【課題】優れた光電変換効率を有する光電変換素子を提供する。
【解決手段】基板Ｔ上に形成された２つの電極Ｙ間に、導電性高分子ｄと電子受容体ａを含有する光電変換層Ｅを有する光電変換素子Ｐであって、該導電性高分子ｄが、下記一般式（１）で示されるポリセレノフェン誘導体を含有することを特徴とする、光電変換素子を用いることで優れた光電変換効率を達成する。
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【課題】シリコンフォトダイオードアレイであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオードアレイを提供すること。
【解決手段】フォトダイオードアレイＰＤＡ１は、複数の光検出チャンネルＣＨがｎ型半導体層３２を有する基板Ｓを備える。フォトダイオードアレイＰＤＡ１は、ｎ型半導体層３２上に形成されたｐ⁻型半導体層３３と、光検出チャンネルＣＨ毎に設けられると共に信号導線２３に一端部が接続される抵抗２４と、複数の光検出チャンネルＣＨの間に形成されるｎ型の分離部４０とを備える。ｐ⁻型半導体層３３は、ｎ型半導体層３２との界面でｐｎ接合を構成し、被検出光の入射によって生じたキャリアをアバランシェ増倍させる増倍領域ＡＭを光検出チャンネルに対応して複数有する。ｎ型半導体層３２の表面には不規則な凹凸１０が形成されており、当該表面は光学的に露出している。 （もっと読む）

【課題】有機光電変換材料で構成される光電変換層に形成した複数の光電変換素子の直列接続構造を製造容易な形で実現できる光電変換デバイス及び光電変換デバイスの製造方法を得ることを目的とする。
【解決手段】光過性基板上に、光透過性のｎ個（但しｎは２以上の整数）の第１電極と、空隙を有せずに一括形成された有機光電変換材料からなる１つの光電変換層と、前記第１電極とは異なる材料を用いたｎ個の第２電極とがこの順に積層され、ｋ番目（但し１≦ｋ≦ｎ−１）の前記第１電極及び前記第２電極に挟まれた前記光電変換層にｋ個目の光電変換素子が形成される場合に、ｋ番目の前記第２電極と（ｋ＋１）番目の前記第１電極は、前記光電変換層が存在しない領域にて接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】暗電流を低減でき、かつ、高速応答が可能な光検出器を提供する。
【解決手段】ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２、ｉ型ｃ−Ｇｅ層３およびｐ^＋型ｃ−Ｇｅ層４が光導波路３０に近接してシリコン基板１上に積層される。光導波路３０は、クラッド２０に接してクラッド２０上に形成されている。ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２の膜厚（０．６μｍ）がクラッド２０の厚み（１．４μｍ）よりも薄く、かつ、ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２の膜厚とｉ型ｃ−Ｇｅ層３の膜厚との合計（２．０μｍ）がクラッド２０の厚みと光導波路３０の厚みとの合計（１．７μｍ）よりも大きい。その結果、光導波路３０中を伝搬する光は、光検出器１０のｉ型ｃ−Ｇｅ層３へ入射され、ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２およびｐ^＋型ｃ−Ｇｅ層４へ入射されない。 （もっと読む）

【課題】光電変換層のエッチングを段階的に行うことで、端部の側面が異なるテーパ角を
有する光電変換素子を提供する。
【解決手段】ｐｉｎ型の光電変換素子はｐｎ型と比べて応答速度が高速であるが、暗電流
が大きいという欠点がある。この暗電流の一因は、エッチングで発生したエッチング残渣
が光電変換層の端部の側面に堆積し、このエッチング残渣を介して導通することによるも
のだと考えられる。そこで、従来は単一面のテーパ形状であった端部の側面を二段階のテ
ーパ形状にし、光電変換層のｐ層の端部の側面とｎ層の端部の側面が同一面上に存在しな
い構成とすることで、光電変換素子のリーク電流を低減する。 （もっと読む）

【課題】半導体層のエッジ部分の形状バラツキに起因する電流バラツキを低減すると共に特性劣化を抑制し、更に外乱の影響を防止する光センサ素子を提供することを課題とする。
【解決手段】電流方向における半導体層（真性領域３）のエッジ部分をＰ＋拡散領域にしたので、このエッジ部分がアノード電極６となり、光センサ素子の性能を決める電流がエッジ部分に流れることを防止できる。これにより、シリコンエッジの形状バラツキに起因する電流バラツキを低減すると共に特性劣化を抑制し、更に外乱の影響を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】外部環境に対しより安定した光検出機能を有する半導体装置を得ることを課題と
する。
【解決手段】第１のフォトダイオードと、遮光された第２のフォトダイオードと、ボルテ
ージフォロワ回路を含む第１の回路群と、第２の回路群と、補正用回路とを有し、第１の
フォトダイオードの出力は第１の回路群のボルテージフォロワ回路に入力され、第１の回
路群の出力は補正用回路に入力され、第２のフォトダイオードの出力は第２の回路を介し
て補正用回路に入力される。これら入力を補正用回路にて加算及び減算、もしくはそのい
ずれか一方を行うことで、第１のフォトダイオードにおける温度に起因した出力変動を除
去する。なお、第１のフォトダイオードには開放電圧が出力されるよう基準電位が供給さ
れ、第２のフォトダイオードには順方向のバイアスが印加されるよう電位が供給されてい
る。 （もっと読む）

