【課題】 半導体層としてカーボンナノチューブを含む半導体層を有し、広いバンドキャップ範囲で光電変換を行うことができ、もって高い発電効率を発揮することができる光起電力素子を提供する。
【解決手段】 太陽電池Ｍ１における半導体層３は、表面電極２に近い側から順にｐ型半導体層３１、ｉ型半導体層３２、およびｎ型半導体層３３を備えている。ｐ型半導体層３１、ｉ型半導体層３２、およびｎ型半導体層３３は、カーボンナノチューブを含有している。ｐ型半導体層３１を構成するカーボンナノチューブの直径は、ｉ型半導体層３２を構成するカーボンナノチューブの直径よりも小さくされている。また、ｉ型半導体層３２を構成するカーボンナノチューブの直径は、ｎ型半導体層３３を構成するカーボンナノチューブの直径よりも小さくされている。 （もっと読む）

【課題】 微粒であってもカルコパイライト型結晶構造を持つ結晶相を含む化合物半導体粒子とその製法、ならびにカルコパイライト型結晶構造を持つ結晶相が主結晶相であり、半導体素子としてＰ型の特性を有するとともに、厚み方向に対して均一な組成を有する緻密な化合物半導体膜を提供する。
【解決手段】 ＣｕまたはＡｇを含む化合物と、Ｉｎ、ＧａおよびＡｌのうち少なくとも１種を含む化合物と、オレイン酸ナトリウムまたはマレイン酸ナトリウムとを、水および該水よりも極性の低い溶媒との混合溶媒中に溶解した溶液から前駆体を形成し、これにＳ，ＳｅおよびＴｅのうちいずれか１種を含む化合物を添加し加熱することにより、カルコパイライト型の結晶構造を持つ結晶相を含有し、アスペクト比（最長径／最短径）が１．５以上であり、かつ最長径の平均長さが０．０５〜０．２μｍである化合物半導体粒子を得る。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属の酸素および水との反応を防止可能であり、かつ成長レートが向上した３族元素窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】３族元素、アルカリ金属および３族元素窒化物の種結晶基板２０を結晶成長容器１８に入れ、窒素含有ガス雰囲気下において、結晶成長容器１８内を加圧加熱し、種結晶基板２０を核として３族元素窒化物結晶を成長させる３族元素窒化物結晶の製造方法であって、さらに、第１の炭化水素および第１の炭化水素よりも沸点が高い第２の炭化水素を準備し、結晶成長容器１８内の加圧加熱に先立ち、アルカリ金属を、第１の炭化水素および第２の炭化水素の少なくとも第１の炭化水素により被覆した状態で結晶成長容器１８に入れ、アルカリ金属の被覆に使用した第１の炭化水素を結晶成長容器１８内から除去した後、第２の炭化水素の存在下、結晶成長容器１８内を加圧加熱して３族元素窒化物結晶を成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液相成長法において、種結晶の結晶成長面における多核成長およびインクルージョンの発生を抑制し、前記結晶成長面に結晶を層成長させることが可能であり、結晶の品質、厚みの均一性および成長レートが向上したＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族元素、アルカリ金属およびＩＩＩ族元素窒化物の種結晶２０を結晶成長容器１８に入れ、窒素含有ガス雰囲気下において、前記結晶成長容器内１８を加圧加熱し、前記ＩＩＩ族元素、前記アルカリ金属および前記窒素を含む融液２１中で前記ＩＩＩ族元素および前記窒素を反応させ、前記種結晶２０を核としてＩＩＩ族元素窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法であって、前記融液２１を、前記結晶成長面２２に沿って一定方向に流動させた状態で、前記種結晶２０の結晶成長面２２にＩＩＩ族元素窒化物結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】粒径の均一な結晶シリコン粒子を高い生産性で低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法、坩堝、及び結晶シリコン粒子の製造装置を提供する。
【解決手段】結晶シリコン粒子の製造方法は、坩堝１のノズル部１ｃからシリコン融液６を滴状に排出して、シリコン融液６を冷却して凝固させることによって結晶シリコン粒子を製造する結晶シリコン粒子の製造方法であって、坩堝１は窒化珪素を含む材料から成るとともに内面の表層部１ｂが酸窒化珪素から成る。 （もっと読む）

