【課題】プラズマ処理装置を用いて得られた膜の膜厚及び膜質が、基板の面内で均一とはならない場合がある。
【解決手段】 基板を保持することが可能な第１電極と、第１電極と対向するように設置され、第１電極と対向する部分に複数のガス供給口が形成されるとともに高周波電力が印加される第２電極とを備え、複数のガス供給口は同心円に沿って設けられると共に、１つの同心円に沿って設けられたガス供給口について、隣接する複数のガス供給口を結んだ弧の長さが内周側と外周側とで異なるプラズマ処理装置を用いた光起電力素子の製造方法であって、基板上に導電性を有する透明電極を形成するステップと、透明導電膜上にプラズマ処理装置を用いて非晶質シリコン半導体または微結晶シリコン半導体を含む光電変換層を形成するステップと、光電変換層上に導電性を有する裏面電極を形成するステップと、を備えることで、上記課題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】高周波電力の入力を上げて光電変換層の成膜速度を増加させ、かつ薄膜太陽電池の光電変換効率を高い値にすることができる薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】この薄膜太陽電池の製造方法は、反応室１００内に反応ガスを導入し、かつ高周波電極１２０に高周波を印加してプラズマを生成することにより、プラズマＣＶＤ法を用いて基板２００に光電変換層２３０を形成する工程を備える。光電変換層２３０における結晶及び微結晶の割合である結晶分率が３０％以上８０％以下になる原料ガスの組成の範囲である所望範囲を予め調べておく。そして、光電変換層２３０を形成する工程において、原料ガスの組成を所望範囲内に制御しながら、反応室内１００における圧力を、高周波のピークツーピーク電圧が極小値となるように調整する。 （もっと読む）

【課題】半導体ナノスケール粒子がマトリクス中に３次元的に均一に分散した構造を有し、低コスト化が可能である、光電子素子として好適な半導体ナノ複合構造薄膜材料およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体ナノ複合構造薄膜材料（１）は、一般式(Ｐｂ_５０−ｘＺｎ_ｘ)Ｍ_５０（ただし、２６≦ｘ＜５０、Ｍ：Ｓ、ＳｅおよびＴｅの一種または二種、各元素の添字は原子比率を示す）で表され、半導体ナノスケール粒子（２）としてのＰｂＭ相がマトリクス（３）としてのＺｎＭ相中に均一に分散した複合構造を有する。この薄膜材料は、熱平衡状態に近い環境が実現される気相成膜手法により、上記一般式で表される化合物組成の熱力学的相分離機能を利用して成膜される。 （もっと読む）

【課題】光電変換層として結晶化率および結晶配向性が高い良質な微結晶シリコン薄膜を備えた光電変換効率に優れた光電変換装置をより効率良く作製すること。
【解決手段】微結晶シリコン光電変換層をＰＣＶＤ装置を用いて形成する条件として、（１）プラズマ電極と微結晶シリコン光電変換層の形成基板との対向面間の距離ｄが５ｍｍ〜７ｍｍ（２）形成基板の温度が２００℃（３）製膜室内に導入される反応ガスの主成分としてシラン系ガスと水素ガスとを含み、且つ、製膜室内に導入される全ガスに対するシラン系ガスの濃度が１体積％（４）製膜室内の圧力ｐが１０００Ｐａ〜１５００Ｐａ（５）プラズマ電極に印加する高周波電圧の周波数が６０ＭＨｚであり、且つ電力密度が０．２８Ｗ／ｃｍ^２（６）製膜室内の圧力ｐと、プラズマ電極と形成基板との対向面間の距離ｄと、の積ｐｄが７０００Ｐａ・ｍｍ≦ｐｄ＜８０００Ｐａ・ｍｍの条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】光電変換層を高速で製膜して高い開放電圧を有する光電変換装置を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ｐ層４１と、結晶質ｉ層４２と、ｎ層４３とが積層された光電変換層３を備える光電変換装置１００の製造方法であって、原料ガスとしてＳｉＨ_４ガス、Ｈ_２ガス及び不純物ガスを用い、前記不純物ガスの流量を１ｓｃｃｍ以上とし、かつ、水素希釈率を所定の比率に調整して、前記ｐ層４１または前記ｎ層４３の少なくとも一方のバンドギャップを制御する工程を備える光電変換装置１００の製造方法。 （もっと読む）

【課題】透明電極層から微結晶シリコンｐ層への酸素の拡散を抑制することで、高い発電効率を有する光電変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１上に、透明電極層２と、少なくとも１つの光電変換層３とを備え、前記光電変換層３が、ｐ型結晶質シリコン層４１と、ｉ型結晶質シリコン層４２と、ｎ型シリコン層４３とを含み、前記透明電極層２と前記ｐ型結晶質シリコン層４１との間に、非晶質シリコン層７が隣接して配置される光電変換装置１００。 （もっと読む）

