【課題】基板の上方からの光の受光感度の向上を図ることが可能な光センサー、およびこの光センサーを用いた表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】第１基板２１上の半導体薄膜２４中に、ｐ領域（ｐ型の不純物領域）２４ｐと、ｉ領域（ｉ型の不純物領域）２４ｉ、ｎ領域（ｎ型の不純物領域）２４ｎとをこの順に接して設けてなる光センサーＳ１において、第１基板２１と半導体薄膜２４との間には、第１基板２１側から順に、ｉ領域２４ｉに積層された反射材料層２２ｓと、これを覆うゲート絶縁膜２３とが設けられている。反射材料層２２ｓは、ｎ領域２４ｎに接続されている。 （もっと読む）

本発明は、基板上に第１層と第２層とを具備する光電子デバイスに関する。前記光電子デバイスは、前記第１層がフッ素含有基を有する電極材料を含み、前記第２層がフッ素含有基を有する高分子材料を含み、前記第１層と前記第２層のフッ素含有基の一部の間で接着性のフッ素−フッ素相互作用を生じることを特徴とする。本発明はさらに、本発明による光電子デバイスの使用および本発明による光電子デバイスの製造方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】プラズモン共鳴により光を吸収する金属の腐食、電解質溶液中への溶出が抑えられたプラズモン共鳴型光電変換素子および該製造方法を提供する。
【解決手段】酸化還元種を含む電解質溶液２０を介して配置されているカソード電極１０とアノード電極３０とを備え、カソード電極１０が、透明基板１１と、透明基板１１上に順次積層された透明導電性電極１２、金属薄膜１３、およびｎ型半導体からなる半導体薄膜１４とを有し、半導体薄膜１４表面が電解質溶液２０に接触していることを特徴とするプラズモン共鳴型光電変換素子１、および該製造方法。 （もっと読む）

【課題】 従来と比較して光電変換効率（感度）をより向上させたフォトダイオードおよびフォトダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】 ＰＩＮフォトダイオード１００は、Ｐ型シリコン基板と、Ｐ型のシリコン層１１２と、Ｐ型のシリコン層１１２上に形成され、シリコン層１１２との接合面を含むＮ型のシリコン層１１４と、シリコン層１１４の表面から一定の深さに形成され、シリコン層１１４の不純物濃度よりも不純物濃度が高いＮ型の低抵抗のシリコン領域１１６と、シリコン領域１１６上に形成されたシリコン酸化膜１２０と、シリコン酸化膜１２０上に形成されたシリコン窒化膜１２２とを有する。 （もっと読む）

【課題】発光領域と受光領域とが混在するシート状の撮像素子であって、医療用に最適な撮像素子を提供する。
【解決手段】平面視において発光領域２ｂと受光領域２ａとが混在したシート状の撮像素子２であって、シート状の透光性基板２３と、透光性基板２３の表面上方の受光領域２ａに形成された光電変換素子２５と、透光性基板２３の表面上方の発光領域２ｂに形成された光を透過する透光部２４と、透光性基板２３の裏面側から透光性基板２３を介して透光部２４に光を入射する発光シート２２とを備え、透光性基板２３が赤外光を透過するものであり、光電変換素子２５が赤外光を検出するものであり、透光部２４が赤外光を透過するものであり、発光シート２２が赤外光を透光部２４に入射するものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、トランジスタ回路とフォトダイオードの新たな集積を提供できるイメージセンサ及びその製造方法を提供するためのものである。
【解決手段】本発明に係るイメージセンサは、基板上に形成された回路（circuitry）と、上記基板上に形成された下部配線と、上記下部配線上に形成されたカーボンナノチューブと、上記カーボンナノチューブに形成された導電性高分子と、上記カーボンナノチューブ上に形成された透明電極とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高感度のアモルファスシリコンフォトダイオードおよびその製造方法ならびにそのアモルファスシリコンフォトダイオードを用いた低被爆量型のＸ線撮像装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板と、前記絶縁性基板の上に形成された第１導電型アモルファスシリコン層と、前記第１導電型アモルファスシリコン層の上に形成されたｉ型アモルファスシリコン層と、前記ｉ型アモルファスシリコン層の上に形成された第２導電型のアモルファスシリコン層と、前記絶縁性基板と前記第１導電型アモルファスシリコン層との間において、その周端面が前記第１導電型のアモルファスシリコン層の周端面よりも内側となるように設けられた金属電極と、を備えたことを特徴とするアモルファスシリコンフォトダイオードが提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、トランジスタ回路（circuitry）とフォトダイオードの新たな集積を実現できるイメージセンサ及びその製造方法を提供するためのものである。
【解決手段】本発明によるイメージセンサは、下部配線を含むＣＭＯＳ回路（circuitry）が形成された基板、上記基板の上に分離されて形成された第１配線及び第２配線、上記第１配線の側面に形成された第１導電型伝導層、上記第２配線の側面に形成された第２導電型伝導層、及び上記第１導電型伝導層と上記第２導電型伝導層との間に形成された真性層（intrinsic layer）を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】感度を向上させることができる量子ドット型光検出器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】中間層４上に、ＩｎＡｓからなる複数の量子ドット５が形成されている。中間層４上で量子ドット５の間の領域には、真性ＡｌＡｓからなるＡｌＡｓ層６が形成されている。ＡｌＡｓ層６の厚さは、量子ドット５の高さよりも小さい。更に、量子ドット５上に、真性ＡｌＳｂからなるＡｌＳｂ層７が量子ドット５の表面に倣って形成されている。また、ＡｌＡｓ層６及びＡｌＳｂ層７を覆う中間層４が形成されている。この中間層４も真性ＧａＡｓからなる。量子ドット５、ＡｌＡｓ層６、ＡｌＳｂ層７及びこれらを覆う中間層４から光吸収単位層が構成されている。そして、このような光吸収単位層が更に９層積層されている。従って、総計で１０層の光吸収単位層が設けられている。なお、薄いＡｌＡｓ層６が量子ドット５とＡｌＳｂ層７との間に介在していてもよい。 （もっと読む）

