【課題】入射光を遮ることなく、電磁ノイズをシールドすることができる半導体受光素子であって、受光素子とポリシリコン膜とがショートすることを回避し、かつ、受光素子のカソードとポリシリコン膜との間に発生する寄生容量を低減し、これによって、受光素子に接続される増幅器の動作の安定化を図ることができる半導体受光素子を提供する。
【解決手段】Ｐ型基板１に形成されたＰＮ接合部４ａを有する受光素子４と、受光素子４を覆うＬＯＣＯＳ酸化膜５ａよりなる絶縁部と、絶縁部上に形成された透光性導電膜としてのポリシリコン膜８と、透光性導電膜に接続され、ＧＮＤ電位に固定するための電極７とを備える。 （もっと読む）

【課題】 キャパシタンスおよびインダクタンスの両方を抑制することができる半導体受光装置を提供する。
【解決手段】 半導体受光装置は、基板と、前記基板上に設けられ、第１導電型領域および第２導電型領域を備え、上面および側面を有する半導体受光素子と、前記上面において、前記第１導電型領域と電気的に接続された第１電極と、前記第２導電型領域に電気的に接続された第２電極と、前記半導体受光素子の前記上面および側面を覆う絶縁膜と、前記第１電極と接続され、前記上面および側面の前記絶縁膜上を経て前記基板上にまで延在して設けられた引出配線と、前記半導体受光素子の上面あるいは側面に位置し、前記基板上における前記引出配線の第１の幅よりも狭い前記引出配線の第２の幅の領域と、を有する。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を抑制しつつ、電磁波に対する遮蔽効果を十分に発揮することができるようにした受光素子及び受光素子の製造方法、半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｐ−領域１と、Ｐ−領域１に接合されたＮ−領域３と、Ｎ−領域３の一方の面３ｂ上に形成された光透過性を有する誘電体５と、誘電体５上に形成された光透過性を有する電磁シールド７と、を備え、電磁シールド７は、ポリシリコンからなる。受光素子１０に入射してくる光は、電磁シールド７及び誘電体５を通ってＰＮ接合面３ａに到達する。このため、ＰＮ接合面３ａでは、受光量の低下を抑えつつ、電磁波の到達を抑えることができる。また、電磁シールド７とＮ−領域３との間には誘電体５が介在するため、当該間の寄生容量を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】基板と変換素子と間にスイッチ素子と導電線とを備える検出装置において、変換素子とスイッチ素子又は導電線との間で生じる寄生容量を低減する。
【解決手段】基板１０１と、複数の電極を有するスイッチ素子１０９と、スイッチ素子１０９の複数の電極のうちの第１の電極１０７と電気的に接合する導電線１０２と、スイッチ素子１０９及び導電線１０２の上方に成膜されて配置されており、２つの電極１１４、１１６の間に配置された半導体層１１５を有し、２つの電極１１４、１１６のうちの一方の電極１１４はスイッチ素子１０９の複数の電極のうちの第１の電極１０７とは異なる第２の電極１０６と電気的に接合する変換素子１１７と、を含む検出装置１００が提供され、変換素子１１７の一方の電極１１４と、スイッチ素子１０９の第１の電極１０７又は導電線１０２との間に空間１２０が存在する。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードをより低いバイアス電圧で動作させても、より高い感度が得られるようにする。
【解決手段】電子走行層１０３の上に形成された第１導電型の半導体からなる電界制御層１０４を備える。第１半導体層１０２，電子走行層１０３、電界制御層１０４、および第２半導体層１０７は、光吸収層１０５を構成する半導体より大きなバンドギャップエネルギーを有する半導体から構成され、電子走行層１０３および光吸収層１０５は、第１半導体層１０２，電界制御層１０４、および第２半導体層１０７よりも不純物濃度が低い状態とされている。 （もっと読む）

