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Fターム[5F051HA02]の内容

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Fターム[5F051HA02]に分類される特許

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【課題】細線化された場合でも高い密着強度を有するとともに低い電極抵抗を有する電極形成して光電変換効率に優れた太陽電池を製造できる太陽電池の製造方法を得ること。
【解決手段】半導体基板の一面上に絶縁膜からなる反射防止膜を形成する工程と、反射防止膜上に、ガラス粒子を含むガラスペーストを受光面側電極と略同等の形状に配置して受光面側ガラス層を形成する工程と、ガラス粒子のガラス移転点以上の温度で受光面側ガラス層を焼成して受光面側ガラス層を半導体基板まで貫通させる工程と、受光面側ガラス層を除去して、反射防止膜における受光面側ガラス層が配置されていた領域に半導体基板に達する開口を形成する工程と、開口内に、導電性ナノ粒子を含み低温焼成により導電性を発揮する低温焼成導電ペーストを配置する工程と、低温焼成導電ペーストを低温で焼成して半導体基板に直接接合する受光面側電極を形成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】低温プロセスによって、反射防止機能及び防汚性が高く、曲げによるクラックの発生が少ない微粒子から成る反射防止層を得る製造方法及びこの反射防止層を用いた有機エレクトロニクス素子を提供することにある。
【解決手段】樹脂基材の少なくとも片面に、表面が過酸化された微粒子を含む分散液を塗布する工程と、外部刺激処理によって前記微粒子を固着させる工程とを少なくとも含むことを特徴とする反射防止層の製造方法。 (もっと読む)


【課題】高い光電変換効率を有し、かつ耐久性を有する有機光電変換素子、それを有する太陽電池及び光センサアレイを提供することにある。
【解決手段】陰極と陽極の間に、吸収極大波長が700nm以上のフラーレン誘導体を含有する有機層を有することを特徴とする有機光電変換素子。 (もっと読む)


【課題】太陽電池の受光面と裏面で生成された電流をともに裏面側で集める集電構造を有する太陽電池セルにおいて、受光面側電極を裏面側に引き出すための基板を厚さ方向に貫通する電極内部において空間が発生することによる特性不良を改善する。
【解決手段】太陽電池セルの受光面側電極を裏面側に引き出すための基板を厚さ方向に貫通する貫通孔にテーパー形状を設けることで、導電材料の貫通孔への注入不良による特性の劣化を改善できる。また、貫通孔内部および裏面側貫通孔周辺の絶縁膜形成、さらに受光面側の電極形成に凹版オフセット印刷法を用いることで、貫通孔を閉塞することなく貫通孔壁面全体に極薄の絶縁膜を形成すると同時に有効受光面積を増大させることができる。 (もっと読む)


【課題】冷却チャネルが改善され、開回路電圧の低下が防止された成形式ウェーハ太陽電池を提供すること。
【解決手段】太陽電池(10)は、ドープされた第1の層(18)を含む前面(12)と、前面と裏面の間にチャネル(16)を規定する形成体(22)を含み、前面(12)と向かい合う、チャネル(16)の少なくともいくつかの表面上に位置するドープされた第2の層(20)をさらに含む裏面(14)と、前面と向かい合う、チャネルの少なくともいくつかの表面上に位置する導電層(32)とを備える。ドープされた第1の層と第2の層は逆の極性型を有する。 (もっと読む)


【課題】曲線因子の劣化を防ぎながら、液相から製膜される光反射低減効果の高い反射防止膜により光反射を低減させることにより短絡電流を増大した、太陽電池特性に優れた太陽電池セルを製造可能な太陽電池セルの製造方法を得ること。
【解決手段】PN接合部を有する半導体基板の一主面側に電極を形成する第1工程と、前記電極を覆って封止する保護層を形成する第2工程と、前記保護層を形成した前記半導体基板上に前記半導体基板の表面の屈折率よりも低い屈折率を有する反射防止膜を塗布形成する第3工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 入射した太陽光を効率良く光電変換する事の出来る、太陽電池を提供する。
【解決手段】 p型及びn型を有するシリコンの表面を粗化する工程と、多角形を有する孔を作成する工程と多孔質層を形成する工程とを2工程以上を組み合わせて作成された太陽電池。 (もっと読む)


