【課題】アノードになる電極とカソードになる電極を確定できる光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１の半導体層１０に凸層１１を形成する。導電層４０を凸層１１の一側面に接触するようにして半導体層１０の表面に積層する。第１電極２１を凸層１１の反対側の面に接触するようにして半導体層１０の表面に設ける。第２電極２２を導電層４０に設ける。更に、凸層１１又は導電層４０に多数の周期構造３３を含む金属ナノ構造３０を積層する。各周期構造３３は複数の第１凸部３１からなり、第１凸部３１の配置間隔が周期構造３３に応じて異なる。 （もっと読む）

【課題】電流−電圧特性が正側と負側で確実に非対称になり、障壁電圧を向上させるダイオード特性を示し、更には発電電力を増大できる光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１の半導体層１１に導電層２０を積層し、その上にランダムな周期の周期構造３３を多数含む金属ナノ構造３０を積層する。一対の電極４１，４２を導電層２０上に互いに離して設ける。一対の電極４１，４２のうち第１電極４１と導電層２０との間に極性確定層５０を介在させる。好ましくは、極性確定層５０を、厚さ１ｎｍ未満の絶縁体にて構成する。 （もっと読む）

【課題】色再現性に優れる多層型撮像素子を提供する。
【解決手段】第１透明電極に積層される第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜の上に配設される第２の信号読み出し部と、第２の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第２の波長の光に感度を有する第２光電変換膜と、第２光電変換膜に積層される第２透明電極と、第２透明電極に積層される第２層間絶縁膜と、第２層間絶縁膜の上に配設される第３の信号読み出し部と、第３の信号読み出し部の上に配設され、光の３原色のうち第３の波長の光に感度を有する第３光電変換膜と、第３光電変換膜に積層される第３透明電極と、第１光電変換膜、第２光電変換膜、及び第３光電変換膜を画素毎に隔離する第１隔壁とを備え、前記第１の信号読み出し部、前記第２の信号読み出し部、及び前記第３の信号読み出し部は、それぞれ複数の画素が２次元方向に配置された画素アレイの各画素の信号読み出し部を形成している。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑えつつ、製造工程に起因する性能劣化を抑制することができる光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の電極と、第１の電極上方に形成された第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間に形成された、受光した光に応じて電荷を生成する光電変換層を有する有機層と、第１の電極、第２の電極および有機層を封止する封止層とを有する光電変換素子の製造方法である。第１の電極の上方に有機層を形成する有機層形成工程と、有機層の上方に第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、第２の電極の上方に封止層を形成する封止層形成工程とを有する。有機層形成工程から封止層形成工程の各工程が真空下でなされる。さらに有機層形成工程と第２の電極形成工程との間に製造途中の光電変換素子中間体を３００ｌｕｘ・ｈ以下の照射光量の非真空下に置く工程を有する。 （もっと読む）

【課題】有機材料を含む受光層を有する光電変換素子において、受光層の材料の選択幅を狭めることなく、光電変換素子の耐熱性を向上させること。
【解決手段】基板１０１上に酸化膜で構成された絶縁膜１０２が形成され、当該絶縁膜１０２上に並べて形成された複数の画素電極１０４と、複数の画素電極１０４の上にこれらを覆って形成された有機材料を含む受光層１０７と、受光層１０７上に形成された対向電極１０８とを有する固体撮像素子であって、画素電極１０４が、酸化窒化チタンで構成され、受光層１０７を形成する直前における画素電極１０４の組成が、（１）画素電極１０４全体に含まれる酸素量がチタン量の７５ａｔｍ％以上、又は、（２）画素電極１０４の基板１０１側から１０ｎｍまでの範囲或いは画素電極１０４の基板１０１側から画素電極１０４厚みの２／３までの範囲において、酸素量がチタン量の４０ａｔｍ％以上の条件を満たしている。 （もっと読む）

【課題】有機材料を含む受光層を有する光電変換素子において、受光層の材料の選択幅を狭めることなく、光電変換素子の耐熱性を向上させること。
【解決手段】絶縁層１０２上に複数の画素電極１０４を形成する第一の工程と、複数の画素電極１０４の上に有機材料を含む受光層１０７を形成する第二の工程と、受光層１０７上に対向電極１０８を形成する第三の工程とを備え、第一の工程は、絶縁層１０２上に画素電極材料を成膜する工程と、成膜した前記画素電極材料の膜をパターニングする工程と、前記パターニング後の前記基板を２７０℃以上で加熱する工程とで構成される。 （もっと読む）

