【課題】背面受光イメージセンサにおいて、基板の背面を安定的かつ効率的に取り除くことができ、製造コストを大いに低減することのできる背面受光イメージセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】実施例による背面受光イメージセンサの製造方法は、第１基板の前面に全体的にイオン注入層を形成する段階と、前記第１基板の前面に素子分離領域を形成してピクセル領域を定義する段階と、前記ピクセル領域に光感知部と読み取り回路を形成する段階と、前記第１基板の上に層間絶縁層と配線を形成する段階と、第２基板を前記配線が形成された第１基板の前面とボンディングする段階と、前記イオン注入層を基準にして前記第１基板の下側を取り除く段階と、前記第１基板の背面の前記光感知部の上にマイクロレンズを形成する段階と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩデバイスを含み、且つ貫通電極を有するＷ−ＣＳＰ構造の半導体装置において、パッケージサイズの拡大や製造プロセスの変更を伴うことなくＳＯＩ基板のシリコン基板層の電位固定を行うことができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板層と表面に半導体素子が形成された半導体層との間に絶縁層を有するＳＯＩ基板と、半導体基板層の表面に絶縁膜を介して設けられて半導体素子に電気的に接続された少なくとも１つの外部端子と、を含む半導体装置であり、絶縁膜を貫通し、半導体基板層に電気的に接続された導電膜からなるコンタクト部と、半導体基板層の表面上に絶縁膜を介して設けられてコンタクト部に接続された電位固定用電極と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光電子デバイスを提供する。
【解決手段】光電子デバイスは半導体材料からなる基板（６，７）と基板上または内に配置されたスマートピクセルのアレイとを含む。各スマートピクセルは有機発光材料の少なくとも一層（１２）を含み、さらに基板から隔てた側の上で有機層と接触する光透過電極（１３）を含んでいる。スマートピクセルは画像の感知、処理、通信およびディスプレイを含む機能の範囲の一つ以上を可能とする。 （もっと読む）

【課題】分光される光（入射光）が微弱な場合であっても、これを分光することが可能な高感度の光電交換素子を提供する。
【解決手段】基板と、該基板に形成される層であって、入射光が吸収されることにより発生するキャリアを捕獲するための第一層と、該第一層に接するように配置され、該第一層で捕獲されたキャリアを外部に取り出すための第二層と、該第一層上に配置される誘電体層と、該誘電体層上に配置され、ゲート電圧が印加されるゲート電極層とを備え、該ゲート電極層の少なくとも一部は、入射光に対して透光性を有する材料からなる光電変換素子およびこれを用いたイメージセンサーである。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードのリーク電流を抑制することができるフォトセンサを提供すること。
【解決手段】本発明に係るフォトセンサは、薄膜トランジスタ５２の上層に形成された第１パッシベーション膜４１と、ドレイン電極１３と、下部電極１４とを電気的に接続する、第１パッシベーション膜４１に設けられた開口部と、薄膜トランジスタ５２、及びフォトダイオード５１を被覆する第２パッシベーション膜４２と、第２パッシベーション膜４２の上層に形成され、当該第２パッシベーション膜４２に設けられたコンタクトホールを介して上部電極１５と電気的に接続される上層配線２３と、コンタクトホールを形成する際に上部電極１４が露出しないように、上部電極１４より上層に形成された接続膜１６と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】画像の高速読み取り及び解像度切換を両立できる光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換装置が複数本の共通読出線を備えるので、その分、パラレル出力が行われ、画像の読み取りが高速で行われる。また、光電変換ブロック１０は他の光電変換ブロック１０と通信できるので、隣り合う複数個の光電変換ブロック１０のノードＥの接続先の共通読出線が同一になることができる。よって、これらのノードＥの電圧は同一の共通読出線で平均化されることができるので、画像の解像度切換が実現される。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタ、マイクロレンズ、フォトダイオードを使用しない新規な構造の有機光電変換膜、これを備える光電変換素子およびイメージセンサーを提供する。
【解決手段】本発明は、有機物からなるｐ型物質層と、ｐ型物質層上に形成された、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（ＮＴＣＤＡ）からなるｎ型物質層と、を備える有機光電変換膜である。 （もっと読む）

