【課題】光電変換層におけるクラックの発生を抑制することが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極２，４と、一対の電極２，４に挟まれた光電変換層３とを含む光電変換素子１００であって、電極２と光電変換層３との間に、電極２の光電変換層３側の表面の凹凸を緩和する凹凸緩和層５を備える。 （もっと読む）

【課題】暗電流を少なくすることで画質が良く、生産効率の良い光電変換素子、この光電変換素子を用いた撮像装置及び放射線撮像装置を提供する。
【解決手段】Ｉ型半導体の両側が電極で挟まれて成る光電変換素子において、前記電極の一方が前記Ｉ型半導体をＮ型半導体にするドーパントを含み、該ドーパントの移行により形成されるＮ型半導体層を有する構成、及び、前記電極の他方が前記Ｉ型半導体をＰ型半導体にするドーパントを含み、該ドーパントの移行により形成されるＰ型半導体層を有する構成、の少なくとも一方の構成を有する。 （もっと読む）

【課題】高受光感度のモニター用フォトダイオードと、高速・高性能のトランジスタを同一の半導体基板上に混載することができるようにする。
【解決手段】低濃度のｐ型のシリコン基板１と、シリコン基板１上に選択的に形成された高濃度のｎ型カソード層１９のＰＮ接合により構成されたモニター用フォトダイオードと、マイクロミラー部３に、シリコン基板１をエッチングすることにより形成された第一の斜面１０と第二の斜面１１およびミラー底面１２で構成された第一の斜面１０からの入射光に対する受光素子であり、第一の斜面１０と第二の斜面１１はシリコン基板１の主面に対して所定の角度を持ち、ミラー底面１２はシリコン基板１の主面に対して平行であることと、シリコン基板１とｎ型カソード層１９のＰＮ接合で形成される空乏層２０ａと、第一の斜面１０で形成される空乏層２０ｂが接続したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に積層した上部構造層に光入射用の開口部を設けた光検出器の製造において、上部構造層の上面のシリコン窒化膜を保護するために塗布されるポリイミド膜が開口部に厚く溜まり除去しにくい。
【解決手段】上部構造層８６の表面に平滑化膜１４０を塗布し、開口部１１６の開口端の角部１４２を滑らかに覆う。平滑化膜１４０をエッチングし、平滑化膜１４０の膜厚が薄い開口端にて露出する角部１４２を当該エッチング処理で削る。これにより開口部１１６の開口端を拡大する。平滑化膜１４０を剥離後、ポリイミド膜を塗布する。開口端の拡大により、ポリイミド膜が開口部１１６内に厚く溜まることが防止され、開口部１１６からの除去が容易となる。 （もっと読む）

【課題】微細化に際しても更なる集光効率の向上をはかり、入射光のしみだしを低減し、光学特性にすぐれた固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板に、光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを形成する工程と、前記光電変換部の受光領域に相当する領域に開口するクラッド部となる絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に形成された前記開口内に、加熱触媒ＣＶＤ法により前記絶縁膜よりも高屈折率を持つ材料を成膜しコア部を形成する工程とを含み、コア部の形成に、加熱触媒ＣＶＤ法を用いることにより、アスペクト比の高い開口内にも、ボイドを形成することなく、容易に膜質の良好な高屈折率材料の充填が可能となる。また塗布膜に比べて膜質が良好で、緻密であるため、剥離や収縮などを生じるおそれもない。 （もっと読む）

【課題】ドーパントの影響を回避しつつ、高導電性半導体層に被覆された電極の形成に要する工程数を削減可能な製造技術を提供すること。
【解決手段】半導体素子を構成する電極を製造する方法であって、少なくとも一方面が絶縁性無機物からなる基板(10)上に、所定形状に整形された導電膜(16)形成する第１工程と、上記導電膜の表面にドーパントを含んだ液体シリコン材料(52,54)を塗布する第２工程と、上記液体シリコン材料を熱処理によって固化させることにより上記ドーパントが添加された導電性シリコン膜(18,20)を形成する第３工程と、を含む、半導体素子用電極の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】最適な方法で信号を読み出すことのできる積層型の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】第一電極膜１１と、第一電極膜１１に対向する第二電極膜１３と、第一電極膜１１と第二電極膜１３の間に配置される光電変換膜を含む光電変換層１２とからなる光電変換部を有する光電変換素子であって、第二電極膜１３上方から該光電変換膜に光が入射されるものであり、該光電変換膜は、第二電極膜１３上方からの入射光に応じて電子と正孔を発生しするものであり、第一電極膜１１を電子の取り出し用の電極とした。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、光電変換効率が高く、さらに吸収の半値幅が狭く色再現に優れた光導電膜、光電変換素子、及び撮像素子（好ましくはカラーイメージセンサー）を提供する。
【解決手段】下記一般式(１)で表される化合物を少なくとも一つ含む光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法、及び印加した素子。
一般式（１）
【化１】


