【課題】カルシウムがドープされた強いｐ型のＳｒＣｕ_２Ｏ_２薄膜を製造する。
【解決手段】Ｃａ（ＯＡｃ）_２・Ｈ_２Ｏ、Ｓｒ（ＯＡｃ）_２、Ｃｕ（ＯＡｃ）_２・Ｈ_２Ｏ、および酢酸を調製し（１２）、これらを、混合した後に還流する（１４）。そして、溶液を濾過する（１８）。以上により得られた溶液をウェーハ上に塗布し（２２）、次いで、該ウェーハをベーキングして溶剤成分を蒸発させる（２８）。続いて、フォーミングガス中においてアニール処理を行う（３０）。最後に窒素雰囲気中において瞬間的に酸素を供給する（３２）。 （もっと読む）

【課題】電子工学的電力デバイスで使用される高品質の炭化ケイ素構造体を提供する。
【解決手段】バルク単結晶炭化ケイ素基板と、この炭化ケイ素基板の表面における炭化ケイ素エピタキシャル層とを備える炭化ケイ素構造体において、エピタキシャル層がＸ線ロッキングカーブにおいて２５アーク秒以下の半値幅を有する。また、炭化ケイ素基板は、Ｘ線ロッキングカーブにおいて１００アーク秒以下の半値幅を有する。さらに、炭化ケイ素基板が６Ｈまたは４Ｈポリタイプのものであり、エピタキシャル層が基板と同じポリタイプを有する。 （もっと読む）

【課題】サイリスタ不良の発生を大幅に減少できるエピタキシャルウエハの製造方法及び発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】液相エピタキシャル成長装置内に設置したｐ型ＧａＡｓ基板１上に、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３を順次、液相エピタキシャル成長させた後、そのまま液相エピタキシャル成長装置内で再度温度を上昇させる熱処理を施してエピタキシャルウエハを作製する。エピタキシャル成長後、再度温度を上昇させる熱処理により、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２との組成界面付近のｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３に含まれる炭素のピーク濃度が下がるため、組成界面付近でｐ型変換層が発生せず、サイリスタ不良が発生しないエピタキシャルウエハが得られる。 （もっと読む）

【課題】高品質なＳｒＣｕ_２Ｏ_２薄膜を形成すること。
【解決手段】Ｓｒ（ＯＡｃ）_２、Ｃｕ（ＯＡｃ）_２・Ｈ_２Ｏ、および酢酸を調製し（１２）、これらを、混合した後に還流する（１４）。さらに、エタノールアミンを加え（１８）、続いて、溶液を濾過する（２０）。以上により得られた溶液をウェーハ上に塗布し（２４）、次いで、該ウェーハをベーキングして溶剤成分を蒸発させる（３０）。続いて、フォーミングガス中においてアニール処理を行う（３２）。酸素と窒素との混合雰囲気下においてポストアニール処理を行ってもよい（３４）。 （もっと読む）

【課題】 冷却過程において原料溶液を撹拌する機構を備えることによって原料溶液の温度を均質化し、これにより、大面積の基板上でも、その上に成長されるエピタキシャル層の膜厚が周辺と中央とで差が生じないようにした液相成長装置を提供することにある。
【解決手段】 基板ホルダ１を有するスライダー２と、原料溶液溜を形成する原料溶液ホルダ３を有する原料溶液ホルダ保持体１１とを、互いに対向させて相対的に摺動可能とし、所定の温度から冷却しながら原料溶液６又は７に基板５を接触させて、基板５上に半導体のエピタキシャル層を成長する液相成長装置において、上記原料溶液ホルダ３に、原料溶液を基板５に接触させた後の冷却過程において原料溶液６、７を撹拌する羽根９を原料溶液溜中に有する撹拌機構１０を設ける。 （もっと読む）

【課題】 特別な装置を用いることなく、高濃度のｐ型シリコンカーバイド層を形成する製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコンカーバイド基板の表面に、アルミニウム部材と、このアルミニウム部材が融解したとき、アルミニウムへシリコンカーバイド基板表面のシリコン及び炭素の溶解を促進する元素を含む第１の板状部材とを積層し、昇温、降温することでｐ型シリコンカーバイド層を形成する。融解したアルミニウムがシリコンカーバイド基板上に凝集する場合には、第１の板状部材上に、融解したアルミニウムが凝集しない重量で、第１の板状部材と接合しない材料からなる第２の板状部材を、または第２の板状部材上にさらに昇温時に融解することがない高融点金属からなる錘部材とを積層して昇温、降温することでｐ型シリコンカーバイド層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 連続成膜が可能で量産性の高い多結晶Ｓｉ結晶の液相成膜法およびその製造装置を提供する。
【解決手段】 前記成膜部が所定の温度に保たれる一方で溶質供給部の温度が成膜部の温度に対して所定の範囲の温度幅で変化することにより、経時的に連続して過飽和度が変化したメルトを成膜部に供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板表面の酸化膜及び不純物を最小限に除去できる液相エピタキシャル成長方法を提供することにある。
【解決手段】 ＧａＡｓ基板４上にＡｌＧａＡｓ層を液相エピタキシャル法によりエピタキシャル成長するに際し、上記ＡｌＧａＡｓ層の成長開始温度をＡｌ及びＡｓが飽和溶解する温度よりも１〜１０℃高めることで、基板４の表面を溶解しながら成長させる。 （もっと読む）

【課題】 ボトムアップ系とトップダウン系との利点を最大限活かすことができる高機能の機能素子の製造に用いて好適な薄膜積層構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 円柱状または多角柱状の基体５３を回転させながらノンレシプロカルな工程で薄膜を累積することにより、一体化した薄膜積層構造体を製造する。薄膜の厚さは例えば１０００ｎｍ以下とする。薄膜の累積はＬＢ法または交互吸着法により行う。ＬＢ法では薄膜として単分子膜を累積する。この薄膜積層構造体を用いて記憶素子や太陽電池などの機能素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】 導電性を向上させたＰ型有機半導体材料の改質方法及びその薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】 銅フタロシアニン（化式1）、もしくはポリチオフェン（化式３）とサリチル酸亜鉛を混合し溶解させた後、基板上にスピンコート法により薄膜をし、その後オーブンで加熱し溶媒を除去した。もしくはポリチオフェン薄膜を形成後、ポリチオフェンに溶解性のあるクロロホルムを適量含む混合溶媒で用いたサリチル酸亜鉛溶液を滴下して半導体薄膜を得た。 （もっと読む）

有機強誘電体高分子と有機両極性半導体との組み合わせを備える不揮発性強誘電体メモリデバイスが提案されている。本発明に係るデバイスは、高分子に適合し、また、高分子の利点、即ち、溶液処理、低コスト、低温層堆積及びフレキシブル基板との適合性を十分に活用している。
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