【課題】加熱処理を行った場合にも優れた高光電変換効率および低暗電流性を示し、高い生産性で製造することができる光電変換素子を提供する。
【解決手段】透明導電性膜１５と、導電性膜１１と、透明導電性膜１５と導電性膜１１との間に配置された光電変換層１２および電子ブロッキング層１６Ａとを有する光電変換素子１０ａであって、光電変換層１２が、ベンゼン環を少なくとも５個以上含み、総環数が７個以上であり、カルボニル基を含まない縮合多環炭化水素を含有し、電子ブロッキング層が、化合物からＲａ₁〜Ｒａ₉の少なくとも１つの基を取り除いた残基を有し、ガラス転移点（Ｔｇ）が２００℃以上である化合物Ａを含有する。 （もっと読む）

【課題】ノイズ光の影響を軽減することが可能な光電変換素子および光電変換装置を提供する。
【解決手段】フォトダイオードは、基板上に、第１導電型（例えばｐ型）半導体層、ｉ型半導体層および第２導電型（例えばｎ型）半導体層をこの順に備え、基板と第１導電型半導体層との間に遮光層を有している。第２導電型半導体層側から入射する光に基づいて信号電荷が取り出される（光電変換がなされる）。基板と第１導電型半導体層との間に遮光層が設けられていることにより、第２導電型半導体層側から入射した光のうち、吸収されずに第１導電型半導体層を透過して基板側へ出射した光が遮断されると共に、基板側から第１導電型半導体層へ向かう光が遮断される。 （もっと読む）

【課題】半導体紫外線受光素子の製造を容易にする。
【解決手段】紫外線受光素子は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上方に形成された第１のＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０＜ｘ≦０．６）層と、前記第１のＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０＜ｘ≦０．６）層上に形成され、前記第１のＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０＜ｘ≦０．６）層のＭｇ組成ｘよりも低いＭｇ組成ｙを有し、一部が前記第１のＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０＜ｘ≦０．６）層上から除去されている第２のＭｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ＜０．６）層と、前記第２のＭｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ＜０．６）層の一部が除去された部分から露出している前記第１のＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０＜ｘ≦０．６）層上に形成されたオーミック電極と、前記第２のＭｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ＜０．６）層上に形成されたショットキー電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】高移動度のアセン系有機半導体膜を塗布法で形成できるポリアセン化合物。
【解決手段】３．３以下の１，０００Hzでの誘電率εを有する有機結合剤および式Ａ：


式中、Ｒ_ｍ（_ｍ＝Ｒ_１〜１２）のそれぞれは、同一または異なっていてもよく、独立して、水素、カルビル基、ヒドロカルビル基、アルコキシ基などであり、飽和または不飽和の環を形成するように架橋されていてもよく、飽和または不飽和の環は、酸素原子、硫黄原子などが介在、または置換されていてもよい；および式中、ｎは、０、１、２、３または４である、のポリアセン化合物を含む、有機半導体層用処方物。 （もっと読む）

【課題】微細化と共に感度を向上でき、クロストーク及び暗電流の増大を防ぐことが可能な固体撮像装置を信頼性が高い製造方法により得られるようにする。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１の上部に形成されたトランジスタ４と、半導体基板１の上に形成され、トランジスタ４と電気的に接続する配線１０を含む配線層と、配線層の上に、配線１０と電気的に接続するように形成され、行列状に配置された複数の下部電極１１、該複数の下部電極１１の上に形成された光電変換膜１２及び該光電変換膜１２の上に形成された上部電極１３を含む光電変換部１４とを備えている。光電変換膜１２は、単層膜又は積層膜であり、酸化銅（Ｉ）を含む。 （もっと読む）