【課題】セレン化水素の濃度が安定したセレン化水素混合ガスを連続的に供給することが可能な太陽電池用セレン化水素混合ガスの供給方法を提供する。
【解決手段】不活性ガスの流量と１００％セレン化水素ガスの流量とを設定された流量にそれぞれ制御する第１ステップＳ１−１，Ｓ１−２と、不活性ガスと１００％セレン化水素ガスとを混合して、セレン化水素混合ガスを調製する第２ステップＳ２と、調整されたセレン化水素混合ガス中のセレン化水素濃度を測定する第３ステップＳ３と、セレン化水素濃度の設定値と測定値との誤差に基づいて、不活性ガスの設定された流量を修正する第４ステップＳ４と、を備え、第１乃至第４ステップを１以上繰り返すことを特徴とする太陽電池用セレン化水素混合ガスの供給方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】レーザーエッチングが容易であり、且つ、高い発電効率を有する光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、２つの光電変換層３と、裏面電極層４とを形成する工程を含む光電変換装置１００の製造方法であって、前記裏面電極層形成工程が裏面透明電極層形成工程と、Ｃｕ薄膜形成工程とを備え、前記Ｃｕ薄膜形成工程が、順に排気工程と製膜工程とを含み、前記排気工程の到達圧力が、２×１０^−４Ｐａ以下であって、前記製膜工程の温度が、１２０℃以上２４０℃以下であることを含む光電変換装置１００の製造方法。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の発電効率を向上させる。
【解決手段】ｐ型層３０、ｉ型層３２、ｎ型層３４を積層した薄膜太陽電池の製造方法であって、ｉ型層３２はアモルファスシリコン層であり、ｎ型層３４は微結晶シリコン層であり、ｎ型層３４を形成する工程において、ｉ型層３２から離れるにしたがってｎ型ドーパントのドーピング濃度を高くする。 （もっと読む）

【課題】発電効率を向上させた太陽電池を提供する。
【解決手段】ｐ型層３０と、ｉ型層３２と、ｎ型層３４とを積層したアモルファスシリコン太陽電池ユニットを備え、ｐ型層３０は、ｐ型ドーパントが添加された高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａと、ｐ型ドーパントが実質的に添加されていないアモルファスシリコンバッファ層３０ｂとを含んだものとする。ここで、アモルファスシリコンバッファ層３０ｂのバンドギャップは１．６５ｅＶ以上とする。 （もっと読む）

【課題】特性の良好な光電変換装置の製造方法を提供する。特に、光電変換層の成膜中にエアロゾルとして量子ドットを導入することにより、特性の良好な光電変換装置を製造する。
【解決手段】本発明に係る光電変換装置の製造方法は、光電変換層を有する光電変換装置の製造方法であって、前記光電変換層の形成工程が、第１材料の化学気相成長雰囲気中に、第２材料のナノ粒子を導入しつつ成膜する工程を含み、前記光電変換層は、前記第１材料の堆積膜中に前記ナノ粒子を分散状態で含有させた堆積層として形成される。かかる方法によれば、第１材料の化学気相成長雰囲気中に、第２材料のナノ粒子を含有させた、いわゆるエアゾルを導入しつつ成膜することにより、良質な光電変換層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】太陽電池のＦＦ特性の向上、歩留まりの低減に有効な裏面電極層を積層してなる太陽電池、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ガラス基板上に、モリブデンからなる金属裏面電極層を積層した化合物系薄膜太陽電池であって、上記金属裏面電極層は、スパッタ法により、その表面の反射率が１０％以上３５％以下の範囲で上記ガラス基板上に製膜されていることを特徴とする化合物系薄膜太陽電池を提供する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルの損傷が抑制される薄膜太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】本発明の薄膜太陽電池モジュールは、基板と、それぞれが一定の幅を有する３つ以上のセルストリングを含むセルモジュールとを備え、各セルストリングは、直列接続された複数の太陽電池セルを備え、前記セルストリングは、前記基板上に、前記太陽電池セルが直列接続された方向に対して垂直な方向に並べて設けられかつ双方的に互いに並列接続され、前記太陽電池セルは、それぞれ表面電極、光電変換層及び裏面電極をこの順で重ねて備え、各セルストリングは、該セルストリングに含まれかつ隣接する前記太陽電池セルの一方の表面電極と他方の裏面電極とを電気的に接続しかつ該セルストリングの幅と同じ幅を有するコンタクトラインを備え、前記３つ以上のセルストリングのうち両端の前記セルストリングの少なくとも一方は、他の前記セルストリングより広い幅を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｉ層における膜厚方向の結晶粒径を大きくして粒界を減少させ、キャリアの再結合を抑制すると同時にドーパントの活性化を行うことにより、光電変換効率を向上させることが可能な太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１１上に、第１透明電極１２と、ｐ型シリコン層１３、ｉ型シリコン層１４及びｎ型シリコン層１５からなるｐｉｎ構造またはｎｉｐ構造の多結晶シリコン層と、第２透明電極１６とを少なくとも順次積層してなる太陽電池の製造方法であり、ｐ型シリコン層１３またはｎ型シリコン層を積層してから減圧酸素雰囲気中で熱処理を行い、続いてｐ型シリコン層１３またはｎ型シリコン層上にｉ型シリコン層１４を積層し、更にｉ型シリコン層１４上にｎ型シリコン層１５またはｐ型シリコン層を積層することにより、前記ｐｉｎ構造またはｎｉｐ構造の多結晶シリコン層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡単かつ汎用性のある方法で、微結晶シリコン層からなる光電変換層の表面に凹凸を設けることができる薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】この薄膜太陽電池の製造方法は、基板５０上に第１導電型（例えばｎ型）微結晶シリコン層を形成する工程と、第１導電型微結晶シリコン層上にｉ型微結晶シリコン層を形成する工程と、ｉ型微結晶シリコン層を水素プラズマで処理する工程と、ｉ型微結晶シリコン層上に第２導電型（例えばｐ型）微結晶シリコン層を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板を搬送するための開口部が設けられた成膜室を有しており、かつメンテナンスコストが低い薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】薄膜製造装置は真空容器１０、成膜室１００、カソード電極１２０、アノード電極１３０、及び排気部１４０を備える。成膜室１００は真空容器１０内に配置され、被処理基板２００に成膜処理を行う。また成膜室１００には、被処理基板２００を搬入及び搬送するための開口部１１２が設けられている。カソード電極１２０及びアノード電極１３０は、成膜室１００の中に配置されており、被処理基板２００を介して互いに対向している。排気部１４０は成膜室１００の中に延伸し、カソード電極１２０とアノード電極１３０の間の空間１５０を排気する。そして排気部１４０は、外面が空間１５０に面していない。 （もっと読む）

