背面照射型イメージセンサ(14)の製造方法を開示する。本発明の方法は、第１および第２の表面(3,4)を有するウェハ(2)から出発し、第１表面(3)からウェハ(2)内に延在する感光性ピクセル領域(5)を設けるステップと、第１表面(3)を保護基板(7)に対向させて保護基板上にウェハ(2)を固定するステップとを具える。ウェハは、第１の材料の基板(8)と、光学透明層(9)と、半導体材料の層(10)とを具える。基板(8)を、光学透明層(9)を停止層として用いて、半導体材料の層から選択的に除去する。背面照射型イメージセンサでは、光は半導体層を透過して感光性ピクセル領域(5)に入射しなければならない。吸収損失を低減するために、半導体層(10)を比較的薄く均一に作製できると非常に有利である。半導体層の厚さを減少させると、感光性領域に入射する光が多くなり、このことがイメージセンサの効率改善につながる。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサーの面積を縮小するとともに微細で簡単なセンサー回路を達成し、製造プロセスが容易な高感度のイメージサンサーを提供する。
【解決手段】半導体集積回路製造プロセスによって、半導体基板上に、少なくとも２つの垂直に積層した感光性センサーを有する垂直カラーフィルターセンサー群を形成する。各々のセンサーは異なるスペクトル応答を持つ。少なくとも１つのセンサーは結晶性シリコン以外の半導体材料、たとえばシリコンカーバイド、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ、III−V族半導体材料、ポリシリコン、またはアモルファスシリコンなどの少なくとも１つの層を含む。本発明の他の特徴は、垂直カラーフィルターセンサー群、およびこのような垂直カラーフィルターセンサー群とそれらのアレイの製造方法である。また少なくとも１つのセンサーは光子吸収領域およびアバランシェ・ゲイン領域を持つ。 （もっと読む）

本発明は、光電素子、多数の光電素子を有する装置および光電素子の製造方法に関する。アクティブゾーン（４００）およびラテラル方向のメイン延在方向を有する半導体機能領域（２）を含んでいる光電素子（１）を提示する。この半導体機能領域は、アクティブゾーンを通る少なくとも１つの孔部（９、２７、２９）を有しており、孔部の領域内に接続導体材料（８）が配置されている。この接続導体材料は、アクティブゾーンから、少なくとも孔部の部分領域において電気的に絶縁（１０）されている。さらにこのような光電素子の製造方法および多数の光電素子を有する装置を提示する。この素子および装置は完全にウェハ結合において製造される。
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フォトトランジスタは、障壁（２６）によってソース（２８）から離隔された活性領域（２４）を持つ。ドレイン（２０）は、活性領域（２４）から水平方向に離隔される。前記活性領域への入射光が、電子−正孔対を生成する。正孔が前記障壁に蓄積され、電子に対する実効障壁高を調節する。次いでゲートリセット電圧がゲート（４）に印加され、前記障壁を低下させて正孔が脱出することを可能とする。
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基板に支持され、ポリシリコンＴＦＴ(10)及びアモルファスシリコン薄膜ＰＩＮダイオード(12)を含む回路を有するアクティブマトリックス型画素デバイス、例えばＥＬ表示装置、が提供される。ポリシリコンアイランドが形成された後に、アモルファスシリコン層がＰＩＮダイオード用に堆積されることにより、アモルファスシリコンは高温処理にさらされなくなる。ＴＦＴはドープされたソース／ドレイン領域(16a、17a)を有し、その一方(17a)はまた、ダイオードにＮ型又はＰ型のドープ領域を提供する。有利なことに、フォトダイオードに別個のドープ領域を設けることが不要になり、処理コストが削減される。反対導電型にドープされたソース／ドレイン領域(16b、17b)を有する第２のＴＦＴ(10b)が、ダイオードに他方のドープ領域(16b)を提供し、真性領域(25)が２つのＴＦＴ間にそれぞれのポリシリコンアイランドの各々に重なるように横方向に配置される。
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電磁ビーム（１７）の検出用の1つ又は複数のビーム感応ゾーン（７，８，９）を有する半導体チップ（２）を有するビーム検出光電素子において、ビーム感応ゾーン（７，８，９）内の電磁ビーム（１７）のフォーカシングが、回折素子（１）によって行われ、この回折素子（１）は、有利には、半導体チップ（２）内に集積化されている。回折素子（１）は、殊に、ゾーンプレートにするとよい。
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改良したイメージング・アレイ（および、対応する動作方法）は、基板上に形成した共振器の中に配置した、ヘテロ接合サイリスタをベースとした複数の画素エレメントを含む。サイリスタをベースとした各画素エレメントは、互いに離れた状態の互いに相補的なｎ型変調ドープ量子井戸インタフェースとｐ型変調ドープ量子井戸インタフェースとを含む。所定の範囲の波長の入射光が所定の画素エレメントのキャビティの中で共鳴して吸収され、電荷が蓄積する。蓄積する電荷は、入射光の強度と関係している。ヘテロ接合サイリスタをベースとしたこの画素エレメントは、ＣＣＤをベースとしたイメージング・アレイおよび能動画素イメージング・アレイを含むイメージングの多くの用途に適している。 （もっと読む）

酸化物アイソレーション領域と光センサとの間に局在するハロゲンの豊富な領域を有する画素セルである。ハロゲンの豊富な領域はアイソレーション領域から光センサへの漏れを阻止し、それによって、イメージャ内の暗電流を抑制する。
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付随するひずみシリコン層を備えるピクセルセルを有するイメージャである。ひずみシリコン層は電荷転送効率を増大し、残像を減少し、撮像デバイスにおける青感度を改善する。
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