【課題】可視光領域だけでなく近赤外線領域においても透過性に優れ、しかも低抵抗値を有する希少金属を使用しない安価な酸化物透明電極膜からなる光検出素子用透明電極膜、およびそれを設けた光検出素子を提供することである。
【解決手段】
本発明の光検出素子用透明電極膜は、酸化亜鉛にドーパントとして低原子価金属酸化物をドープした酸化物透明電極膜からなる。該酸化物透明電極膜は、酸化亜鉛を主成分とし、低原子価金属酸化物をドープしたターゲットまたはタブレットを用いて、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ法）またはエレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法にて成膜されたものであり、低原子価金属酸化物が、低原子価金属と亜鉛との原子数比で０．０２〜０．１の割合となるようにドープされ、そして酸化物透明導電膜の比抵抗が２．０×１０^-3Ω・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】紫外光を可視光から分離して検出する紫外光センサー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の電極層と、第１の電極層上に形成され、ポリシランを含むＰ型半導体材料と、Ｎ型半導体材料とを含み、紫外光のみを吸収する光電変換層と、光電変換層上に形成された第２の電極層とを有する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流（暗電流）が低減された光電変換部を有する光電変換装置、これを適用した電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の光電変換装置は、基板上に形成された回路部と、回路部に電気的に接続された第１電極２１と、第１電極２１に対向配置された透光性を有する第２電極２２と、第１電極２１と第２電極２２との間に挟持された光電変換部２６とを備え、光電変換部２６は、カルコパイライト型のｐ型化合物半導体膜からなる光吸収層２３と、非晶質の酸化物半導体層２４と、ｎ型半導体膜からなる窓層２５とが順に積層されたものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特性を向上することができる光電変換素子および光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に設けられた半導体積層体と、半導体積層体上に設けられた導電層とを備え、半導体積層体は、基板側から導電層側にかけて、ｎ型窒化物半導体層、ｉ型窒化物半導体層およびｐ型窒化物半導体層をこの順に含み、ｐ型窒化物半導体層は導電層側の表面に凹凸を有している光電変換素子とその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】有機光電変換層への入射光量を増加させることができ、しかも特性が良好で長寿命の有機光電変換素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に第１の電極１２を形成する。第１の電極１２上に開口１３ａを有する絶縁層１３を形成する。開口１３ａを通じて第１の電極１２と電気的に接続され、かつ絶縁層１３上に延在するように有機光電変換層１４を形成する。有機光電変換層１４上にグラフェンからなる第２の電極１５を形成する。こうして有機フォトダイオードを製造する。この有機フォトダイオードにおいては、第２の電極１５側を受光面側とする。 （もっと読む）

【課題】安価な材料と簡易な設備で製造しても紫外線検出能力に優れた紫外線センサー素子を提供すること。
【解決手段】酸化チタンまたは酸化亜鉛からなる非多孔質の酸化物層、前記非多孔質の酸化物層と同じ材料からなる多孔質酸化物層、金属層を積層してなり、前記金属層が前記多孔質酸化物層に対してショットキー接合を形成している紫外線センサーであって、前記非多孔質の酸化物層の膜厚が２０〜７００ｎｍ、前記多孔質酸化物層の膜厚が２〜２０μｍであることに要旨を有する紫外線センサー素子。 （もっと読む）

【課題】特定の吸収波長に強く応答することができる紫外線センサを実現する。
【解決手段】（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏを主成分とするｐ型半導体層１とＺｎＯを主成分としたｎ型半導体層２とを接合させる前に、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ焼結体を酸性及びアルカリ性のいずれかに調整した表面処理溶液に接触させ、前記焼結体の表層面のＺｎを溶出させてｐ型半導体層１を作製する。表面処理は外部電極５ａ、５ｂ形成後のめっき処理と同時に行うのが好ましく、表層面からのＺｎ溶出量が所定量となるようなｐＨに調整された表面処理溶液を選択し、表面処理を行うか、又は表層面からのＺｎ溶出量が所定量となるような所定時間、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ焼結体を表面処理溶液に浸漬させる。 （もっと読む）

【課題】赤外線撮像装置の分解能を向上することができる赤外線イメージセンサ及び赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】赤外線イメージセンサ１１には、複数個の第１の画素１ａが配列した第１の赤外線検知層１と、第１の赤外線検知層１上方に形成され、複数個の第２の画素２ａが配列した第２の赤外線検知層２と、複数個の第１の画素１ａの各々から信号を出力する第１の出力部３と、複数個の第２の画素２ａの各々から信号を出力する第２の出力部４と、が設けられている。平面視で、複数個の第２の画素２ａの配列が、複数個の第１の画素１ａの配列からずれている。 （もっと読む）