【課題】光電変換効率が高い光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極間に光活性層を含み、光活性層が式（Ｉ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物からなる電子供与性化合物と電子受容性化合物とを含み、全繰り返し単位中、式（Ｉ）で表される繰り返し単位の比率を最も大きくする。


（Ｒ₁〜Ｒ₆は水素原子又は置換基、Ｘ₁〜Ｘ₃は硫黄原子、酸素原子、セレン原子、−Ｎ（Ｒ₇）−又は−ＣＲ₈＝ＣＲ₉−、Ｒ₇〜Ｒ₉は水素原子又は置換基、ｎ、ｍは０〜５の整数をそれぞれ表す。） （もっと読む）

【課題】高い光電変換効率を実現する太陽電池を提供すること。
【解決手段】基板と、上記基板上に形成され、金属層と半導体層とそれらの間に形成された絶縁体とを有するエネルギー吸収用構造物を含み、上記金属層、上記半導体層及び上記絶縁体のうち少なくとも一つは複数のナノワイヤ構造である太陽電池を提供する。エネルギー吸収用構造物をナノワイヤＭＩＳ接合構造とすることにより、高い光電変換効率を有する太陽電池を提供することが出来る。さらに、この構造は、エピタキシャル成長工程を代替することが出来るため、結晶欠陥のようにエピタキシャル層の問題を解決することが出来る。 （もっと読む）

【課題】起電力の低下を伴わずに大きな光電流を得ることができ、高い変換効率を有する積層型光起電力素子を提供する。
【解決手段】光の入射側から順に第１の光起電力素子３０５と第２の光起電力素子３０３とを積層した組を少なくとも一組積層して成る積層型光起電力素子３００であって、少なくとも一組の第１の光起電力素子３０５と第２の光起電力素子３０３との間に、これらを電気的に導通接続する選択反射層３０４を備え、選択反射層３０４のシート抵抗が１００ｋΩ／□以上１００ＭΩ／□以下である。 （もっと読む）

【課題】欠陥の低減ができ、表面の平坦性を向上させることができ、しかも、製膜温度の低温下を可能とした、薄膜太陽電池の光吸収層の製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池を構成する、入射光によりキャリアを生成する光吸収層について、X、YおよびZの各成分を、MBE装置２０内において、基板１０に形成されている裏面電極１１上に蒸着して、XYZ₂の化合物膜を形成する際に、X、YおよびZの各成分の各凝集エネルギのうち、最も高い凝集エネルギより高い光子エネルギを、光照射装置３０を用いて与えることができる波長の光を照射する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体デバイス製造時において接合領域又は表面領域に発生するシリコン結晶質の欠陥又は重金属等による汚染などの結晶の乱れを回復することができる半導体デバイスの結晶質改善方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 本発明は、半導体デバイスの接合領域、若しくは半導体デバイスの接合領域及び前記接合領域の近傍に対し、又は半導体デバイスの表面領域、又は半導体デバイスの表面領域及び前記表面領域の近傍に対し、真空減圧下においてシアンイオンをイオン注入する工程と、前記イオン注入した半導体デバイスを高温下で熱処理する工程とからなり、結晶質の欠陥又は汚染を回復することができることを特徴とする半導体デバイスの結晶質改善方法の構成とした。 （もっと読む）

ナノ構造材料およびナノ構造材料を含む光起電力素子について説明する。一実施形態では、ナノ構造材料は、（ａ）ナノ粒子の第１の集合から形成された第１のナノネットワークと、（ｂ）ナノ粒子の第２の集合から形成され、第１のナノネットワークと結合された第２のナノネットワークとを含む。ナノ粒子の第１の集合およびナノ粒子の第２の集合のうちの少なくとも一方が、間接遷移型材料から形成される。ナノ構造材料は、光を吸収して、第１のナノネットワーク内を移送される第１の種類の電荷キャリアと、第２のナノネットワーク内を移送される第２の種類の電荷キャリアとを発生させるように構成される。ナノ構造材料の吸収係数は、約４００ｎｍから約７００ｎｍの波長の範囲内で、少なくとも１０^３ｃｍ^−１である。 （もっと読む）

本発明は、ドーピングにより高い電荷キャリア密度および有効な電荷キャリア移動度を有したドープド有機半導体材料を製造するための方法に関し、ここでドーピング剤が第一ステップで実質的に電気結晶化により製造され、ドーピング剤が低い酸化電位を有する有機化合物の群から選択され、有機半導体材料が第二ステップにおいてドーピング剤でドープされる。更に、本発明は、上記方法により製造される、高い電荷キャリア密度および有効な電荷キャリア移動度を有したドープド有機半導体材料に関する。更に、本発明は、上記方法に従い製造される、ドープド有機半導体材料を含んでなる有機ダイオードに関する。
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