【課題】受光部での隣接画素への漏れ込みを防止して、高開口率、高密度の受光画素を備えたイメージセンサおよびその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】光電変換層に溝部を形成し、この溝部に絶縁性の光吸収物を埋め込む。光吸収物の下部の光電変換層（溝部の下に残存した光電変換層）は光吸収物によって遮光されるため、フォトキャリアが生じないことを利用する（段落００１３）。なお、光吸収物が確実に溝部に埋め込まれる深さである必要があるので、溝部は光電変換層を貫通せず、溝部の下に光電変換層を残存させている（段落００７０）。 （もっと読む）

【課題】光センサとして機能する半導体装置の静電破壊を防止する。
【解決手段】フォトダイオード１０３およびフォトダイオード１０３の出力を増幅する回路１０１を有する。フォトダイオード１０３および回路１０１上に、絶縁層を介して２つの端子１１１、１１２と共に、２つの端子１１１、１１２に隣接し、２つの端子１１１、１１２よりも面積の広いダミー電極１１０が形成されている。ダミー電極１１０は半導体装置のフォトダイオード１０３および回路１０１のいずれにも接続されない。面積を広くすることで、２つの端子１１１、１１２よりもダミー電極１１０に静電破壊を起こりやすくすることで、半導体装置が静電破壊することを防止する。 （もっと読む）

【課題】出力電圧もしくは出力電流の範囲を広げることなく、検出可能な照度範囲が広い光電変換装置を得ること、光センサの特性ばらつきによる出力ばらつきが小さい光電変換装置を得ること、消費電力が小さい光電変換装置を得ること、歩留まりが高く、製造コストが小さい光電変換装置を得ることを課題とする。
【解決手段】照度に対応する電流信号を出力する光センサと、光センサから出力された電流信号を電圧信号に変換する電流電圧変換回路を有する光検出回路と、光検出回路から出力された電圧信号を増幅する増幅器と、増幅器から出力された電圧と基準の電圧を比較し、制御回路に結果を出力する比較回路と、比較回路からの出力によって、検出する照度範囲を決定し、制御信号を光検出回路へ出力する制御回路とを有し、電流電圧変換回路は、制御信号に従って抵抗値を変える半導体装置を有する。 （もっと読む）

【課題】カルコゲナイド層を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チャンネル層を構成する非晶質のカルコゲナイド層と、非晶質のカルコゲナイド層の両側部にそれぞれ形成されてソース及びドレイン領域を構成する結晶質のカルコゲナイド層と、結晶質のカルコゲナイド層に連結されたソース電極及びドレイン電極と、非晶質のカルコゲナイド層の上部または下部に、ゲート絶縁層を介在して形成されたゲート電極とを備える薄膜トランジスタである。これにより、カルコゲナイド層を光伝導層として利用して光薄膜トランジスタを具現したり、非晶質のカルコゲナイド層と結晶質のカルコゲナイド層とによって、ダイオード整流機能を具備する電気薄膜トランジスタを具現できる。 （もっと読む）