式（１）中、R_１１〜R_１４は各々水素原子または置換基を表し、X_１１、X_１２は各々置換もしくは無置換の炭素原子、置換もしくは無置換の窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子を表し、Y_１１〜Y_１４は各々置換もしくは無置換の炭素原子、置換もしくは無置換の窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子を表す。 （もっと読む）

光学検出器を製造する方法において、光学導波器が形成された基板であって、マイクロエレクトロニック回路を製造するための表面を有する基板を用意するステップと、上記基板にマイクロエレクトロニック回路を製造するステップであって、上記製造が複数の逐次プロセス段階を含むようなステップと、上記複数の逐次プロセス段階の選択された１つが行われた後であって、且つ上記複数のプロセス段階の上記選択された１つの後の、次のプロセス段階が開始する前に、上記光学導波器内に光学検出器を製造するステップと、上記導波器内に上記光学検出器を製造した後に、上記マイクロエレクトロニック回路を製造するための上記複数の逐次プロセス段階を完了するステップと、を備えた方法。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡単化した積層型ダイオードを提供する。
【解決手段】下部電極４と上部電極（ＩＴＯ１０）との間に、ｐ型、ｉ型，ｎ型半導体層またはｎ型、ｉ型，ｐ型半導体層を積層した積層型ダイオードにおいて、前記下部電極４の上表面が所定導電型となる元素のドーパントを含んだガス中でプラズマ処理してこのプラズマ処理面上に設けたノンドープ半導体層（５）の前記プラズマ処理面との接触面を前記導電型に形成した構造を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の深さ方向に複数のフォトダイオードを設け半導体の光吸収係数の波長依存性を利用してカラー信号を分離して検出する撮像素子で、暗電流を低減する。
【解決手段】 信号読出回路１１７，１１８に接続される高濃度不純物領域１０７，１０８が表面部に形成された半導体基板１０１と、半導体基板１０１の浅部に形成された青色光検出用のフォトダイオード１０２，１０３，１０４と、半導体基板１０１の深部に形成された赤色光検出用のフォトダイオード１０４，１０５，１０６とを備える単板式カラー固体撮像素子１００において、各フォトダイオードの夫々に連設され半導体基板の表面に露出する接続領域であってフォトダイオードの蓄積電荷を対応の前記高濃度不純物領域１０７，１０８に移動させる接続領域１０３ａ，１０５ａを、高濃度不純物領域１０７，１０８に接する部分にのみ形成する。 （もっと読む）

【課題】 既存の材料で光電変換膜を形成できる光電変換膜積層型カラー固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１０１の上層に緑色光を吸収して光電荷を発生させる光電変換膜１０を積層すると共にシリコン基板１０１の深さ方向の浅部と深部とに夫々フォトダイオードを形成し、シリコンの光吸収係数の波長依存性により該シリコン基板に浸入する光を青色光と赤色光の２色に分離し、シリコン基板１０１の浅部で発生した光電荷を浅部のフォトダイオードで検出してこれを青色光による信号とし、シリコン基板１０１の深部で発生した光電荷を深部のフォトダイオードで検出してこれを赤色光による信号とする光電変換膜積層型カラー固体撮像素子において、光電変換膜１０とシリコン基板１０１との間に、光電変換膜１０を透過しフォトダイオードに入射する光の各色光強度を調整するトリミング層１１１を設ける。 （もっと読む）

【課題】 １種類の量子ドット構造のみを用いて複数の波長の光を検知する。
【解決手段】 量子ドット１３を有する複数の量子ドット層１２を設け、複数の量子ドット層１２と交互に積層され、複数の量子ドット層１２を埋め込む複数の障壁層１４を設ける。そして、第１の一対の電極１６、１７を複数の障壁層１４に対して垂直に設け、第２の一対の電極１８、１９を複数の障壁層１４に対して平行に設ける。このようにすると、第１の一対の電極１６、１７に印加された電界に応じ、光を吸収してキャリアを放出する量子ドット１３の電子エネルギポテンシャルを変更できるので、検知する光の波長を変更できる。 （もっと読む）