【課題】強光を受光することで出力電流が低下した際に生じる実際の光強度とのばらつきを補正して出力することのできる光電変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光電変換素子と、光電変換素子に照射される入射光量に応じた第１の電流を流すための回路を具備する光電流出力回路と、透過率ａ（０＜ａ＜１）の遮光膜で遮光された補正用光電変換素子を具備し、補正用光電変換素子に照射される入射光量に応じた光電流を１／ａ倍にした第２の電流を流すための回路を具備する光電流補正回路と、第２の光電流と第１の電流との差に応じた第３の電流を１／（１−ａ）倍にした第４の電流を流すための回路を具備する光電流加算回路と、第１の電流及び第４の電流の和に応じた電流を増幅して出力する回路を具備する増幅回路と、とを有する。 （もっと読む）

【課題】有機光電素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の電極と、第１の電極上に形成された能動層と、能動層上に形成された第２の中間層と、第２の中間層上に形成された第２の電極と、を備え、第２の中間層が、第２の重合体と第２の有機化合物とを含有した第２の混合物を含み、且つ第２の有機化合物が、正孔輸送材料、電子輸送材料、電子ブロッキング材料及び正孔ブロッキング材料からなる群から選択される。本発明に係る有機光電素子は、溶液製造工程により製造されてなるものであり、製造工程の簡略化、薄膜成膜性の改善及び素子効率の向上に優れている。 （もっと読む）

【課題】耐久性の高い有機光電変換素子、この素子を用いた太陽電池及び光アレイセンサを提供する。
【解決手段】陰極と陽極の間に、下記一般式（１）で表される部分構造を有する低分子化合物を含有する有機光電変換素子。


〔式中、Ｚは、置換または無置換の５員または６員の芳香族環、これらの縮合芳香族環を形成するに必要な原子群を表し、Ｒ_１、Ｒ_２は、水素原子、ハロゲン原子、置換または無置換のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、シクロアルキル基、シリル基、エーテル基、チオエーテル基、アミノ基を表す。〕 （もっと読む）

【課題】光検出装置において、入射する光の照度に対するダイナミックレンジを拡大させる。
【解決手段】入射した光の照度に応じて生成される第１の電流を対数圧縮した電圧に変換することにより第１の電圧を生成する光電変換回路１０１と、第１の電圧の温度補償を行うことにより第２の電圧を生成し、第２の電圧を電流に変換することにより第２の電流を生成する温度補償回路１０２と、第２の電流に応じた発振周波数であるクロック信号を生成し、クロック信号のパルスを一定期間カウントし、一定期間におけるカウント値をデータとしたデジタル信号を生成するデジタル信号生成回路１０３と、を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】１つのチップサイズパッケージ内に含まれる複数の受光素子によって、それぞれ、異なる帯域の光成分を測定する。
【解決手段】１つのチップサイズパッケージを構成する半導体基板１０に、第１の受光素子ＰＤ１及び第２の受光素子ＰＤ２が形成されている。第１の受光素子ＰＤ１は、アモルファスシリコン層からなるシリコン薄膜１５に覆われている。シリコン薄膜１５は、可視光帯域の光成分を除去する膜厚を有している。これにより、第１の受光素子ＰＤ１は、可視光帯域以外の光成分を検出する。一方、第２の受光素子ＰＤ２は、可視光帯域から赤外線帯域に至る光成分を検出する。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ接合を形成する積層構造を有するダイオード型の紫外線センサにおいて、より高い感度を得る。
【解決手段】ＺｎＯがＮｉＯに固溶してなる酸化物半導体からなる、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２と、その一方主面の一部を覆うように形成されるものであって、ＺｎＯを含む酸化物半導体からなる、ＺｎＯ層４とを含む積層体５を備え、さらに、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２に電気的に接続される、第１の端子電極７と、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２およびＺｎＯ層４の双方に電気的に接続される、第２の端子電極８と、第１の端子電極７に電気的に接続されながら、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２内に形成される、内部電極９とを備える。積層体５には段差１１が形成され、上記接合部６は、段差１１を生じさせる立ち上がり面１２上に露出している。立ち上がり面１２は傾斜していることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードのリーク電流を抑制することができるフォトセンサを提供すること。
【解決手段】本発明に係るフォトセンサは、薄膜トランジスタ５２の上層に形成された第１パッシベーション膜４１と、ドレイン電極１３と、下部電極１４とを電気的に接続する、第１パッシベーション膜４１に設けられた開口部と、薄膜トランジスタ５２、及びフォトダイオード５１を被覆する第２パッシベーション膜４２と、第２パッシベーション膜４２の上層に形成され、当該第２パッシベーション膜４２に設けられたコンタクトホールを介して上部電極１５と電気的に接続される上層配線２３と、コンタクトホールを形成する際に上部電極１４が露出しないように、上部電極１４より上層に形成された接続膜１６と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサ素子の感度を向上可能する。
【解決手段】ｎ層４７ｎとｉ層４７ｉとｐ層４７ｐとのそれぞれを液晶パネル２００の面の法線方向ｚにおいて、順次、積層することで、フォトセンサ素子３２を形成する。ここでは、ポリシリコンよりも光吸収係数が高い微結晶シリコンによって、ｉ層４７ｉを形成する。 （もっと読む）