【課題】低分子化合物を用いて高効率な有機薄膜光電変換素子を提供する。
【解決手段】π共役系低分子化合物を塗布成膜した後に、該π共役系低分子化合物から置換基の一部または全部を脱離させることにより有機半導体薄膜へと変換し、該膜上に別の半導体材料を成膜することにより光電変換層を作製した有機薄膜光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】溶液プロセスでの素子作製に適した溶解性を有しながら、成膜後に化学的安定性および半導体動作安定性が高く良好な半導体特性を示す、特定の化合物を用いて得られる結晶性有機薄膜、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）基板上に、溶媒可溶性化合物を溶媒に溶かした溶液を塗布する工程、（ｉｉ）前記溶媒可溶性化合物を脱離反応させて溶媒不溶化し有機薄膜を形成する工程、及び（ｉｉｉ）前記有機薄膜上に、溶媒可溶性化合物を溶媒に溶かした溶液を塗布し、脱離反応させて結晶性有機薄膜を積層する工程を含む、結晶性有機薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】塗布、乾燥手法によっても、従来のスパッタリング法、蒸着法等を用いた電子デバイスと同様な品質を有することが可能なナノ結晶粒子の分散液を提供する。
【解決手段】ナノ結晶粒子の分散液は、導電性若しくは半導電性成分からなる無機ナノ結晶粒子が液状分散媒中に分散されてなる。前記分散媒には、分散した無機ナノ結晶粒子の成分と同様な成分が溶解されていることを特徴とする。前記分散媒は、前記ナノ結晶粒子に対して難溶解性であることを特徴とする。基板上に配置した電極を半導体部により接続してなる電子デバイスであって、少なくとも前記半導体部若しくは導電体部のいずれかが前記ナノ結晶粒子の凝集体からなることを特徴とする。前記電子デバイスの製造方法は、基板の所定箇所に前記ナノ結晶粒子の分散液を滴下し、その分散媒を除去して、それに含まれる半導体ナノ結晶粒子を凝集して所望の導電体部又は半導電体部を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来のバルクシリコンを用いた太陽電池に比して変換効率を改善させることができる太陽電池を得ること。
【解決手段】Ｐ型半導体層５とＮ型半導体層６とによって形成されるＰＮ接合体４と、ＰＮ接合体４の一方の導電型の半導体層に形成される金属電極と、ＰＮ接合体４の他方の導電型の半導体層に形成される透明電極層７と、を備える光電変換素子が基板１上に形成された太陽電池において、金属電極は、表面プラズモン共鳴を生じる金属ナノ粒子からなる金属ナノ粒子層３によって形成される。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長に寄与しなかった原料溶液を原料溶液受けに落下させる際の落下速度をコントロールすることで、基板表面に残る原料溶液を減らし、結晶欠陥部を少なくすることが可能な発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル層を成長させた後、原料溶液溜４ａ，４ｂの上方から加重ブロック９ａ，９ｂにて原料溶液Ｌａ，Ｌｂに下方向の力を加えつつ基板５をスライドさせ、メルト落下穴７を通じて原料溶液Ｌａ，Ｌｂを落下させるようにした。 （もっと読む）

【課題】物性的に安定し、しかも、製造が比較的容易な有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】有機電子デバイスは、（Ａ）微粒子、及び、（Ｂ）微粒子と微粒子とを結合した有機半導体分子から成り、ｐ型としての挙動を示す導電路を具備し、有機半導体分子は、下記の構造式（１）で表されることを特徴とする有機電子デバイス。


但し、構造式（１）中、Ｒ₁，Ｒ₂はアルキル基を表し、Ｍは、２Ｈ，Ｚｎ⁺²，Ｍｇ⁺²，Ｆｅ⁺²，Ｃｏ⁺²，Ｎｉ⁺²，Ｃｕ⁺²を表し，ｎは１乃至５の整数である。 （もっと読む）

【課題】低コストでシリコン太陽電池を製造するためのシリコン微粒子とその製造方法、およびそれらを用いた太陽電池とその製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池１０において、反応性基を有する膜化合物の形成する被膜３で表面が覆われたｐ型シリコン微粒子１４が積層されてなるｐ型シリコン微粒子層と、膜化合物の形成する被膜で表面が覆われたｎ型シリコン微粒子１５が積層されてなるｎ型シリコン微粒子層とが、透明電極１１と裏面電極１７との間に積層形成されており、ｐ型シリコン微粒子層とｎ型シリコン微粒子層は、反応性基と反応して結合を形成する複数の架橋反応基を有する架橋剤１６の架橋反応基との架橋反応により硬化している。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層原料に含まれる酸素を効果的に除去し、成長溶液中の酸素濃度を低減することによって、エピタキシャル層中の酸素不純物が少なく発光特性が良好なＬＥＤ用エピタキシャルウエハを高い歩留りで製造する。
【解決手段】ｐ型ＧａＡｓ基板上に、所望する発光波長に必要なＡｌ混晶比のｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層、 ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層を有するエピタキシャルウエハを液相エピタキシー法により製造する方法であって、成長溶液の調合におけるドーパント材料および／またはアルミニウム材料の混合は、成長装置内で前記材料を所定の温度に加熱した状態で成長溶液に投入して行われ、前記所定の温度Ｔ〔単位：Ｋ〕を前記材料の融点Ｔ_ｍ〔単位：Ｋ〕に対して０．８Ｔ_ｍ≦Ｔ≦０．９９Ｔ_ｍの範囲とする。 （もっと読む）

