【課題】一つのマスクを使用してフォトダイオードの間の絶縁領域を形成した後、同じマスクを使用して整列キーを形成することで、工程数を減少させることができるイメージセンサー製造方法を提供する。
【解決手段】イメージセンサー製造方法は、半導体基板の上に整列キーが形成される領域と、フォトダイオード間に形成される絶縁領域が形成される領域とに、それぞれ開口が形成された第１マスクパターンを形成する段階と、第１マスクパターンをマスクにして半導体基板に絶縁領域を形成する段階と、第１マスクパターンをマスクにして半導体基板に整列キーを形成する段階と、第１マスクパターンをとり除いた後、絶縁領域を覆う第２マスクパターンを形成して第２マスクパターンをマスクにしてフォトダイオードを形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高解像度に適したイメージセンサ及びその製造方法を提供するためのものである。
【解決手段】本発明によるイメージセンサは、第１波長の光を感知できる深さの半導体基板に形成された第１フォトダイオードと、前記第１波長より短い第２波長の光を感知できる深さで前記第１フォトダイオードの上側の半導体基板に形成された第２フォトダイオードと、前記第２フォトダイオードの接した位置に配置される第３フォトダイオードと、前記第１フォトダイオードと電気的に連結されるプラグと、前記第１フォトダイオード、第２フォトダイオード及び第３フォトダイオードと電気的に連結されて前記半導体基板上に形成されるトランジスター領域と、前記トランジスター領域を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたマイクロレンズが含む。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】実施例に係るイメージセンサの製造方法は、カラーフィルタ層の上にマイクロレンズ形成のための感光膜を形成するステップと、前記感光膜に露光を行って、上部面から所定深さを有するパターンを形成するステップと、前記感光膜に熱処理を行って、予備マイクロレンズを形成するステップと、前記予備マイクロレンズにエッチングを行って、マイクロレンズを形成するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】高感度の光センサ素子とセンサドライバ回路とを、多結晶材料のみで、絶縁性基板上にプレナプロセスを用いて形成する。
【解決手段】多結晶シリコン膜で光センサ素子とセンサドライバ回路の両方を作製し、光センサ素子としては、絶縁性基板１０上に形成した第一の電極１１、受光領域１４及び第二の電極１２と、受光領域１４上に形成した第三の電極１３とを備えたＴＦＴを利用してホトトランジスタを形成し、第三の電極１３下の両側の領域１５及び１６又は片側の領域１５又は１６に真性層に近い不純物層（活性化不純物濃度が１０¹⁷ｃｍ^-3以下）を設ける。 （もっと読む）

【課題】 各画素間の光電変換特性のバラツキを抑制し、ＩＣ全体にわたり均一な光電変換特性を有するイメージセンサＩＣを提供する。
【解決手段】 複数の画素領域の保護膜下には、全て同一の電位に固定された電位固定用の光透過可能な導電体を配置した。また画素内部には細い形状で形成された電位固定用の光透過可能な導電体を配置し、全てシリコン基板と同電位になるように電気的に接続するようにした。これにより、保護膜形成時における下地となる領域の電位が、全ての画素領域にわたり一定になり保護膜厚、膜質を均一に出来る。これによって画素間の光電変換特性バラツキを無くすことができる。 （もっと読む）

【課題】 実際の自動車の夜間視界支援装置、生体医療装置等では、単に長波長域での感度を高めるだけでは性能向上につながらず、実際の夜間視界支援装置、生体医療装置等において特に有用性を発揮できる半導体受光素子を提供する。
【解決手段】 半導体基板１上に形成された半導体受光素子１０であって、単層の化合物半導体ＩｎＧａＡｓＮからなる第１の受光層３と、前記第１の受光層の吸収端より長波長の吸収端を持ち、量子井戸構造（ＩｎＰ／ＩｎＡｓＰ）からなる第２の受光層４とを備える。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型固体撮像装置の光電変換部が形成されるシリコン層の光入射側に、屈折率差を利用した、低コスト、高精度のアライメントマークを形成することを課題とする。
【解決手段】シリコン層１３中に形成された光電変換部２１と、前記光電変換部２１で光電変換された電気信号を処理するもので、前記光電変換部２１に入射する光の入射側とは反対側の前記シリコン層１３に形成された信号処理部（図示せず）とを備え、前記光の入射側とは反対側の前記シリコン層１３に形成された膜厚の異なる領域を有する絶縁膜１４と、前記光電変換部２１に入射する光の入射側の前記シリコン層１３内に、前記絶縁膜１４の膜厚の異なる領域を通過させたイオン注入により形成した屈折率差を有する領域からなるアライメントマーク３１とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

