【課題】検出感度が高く、大面積化が可能な赤外線検出素子、赤外線検出装置及び赤外線検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】遠赤外線〜中赤外線を透過し、近赤外線〜可視光を反射する反射部１と、反射部１を透過した遠赤外線〜中赤外線により電子が励起されて、光電流が生成される量子ドット構造を多重に積層した光電流生成部２と、光電流生成部２で生成された光電流の電子が注入されて、正孔と再結合させることにより、近赤外線〜可視光を放出する量子井戸構造を多重に積層した発光部３と、発光部３から放出された近赤外線〜可視光を検出すると共に、発光部３から放出されて、反射部１で反射された近赤外線〜可視光を検出する光検出部４とを有し、反射部１、光電流生成部２及び発光部３を、半導体の基板上に積層したIII−Ｖ族化合物半導体から構成する。 （もっと読む）

本発明は、有機フォトダイオード中の光活性層のための新規な材料、当該材料の使用及び有機フォトダイオードに関する。本発明は、有機光活性色素、即ち、電子供与体成分としての、そして従って、“バルクへテロ接合”のための高分子正孔伝導体に対する代替物としての、供与体置換された芳香族置換基を有するスクアライン、当該有機フォトダイオード中の有機活性層（４）のための材料、を開示している。 （もっと読む）

【課題】ＳＮ比を向上させることができる固体撮像装置内視鏡を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１００は、複数の画素部を有し、画素部が、画素電極１０４と、画素電極の上方に設けられ、受光した光に応じて電荷を生成する光電変換層を含む有機層１０７と、有機層の上方に複数の画素部で共有に設けられた対向電極１０８と、対向電極を覆う封止層１１０と、封止層の上方に設けられたカラーフィルタＣＦと、画素電極に捕集された電荷に応じた信号を読出す読出し回路１１６と、カラーフィルタを透過する光を、該カラーフィルタが配置された画素部に対応する光電変換層へ導く集光手段１１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】所定のアドレスに配置された光電変換素子の周辺に配置された光電変換素子に反射光が入射してしまうことによって生ずる解像度（分解能）の低下（周辺ボケ）を防止することを目的とする。
【解決手段】第１の透光性基板と、第１の透光性基板上に設けられた複数の光電変換素子と、前記複数の光電変換素子に対向して設けられた第２の透光性基板と、前記第１の透光性基板と第２の透光性基板とを接着し前記複数の光電変換素子を囲って配置されたシール材と、を有する構造を形成し、前記第１の透光性基板をウェットエッチングすることにより、前記第１の透光性基板を薄くする。 （もっと読む）

【課題】本発明は反射防止膜を有するイメージセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】反射防止イメージセンサは、基板と、前記基板内に配置された第１カラーセンシングピクセルと、前記基板内に配置された第２カラーセンシングピクセルと、前記基板内に配置された第３カラーセンシングピクセルと、前記第１、第２および第３カラーセンシングピクセル上に直接配置された第１層と、前記第１、第２および第３カラーセンシングピクセル上に置かれ、前記第１層上に直接配置された第２層と、前記第１カラーセンシングピクセルまたは第２カラーセンシングピクセルの少なくとも一つの上に置かれ、前記第２層の一部上に直接配置された第３層とを含み、前記第１層は第１屈折率を有し、前記第２層は前記第１屈折率より大きい第２屈折率を有し、前記第３層は前記第２屈折率より大きい第３屈折率を有する。 （もっと読む）

【課題】
簡易な設備で作製可能で、高効率な有機光電変換素子、及び、これを含むイメージセンサを提供することを課題とする。
【解決手段】
陰極、陽極、及び前記陰極及び前記陽極の間に形成される有機半導体層を含む有機光電変換素子であって、前記有機半導体層は、電子供与性の有機材料と電子受容性の有機材料との混合比が段階的に設定される４層以上の混合層を有する。 （もっと読む）

【課題】複数の層内レンズと多層配線構造とを少ない工程で製造することに適した光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換装置は、光電変換部をそれぞれ含む複数の画素が配列された画素配列領域と前記画素配列領域の周辺に配された周辺領域とを有する光電変換装置であって、半導体基板の上に配され、前記画素配列領域の配線層の数よりも前記周辺領域の配線層の数が多い多層配線構造と、前記画素配列領域における前記多層配線構造の上に配された複数の層内レンズとを備え、前記複数の層内レンズのそれぞれは、第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体を覆うように配され、前記第１の絶縁体より高い屈折率を有した第２の絶縁体とを含み、前記複数の層内レンズのそれぞれにおける前記第１の絶縁体と、前記多層配線構造における前記周辺領域の最上の層間絶縁膜とは、同じ材料で形成されている。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子（フォトダイオード）のバイアス依存性を排除することができる光電変換回路及び光電変換素子を提供する。
【解決手段】 第１制御ラインＬ１と第２制御ラインＬ２との間に光電変換素子ＰＤとダイオード素子Ｄとを互いに逆方向にかつ直列に接続する。ダイオード素子Ｄを順方向にバイアスすることで光電変換素子ＰＤのカソード・アノード間に所定の電圧を与える。これによって、複数の光電変換素子ＰＤには所定の電圧が与えられ、複数の光電変換素子のバイアス依存性を排除する。 （もっと読む）

