【課題】フォトセンサアセンブリ及びフォトセンサアセンブリを提供する。
【解決手段】フォトダイオードセル（１０８、３０４、５０４、７０４、９０４）は、第１のタイプのドーパントでドープしたサブストレート（１１０、３０２、５０２、７０２、９０２）の第１のボリュームを含み、接地拡散領域（３１８、５１８、７１６、７１８、９１４）は、第２の反対タイプのドーパントでドープしたサブストレートの第２のボリュームを含む。ガードバンド（３１２、３１４、５１２、５１４、７１２、７１４）は、サブストレート内に配置され、フォトダイオードセルの外側周囲の周りを延び、第１のタイプのドーパントでドープしたサブストレートの第３のボリュームを含み、フォトダイオードセルからサブストレートを通ってドリフトする電子または正孔を伝導させるために接地拡散領域及び／またはガードバンドを接地基準（１１６）と伝導性に結合させている。 （もっと読む）

【課題】表面プラズモンを誘起し、検出したい波長での感度を増大させた赤外線検出装置を提供する。
【解決手段】多層に積層された量子ドット２４のサブバンド間遷移を利用して赤外線を吸収する光吸収層２００と、光吸収層２００を挟むように設けられた下部電極２７及び上部電極２８を有する。上部電極２８には、表面プラズモンを誘起して検出すべき波長における感度を増大させるための周期的な孔２９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高感度化を図りつつ、電荷の高速転送を実現することが可能な距離センサ及び距離画像センサを提供すること。
【解決手段】フォトゲート電極ＰＧは、平面形状が互いに対向する第１及び第２長辺ＬＳ１，ＬＳ２と互いに対向する第１及び第２短辺ＳＳ１，ＳＳ２とを有する長方形状である。第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、第１及び第２長辺ＬＳ１，ＬＳ２の対向方向でフォトゲート電極ＰＧを挟んで対向して配置されている。第３半導体領域ＳＲ１は、第１及び第２短辺ＳＳ１，ＳＳ２の対向方向でフォトゲート電極ＰＧを挟んで対向して配置されている。第３半導体領域ＳＲ１は、第１及び第２短辺ＳＳ１，ＳＳ２側でのポテンシャルをフォトゲート電極ＰＧの直下の領域における第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２の間に位置する領域でのポテンシャルよりも高めている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体基板と透光板との接合強度を維持し、反りの発生を抑制し、かつ、歩留まりおよび設計の自由度を維持した状態で小型化が可能な光学デバイスおよびその製造方法ならびに電子機器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の光学デバイスは、受光素子２１ａが一表面に形成された半導体基板１と、受光素子２１ａを覆うように半導体基板１上に設けられた透光板４とを備え、半導体基板１と透光板４とは、半導体基板１の受光素子２１ａが形成された受光部２ａ上において、部分的に接合される。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成によって、第１の光電変換部と第２の光電変換部との近接、及び第２の光半導体素子に対する気密封止を実現することができる光検出器を提供する。
【解決手段】 光検出器１では、低抵抗Ｓｉ基板３、絶縁層４、高抵抗Ｓｉ基板５及びＳｉフォトダイオード２０によって、凹部６内に配置されたＩｎＧａＡｓフォトダイオード３０に対する気密封止パッケージが構成されており、低抵抗Ｓｉ基板３の電気通路部８及び配線膜１５によって、Ｓｉフォトダイオード２０及びＩｎＧａＡｓフォトダイオード３０に対する電気的配線が達成されている。そして、Ｓｉフォトダイオード２０のｐ型領域２２がＳｉ基板２１の裏面２１ｂ側の部分に設けられているのに対し、ＩｎＧａＡｓフォトダイオード３０のｐ型領域３２がＩｎＧａＡｓ基板３１の表面３１ａ側の部分に設けられている。 （もっと読む）

【課題】電磁シールド用の導電膜を備えるとともに、光検出領域に対向する領域で電磁シールド用の導電膜を除去した光センサにおいて、光検出領域に対向する領域でも電磁ノイズが侵入できないようにする。
【解決手段】シリコン基板１２の表層部には、フォトダイオード１３やＩＣ回路１５が形成されている。シリコン基板１２の上面には、絶縁層１６を介して遮光メタル１８が形成されており、ＩＣ回路１５は遮光メタル１８で覆われている。フォトダイオード１３に対向する領域では、遮光メタル１８に受光窓１９が開口され、受光窓１９は導電性光学フィルタ３２で覆われている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、映像品質の向上を図ることができる構造を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、主面上に形成された撮像領域３、及び、撮像領域３の外周部に配置された周辺回路領域２を有する半導体基板４と、撮像領域３上に形成された透明基板５と、半導体基４板上における周辺回路領域２上を封止する封止樹脂１５と、封止樹脂１５における周辺回路領域２を覆う部分と、周辺回路領域２との間に形成された寄生容量遮蔽膜２４とを備える。寄生容量遮蔽膜２４は、周辺回路領域２のグランドに電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】光電変換部へ向けて入射した光の反射を低減するとともに、光電変換部の受光表面におけるダングリングボンドを減少させる。
【解決手段】光電変換装置は、受光表面を有する光電変換部と、前記光電変換部の上方における開口領域を規定する多層配線構造とを備え、前記多層配線構造は、前記開口領域における輪郭辺を規定する最上の配線層と、前記最上の配線層と同一のパターンを有し且つ前記受光表面に垂直な方向から見た場合に前記最上の配線層に完全に重なるように前記最上の配線層の上に配され、水素を含む水素含有層と、少なくとも前記開口領域を満たす層間絶縁膜と、前記最上の配線層、前記水素含有層、及び前記層間絶縁膜を覆うように延びており、前記水素含有層より水素の含有率が低い保護膜とを含む。 （もっと読む）

