Fターム［5F051AA10］の内容
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化合物半導体膜及び太陽電池とそれらの製造方法
化合物半導体膜を、Ａ．亜鉛、スズ、カドミウム、インジウム及びガリウムから選ばれる少なくとも一つの元素、Ｂ．酸素及び硫黄から選ばれる少なくとも一つの元素、及
びＣ．ＩＩａ族元素を含有する化合物で構成する。また、太陽電池を、基板（１１）と、基板（１１）上に形成された導電層（１２）と、導電層（１２）上に形成されたＩｂ族元素、ＩＩＩａ族元素及びＶＩａ族元素を含有する化合物半導体からなる光吸収層（１３）と、光吸収層（１３）上に形成された前記化合物半導体膜（１４）と、化合物半導体膜（１４）上に形成された透明導電層（１６）とを含む構成とする。これにより、電気抵抗率の低い化合物半導体膜を提供する。また、電気抵抗率の低い化合物半導体膜を太陽電池のバッファー層として用いて、太陽電池のエネルギー変換効率を向上させる。
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集積した半導体素子を有する太陽電池の直列接続部、その作成方法、及び、直列接続部を有するモジュール
集積した半導体素子を有する太陽電池の直列接続の方法を提供する。一つ以上の導電性素子、及び、球状、又は、粒状の半導体素子が絶縁性支持層にパターンに従って組み入れられ、また、前記素子は少なくとも前記絶縁性支持層の片側面からはみ出し、また、前記パターンは、少なくとも一つの連続した、幅Ｂの、導電性素子から成る分離線を有する、こととする。前記分離線の隣、又は、複数の分離線の間のエリアには、半導体素子が組み入れられる。 
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太陽電池に利用される球状、又は、粒状の半導体素子、その生産方法、その半導体素子を含む太陽電池の生産方法、及び、太陽電池
様々な太陽電池へのフレキシブルな適用に適した、高い活性を有する半導体素子を提供する。本発明による、太陽電池に使用するための球状、又は、粒状の半導体素子は、少なくとも、１つのバックコンタクト層と、少なくとも、１つのＩ―ＩＩＩ―ＶＩ族化合物半導体によってコーティングされる、球状、又は、粒状の基層コアを有する。 
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ＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を製造するための方法
本発明は、ＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を製造するための方法であって、当該方法は、（ｉ）ＩＢ族及びＩＩＩＡ族金属の混合物を含む金属薄膜を配設するステップと、（ｉｉ）第１のＶＩＡ族元素（当該第１のＶＩＡ族元素は、これ以降、ＶＩＡ１と呼ばれる）の発生源が存在する中で、ＩＢ−ＶＩＡ１族合金及びＩＩＩＡ−ＶＩＡ１族合金から成るグループから選択される少なくとも１つの二元合金と、少なくとも１つのＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ１族三元合金との混合物を含む第１の薄膜を形成するための条件下で金属薄膜を熱処理するステップと、（ｉｉｉ）第２のＶＩＡ族元素（当該第２のＶＩ族元素は、これ以降、ＶＩＡ２と呼ばれる）の発生源が存在する中で、第１の薄膜を、ＩＢ−ＶＩＡ１−ＶＩＡ２族合金及びＩＩＩＡ−ＶＩＡ１−ＶＩＡ２族合金から成るグループから選択される少なくとも１つの合金と、ステップ（ｉｉ）の少なくとも１つのＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ１族三元合金とを含む第２の薄膜に変換するための条件下で、オプションで、第１の薄膜を熱処理するステップと、（ｉｖ）第１の薄膜又は第２の薄膜のいずれかを熱処理して、ＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を形成するステップとを含む、ＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を製造するための方法に関する。 
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光起電アプリケーション用のシリコーンベース誘電被膜及びフィルム
【課題】ロール・トゥ・ロールプロセスでの使用に適応した高温安定性の平坦化フレキシブル誘電基板及びそれに用いる誘電被膜を提供すること。
【解決手段】式：［ＲxＳｉＯ(4-x)/2］n（ここで、ｘ＝１〜４、Ｒはメチル、フェニル、ヒドリド、ヒドロキシ、アルコキシ又はこれらの組み合わせ（ただし、１＜ｘ＜４）で表されるシリコーン組成物を含む、導電性基板上に用いられる誘電被膜である。Ｒはまた、アルキル又はアリール基、アリールエーテル、アルキルエーテル、アリルアミド、アリールアミド、アルキルアミノ及びアリールアミノラジカルから独立して選ばれた他の１価ラジカルからなる。誘電被膜は網目構造を有する。光起電基板がまた開示され、その表面上に誘電被膜が設けられた導電性材料を含む。
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新規な金属ストリップ
ナトリウムを添加した絶縁層を含む被膜を備えた金属ストリップ材料から成る被膜付き鋼製品。この金属ストリップ材料は０〜６００℃における熱膨張係数が１２×１０−６Ｋ−１未満である。本製品はモリブデンの更に導電層を被覆しても良い。この被膜付き鋼製品はフレキシブルＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２（ＣＩＧＳ）太陽電池の基板として有用である。 
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化合物薄膜太陽電池およびその製造方法
【目的】裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法にあって、ＣＢＤ法によりバッファ層を形成するに際して、溶液の混合および温度を制御することによって光吸収層の界面へのｎ型ドーパントの拡散とバッファ層の形成の最適化を図って接合性の良い特性の安定したｐｎ接合を得ることができるようにする。
【構成】光吸収層の界面へｎ型ドーパントを拡散させる第１の工程と、表面反応律速領域による第１のバッファ層６１を形成する第２の工程と、供給律速領域による第２のバッファ層６２を第１のバッファ層に重ねて形成する第３の工程とをとるようにする。
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光電変換素子
【課題】 高い変換効率を示す光電変換素子を提供する。
【解決手段】 光電変換素子において、ＣｄＳx（０．９０≦ｘ＜１．００）の組成を有する硫化カドミウムからなるｎ型半導体を用いる。また、テルル化カドミウム、セレン化銅インジウムまたは硫化銅インジウムからなるｐ型半導体を用いる。
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