【課題】工程数を削減して、低コストで、２種類以上の受光素子を有する半導体装置が得られる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１８上に制御回路用トランジスタ２０のアクティブ領域を形成し、制御回路用トランジスタ２０を形成する前に、フォトダイオード２２、２４を構成する、Ｎ型ウェル３６、４４及びＰ型ウェル３８、４６等の形成を行う。半導体基板１８上にＮ型ウェル３６、４４等を形成する際、フォトレジスト等が形成されるが、これらはアクティブ領域を位置決め基準として半導体基板１８上に形成される。したがって、高い精度で、Ｎ型ウェル３６、４４及びＰ型ウェル３８、４６等が半導体基板１８上に形成される。また、半導体基板１８上に予め位置決めマークを形成する必要がないため、工程数を削減して、低コストで半導体装置１０を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコンを用いた半導体光検出素子であって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有している半導体光検出素子を提供すること。
【解決手段】半導体光検出素子ＳＰは、第１導電型の半導体からなり、互いに対向する第１主面２１ａ及び第２主面２１ｂを有すると共に第１主面２１ａ側に第２導電型の半導体層２３が形成されたシリコン基板２１と、第１主面２１ａ上に設けられ、発生した電荷を転送する電荷転送電極２５と、を備えている。シリコン基板２１には、第２主面２１ｂ側にシリコン基板２１よりも高い不純物濃度を有する第１導電型のアキュムレーション層３１が形成されていると共に、第２主面２１ｂにおける少なくとも半導体領域２３に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。シリコン基板２１の第２主面２１ｂにおける不規則な凹凸１０が形成された領域は、光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置において、イオン注入の回数を低減する。
【解決手段】複数の素子分離部７を形成する第１の工程と、前記複数の素子分離部のそれぞれの上に配され前記複数の素子分離部の間に開口を有するレジストパターンを前記半導体基板の上に形成する第２の工程と、前記半導体基板における前記素子分離部の下に配された第１の領域６と、前記半導体基板における前記複数の素子分離部の間の前記第１の領域より深い位置に配された第２の領域８と、前記半導体基板における前記第１の領域と前記第２の領域とを接続するように配された第３の領域９とを含む半導体領域を形成する第３の工程と、前記光電変換部を形成すべき領域に前記第１導電型と反対導電型である第２導電型の不純物イオンを前記半導体基板に注入することにより、前記光電変換部における電荷蓄積領域となる第４の領域３ａを前記第３の領域より浅い位置に形成する第４の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】隣接する光電変換部間の距離が小さくなった場合における光電変換部の感度の低下を抑制する。
【解決手段】半導体基板ＳＢに配された複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部を互いに分離するように前記半導体基板に配された分離部１０３とを備え、前記光電変換部は、第１の導電型と反対の第２の導電型の不純物を含む第２の半導体領域と、前記第２の半導体領域の下に配され、前記第２の半導体領域より低い濃度で前記第２導電型の不純物を含む第３の半導体領域と、前記第３の半導体領域の下に配され、前記第１導電型の不純物を含む第４の半導体領域とを含み、前記分離部１０３は、前記半導体基板ＳＢの表面より深い位置であって少なくとも前記第２の半導体領域の側方に配され、前記第１導電型の不純物を含む第５の半導体領域と、前記第５の半導体領域の下方であって少なくとも前記第３の半導体領域の側方に配される。 （もっと読む）