【課題】画素を構成する光電変換部において、各色のピーク感度を落とさずに、半導体中での混色を低減できる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】所要の色光の光電変換部２３Ｇ上に絶縁膜２５を介して短波長側の光を吸収する吸収膜２８が形成された画素を有する。 （もっと読む）

【課題】カルコパイライト型半導体を用いた光電変換部に衝突電離による電荷の増倍を発生させ、暗電流特性を改善することにより、低照度でも検出効率を高め、Ｓ／Ｎ比が高い光電変換装置およびその製造方法、および固体撮像装置を提供する。
【解決手段】下部電極層２５と、下部電極層２５上に配置され、表面に高抵抗層２４２を有するカルコパイライト構造の化合物半導体薄膜２４と、化合物半導体薄膜２４上に配置された透明電極層２６とを備え、下部電極層２５、化合物半導体薄膜２４および透明電極層２６は、順次積層されると共に、透明電極層２６と下部電極層２５間に逆バイアス電圧を印加して、化合物半導体薄膜２４内で光電変換により発生した電荷の衝突電離による増倍を起こさせる光電変換装置およびその製造方法、および光電変換装置を適用した固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】製造歩留の低下および信頼性の低下を抑制することが可能な光電変換デバイスを提供する。
【解決手段】この光電変換デバイス１００は、光電変換部１０とトランジスタ部（有機ＴＦＴ）２０とを備えた画素がガラス基板１上にマトリクス状に配置された画素アレイにおいて、光電変換部１０とトランジスタ部（有機ＴＦＴ）２０とは、ガラス基板１上に並置されており、光電変換部１０は、画素電極層１２と、画素電極層１２と対向する共通電極層１３と、画素電極層１２と共通電極層１３との間に挟持された光電変換膜１１とを含んでいる。この光電変換膜１１は、バルクへテロ接合膜から構成されており、隣り合う画素の画素電極層１２に渡って連続的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で且つ再現性の高い構造を備えた量子ドット赤外線光検出器を提供することである。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された、導電性の半導体からなる第１の電極層と、前記第１の電極層の上に形成された前記第１の光電変換層と、前記第１の光電変換層の上に形成された、導電性の半導体からなる第２の電極層と、前記第２の電極層の上に形成された、第２の光電変換層と、前記第２の光電変換層の上に形成された、導電性の半導体からなる第３の電極層からなる赤外線を電気信号に変換する光半導体装置において、前記第１の光電変換層が、前記半導体基板の主面に投影した形状が、第１の方向に長軸を有する第１の量子ドットから成り、前記第２の光電変換層が、前記主面に投影した形状が、前記第１の方向にに交差する第の２の方向に長軸を有する第２の量子ドットから成ること。 （もっと読む）

【課題】青色光の波長領域の光を選択的に吸収して電流を発生させる有機光電変換膜およびそれを備える光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子は、所定の間隔で互いに離れて設けられるアノード１１０およびカソード１２０と、アノードとカソードとの間に形成される有機光電変換膜１３０と、を備える。有機光電変換膜は、ルブレンを含むｐ型物質層１３１と、ｐ型物質層上に形成され、フラーレンまたは高次フラーレンを含むｎ型物質層１３２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂の剥離を抑制する。
【解決手段】半導体装置１２は、外部接続用の配線部４が設けられた絶縁基体１と、絶縁基体１の表面の周縁部分に設けられた枠体２と、絶縁基体１の表面のうち枠体２よりも内側に接着されており金属細線７を介して配線部４に電気的に接続された半導体素子６と、半導体素子６の表面に接着された保護体９と、金属細線７を覆う封止樹脂１０とを備えている。配線部４には封止樹脂１０に接触する露出面４ａが存在しており、露出面４ａの一部には金メッキ部１１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】イオン注入やアニールを施すことなく、センサ部の検知面上に負の固定電荷を有する膜を形成する。
【解決手段】後に負電荷蓄積層１８２となる酸化物絶縁膜を残しておきたいセンサ部１３１の検知面には酸素を供給可能な酸素供給膜が存在するが、残しておきたくない検知面以外の領域には酸素を含まない酸素非供給膜が存在する状態を形成し、その全面に金属膜１８２ａを成膜する（１）。熱処理を行なうことで、センサ部１３１上の酸素供給膜と金属膜１８２ａの境界で反応させて金属酸化膜を形成するとともに金属膜１８２ａの結晶化を行ない金属膜１８２ａ中に負の固定電荷を形成する一方、周辺回路上の金属膜１８２ａは酸素非供給膜とは反応せず金属膜１８２ａを残存させる（２）。エッチングを加えることで、センサ部１３１以外の周辺回路を含む領域においては金属膜１８２ａを除去するが、センサ部１３１上においては金属酸化膜を残しておく（３）。 （もっと読む）