【課題】寄生容量が生じるのを抑制して、ノイズ特性及び高周波特性に優れた光検出装置を提供すること。
【解決手段】光検出装置１は、第１導電型の第１半導体領域５と、第１半導体領域５上に形成され、第１半導体領域５との間に形成されるｐｎ接合によってフォトダイオードを構成する第２導電型の第２半導体領域７と、を有する半導体基板３と、第２半導体領域７と対向するように第２半導体領域７上に配置されると共に、第２半導体領域７に電気的に接続された第１の電極層１１と、第１の電極層１１と対向するように第１の電極層１１上に配置され、第１の電極層１１との間にフォトダイオードに接続される容量成分を形成する第２の電極層１３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】新たに工程を追加せずに側面容量を低減することでコストパフォーマンスに優れた光半導体装置を提供する。
【解決手段】第一導電型の半導体層と、前記第一導電型の半導体層上に形成された第二導電型の半導体層とを備える半導体基板を有し、前記第二導電型の半導体層上の受光領域に入射された光を電流に変換する光半導体装置であって、前記第二導電型の半導体層の上面から当該第二導電型の半導体層を貫通して前記第一導電型の半導体層と接するよう形成された第一導電型のコンタクト層と、前記コンタクト層上に設けられた前記電流を取り出すための第一の電極と、前記第二導電型の半導体層上で、かつ前記第一の電極から離れた位置に設けられた前記電流を取り出すための第二の電極と、前記第二導電型の半導体層上で、かつ前記第一の電極と前記第二の電極との間の領域に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第三の電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】メサ型のフォトダイオードを有する光通信用素子等の半導体装置において、メサ上部への配線の寄生容量を低減し、応答特性の高速化を図る。
【解決手段】基板１１表面に形成されフォトダイオードのカソードなるｎ型高濃度層１２ａ上にｎ型クラッド層１２ｂ、吸収層１２ｃ、ｐ型クラッド層１２ｄ及びｐ型高濃度層１２ｅの積層体をメサ型に形成する。当該積層体の側面及びｎ型高濃度層１２ａの側面は、互いに連続して基板１１表面からｐ型高濃度層１２ｅまで段差なく到達する壁面を形成する部分を有する。基板１１上に配置された水平配線１９ａとフォトダイオードのアノードとなるｐ型高濃度層１２ｅとの層間を接続する配線１９ｄは当該壁面に沿って配置される。 （もっと読む）

【課題】高速応答性に優れ、かつ外部電源が必要ない、半導体受光素子とその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体受光素子は、ｐ型導波路１０１ａと、導波路１０１ｂと、ｎ型導波路１０１ｃからなる第１のｐｉｎ構造有する導波路領域１０１を備える。
また、導波路領域１０１上に、クラッド層１０２ａと、光吸収層１０２ｂと、コンタクト層１０２ｃからなる第２のｐｉｎ構造を有し、導波路領域１０１よりも電気容量が小さい光吸収領域１０２を備える。導波路領域１０１の最上層であるｎ型導波路１０１ｃと、クラッド層１０２ａとは電気的に接続されている。そして、導波路１０１ｂで発生した光起電圧により、光吸収層１０２ｂに電界が生じる。 （もっと読む）

【課題】有機光電変換材料で構成される光電変換層に形成した複数の光電変換素子の直列接続構造を製造容易な形で実現できる光電変換デバイス及び光電変換デバイスの製造方法を得ることを目的とする。
【解決手段】光過性基板上に、光透過性のｎ個（但しｎは２以上の整数）の第１電極と、空隙を有せずに一括形成された有機光電変換材料からなる１つの光電変換層と、前記第１電極とは異なる材料を用いたｎ個の第２電極とがこの順に積層され、ｋ番目（但し１≦ｋ≦ｎ−１）の前記第１電極及び前記第２電極に挟まれた前記光電変換層にｋ個目の光電変換素子が形成される場合に、ｋ番目の前記第２電極と（ｋ＋１）番目の前記第１電極は、前記光電変換層が存在しない領域にて接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】受光に起因しないｐｎ接合容量を低減し、かつ、素子の小サイズ化に有利な半導体受光素子を提供する。
【解決手段】本実施形態の半導体受光素子１は、ｎ型半導体基板１０１と、ｎ型半導体基板１０１に形成されたメサ状の受光領域１１０と、受光領域１１０の上面に設けられた受光面１１９と、受光領域１１０上に形成されたｐ型電極１１２と、を有する。受光領域１１０は、ｐ型コンタクト層を備える。ｐ型コンタクト層は、受光面１１９の直下に形成されている。ｐ型電極１１２は、受光面１１９内に配置されている。 （もっと読む）

【課題】電流利得のばらつきを低減することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体基体１と、この半導体基体１の表面の一部に形成された、バイポーラトランジスタの第２導電型のコレクタ層２と、このコレクタ層２の一部に形成された、バイポーラトランジスタの第１導電型のベース層６と、このベース層６の一部に形成された、バイポーラトランジスタの第２導電型のエミッタ層７と、このエミッタ層７の直下の領域を除いた部分の半導体基体１に形成された、第１導電型の半導体層９とを含む半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】光電変換部への集光効率を高めながら、光電変換部の上における寄生容量の増大を抑制する。
【解決手段】光電変換装置は、光電変換部と、前記光電変換部へ光を導く導波路構造とを備え、前記導波路構造は、前記光電変換部の上方に配され、第１の絶縁物より屈折率の高い第１の物質の側面が前記第１の絶縁物で囲まれた上部構造と、前記光電変換部と前記第１の物質との間に第２の絶縁物より屈折率の高い第２の物質が配され、前記第２の物質の側面が前記第２の絶縁物で囲まれた下部構造とを含み、前記第２の物質の誘電率は、前記第１の物質の誘電率より低い。 （もっと読む）