【課題】例えば、感度が高められた光電変換素子、及び光電変換装置、並びにイメージセンサを提供する。
【解決手段】下電極（１５１ｅ）は、基板（１０）上に形成されたゲート絶縁膜（４１）、絶縁膜（４２）、（４３）及び（４４）のうちアクリル樹脂の有機樹脂から構成された絶縁膜（４３）上に形成されている。下電極（１５１ｅ）は、基板（１０）上における断面形状が凹凸形状であり、且つ入射光に対して斜めに交差する光反射面を有している。したがって、下電極（１５１ｅ）によれば、フォトセンサ（１５１）の上側からフォトセンサ（１５１）に入射した入射光のうちｎ型半導体層（１５１ｂ）、受光層（１５１ｃ）及びｐ型半導体層（１５１ｄ）を透過した光を、入射光の入射方向とは別の方向に散乱させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】より少ない回路素子数で、リアルタイムＡＧＣを行うことができる光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換された信号を反転増幅して出力するセンサセル部と、その信号を蓄積し反転増幅して出力するメモリセル部と、センサセル部とメモリセル部とが共通に接続された共通出力線が接続されてセンサセル部及びメモリセル部から出力された信号を転送する転送回路部と、転送回路部のトランスファースイッチと転送容量との相互接続点に接続されたリセットスイッチとを備えるようにして、センサセル部及びメモリセル部にそれぞれ個別にスイッチを設けなくとも、センサセル部への転送回路部からのフィードバックを可能にし、より少ない回路素子数でリアルタイムＡＧＣを行うことができるようにする。 （もっと読む）

【課題】複数の対象物に対しても、正しい距離検知が可能となるイメージセンサー及びそれを用いた視差センサー並びに視差画像の生成方法を提供する。
【解決手段】受光量に応じて端子電圧が変化するフォトダイオードＰＤの端子電圧Ｖｐｄが所定の閾値を超えたときにオフになるスイッチング素子ＳＷを介して画素内コンデンサーＣに、撮像する空間の位置に応じて異なるアナログ電圧信号Ｖｍｒｋを与える機能を有する画素回路６０で構成されたイメージセンサー。このイメージセンサーは、撮像する空間の位置に応じて画素検知信号が異なるので、異なった位置に存在する同一形状の対象物に対する検知信号が区別できる。 （もっと読む）

【課題】短絡などを生じた欠陥画素が存在したとしても、その周囲に異常な出力電流が出力される領域が拡がらないようにして、イメージセンサの生産性を向上させる。
【解決手段】イメージセンサを、第１光伝導体型素子６と第２光伝導体型素子８とを含む複数の画素１と、第１光導電体型素子６及び第２光導電体型素子８に接続された出力電極１２Ｂと、複数の画素１のそれぞれに含まれる第１光導電体型素子６に接続された共通電極１２Ｃと、出力電極１２Ｂと共通電極１２Ｃとの間に設けられ、動作時に流れる電流の方向と逆向きの電流が流れるのを阻止する整流素子７Ａ，７Ｂとを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】カラーＣＣＤリニアセンサの出力感度向上を図るとともに、小型化を実現させる。
【解決手段】受光部２の第１列１１に第１基本画素７を配置し、第１列１１の隣の第２列１２に第２基本画素８を配置する。その第１基本画素７は、第１色に対応する第１列第１色画素７−１と、第１列第１色画素７−１の隣に配置され、第２色に対応する第１列第２色画素７−２と、第１列第２色画素７−２の隣に配置され、第３色に対応する第１列第３色画素７−３とを含むものとする。また、第２基本画素８は、第１色に対応する第２列第１色画素８−１と、第２列第１色画素８−１の隣に配置され、第２色に対応する第２列第２色画素８−２と、第２列第２色画素８−２の隣に配置され、第３色に対応する第２列第３色画素８−３とを含むものとする。その第２列第１色画素８−１は、第１列第２色画素７−２の隣に配置される。 （もっと読む）