【課題】赤外光を検出することができ、高い信頼性を有する光電変換装置を提供する。
【解決手段】基板１上に入射光を信号に変換する複数の光電変換素子５０がマトリクス状に配列された光電変換装置１００であって、光電変換素子５０は、基板１上に形成された薄膜トランジスタ１０と、薄膜トランジスタ１０上に形成されて薄膜トランジスタ１０に電気的に接続されたフォトダイオード２０と、を備え、フォトダイオード２０は、第一不純物層２１と、第二不純物層２３と、これら第１、第二不純物層２１，２３との間に挟持された真性半導体層２２と、を備え、真性半導体層２２は、少なくとも検出光が入射する側が微結晶シリコンにより形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層を有する新規光電界効果トランジスタの提供。
【解決手段】光電界効果トランジスタは、以下のゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、及びドレイン電極並びに有機半導体層を順次含み、前記有機半導体層が広がる面内に前記ソース電極とドレイン電極が間隔を空けて配置されて前記ソース電極とドレイン電極の間の有機半導体層内にチャンネルが形成され、前記有機半導体層への光照射に応じて生じる前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の電流変化又は閾値電圧変化が検出され、そして前記有機半導体層が、ｐ型とｎ型の接合構造ではなく、ｐ型半導体単体又はｎ型半導体単体のいずれか１種で構成される。 （もっと読む）

【課題】 高い解像度を得ることができる機構を備えた受光素子アレイ、撮像装置およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 受光層３を含む受光素子１０が、複数個、共通の読出し制御回路の基板３０上に配置され、各受光素子は、隣接する受光素子から隔離され、各受光素子に設けられた対の電極のうち、第１導電側電極１２は、すべての受光素子にわたって電気的に共通に接続されており、他方の第２導電型領域６に設けられる第２導電側電極１１は、それぞれ読出し制御回路の読出し部３１に電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フィルファクターを高めながら、フォトダイオードの界面のダングリングボンドなどダメージを取除くことができるイメージセンサ及びその製造方法を提供する。また、フィルファクターを高めながら、電荷共有現象を発生させないイメージセンサ及びその製造方法を提供する。また、フォトダイオードとリードアウト回路の間にフォトチャージの円滑な移動通路を提供することで、暗電流ソースを最小化し、サチュレーション及び感度の低下を防止することができるイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】イメージセンサは、第１基板に形成された配線とリードアウト回路と、第１導電型伝導層と第２導電型伝導層を含んで前記配線と電気的に繋がったイメージ感知部と、及び前記イメージ感知部のピクセル境界に形成された第２導電型界面層を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態によるイメージセンサは、基板にトランジスタを含んで形成された回路（ｃｉｒｃｕｉｔｒｙ）と、前記トランジスタの一側に形成された電気接合領域と、前記電気接合領域上に形成された高濃度第１導電型領域と、前記回路上側に形成されたフォトダイオードと、を含むことを特徴とする。これにより、回路（ｃｉｒｃｕｉｔｒｙ）とフォトダイオードの垂直型集積を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】イメージセンシングデバイス及びそれを備えたＣＭＯＳイメージセンサを提供する。
【解決手段】ｐ‐ｎ接合フォトダイオード、及びｐ‐ｎ接合フォトダイオードの上面に金属物質のパターン層を備えたイメージセンシングデバイスと、金属物質のパターン層の上方に形成されたマイクロレンズと、を備え、金属物質は、金、銀、銅、アルミニウム及びタングステンからなる群のうち選択された少なくともいずれか一つからなるＣＭＯＳイメージセンサーである。 （もっと読む）