電子デバイスにおいて使用するためのエクスサイチュでドープされた半導体輸送層を製造する方法であって：コロイド溶液において表面有機配位子を有する半導体ナノ粒子の第一の組を成長させ;コロイド溶液において表面有機配位子を有するドーパント材料ナノ粒子の第二の組を成長させ;該半導体ナノ粒子の第一の組と該ドーパント材料ナノ粒子の第二の組の混合物を表面に付着させ、そこではドーパント材料ナノ粒子より多くの半導体ナノ粒子が存在し；該ナノ粒子の第一および第二の組の表面から該有機配位子がボイルオフするように、該付着したナノ粒子の混合物を第一アニーリングし；該半導体ナノ粒子が融合して連続的な半導体層を形成し、且つ該ドーパント材料原子が該ドーパント材料ナノ粒子から該連続的な半導体層に拡散するように、該付着した混合物を第二アニーリングすること、を含んでなる、方法。 （もっと読む）

【課題】面内膜厚の均一なウェハが得られるエピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板２を収納するための基板ホルダー３の上部に、原料溶液Ｌを収納するための溶液ホルダー５を対向して設け、基板ホルダー３あるいは溶液ホルダー５をスライドして原料溶液Ｌに基板２を接触させ、基板２上に半導体結晶を成長させるエピタキシャルウェハの製造方法において、原料溶液Ｌに基板２側面の上部を接触させる製造方法である。 （もっと読む）

【課題】輝度低下要因の一つである不要な不純物の混入を低減させ、高輝度な発光素子が得られるエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に、半導体層を液相エピタキシャル法により順次形成するエピタキシャルウエハの製造方法において、基板２を収納するための成長治具３と原料溶液Ｌを収納するための溶液フォルダ５との互いに接触する面３ｕ，５ｄを、予め鏡面研磨加工しておく方法である。 （もっと読む）

【課題】１回の成長操作で複数枚のエピタキシャルウェハを作製して、成長効率を向上できること。
【解決手段】溶液ホルダ１２と２段の基板ホルダ１３Ａ、１３Ｂとを備えた成長治具１１の上記溶液ホルダ１２には、基板ホルダ１３Ａ、１３Ｂのそれぞれに対応して原料溶液を収容する溶液溜１５Ａ及び１６Ａと、１５Ｂ及び１６Ｂとがそれぞれ設けられ、各基板ホルダには、溶液溜内の原料溶液に接触可能に基板１７を載置する基板載置部１８が形成され、溶液ホルダ１２に対して基板ホルダ１３Ａ、１３Ｂを同時にスライドさせて原料溶液を基板に接触させることにより、基板ホルダ１３Ａ及び１３Ｂに載置された２枚の基板にエピタキシャル層を同時に成長させるものである。 （もっと読む）

【課題】比較的低温の熱処理で、低抵抗な不純物ドープシリコン膜を形成する技術を提供する。
【解決手段】高次シラン組成物、触媒およびドーパント元素を含有する溶液である、例えば、シクロペンタシランに紫外線光を照射した後、これをトルエン（溶媒）で希釈した液体（高次シラン組成物の溶液１）に、ドーパント元素含有化合物（例えば、黄燐）および触媒（塩化ニッケル）を混合した、塗布用溶液Ａを基板上に塗布し、塗布膜１３を形成した後、例えば３００℃〜６００℃で加熱（焼成）し、不純物ドープシリコン膜１３ａを形成する。 （もっと読む）

一定量の粒子半導体材料と一定量のバインダーとを混合することを含む印刷可能な組成物を製造する方法。半導体材料は、典型的には、ほぼ５ナノメートルないし１０マイクロメートルの粒径を有するナノ粒子ケイ素である。バインダーは、天然油、またはその誘導体もしくは合成類似物を含む自己重合型材料である。好ましくは、バインダーは、天然油、あるいは対応する脂肪酸の純粋な不飽和脂肪酸、モノ−およびジ−グリセリド、またはメチルおよびエチルエステルを含む誘導体からなる前駆体の自己重合型材料である。方法は、単一または複数の層で基体に印刷可能な組成物を適用し、ついで印刷可能な組成物を硬化させて基体上にコンポーネントまたは導体を形成することを含むことができる。
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【課題】原料融液溜と融液中心部側との熱交換を促進する。
【解決手段】 原料融液溜８（９，１０）にエピタキシャル成長原料を投入してこの原料融液溜８（９，１０）の加熱により溶融した後、原料融液溜８（９，１０）の融液に基板７の成長面を接触させてエピタキシャル成長させるようにしたエピタキシャルウエハの製造方法において、前記原料融液溜８（９，１０）の融液に接する表面を原料融液溜の中心部側に拡大して、融液中心部側と前記原料融液溜との熱交換を促進する。 （もっと読む）