【課題】 光電変換装置のコンタクトホール形成時に光電変換部が金属あるいは高融点金属で汚染されないようにすること。
【解決手段】 画素領域と周辺回路領域とを有する光電変換装置の製造方法であって、
前記周辺回路領域のＭＯＳトランジスタの拡散層あるいはゲート電極の表面と高融点金属とを反応させて、半導体化合物層を形成し（図２（Ｃ））、前記画素領域と前記周辺回路領域に絶縁層を形成する（図２（Ｄ））。前記画素領域の拡散層を露出するように前記絶縁層にコンタクトホールを形成し（図２（Ｄ））、異なるタイミングで、前記周辺回路領域に形成された前記半導体化合物層を露出するように前記絶縁層にコンタクトホールを形成する（図３（Ａ））。後で形成されるコンタクトホールに先立って、先に形成されるコンタクトホールにコンタクトプラグを形成する（図３（Ａ））。 （もっと読む）

【課題】高い均一性を備える銀薄膜を熱処理により凝集させて凸凹を形成する場合、温度や表面状態により、一箇所に凝集し、銀薄膜が無くなってしまう領域と、銀が「だま」状に集中してしまう場所ができてしまう場合がある。この場合、本来の目的である乱反射領域にはならず、不良品となる課題がある。
【解決手段】多結晶ＩＴＯ層２０ａを積層し、フォトリソグラフ工程によりレジストマスクを形成した後、多結晶ＩＴＯ層２０ａを例えば塩酸系のエッチング液を用いてエッチングする。ここで、レジストマスクに覆われた部分は配線層として機能する。この場合粒界から選択的にエッチングが進行し、特定の面方位のグレインが残り、エッチングマスクとして機能する残渣２０ｂが形成される。この残渣２０ｂをマスクとして第２層間絶縁層１９をドライエッチングすることでテクスチャー構造を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】暗電流の発生の少ない光電変換素子及び固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】 導電性膜と、光電変換膜と、透明導電性膜とを含む光電変換素子であって、前記光電変換膜が、結晶化したフラーレン又はフラーレン誘導体を含み、前記結晶化したフラーレン又はフラーレン誘導体が、前記導電性膜の膜面に対して垂直に（１１１）方向に配向している、電変換素子。 （もっと読む）

【課題】高い励起効率と光子取り出し効率の両方を兼ね備え、バックグラウンド雑音が少ない単一光子発生装置を提供する。
【解決手段】量子ドット４が上部半導体層２と下部半導体層３の間に埋め込まれ、その上部の金属遮光膜５に、開口から金属突起１１〜１４が張り出した構造を持つ突起付開口６が形成されている。励起光源２１から発せられたＹ方向の偏光を有する励起光は、金属突起１３、１４からなるアンテナＹに共鳴して、量子ドット４を励起する。その後の量子ドットからの発光は、金属突起１１、１２からなるアンテナＸに結合し、Ｘ偏光の光子として外部に取り出される。 （もっと読む）

