欠陥密度が低減された能動領域など所定のエピタキシャル領域を有した半導体デバイスを製作する方法は、
（ａ）第１の材料の単一結晶体の主表面上に、誘電性クラッド領域を形成する工程と、
（ｂ）クラッド領域中に第１の深さまで延びる第１の開口を形成する工程と、
（ｃ）第１の開口内において、第１の深さより深い第２の深さまで延び、単一結晶体の主表面の下にある部分を剥き出しにする、より小さい第２の開口を形成する工程と、
（ｄ）各開口中およびクラッド領域の上部上に、第２の半導体材料の領域をエピタキシャル的に成長させる工程と、
（ｅ）第２の開口内およびクラッド領域の上部上で成長したエピタキシャル領域に、欠陥を閉じ込め、第１の所定の領域が、第１の開口内に配置されて本質的に欠陥がないように、第２の開口の寸法を制御する工程と、
（ｆ）デバイスの上部を平坦化して、クラッド層の上部の上に延在するエピタキシャル領域をすべて除去し、それによって第２の開口中に成長した第１の所定の領域の上部を、ぜひともクラッド領域の上部と同一平面にさせる工程と、
（ｇ）デバイスの組み立てを完成させるために、追加の工程を実施する工程とを含む。さらに記述されるのは、この方法によって製造される光センサやＭＯＳＦＥＴなどのユニークなデバイス、ならびにそれらデバイスの性能を高めるユニークな接触構成である。
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本発明は、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＡｓ_zＳｂ_1-zを含有し、ここでパラメータx, y, zは、バンドギャップが３５０ｍｅＶよりも小さくなるよう選定されている半導体素子に関する。この場合、半導体素子はメサ形構造を有しており、このメサ形構造の少なくとも１つの側面に、少なくとも部分的にＡｌ_nＧａ_1-nＡｓ_mＳｂ_1-mを含有するパッシベーション層が設けられており、ここでパラメータnは０．４〜１の範囲から選択され、パラメータmは０〜１の範囲から選択される。
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特に、埋め込まれた領域（２０）と、埋め込まれた領域（２０）に通じる端子領域（３２）とを含む集積されたピンフォトダイオードを製造する方法に関する説明が与えられる。本発明による製造方法は、１つの伝導型のドーピングされた領域（２０）を生成するステップと、基板から遠いドーピングされた領域（４２）を生成するステップと、中間領域（３０）を生成するステップと、少なくとも１つの導電性端子領域（３２）を生成するステップとを含む。本製造方法は、ピンフォトダイオード（１４）が単純な方法で集積されることを可能にする。さらに、ピンダイオードを製造するプロセスステップはまた、遮蔽ウェル（２２、５６）を製造するためにも利用され得る可能性がある。
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【課題】 暗電流に対する光電流比率を高める。
【解決手段】 障壁層であるＡｌＧａＡｓ層１０３ａ−１〜１０３ａ−ｎと量子井戸層であるＧａＡｓ層１０３ｂ−１〜１０３ｂ−（ｎ−１）からなる多重量子井戸１０３を有した光検知装置１００において、障壁層であるＡｌＧａＡｓ層１０３ａ−１〜１０３ａ−ｎに光電流及び暗電流のもとになるキャリアの移動度に制限を加えるための不純物（Ｓｉ）をドーピングしたことで、光入射時にキャリア濃度が増加すると、スクリーニング効果により実効的な不純物濃度が低くなり、キャリアの移動度が光非入射時よりも上がるため、暗電流に対する光電流比率が高まる。 （もっと読む）

【課題】高感度のカラーフィルターセンサーを微細に簡便なプロセスで製造すること。
【解決手段】半導体基板上に少なくとも２つの垂直に積層した感光性センサーを含む垂直カラーフィルターセンサー群を形成する。センサー群は、フィルターを通して又はフィルターから反射した放射線が少なくとも１つのセンサーへ伝播するようにセンサーに対して配置した少なくとも１つのフィルターを含む。フィルターは半導体集積回路製造プロセスによってセンサーで集積化された層を含む。また、センサー群はマイクロレンズを含む。本発明の他の観点は、垂直カラーフィルターセンサー群のアレイであり、それらの1部又はすべては少なくとも１つのフィルターまたはマイクロレンズ、および垂直カラーフィルターセンサー群とそれらのアレイの製造方法を含む。さらにセンサー群を集積化したウエハ同士の結合構造も含む。 （もっと読む）

テルル化カドミウム水銀（ＣＭＴ）を製造する方法が開示される。方法は、分子ビームエピタキシ（ＭＢＥ）によって１つまたは複数のバッファ層を基板上に成長させることを含む。その後、ｘを０と１を含めて、その間としてテルル化カドミウム水銀Ｈｇ_１−ｘＣｄ_ｘＴｅの少なくとも１つの層が、有機金属気相エピタキシ（ＭＯＶＰＥ）によって成長される。バッファ層を成長させるためにＭＢＥを使用することにより、ある範囲の基板がＣＭＴ成長に使用されることが可能になる。ＭＢＥバッファ層は、ＣＭＴの後続のＭＯＶＰＥ成長について正確な配向を提供し、また、ＭＯＶＰＥ中のＣＭＴの化学汚染および基板の侵食を防止する。方法は、ＣＭＴ層のデバイス処理が、結晶ＣＭＴ層および／またはパッシベーション層の他のＭＯＶＰＥ成長と共に実施されることをも可能である。本発明は、この方法によって形成される新規なデバイスにも関する。
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