【課題】高い変換効率を得るためのトリプル型光電変換装置の適切な膜厚構成を提供する。
【解決手段】基板１上に、透明電極層２と、ｐｉｎ接合を有する電池層９１，９２，９３を３層積層された光電変換層３と、裏面電極層４とを備える光電変換装置１００であって、光の入射側に設けられた入射部の電池層９１が、膜厚が１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下の非晶質シリコンｉ層を有し、光の入射側に対して反対側に設けられた底部の電池層９３が、膜厚が７００ｎｍ以上１６００ｎｍ以下の結晶質シリコンゲルマニウムｉ層を有し、前記結晶質シリコンゲルマニウムｉ層中のゲルマニウム原子とシリコン原子との和に対する前記ゲルマニウム原子の割合が１５原子％以上２５原子％以下であり、前記入射部の電池層９１と前記底部の電池層９３との間に設けられた中間部の電池層９２が、膜厚が１０００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の結晶質シリコンｉ層を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な品質を有し光電変換効率の高いシリコン系薄膜光電変換装置を、簡易な製造装置を用いて低コストでかつ高効率で製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法の第一の形態は、第１のｐ型半導体層、ｉ型非晶質シリコン系光電変換層および第１のｎ型半導体層を有する非晶質型ｐｉｎ構造積層体を形成する工程と、第２のｐ型半導体層、ｉ型結晶質シリコン系光電変換層および第２のｎ型半導体層を有する結晶質型ｐｉｎ構造積層体を形成する工程とを各々プラズマＣＶＤ成膜室内で一室成膜により行ない、非晶質型ｐｉｎ構造積層体を形成する工程は、第１のプラズマＣＶＤ成膜室内における成膜圧力が２００Ｐａ以上３０００Ｐａ以下であって、電極単位面積当たりの電力密度が０．０１Ｗ／ｃｍ²以上０．３Ｗ／ｃｍ²以下の条件で形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発電効率の優れた太陽電池素子を提供する。
【解決手段】第１の面と第２の面とを含み、第１の導電型を有する半導体基板と、第１の導電型に寄与するドーパントを半導体基板よりも高い濃度で含有し、半導体基板の第１の面に設けられた第１ドープ層と、第１の導電型に寄与するドーパントを半導体基板よりも高い濃度で含有し、半導体基板の第２の面の第１領域に設けられた第２ドープ層と、半導体基板の第２の面の第２領域に設けられた真性半導体層と、第２の導電型を有し、真性半導体層上に形成された第２の導電型の層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 所望の抵抗値を容易に実現することができるアモルファスカーボン半導体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 アモルファスカーボン２を成膜した後、熱処理を行うことにより、アモルファスカーボン２中に分散していたグラファイト形成核を中心として、その周囲部分のみでアモルファスカーボン２を溶融・結晶化させ、所定の大きさのグラファイト３を形成する。このように製造されたアモルファスカーボン半導体１においては、ｓｐ２結合リッチな導電性のグラファイト３がアモルファスカーボン２中に分散している。そのため、アモルファスカーボン２とグラファイト３との割合を体積比で９０：１〜５０：５０の範囲に調整することで、アモルファスカーボン半導体１の抵抗値を低抵抗化させて、所望の抵抗値を容易に実現することができる。 （もっと読む）