【課題】 同一基板に集積回路および受光素子を搭載する光半導体装置において、受光素子端の反射光による影響で受光素子出力のばらつきを低減する。
【解決手段】 同一の半導体基板１に集積回路を構成するトランジスタＡ１および受光素子Ａ２を搭載する光半導体装置であり、受光素子３上に基板表面に対して４５度以下の斜面を持つ開口部２３を有する第１層間絶縁膜１４および第２層間絶縁膜１５を形成し、第１層間絶縁膜１４および第２層間絶縁膜１５における開口部２３の斜面上に、反射膜１８を形成する。これにより、受光素子端面の反射光が受光素子に入射しなくなり、設計値通りの光が入射することになり、受光素子特性のばらつきが低減する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＰ研磨を行うことによって残留するスラリー中に含まれるカリウム元素のシリコン基板側への拡散を抑制し、感度や画質の劣化を抑制することができるＣＭＯＳ型固体撮像素子及びこうしたＣＭＯＳ型固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 マトリクス状に配列された受光部７と、受光部の垂直列毎に設けられた各受光部から電荷を転送する転送部とを有する撮像部が形成されたＮ型シリコン基板１と、Ｎ型シリコン基板上に形成されたＣＭＰ処理が施され、その表面にカリウム元素が残留する第１の配線間絶縁膜１１を備えるＣＭＯＳ型固体撮像素子１００において、Ｎ型シリコン基板１と第１の配線間絶縁膜１１の間に第１の拡散防止膜３０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ｐ−ＭＯＳプロセスによって駆動回路と同時に作り込むことが可能で、しかも特性に優れた光電変換素子を提供する。
【解決手段】 ｐ型不純物が注入された一対のｐ＋領域４，５と、ｐ＋領域４，５の間に配されｐ＋領域よりもｐ型不純物の濃度が低いｐ−領域（受光層１０）とを有し、ｐ−領域上にゲート絶縁６膜を介してゲート電極７が形成されてなるｐ−ＭＯＳ構造の光電変換素子である。ゲート電極７の幅Ｗがｐ−領域の幅よりも小であり、ゲート電極下のｐ−領域が受光層１０として機能するとともに、ゲート電極下から外れた部分のｐ−領域がＬＤＤ領域８，９として機能する。この光電変換素子を駆動回路用の薄膜トランジスタ（ｐチャンネルＴＦＴ）と同一基板上に作り込むことで、低コストで入力機能付き表示装置が実現される。 （もっと読む）

【課題】 光検出感度を従来に比して向上可能な光検出素子を製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】 内部に光電変換部を有する半導体基板１と、半導体基板１の表面上に設けられた２０ｎｍ未満の厚みを有する第１絶縁体層２と、第１絶縁体層２上に設けられた第２絶縁体層３とを備えた光検出素子の製造方法において、第1及び第２絶縁体層を形成す光検出素子の製造時に紫外線を照射すると、照射後の感度が照射前の感度に対して増加する。 （もっと読む）

【課題】 安定した開放端電圧の向上をはかられ、かつ膜厚・膜質・効率の基板面内分布に優れた高性能で安価な積層型薄膜光電変換装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ｉ層が結晶質シリコンであるｐｉｎ接合をふくむ薄膜光電変換装置であって、該ｉ層は構成元素としてシリコン、及び炭素を含み、かつ、その原子比率である炭素とシリコンの比（Ｃ／Ｓｉ比）が０．０２〜０．２０％である領域が該ｉ層中に少なくとも一部存在することを特徴とする薄膜光電変換装置及び、前記ｉ層製膜時の炭素含有ガスとシリコン含有ガスの元素供給比（Ｃ／Ｓｉ供給比）が０．１〜８．０％である薄膜光電変換装置の製造方法。 （もっと読む）

フォトダイオードアレイは、光の入射面側にｐｎ接合型の複数のフォトダイオードがアレイ状に形成され、入射面の反対面が（１００）面からなる半導体基板と、フォトダイオード同士に挟まれた領域に形成され、半導体基板の入射面側から反対面側までを貫通した貫通孔と、入射面から貫通孔の壁面を通じて反対面まで連なる導電体層とを備え、貫通孔は入射面側に入射面に対して略垂直に形成された垂直孔部と反対面側に形成された四角錐形状の孔部とが、半導体基板内部で連結されることによって形成されており、四角錐形状の孔部の壁面が（１１１）面となっていることを特徴とする。
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【課題】 少なくとも一つの活性有機層を備えた電子構成要素を製造する。
【解決手段】 有機構成要素を巻回プロセスにて製造し得る方法を最初に開示する。連続的な製造方法は、活性半導体層の活性領域が、製造プロセスの任意の時点にて未保護の溶媒、及び／又は溶媒蒸気に露出されない利点を有している。それによって、高品質の有機構成要素を製造することが可能となる。 （もっと読む）