半導体オプトエレクトロニクス用のポリマー構成物を生産する方法であって、（コ）ポリマーを形成し、その後ナノ粒子と組み合わせてポリマー構成物を提供するために、単一重合もしくは共重合させるジシランモノマーの少なくとも１種のタイプを提供するステップを含む。ナノ粒子を含む構成物は、高屈折率または誘電定数を有する優れた特性を持つ。 （もっと読む）

【課題】安定したコンタクトを提供できるＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１エピタキシャル層に形成されているレッドフォトダイオードと、レッドフォトダイオードの一部の領域にコンタクト領域を残して形成されている分離層と、分離層の表面に形成されているグリーンフォトダイオードと、グリーンフォトダイオードと離間してコンタクト領域に形成されているコンタクトと、第１エピタキシャル層上に形成されている第２エピタキシャル層と、第１エピタキシャル層内にグリーンフォトダイオードとコンタクトに電気的に連結される複数のプラグと、第２エピタキシャル層の表面に形成されている少なくとも１つの素子分離膜と、第２エピタキシャル層の表面に形成されているブルーフォトダイオードと、複数のプラグの内側の第２エピタキシャル層に形成されているウェル領域とを含む。 （もっと読む）

【課題】イメージング装置において高い利得を実現し、所望のＳ／Ｎ比を得る。
【解決手段】イメージング装置の光センサアレイは、シリコンのような複数アモルファス半導体から形成されるバイポーラフォトトランジスタを使用する。該トランジスタは、オープンベース素子であって、入射する光子によって発生する正孔により、ベース領域への電流注入が生じる。また、コレクタ領域は、好ましくはアモルファスシリコンの真性層で形成される。該トランジスタは、バイポーラ電流が集積される集積モードか、もしくは、光の強度に応答する電流がモニタされる静的モードで動作する。 （もっと読む）

【課題】軽量で薄く、好ましくは可撓性を有する光センサ、光電変換素子、光電変換装置、及び半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】第１の絶縁膜上に、フォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力電流を増幅する増幅回路とを有する第１の素子と、第２の絶縁膜上に、カラーフィルタと、前記カラーフィルタ上にオーバーコート層とを有する第２の素子とを有し、前記第１の素子と前記第２の素子は、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜を接着材で接着することにより、貼り合わされている半導体装置に関する。また前記増幅回路は、薄膜トランジスタを有するカレントミラー回路である。またカラーフィルタに代えて、カラーフィルムを用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】低電圧の動作環境でフォトダイオードのリセット電圧の減少、トランスファートランジスタの動作条件変化、及びピクセル間の特性の不一致により発生する暗電流、固定パターン雑音、イメージラグを減少させ、フォトダイオードのウェルキャパシティを増加させる。
【解決手段】本発明のイメージセンサは、２つ以上のゲート電極で構成されたトランスファートランジスタを特徴とする。また、フォトダイオードと最も隣接するゲート電極の下部のチャネルに光電荷が移動する時、拡散ノードと隣接するトランスファーゲート電極をターンオフ状態で維持して、フォトダイオードから光電荷が放出される時、拡散ノードが光電荷の放出程度に及ぼす影響を除去することを特徴とする。さらに、フォトダイオード内の電荷の効果的な放出と拡散ノードへの移動を容易にすることを他の特徴とする。 （もっと読む）

【課題】可視光と赤外光の同時撮像が可能な固体撮像装置において、赤外光の受光感度を向上する。
【解決手段】赤外光検知画素の有効領域を、可視光検知画素の有効領域よりも深い所まで形成する。Ｎ型半導体基板の表面からの深さ方向における画素の有効領域において、Ｎ型ドーパントの濃度が、半導体基板の表面側から深くなるほど低濃度となるように変調ドーピングを施す。Ｐ型ドーパントの濃度のピーク位置がＮ型ドーパントの濃度のピーク位置よりも深くなるようにＰ型ドーパントを施す。 （もっと読む）