【課題】機能を損なうことなく工程数を削減して、低コストで、２種類以上の受光素子を有する半導体装置が得られる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】例えば、受光素子としてのフォトダイオードＰＤ−１に形成する引出し電極用の不純物拡散層（Ｐ型ウェル３２に形成される引出し電極用のＰ＋型不純物拡散層３５）と、受光素子としてのフォトダイオードＰＤ−２に形成する引出し電極用の不純物拡散層（Ｐ型ウェル４２に形成される引出し電極用のＰ＋型不純物拡散層４５）と、を形成する際、同時に、フォトダイオードＰＤ−１とフォトダイオードＰＤ−２とを電気的に分離する分離層（Ｐ＋型不純物拡散層５１）を同時に形成する。このため、本来必要であって、当該引出し電極及び分離層の一方を形成するための各工程（例えば、レジスト形成、その開口パターン形成、イオン注入等）が省略できる。 （もっと読む）

【課題】特性の異なる複数のカラーフィルタからなる光学素子の全体的な特性向上を図る。
【解決手段】特性の異なる複数の光学フィルタ５０５，５０６を配列してなる光学素子５０１であって、基板５０２表面の面内方向に第１の金属構造体５０３を周期的に配列して構成される第１の金属構造体群を備えた第１の光学フィルタ５０５と、面内方向に第２の金属構造体５０４を周期的に配列して構成され、第１の金属構造体群とは異なるプラズモン共鳴条件を示す第２の金属構造体群を備えた第２の光学フィルタ５０６と、を有し、互いに隣接する第１の金属構造体間の光学的距離５０７が、互いに隣接する第２の金属構造体間の光学的距離５０７の、０．７５倍以上１．２５倍以下の範囲内にある光学素子。 （もっと読む）

【課題】 構造が簡単で、近赤外域の光を波長によらず一様に透過することができ、安定して高い製造歩留りを得ることができる、近赤外イメージセンサを提供する。
【解決手段】 本発明の近赤外イメージセンサ１００は、波長１．２μｍ〜３μｍに受光感度をもつ受光素子アレイおよび信号読み出し回路のマルチプレクサを備え、筐体に収納されたセンサであって、真空封止されていて、筐体の本体部１の蓋部をなすリッド３が、波長１．２μｍ〜３μｍに透明な材料で形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フィルファクターを向上させたイメージセンサを提供する。
【解決手段】第１型不純物を有する半導体基板１と、入射光に反応して光電荷を生じるように構成されたフォトダイオード（８，９）と、フォトダイオードが生じた光電荷をセンサ出力信号に変換する複数のトランジスタＴｘ，Ｒｘ，Ｄｘ，Ｓｘと、を備える。フォトダイオードは、半導体基板の表面上方の、第２型不純物を有する第１導電層８と、第１導電層８上に形成され、第１型不純物を有することによって第１導電層８との間にｐｎ接合を形成する第２導電層９と、を備える。第１導電層８は、半導体基板１の表面に近い位置での断面積が、第２導電層９に近い位置での断面積よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】小さい画素サイズでも充分な応答特性が得られる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】それぞれ半導体基体７の厚さ方向に延びて形成された、ｎ^＋領域２と、ｐ^＋領域３と、ｎ^＋領域２とｐ^＋領域３とに挟まれているアバランシェ領域４とを有する構造のアバランシェフォトダイオードと、このアバランシェフォトダイオードの構造を複数個繰り返し含む画素を含む固体撮像素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】色分離に優れ、偽色がなく、Ｂ・Ｒ光用光電変換部の開口率を向上させた単板式のカラーイメージセンサを提供する。
【解決手段】第１イメージセンサ１０と第２イメージセンサ２０とを含み、前記第２イメージセンサ２０に前記第１イメージセンサ１０が重ねられるカラーイメージセンサであって、前記第１イメージセンサ１０は、有機材料で構成され、撮像光のうちのＧ成分を光電変換する第１光電変換層１３と、前記第１光電変換層１３の上に配設される透明薄膜トランジスタで構成され、前記第１光電変換層１３で生成される撮像信号を読み出す透明読み出し回路１２と、前記透明読み出し回路１２の上に配設され、被写体からの撮像光が入射するガラス基板とを含み、前記第２イメージセンサ２０は、前記第１イメージセンサ１０を透過した撮像光のうちのＢ・Ｒ成分を光電変換し、当該光電変換によって得られる撮像信号を読み出すＢ・Ｒ成分用のイメージセンサ。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率の向上を実現することができる光電変換素子、撮像素子、及び、光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】一対の電極２０１，２０４と、前記一対の電極２０１，２０４の間に設けられた光電変換層２００、２０２とを備えた光電変換素子であって、光電変換層２００、２０２が複数層で構成され、複数層の各層がドナー−アクセプタ連結構造で且つ同じ有機化合物から構成され、複数層の一部の層が他の層と配向性が異なる。 （もっと読む）