【課題】電極で生じる応力に起因する光電変換素子の性能の低下を防止することができる光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１０１，１０４と、一対の電極１０１，１０４の間に配置された光電変換層１０２と、一対の電極１０１，１０４のうち一方と光電変換層１０２とに挟まれた少なくとも一つの応力緩衝層を備え、応力緩衝層の少なくとも一部が結晶層１０８を含む積層構造である。 （もっと読む）

【課題】機械的な歪を小さくでき、かつ低雑音の赤外線検出素子と赤外線固体撮像装置を提供する。
【解決手段】赤外線検出素子は、支持基板から分離して設けられたシリコン層に形成された第１ＰＮ接合ダイオード１０５ａと第２ＰＮ接合ダイオード１０５ｂとを含む赤外線検出素子であって、シリコン層は隣接するＰ型第１領域４０６とＮ型第２領域４０５とを有し、第１ＰＮ接合ダイオードは、Ｐ型第１領域と、Ｐ型第１領域においてＮ型第２領域から離れた位置に形成されたＮ型第１領域４０８とによって構成され、第２ＰＮ接合ダイオードは、Ｎ型第２領域と、該Ｎ型第２領域においてＰ型第１領域から離れた位置に形成されたＰ型第２領域４０７とによって構成され、第１ＰＮ接合ダイオードと第２ＰＮ接合ダイオードは、シリコン層に前記Ｐ型第１領域とＮ型第２領域に跨って形成された凹部の表面に設けられた金属膜４１２ａによって接続されている。 （もっと読む）

【課題】カルコパイライト型半導体を用いた光電変換部に衝突電離による電荷の増倍を発生させ、暗電流特性を改善することにより、低照度でも検出効率を高め、Ｓ／Ｎ比が高い光電変換装置およびその製造方法、および固体撮像装置を提供する。
【解決手段】下部電極層２５と、下部電極層２５上に配置され、表面に高抵抗層２４２を有するカルコパイライト構造の化合物半導体薄膜２４と、化合物半導体薄膜２４上に配置された透明電極層２６とを備え、下部電極層２５、化合物半導体薄膜２４および透明電極層２６は、順次積層されると共に、透明電極層２６と下部電極層２５間に逆バイアス電圧を印加して、化合物半導体薄膜２４内で光電変換により発生した電荷の衝突電離による増倍を起こさせる光電変換装置およびその製造方法、および光電変換装置を適用した固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】電極材料がＩｎＳｂ内に拡散することを確実に阻止し、動作環境に影響されることなく安定した特性を長期間維持できる、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ＩｎＳｂを含む化合物半導体で成る半導体層１０、半導体層１０上に形成される絶縁層１１、絶縁層の一部を除去することによって形成された開口部１２、１３の全領域と接触する第１電極８、第１電極８上に形成された第２電極９によって半導体装置を構成し、第１電極８を、第２電極９に含まれる金属が半導体層１０に拡散することを防ぐ部材で形成する。 （もっと読む）

【課題】製造の際の歩留りを向上させることが可能な受光素子を提供する。
【解決手段】アノード電極２１またはこのアノード電極２１と電気的に接続された電極、ならびにカソード電極２２またはこのカソード電極２２と電気的に接続された電極のうちの少なくとも一方の電極に、受光部１３の少なくとも一部の領域を介してゲート電極２３に対向する対向領域を設けるようにする。このような対向領域が設けられていない場合と比べ、受光部１３とｐ＋層１１またはｎ＋層１２との間に生ずる電界が緩和され、ブレークダウン現象が発生しにくくなる。 （もっと読む）

【課題】駆動方法の選択の幅を広げることが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】Ｒ光電変換膜１５と、光電変換膜１５で発生した電荷のうち画像データの生成に用いる電荷が移動する電極膜である画素電極膜１４と、画素電極膜１４に対向する対向電極膜１６とを含むＲ光電変換部と、Ｇ光電変換膜１９と、画素電極膜１８と、画素電極膜１８に対向する対向電極膜１６とを含むＧ光電変換部と、Ｂ光電変換膜２３と、画素電極膜２２と、画素電極膜２２に対向する対向電極膜２４とを含むＢ光電変換部とをこの順に積層した固体撮像素子であって、各光電変換部の間に、各光電変換部に加わる電圧が他の光電変換部に電気的な影響を与えるのを防ぐためのシールド膜２６，２８を設けた。 （もっと読む）

【課題】受光面積を最大限に取ることが出来、しかも安価に製造出来る、簡素で信頼性に優れた受光素子を提供する。
【解決手段】半導体受光素子１であって、導電性を示すＳｉ系半導体からなる結晶基板２と、その一方側の面上に形成されたバッファ層３と、さらにその上方に少なくとも１層形成された、絶縁性のＧａＮ系材料からなる光感受層４と、受光面４ａとなる上記光感受層４の一方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する一方側の電極たるショットキー電極５と、結晶基板２の他方側の面に備え設けられた、受光素子を構成する他方側の電極７とからなる受光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】 １種類の量子ドット構造のみを用いて複数の波長の光を検知する。
【解決手段】 量子ドット１３を有する複数の量子ドット層１２を設け、複数の量子ドット層１２と交互に積層され、複数の量子ドット層１２を埋め込む複数の障壁層１４を設ける。そして、第１の一対の電極１６、１７を複数の障壁層１４に対して垂直に設け、第２の一対の電極１８、１９を複数の障壁層１４に対して平行に設ける。このようにすると、第１の一対の電極１６、１７に印加された電界に応じ、光を吸収してキャリアを放出する量子ドット１３の電子エネルギポテンシャルを変更できるので、検知する光の波長を変更できる。 （もっと読む）