【課題】プローブ光の位相バイアスを抑制せず、かつ回路が飽和することもなしに、ＴＨｚ電磁波によって変調されたプローブ光の変調量を検出可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】２つのフォトダイオード１，２と、フォトダイオード１、２に生じる光電流の差を出力信号に増幅する増幅器６と、各々のフォトダイオードに対応して設けられ、対応するフォトダイオードへの入射光を、その入射光が有する特定の物理量に応じた強度で、異なる特性に従って透過する２つのフィルタを備える。 （もっと読む）

【課題】駆動回路に対し、光電変換素子をその感度特性のばらつきの影響を考慮して配置したカラーイメージセンサを提供することを目的とする。
【解決手段】有機化合物層で形成された光電変換層が陽極と陰極の間に狭持され、光電変換する所定の色ごとに列状に配置される光電変換素子３と、光電変換素子３が生成する信号電流による出力を検知し、その信号電荷を読み出すＩＣチップ４と、光電変換素子３とＩＣチップ４とを結ぶ配線５と、を基板上に備えるカラーイメージセンサであって、光電変換素子３は、各色の光電変換素子３に入射される光の最大照度をＩ（ルクス）とし、感度をα［ボルト／（ルクス・時間）］としたときに、各色の光電変換素子３の内、Ｉとαとの積が小さいものほど、ＩＣチップ４から離れた位置に光電変換領域を大きくして設けられる。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子と駆動回路との接続本法を減らし、高ＳＮ比で情報を読み取ることができる信頼性に優れたイメージセンサを提供すること。
【解決手段】一対の陽極と陰極との間に狭持され有機化合物層からなる光電変換層によって構成される光電変換素子がアレイ状に配置された複数の光電変換素子アレイ３と、光電変換素子が光電変換した信号電荷を検知し、その信号電荷を読み出すＩＣチップ４と、をガラス基板２上に備えるイメージセンサであって、光電変換素子アレイ３を構成する各光電変換素子のＩＴＯ陽極５ａは、ＩＣチップ４と１対１で接続される配線５ｂと一体的に形成されるとともに、光電変換素子アレイ３中の各光電変換素子を構成する陰極は、２つ以上の光電変換素子に共通接続されたパターンを有する配線６によって光電変換素子アレイ３上に形成される。 （もっと読む）

【課題】光の反射概念を用いた新しい構造のＣＭＯＳイメージセンサを通して製造工程を単純化するとともに、光の受光面積を最大限に確保する。
【解決手段】フォトダイオード及びＭＯＳトランジスタを含むＣＭＯＳイメージセンサの製造方法として、半導体基板１００をエッチングし、一側面が傾斜して形成された傾斜面、及び他側面が前記半導体基板に対して垂直な受光面を含む傾斜溝部と、前記傾斜溝部の前記受光面の一側に定義される素子形成部とを形成する段階と、前記傾斜溝部の前記傾斜面に選択的に反射膜２６０を形成する段階と、前記素子形成部内の半導体基板１００の内部に、半導体基板１００の表面に対して垂直な複数のフォトダイオード３２０、３４０、３６０を互いに離隔して形成する段階と、前記素子形成部の半導体基板１００の表面に少なくとも一つのＭＯＳトランジスタを形成する段階とを含んでＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施例に係るイメージセンサは、半導体基板上に形成される素子分離膜、トランジスタ領域及びフォトダイオード領域と、フォトダイオード領域に形成された複数のホールとを備える。フォトダイオード領域に形成されたホールは、半導体基板にトレンチ形状に形成されていてもよい。また、フォトダイオード領域に形成されたホールは、円形または角形の表面形状を有していてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、感光度（photo sensitivity）を向上させることができるイメージセンサ及びその製造方法を提供するためのものである。
【解決手段】本発明によるイメージセンサは、フォトダイオードセルが形成された第１基板と、ロジック回路部が形成された第２基板と、フォトダイオードセルとロジック回路部とを電気的に連結させる連結電極とを含む。 （もっと読む）

【課題】既存方法より空乏領域をより容易に作ることができるようにして、リセットを容易にしてフォトダイオード空乏を最大化させることができるイメージセンサー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】イメージセンサーは、素子分離膜によって定義される活性化領域を含む第１導電型半導体基板と、前記活性化領域に複数で分離して形成された第２導電型第１イオン注入領域と、前記第２導電型第１イオン注入領域を連結する第２導電型第２イオン注入領域と、及び前記第２導電型第２イオン注入領域上に形成された第１導電型イオン注入領域と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）