【課題】発光量はさほど高くないが、サブナノ〜数ナノ秒という極めて短い蛍光寿命を示すシンチレータと、低発光量の光に対しても高い感度を有するとともに応答速度が速い受光素子とを組み合わせた高速応答の放射線検出器および放射線検査装置を提供する。
【解決手段】励起子発光シンチレータ２２とガイガーモードＡＰＤ２３とを組み合わせる。励起子発光シンチレータ２２は、ZnO、Al:ZnO、Ga:ZnO、In:ZnO、Cd:ZnO、Mg:ZnO、RE:ZnO（RE=希土類元素：Sc、Y、ランタノイド）、ZrO₂、HfO₂、GaN、Si:GaN、Ge:GaN、Sn:GaN、Pb:GaN、In:GaN、Al:GaN、Yb:Y₂O₃、Gd₂O₃、Sc₂O₃、Lu₂O₃のうち、少なくともいずれか一種類を含み、励起子による0.05ナノ秒〜10ナノ秒の蛍光寿命を有している。 （もっと読む）

【課題】アンダーカットに自然酸化膜が形成されるのを防止し、素子の信頼性を向上できるイメージセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に従うイメージセンサの製造方法は、半導体基板１００の上に配線１５３を含む層間絶縁層１６０を形成するステップと、上記層間絶縁層１６０の上に第１ドーピング層２１０及び第２ドーピング層２２０が積層されたイメージ感知部２００を形成するステップと、上記イメージ感知部２００及び層間絶縁層１６０を貫通して上記配線１５３を露出させるビアホール２３５を形成するステップと、上記ビアホール２３５が形成された上記半導体基板１００に洗浄工程を進行するステップと、を含み、上記ビアホール２３５を形成する時、上記イメージ感知部２００にアンダーカット１７０が発生して、上記洗浄工程で上記アンダーカット１７０に形成された自然酸化膜を除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光電変換部への集光効率を高めながら、光電変換部の上における寄生容量の増大を抑制する。
【解決手段】光電変換装置は、光電変換部と、前記光電変換部へ光を導く導波路構造とを備え、前記導波路構造は、前記光電変換部の上方に配され、第１の絶縁物より屈折率の高い第１の物質の側面が前記第１の絶縁物で囲まれた上部構造と、前記光電変換部と前記第１の物質との間に第２の絶縁物より屈折率の高い第２の物質が配され、前記第２の物質の側面が前記第２の絶縁物で囲まれた下部構造とを含み、前記第２の物質の誘電率は、前記第１の物質の誘電率より低い。 （もっと読む）

【課題】 混色が少なく、画素容量（飽和信号量）が大きく、かつ、残像が少ない固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】 固体撮像装置は、第１導電型半導体基板１と、第１導電型半導体基板１上に形成された第２導電型半導体層２と、第１導電型半導体基板１とコンタクトするように第２導電型半導体層２内の下部側に選択的に形成された第１の第１導電型半導体領域３と、第１の第１導電半導体領域３およびその周囲の第２導電型半導体層２を含む画素領域を規定する、第１の第１導電型半導体領域３にコンタクトせずに第２導電型半導体層２を貫通する第１導電型画素分離領域６とを備えている。 （もっと読む）