有機物とを能動的な役割に用い、従来とは異なる全く新規な機能を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ半導体１上に有機物電極２が形成されており、有機物電極２の上にはＡｕ膜３が形成されている。ＧａＮ半導体１の裏面には有機物電極２に対向するように、Ｔｉ膜４とＡｕ膜５の多層金属膜で構成された電極が形成されている。有機物電極２とＧａＮ半導体１との接合界面は、ショットキー接合のような状態となっており、これらの間で整流作用が発生する。 （もっと読む）

【課題】量子効率が高く、かつ、高速特性を具備した青色光対応のＭＳＭ型半導体受光素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係るＭＳＭ型半導体受光素子は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された光吸収層と、前記光吸収層上に形成されたショットキー電極と、前記光吸収層上において前記ショットキー電極が形成された以外の領域に形成され、酸化物からなる光透過層とを備え、前記光吸収層と前記光透過層との界面に２次元チャネルが形成されることを特長とするものである。 （もっと読む）

【課題】ｆａｒ ｆｉｅｌｄ光の影響を大幅に低減してＳ／Ｎ比 を高め、これにより近接場光を高効率に検出でき、かつ近接場光による対象物の分解能を波長の１／１０以下まで高めることができる近接場テラヘルツ光検出器を提供する。
【解決手段】テラヘルツ光１の近接場光により表面に沿う長さ方向の電気抵抗が変化する半導体チップ１２と、半導体チップの表面を覆う絶縁被膜１８と、絶縁被膜の表面を覆いテラヘルツ光を遮光可能な導電性被膜２０とを備える。導電性被膜２０は、最大寸法がテラヘルツ光の波長よりも１桁以上短いアパーチャ２１を有する。さらに、導電性被膜１８と半導体チップ１２の間に平面状の導電性プローブ１４を備える。この導電性プローブ１４は、絶縁被膜１８により導電性被膜２０から絶縁され、かつ先端部１４ａがアパーチャ２１の内側に位置する。 （もっと読む）

【課題】吸収が浅いところでしか起こらないような短波長の光に対しても、応答速度や検出感度が低下しないようなフォトダイオードを提供する。
【解決手段】ｎ型Ｓｉ基板１に、ｐ型不純物ドープ領域１ａが形成され、主としてｐ型不純物ドープ領域１ａが形成されていないｎ型シリコン基板１上に積層されたｎ型Ｍｇ_ＸＺｎＯ層２（０≦Ｘ＜１）との界面が受光領域となっており、この界面でキャリアを分離している。Ｍｇ_ＸＺｎＯは可視光に対し透明で、不純物ドーピングによるｐｎ接合を持たない。したがって、高感度、高安定性を実現できる。また、ｎ型Ｓｉ基板１とｎ型Ｍｇ_ＸＺｎＯ層２との界面で光を受光すると、光電流が発生するが、光電流は、Ｍｇ_ＸＺｎＯとＳｉの界面を２次元性キャリアとして流れる。これにより、高速応答性を得ることができる。 （もっと読む）