【課題】半導体構造について説明する。
【解決手段】本半導体構造は、前面(12)及び背面(14)を有する1つの導電型の半導体基板(10)を含む。第1のアモルファス半導体層(16)は、半導体基板(10)の前面(12)上に付加され、また第2(22)及び第3(32)のアモルファス半導体層は、半導体基板(10)の背面(14)の一部分上に配置される。第2及び第3の層は各々、その深さにわたって基板(10)との界面における実質的に真性からその反対面における実質的に導電性まで組成傾斜している。幾つかの事例では、第1の半導体層(16)はまた、組成傾斜しているが、他の事例では第1の半導体層(16)は、真性であることを特徴とする。半導体構造は、太陽電池として機能することができ、また多数のそのような電池を含むモジュールは、本発明の別の実施形態を表す。光起電力デバイスを作る方法についてもまた、説明している。 (もっと読む)


一態様では、態様電池の活性拡散接合部(211、212、213、214)が、ウェハ(100)の裏面に選択的に堆積されたドーパント源(201、202、203、204)からのドーパントの拡散によって形成される。ドーパント源(201、202、203、204)は、例えば印刷法を使用して選択的に堆積することができる。様々なドーピングレベルの活性拡散領域を形成するために、複数のドーパント源を利用することができる。例えば、3つ又は4つの活性拡散領域を製造して、これにより、太陽電池のシリコン/誘電体境界、シリコン/金属境界又はそれら両方が最適化される。ウェハの前面(103−1)は、ドーパント源(201、202、203、204)の形成前に、ウェハ材料の除去を抑えるテクスチャリングプロセスを使用して、テクスチャリングすることができる。金属格子線を活性拡散接合部に接続するための開口は、自己整合コンタクト開口エッチングプロセスを使用して形成することができ、これにより、不整合の影響は低減される。
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本発明は、50%より高い効率が達成可能で、低コストで大規模に製造可能な太陽光電池の実現のための装置および方法である。本発明の装置は、材料のかなり幅広い選択を可能にする光学および太陽電池の統合した設計であり、高い効率、多くの既存のコスト推進要因の除去、および多数の他の技術革新の組み込みを可能にする。 (もっと読む)


【課題】従来の太陽電池と比較して、変換効率が高い太陽電池を提供する。
【解決手段】N型半導体層1とP型半導体層2とが積層された光起電力層3と、N型半導体層1側に積層された第1の電極層と、P型半導体層側に積層された第2の電極層とを備える太陽電池において、P型半導体層2を、磁気的性質を持った半導体材料で構成し、P型半導体層2の内部に、光の入射方向に対して垂直な方向の磁界が印加された状態とする。これにより、N型半導体層1とP型半導体層2とのPN接合界面において、光が照射されることで発生した電子と正孔とを、光電磁効果により分離移動させて、それぞれを、第1の電極層4と第2の電極層5とに移動させることができる。この結果、電子と正孔との再結合を抑制でき、変換効率を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】 微細な凹凸形状を有する反射防止構造、およびそのような反射防止構造を有する光学部材を、安定してかつ容易かつ低コストで量産する。
【解決手段】 表面に微細な凹部が形成された反射防止面を有する反射防止構造であって、 前記反射防止面を占める前記凹部の割合が、前記反射防止面の有効面積に対して10%〜90%の範囲であり、前記凹部は相互に連結されていてもよい基本形状からなり、前記基本形状が、平均深さ30nm〜200nmかつ平均直径80nm〜400nmであり、前記基本形状の前記反射防止面における配置が実質的に不規則であることを特徴とする反射防止構造、そのような反射防止構造を有する光学部材、この反射防止構造を形成するための原型、その製造方法、および複製用型の製造方法。 (もっと読む)


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