【課題】印加電圧を増加させることなく、各フォトダイオードからの出力を増加することが可能なフォトダイオードアレイの提供。
【解決手段】アレイの構造は、半導体基板１Ｎとキャパシタ用電極Ｅ２との間に絶縁層Ｌを介してキャパシタＣ１が形成されている。また、Ｎ型の半導体基板１ＮとＰ型の第１半導体領域１ＰＡとの間に、ＰＮ接合が構成されることで、フォトダイオードＤ１が形成され、半導体基板１Ｎは第１電極Ｅ１に電気的に接続され、第１半導体領域１ＰＡは、第２半導体領域１ＰＢを介して、表面電極Ｅ３に接続されている。これらのフォトダイオードＤ１とキャパシタＣ１とは並列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】表面表域の注入プロファイルのばらつきを抑制する。
【解決手段】半導体基板の上に第１の絶縁膜２０２ｉを形成する第１の工程と、前記第１の絶縁膜の上に導電層を形成し、ゲート電極２０３を形成する第２の工程と、前記ゲート電極をマスクとして前記第１の絶縁膜の露出した表面をエッチングする第３の工程と、前記第１の絶縁膜におけるエッチングされた部分を介して第１導電型の不純物イオンを前記半導体基板に注入することにより、光電変換部における電荷蓄積領域となるべき半導体領域２０６ｉを形成する第４の工程と、前記第４の工程の後に、前記薄膜化された部分を除去する第５の工程と、前記半導体基板及び前記ゲート電極を覆うように第２の絶縁膜２０７を形成する第６の工程と、前記第２の絶縁膜を介して第２導電型の不純物イオンを前記半導体基板に注入することにより、前記光電変換部における表面領域２０８を形成する第７の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの受光量の測定において、増幅トランジスタの特性に起因した測定誤差およびノイズに起因した測定誤差を十分かつ確実に低減する。
【解決手段】同一の基板１上に形成された画素回路Ｐｉｊと差分回路６０とを備える光センシング回路１００を提供する。画素回路Ｐｉｊは、フォトダイオード１１と、フォトダイオード１１のカソード電極１１ｃと接続されたゲート電極１２ｇを有する増幅トランジスタ１２とを備え、ゲート電極１２ｇの電位が一定の第１電位ＶＤＤとなるリセット状態と、ゲート電極１２ｇの電位が受光量に応じて変動する非リセット状態とを有し、ゲート電極１２ｇの電位に応じた電流を出力する。差分回路６０は、画素回路Ｐｉｊの出力電流を用いてゲート電極１２ｇの電位に応じた電位を読み出し、リセット状態のときに読み出した電位と、非リセット状態のときに読み出した電位との差分を求める。 （もっと読む）

【課題】製造の容易化、集光特性の向上を図る。
【解決手段】ＳＯＩ基板３１０の上部の単結晶シリコン層３１２内に、光照射面となる単結晶シリコン層３１２表面から同基板の酸化シリコン層３１１の方向に光電変換素子３２０を形成し、単結晶シリコン層３１２上部に、第１の支持基板３３０を形成し、ウェーハを反転して、ＳＯＩ基板３１０及び酸化シリコン層３１１を除去し、単結晶シリコン層３１２の第１の支持基板３３０と反対側の面に配線層を形成し、配線層上に、第２の支持基板を貼り合わせ、ウェーハを反転して、第１の支持基板３３０を除去する。 （もっと読む）

【課題】暗電流があっても高いＳＮ比の信号もしくは鮮明な画像を得ることができる、小型化された近赤外イメージセンサを提供する。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１上に形成され、受光層３を有する１つまたは複数の受光素子と、近赤外光の入射側に位置する変調部５０と、後ろ側に位置する信号処理部７０とを備え、受光層３のバンドギャップ波長が、１．２μｍ以上３μｍ以下であり、変調部５０は、シリコンを主成分とするＭＥＭＳで形成されて、１つまたは複数の受光素子をカバーして、該受光素子と一体化しており、そして信号処理部７０は、受光素子の信号を読み出す信号読み出し回路、および当該受光素子からの信号を検出する信号検出部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極を構成する材料に起因して生じる内部応力を緩和することで、光電変換効率を向上できる光電変換素子及び撮像素子を提供する。
【解決手段】基板Ｓ上に、下部電極１１と、光電変換層１２と、透明電極材料を含む上部電極１５とをこの順に積層させた光電変換素子であって、上部電極１５と光電変換層１２との間に、透明電極材料の応力を緩和させる結晶層１６を備える。 （もっと読む）

【課題】ＰＩＮ構造を有する光電変換素子を、ＣＶＤ法を用いて形成する場合、Ｐ層やＮ層の不純物の混入を避けるために、各々の層毎にチャンバーを分けて形成することが必要となる。この場合にはチャンバーが３つ必要となり、設備投資が大きくなるという課題がある。また、Ｉ層と半導体以外の領域が接触することで、界面欠陥起因の電荷発生により、黒浮きが生じる課題がある。
【解決手段】Ｉ型半導体層２０８を、ＣＶＤ法により得られたＮ⁺層２１０と、イオン注入法で形成されたＰ⁺層２０７で包んだ。Ｉ型半導体層２０８は半導体以外の領域と接触しない。そのため、界面欠陥起因の電荷発生を抑制することができる。また、Ｐ⁺層２０７をイオン注入法で形成することで、２つのチャンバーを備えたＣＶＤ装置を用いることが可能となり、設備投資を抑えることが可能となった。 （もっと読む）

【課題】暗電流を抑制すると共に、負の固定電荷を有する層の特性の制約を緩和することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換が行われるフォトダイオードが形成された半導体層２と、少なくともフォトダイオードが形成された領域の半導体層２上に形成された負の固定電荷を有する第１の膜２１と、この負の固定電荷を有する第１の膜２１上に形成された、負の固定電荷を有する第１の膜２１とは異なる材料から成る、負の固定電荷を有する第２の膜２２とを含む固体撮像素子１を構成する。 （もっと読む）