【課題】化学的、物理的に安定であり、使用に際しての外乱要因（例えば熱）に対しても性能が安定しており、更には、トランジスタとしての機能、発光素子としての機能、太陽電池として機能を融合し得る構成、構造を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】２端子型の電子デバイスは、第１電極３１及び第２電極３２、並びに、第１電極３１と第２電極３２の間に設けられた能動層３３を備え、能動層２０は、保護層で被覆された無機半導体微粒子から構成された複合材料の集合から成り、保護層は、無機半導体微粒子に結合した官能基を一端に有するアルキル鎖、及び、アルキル鎖の他端に結合した有機半導体分子から成り、無機半導体微粒子はｎ型導電性を有し、有機半導体分子はｐ型導電性を有し、能動層２０への光の照射によって電力が生成する。 （もっと読む）

【課題】ＵＶ−Ａ波とＵＶ−Ｂ波との２つの波長領域の紫外線量を分離して検出することが可能な紫外線センサを提供する。
【解決手段】紫外線センサが、絶縁層上の第１のシリコン半導体層に形成された、Ｐ型の不純物を高濃度に拡散させたＰ型高濃度拡散層と、Ｎ型の不純物を高濃度に拡散させたＮ型高濃度拡散層とを、第１のシリコン半導体層より厚さの薄い第２のシリコン半導体層に、Ｐ型およびＮ型のいずれか一方の型の不純物を低濃度に拡散させて形成された低濃度拡散層を挟んで対向配置した一対のフォトダイオードと、第１および第２のシリコン半導体層上に形成された層間絶縁膜と、一方のフォトダイオード上の層間絶縁膜上に形成された、ＵＶ−Ａ波以上の波長領域の光を透過させるシリコン窒化膜からなるフィルタ膜と、他方のフォトダイオード上の層間絶縁膜、およびフィルタ膜を覆う、ＵＶ−Ｂ波以上の波長領域の光を透過させる封止層とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造工程の簡略化を図る。
【解決手段】受光部上に設けられた反射防止膜４２と、この受光部の周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜４１とが、同時に成膜された共通のシリコン窒化膜４で形成されているため、膜厚の厚いゲートサイドウォール膜４１の膜厚分のシリコン窒化膜を先に形成し、その後で、画素部上のみ開口したマスクを用いて、所望の反射防止膜４２の膜厚になるように形成する。これにより、シリコン窒化膜４の成膜が１回で済む。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態によるイメージセンサは、基板にトランジスタを含んで形成された回路（ｃｉｒｃｕｉｔｒｙ）と、前記トランジスタの一側に形成された電気接合領域と、前記電気接合領域上に形成された高濃度第１導電型領域と、前記回路上側に形成されたフォトダイオードと、を含むことを特徴とする。これにより、回路（ｃｉｒｃｕｉｔｒｙ）とフォトダイオードの垂直型集積を実現することができる。 （もっと読む）

本発明は、量子トンネル効果光検出器アレイ、および、画像生成方法を提供するものである。当該光検出器アレイは、対向する第一電極および第二電極の対の配列と、それぞれの当該対における当該対向する第一電極および第二電極の間に配置された、感光性の絶縁材料と、それぞれの当該対における当該対向する第一電極および第二電極の間の、光アシスト量子トンネル電流を検出するための電気回路と、を含む。 （もっと読む）