【課題】ゲルマニウムは、半導体プロセスを用いて光電気混載ＬＳＩに搭載される長波長帯光デバイスに用いる場合、吸収の長波長化又は長波長帯での吸収が実用化されていない。
【解決手段】ゲルマニウム原子を主成分とする四面体結合される半導体であり、基板格子定数がゲルマニウムよりも小さく、基板面方位が｛１１１｝面であり、基板面と垂直な＜１１１＞軸方向に半導体格子を伸長される光電変換層を用いる光デバイスである。 （もっと読む）

【課題】受光部のフォトダイオード周囲の少なくとも一部にフォトダイオードと同導電型の領域を形成し、その領域側に入射した光子によって発生したキャリアを掃き出すことで、フォトダイオードの受光感度特性の向上を可能にする。
【解決手段】第１導電型の半導体基板１０に形成されたもので前記第１導電型とは逆の第２導電型の第１領域２１を有する受光部１１と、前記受光部１１の周囲の前記半導体基板１０の少なくとも一部に、第１導電型の分離領域２３を介して形成されたもので前記第１領域２１と電気的に独立した第２導電型の第２領域２２とを備え、前記第２領域２２は、前記第１領域２１とは独立した電位に固定され、前記受光部１１上に形成された層間絶縁膜４１の開口部４２は前記第１領域２１上から前記分離領域２３上を通り前記第２領域２２の一部上に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】暗電流のばらつきを低減可能なｐｉｎ型フォトダイオードを作製する方法を提供する。
【解決手段】パッシベーションのためのＩｎＰ半導体２９を成長した後に、燐雰囲気中で熱処理３１を行うので、半導体メサ上に成長されたＩｎＰ半導体がマイグレートする。熱処理の結果、マイグレートによりＩｎＰ半導体２９ａの厚みの均一性が良好になる。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上部に第１絶縁膜を形成する段階と、前記基板の光活性領域の上部の前記第１絶縁膜の一部分を除去して前記第１絶縁膜に凹部を形成する段階と、を有する。内部レンズ及びエッチング阻止膜は前記基板上部に同時に形成される。前記内部レンズは前記第１絶縁膜の凹部を埋め込み、前記エッチング阻止膜は前記内部レンズを覆って前記第１絶縁膜上部に延長される。第２絶縁膜は前記内部レンズと前記エッチング阻止膜上部に形成することができる。前記第２絶縁膜は前記エッチング阻止膜と相違する物質で形成することができる。キャビティーは前記内部レンズ上部の前記第２絶縁膜に形成されることができる。 （もっと読む）

【課題】禁制帯幅および導電型のうちの少なくとも一つを応用目的に応じて正確に制御できて、実用に足る、半導体、ｐ型半導体、半導体接合素子、ｐｎ接合素子、および光電変換装置を提供すること。
【解決手段】硫化鉄に、Ｍｇ、Ｚｎ、または、Ｉａ族元素を混ぜることにより、半導体を作製する。また、この半導体を用いて、半導体結合素子または光電変換装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】外部環境に対しより安定した光検出機能を有する半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】第１のフォトダイオードと、遮光された第２のフォトダイオードと、ボルテージフォロワ回路を含む第１の回路群と、第２の回路群と、補正用回路とを有し、第１のフォトダイオードの出力は第１の回路群のボルテージフォロワ回路に入力され、第１の回路群の出力は補正用回路に入力され、第２のフォトダイオードの出力は第２の回路を介して補正用回路に入力される。これら入力を補正用回路にて加算及び減算、もしくはそのいずれか一方を行うことで、第１のフォトダイオードにおける温度に起因した出力変動を除去する。なお、第１のフォトダイオードには開放電圧が出力されるよう基準電位が供給され、第２のフォトダイオードには順方向のバイアスが印加されるよう電位が供給されている。 （もっと読む）

【課題】ゲッタリング効果を向上させつつ、電気的特性のばらつきを低減する。
【解決手段】シリコンを母材としており、炭素を所定濃度で含有する半導体基板１０１と、半導体基板１０１上にシリコンを母材としてエピタキシャル成長されてなり、半導体基板１０１から所定距離だけ離間する領域に光検出部（主に１０４）を有するエピタキシャル層１０２とを備え、半導体基板１０１は、半導体基板１０１に含有される炭素が所定濃度になるようにシリコンを含有する材料と炭素を含有する材料とが溶融された原料融液から結晶成長されてなる。 （もっと読む）