【課題】寄生容量の増大を最小限に抑えつつ、大きな光電流を発生させることの可能な受光素子およびそれを備えた受光装置を提供する。
【解決手段】受光素子１０において、面内方向において互いに対向するｐ型半導体領域１４Ａおよびｎ型半導体領域１４Ｂを有する半導体層１４が設けられている。ｐ型半導体領域１４Ａのうちｎ型半導体領域１４Ｂとの対向部分１８Ａおよびｎ型半導体領域１４Ｂのうちｐ型半導体領域１４Ａとの対向部分１８Ｂの双方が互い違いに凹凸形状となっている。 （もっと読む）

【課題】共振による電界結合の乱れを低減することができる受光素子を得る。
【解決手段】フォトダイオード１０は、光導波路１２の端面が受光面１４となっている端面受光型のフォトダイオードである。信号電極１６及びバイアス電極１８は、フォトダイオード１０の同一面上に形成され、フォトダイオード１０のアノード及びカソードにそれぞれ接続されている。絶縁膜２０がバイアス電極１８上に形成されている。絶縁膜２０上に金属電極２２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】構造の微細化とは別な観点からカットオフ周波数を高めることのできる検出素子などの整流素子を提供する。
【解決手段】整流素子は、ショットキー電極１１１を含むショットキー障壁部１０１と、ショットキー障壁部１０１における多数キャリアに対して整流性を有する障壁部１０２と、この整流性障壁部１０２に電気的に接したオーミック電極１０３を備える。ショットキー障壁部１０１と整流性障壁部１０２は、それぞれ、一方側が他方側よりも大きい勾配の非対称なバンドプロファイルを有するように構成される。ショットキー障壁部１０１と整流性障壁部１０２は、それぞれ、バンドプロファイルの大きい勾配の方の側がショットキー電極１１１の側に位置するように接続される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、映像品質の向上を図ることができる構造を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、主面上に形成された撮像領域３、及び、撮像領域３の外周部に配置された周辺回路領域２を有する半導体基板４と、撮像領域３上に形成された透明基板５と、半導体基４板上における周辺回路領域２上を封止する封止樹脂１５と、封止樹脂１５における周辺回路領域２を覆う部分と、周辺回路領域２との間に形成された寄生容量遮蔽膜２４とを備える。寄生容量遮蔽膜２４は、周辺回路領域２のグランドに電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、受光感度が高く、外部からバイアス電圧を印加することなく高速動作することができる半導体受光素子を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１１（第１導電型の半導体基板）上に、ＩｎＧａＡｓ光吸収層１２（第１の光吸収層）、ｐ型ＩｎＰ層１３（第１の第２導電型半導体層）、ｎ型ＩｎＰ層１４（第１の第１導電型半導体層）、ＩｎＧａＡｓ光吸収層１５（第２の光吸収層）及びｐ型領域１７（第２の第２導電型半導体層）が順番に形成されている。ｐ型領域１７にアノード電極１８（第１の電極）が接続され、ｎ型ＩｎＰ基板１１にカソード電極１９（第２の電極）が接続されている。ｎ型ＩｎＰ層１４とｐ型ＩｎＰ層１３を金属電極２３（第３の電極）が電気的に接続している。アノード電極１８、カソード電極１９及び金属電極２３はそれぞれ電気的に独立している。金属電極２３は、受光領域の外側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】一般的な送受信機を使用した上で、受信側に関し、通信距離の充分な長距離化が実現可能な受信機を提供する。
【解決手段】赤外線通信機１００は、受光素子１０１Ａ、１０１Ｂに対して、所定の電圧値ＶＲの逆バイアス電圧を印加する逆バイアス電圧印加手段１７２を備える。また、受光素子１０１Ａ、１０１Ｂは、逆バイアス電圧印加手段１７２により印加される逆バイアス電圧の電圧値に応じて、受光素子１０１Ａ、１０１Ｂの接合面積が設定されている。 （もっと読む）

【課題】占有面積が小さく、製造が容易な静電破壊防止手段を備えた光半導体素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る光半導体素子は、半導体基板１０１上に形成され、活性層１０４を含む発光部と電気的に並列に接続された静電破壊防止素子１１１ａ、１１１ｂを有し、静電破壊防止素子１１１ａ、１１１ｂは、半導体基板１０１に垂直な方向に積層され、電気的に同方向に接続された複数のｐｉｎ型ダイオードを備え、隣接する前記ｐｉｎ型ダイオード同士の界面には、トンネル接合が形成されていることを特徴とするものである。 （もっと読む）