【課題】 膜質のばらつきの少ない化合物半導体膜を作製すること。
【解決手段】 ＣＢＤ法によって化合物半導体膜を成膜するための成膜用溶液中の凝集物を、成膜前および成膜中の少なくとも一方において遠心分離によって分級することによって、前記成膜用溶液中の前記凝集物の平均粒度を所定値以下に制御すること。 （もっと読む）

【課題】太陽電池に用いられる化合物半導体膜においてはおり大面積・均一・低コストの生産性の高い製造プロセスが求められている。本実施例では、これらの化合物半導体膜の低温での大面積薄膜製造を可能ならしめる新しいプロセスを見出した。
【解決手段】我々は超臨界流体を反応溶媒として用いることで、低毒性な有機化合物を添加元素ソースとして、金属膜の変換による化合物半導体膜の製造プロセスを低温で行うことに成功した。一例として、セレン化プロセスをあげると、３００℃という低温環境下において、添加元素ソースとして、毒性の低いジエチルセレンを用い、ＣｕＩｎ前駆体合金膜をセレン化することによりＣｕＩｎＳｅ_２化合物半導体膜を１時間程度の短時間で作製することに成功した。 （もっと読む）

複数の半導体デバイスを有する電子的な基板を得るための方法および装置が、説明される。ナノワイヤ薄膜が、基板上に形成される。ナノワイヤ薄膜は、動作電流レベルを達成するのに十分なナノワイヤの密度を有するように形成される。複数の半導体領域が、ナノワイヤ薄膜に画定される。コンタクトが、半導体デバイス領域において形成され、それによって、電気的な接続を複数の半導体デバイスに提供する。さらに、ナノワイヤを製造するための様々な材料、ｐ型ドーピングナノワイヤおよびｎ型ドーピングナノワイヤを含む薄膜、ナノワイヤヘテロ構造、発光ナノワイヤヘテロ構造、ナノワイヤを基板上に配置するためのフローマスク、ナノワイヤを成膜するためのナノワイヤ噴霧技術、ナノワイヤにおける電子のフォノン散乱を減少または除去するための技術、および、ナノワイヤにおける表面準位を減少させるための技術が、説明される。
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ナノ粒子を生成する方法が、ナノ粒子の材料へのナノ粒子前駆体組成物の転化を生じさせることを含む。前記前駆体組成物は、成長するナノ粒子に組み込まれるべき第１イオンを含有する第１前駆体種と、成長するナノ粒子に組み込まれるべき第２イオンを含有する別の第２前駆体種とを含む。前記転化は、ナノ粒子のシーディング及び成長が可能な条件下で分子クラスター化合物が存在する場合に生じる。
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