本発明は、少なくとも１種類の共役ポリマー及び、少なくとも１種類のチューブ状ナノ構造を含む装置に関する。本発明は、少なくとも１種類の共役ポリマー（電子ドナー構造として機能）及び、少なくとも１種類のチューブ状ナノ構造（電子アクセプタ構造として機能）とを有し、前記チューブ状ナノ構造は、その表面上に少なくとも１つの複合した色素を有する、装置に主に関する。前記装置は、特に光電池セルを形成するために提案されている。
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【課題】高い変換効率を有し、高スループットの結晶シリコン系薄膜太陽電池の製造方法及びそれを用いて形成した太陽電池を提供するものである。
【解決手段】本発明に係る結晶シリコン系薄膜太陽電池４０の製造方法は、基板上に結晶性シリコン層を有する結晶シリコン系薄膜太陽電池を製造する際に、上記結晶性シリコン層とは異なる材料からなる異種基板１１上に、順に、結晶性シリコン前駆体層１４よりも融点が高い物質で構成される電極層１２、非晶質シリコン又は結晶成分を含む非晶質系シリコンからなる結晶性シリコン前駆体層１４を形成し、その前駆体層１４に半導体レーザのレーザ光２１を照射し、前駆体層１４を溶融・結晶化して上記結晶性シリコン層２４を形成するものである。 （もっと読む）

本発明は、ディスコティック液晶材料に基づく電子素子、このような電子素子の製造方法及びその使用方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】めっき電極の機械的密着性および電気的接触性を向上させると共に簡便な工程で、低コストで高効率な太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽電池の電極形成方法は、めっき法により半導体基板１上に電極１１，１２を形成した後、熱処理により半導体基板１とめっき電極１１，１２との界面に、半導体とめっき金属との合金層１５，１６を形成することを特徴とする。また、本発明の太陽電池は、めっき法により半導体基板１上に電極１１，１２を形成した後、熱処理により半導体基板１とめっき電極１１，１２との界面に、半導体とめっき金属との合金層１５，１６を形成する方法により製造されることを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法にあって、ＣＢＤ法によりバッファ層を形成するに際して、溶液の混合および温度を制御することによって光吸収層の界面へのｎ型ドーパントの拡散とバッファ層の形成の最適化を図って接合性の良い特性の安定したｐｎ接合を得ることができるようにする。
【構成】光吸収層の界面へｎ型ドーパントを拡散させる第１の工程と、表面反応律速領域による第１のバッファ層６１を形成する第２の工程と、供給律速領域による第２のバッファ層６２を第１のバッファ層に重ねて形成する第３の工程とをとるようにする。 （もっと読む）

【課題】 従来の半導体は平面構造をしており太陽電池を想定した場合は光の利用率が低く、またその利用波長領域も限られていた。
【解決手段】 半導体、混晶半導体、半導体組成物において微粒子を燒結し著しく表面積を向上すると同時に可視光領域にまで感度を持たせ、発電効率や界面機能性を格段に向上した事を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 大型基板上に形成された光電変換装置の複数の個々の装置への分割を、半導体層と裏面電極との間で剥離を生ずることなく行うことを可能とする、光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板上に、第１の電極層、半導体層、および第２の電極層を順次積層する工程と、前記第２の電極層の、複数のモジュールに分割される予定領域を所定の幅に除去し、前記第２の電極層をモジュールごとに複数に区分する工程と、前記複数に区分された第２の電極層の全体に封止樹脂を被覆する工程と、前記封止樹脂が被覆された構造を、前記第２の電極層が除去されている、前記複数のモジュールに分割される予定領域に沿って切断して、複数の光電変換装置モジュールを形成する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】裏面反射を有効に使える太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽電池の光入射側４８から見て、ｐ^-型Ｓｉ層２５とｎ⁺型Ｓｉ層２４の順に配列して半導体層を積層する。半導体層２４、２５の裏面に、ｎ⁺型Ｓｉ層２４を超えｐ^-型Ｓｉ層２５をもえぐる凹部（スクライブライン）４５があり、前記凹部４５のなかにｐ⁺型Ｓｉ層２６を介して正電極３２が埋め込まれている。また、ＳＵＳ基板などで構成される負電極２７が絶縁領域４３を介して正電極３２を覆い、負電極２７がｎ⁺型Ｓｉ層２４と接している。正電極２６が光反射性材料で構成される。また、負電極２７も光反射性材料で構成され、半導体層２４、２５の全体を覆っている。 （もっと読む）