【課題】ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α‐Ｇａ_２Ｏ_３薄膜およびその生成方法を提供する。
【解決手段】（ａ）水、塩酸及び過酸化水素を含む溶液と、ガリウム化合物と、錫（ＩＩ）化合物とを混合して原料溶液を調製する工程と、（ｂ）前記原料溶液をミスト化し、ミスト状原料を調製する工程と、（ｃ）前記ミスト状原料を、キャリアガスによって基板の成膜面に供給する工程と、（ｄ）前記基板を加熱することにより、前記ミスト状原料を熱分解させ、前記基板上に、４価の錫が添加された導電性α‐Ｇａ_２Ｏ_３薄膜を形成する工程と、を備える結晶性の高い導電性α‐Ｇａ_２Ｏ_３薄膜の生成方法とする。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子のバッファ層の製造において、化学浴析出法による析出膜表面に付着コロイド状固形物を効果的に除去する。
【解決手段】化学浴析出工程により析出された析出膜であるバッファ層表面に付着しているコロイド状固形物を周波数の異なる複数の超音波を用いた超音波洗浄およびブラシ洗浄の少なくとも一方の処理によって除去する。 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末を含む小塊を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、所定濃度のドーパントが均一にドープされた球状のｐ型またはｎ型の半導体粒子を安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】ドーパントが所定濃度より高い濃度にドープされた第１の半導体粉末と、ノンドープあるいは前記ドーパントが所定濃度より低い濃度にドープされた第２の半導体粉末とを、平均ドーパント濃度が所定濃度と等しくなる比率で含む組成物を調製し、この組成物からなる所定質量の小塊を形成する。この小塊を加熱して球状の溶融体を形成し、これを凝固させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高価なクリンルームと高価な真空プロセス装置を使うことなく低コストで製造でき、廃棄部分も少なく環境性に優れ、かつ結晶品質が高いことによる例えば半導体性能の高い有機単結晶薄膜作成法を提供すること。
【解決手段】溶媒中に有機材料を有する溶液の液滴を基板上に設け、該液滴の一端を薄くくし他端を厚くして、該一端側の溶媒を蒸発させることにより結晶を析出させるとともに、薄い部分を他端に移動させることにより結晶を順次析出させることを特徴とする有機単結晶薄膜の作成法である。前記液滴は反磁性とし、一端から強磁場を付加する。
溶媒中に有機材料を有する溶液の液滴を基板上に設け、該液滴の一端から反対端に向かい所定の速度で磁場を移動させて該液滴の一端の厚みを減少させて結晶を該一端から順次析出させることを有機単結晶薄膜の作成法。 （もっと読む）

【課題】ＣＺＴＳ系半導体やＣＩＧＳ系半導体などの光吸収層の上に良好な特性を持つＣｄＳバッファ層を形成することが可能な光電素子用バッファ層及びその製造方法、並びに、このような方法により得られるバッファ層を備えた光電素子を提供すること。
【解決手段】カドミウム塩、硫黄源、及び、硫化物合成助剤を含むＣＢＤ溶液に、光吸収層が形成された基板を浸漬し、前記光吸収層の表面にＣｄＳ膜を形成するＣＢＤ工程と、前記ＣｄＳ膜を、酸化雰囲気下において２００℃超３５０℃以下で熱処理する熱処理工程とを備えた光電素子用バッファ層の製造方法、及び、この方法により得られる光電素子用バッファ層。本発明に係る方法により得られるバッファ層を備えた光電素子。 （もっと読む）

【課題】塗布形成により薄く、かつ深さ方向に焼結が進行した半導体膜を製造することができる半導体膜の製造方法、その方法により得られた半導体膜を有する半導体基板、及び該半導体基板を備えた電子部材を提供する。
【解決手段】基材上に、半導体微粒子分散体を含む塗布液を塗布又はパターン状に印刷して塗布液層を形成した後、この塗布液層を焼成処理して半導体膜を形成する半導体膜の製造方法であって、該半導体微粒子分散体が半導体微粒子とカルボン酸無水物類とを含み、マイクロ波エネルギーの印加により発生する表面波プラズマに該塗布液層を晒すことにより、該塗布液層の焼成処理を行うことを特徴とする半導体膜の製造方法である。 （もっと読む）

電気活性材料の層を形成する方法が提供されている。この方法は：電気活性材料および少なくとも１種の溶剤を含有する液体組成物をワークピース上に堆積させて湿潤層を形成するステップ；ワークピース上の湿潤層を固体吸収性材料を含有する減圧チャンバ中に入れるステップ；および湿潤層を、−２５℃〜８０℃の範囲内の制御温度、および、１０^-6Ｔｏｒｒ〜１，０００Ｔｏｒｒの範囲内の適用された減圧下で１〜１００分間の間処理するステップを含む。
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【課題】金属酸化物半導体の形成におけるプロセス温度の低温化を達成することにより、樹脂基板を用いた薄膜トランジスタの製造を可能とする。
【解決手段】金属酸化物半導体前駆体の溶液または分散液を、基板上に塗布することにより得られた金属酸化物半導体前駆体膜を変換することにより、金属酸化物半導体を形成する金属酸化物半導体の製造方法において、金属酸化物半導体前駆体塗布時の基板表面の２種の表面エネルギー成分γｈとγｄについて、１０≦γｈ≦８０（ｍＮ／ｍ）、２≦γｄ≦４０（ｍＮ／ｍ）であることを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基材上に設けられた半導体ナノ粒子を含む印刷層を、低温かつ短時間で焼成処理して、ち密かつ平滑で性能に優れ、さらに薄い半導体層を形成してなる半導体基板を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】基材上に、半導体ナノ粒子を含む塗布液をパターン状に印刷して印刷層を形成した後、この印刷層を焼成処理してパターン状の半導体層を形成する半導体基板の製造方法であって、マイクロ波エネルギーの印加により発生する表面波プラズマに前記印刷層を晒すことにより、該印刷層の焼成処理を行うことを特徴とする半導体基板の製造方法、である。 （もっと読む）

【課題】無機化合物の表面を溶液プロセスによって効率的に特定の有機化合物で修飾し、有機薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】無機化合物の最表層に、下記一般式（１）で表される官能基を２つ以上有する化合物の単分子膜を形成し、次いで前記化合物において前記無機化合物に結合していない下記一般式（１）で表される官能基の一部もしくは全部を水素原子に変換する、無機化合物の表面修飾方法および有機薄膜の製造方法。


（式中、Ｒは置換基を表し、ｎは１又は２の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】溶液プロセスでの素子作製に適した溶解性を有しながら、成膜後に化学的安定性および半導体動作安定性が高く良好な半導体特性を示す、特定の化合物を用いて得られる結晶性有機薄膜、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）基板上に、溶媒可溶性化合物を溶媒に溶かした溶液を塗布する工程、（ｉｉ）前記溶媒可溶性化合物を脱離反応させて溶媒不溶化し有機薄膜を形成する工程、及び（ｉｉｉ）前記有機薄膜上に、溶媒可溶性化合物を溶媒に溶かした溶液を塗布し、脱離反応させて結晶性有機薄膜を積層する工程を含む、結晶性有機薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高温で熱処理を施すことなく、結晶性の高い良好なシリコン膜を形成することが可能なシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ポリシラン修飾シリコン細線を含む液体を調製（Ｓ１０１）したのち、基体の上にポリシラン修飾シリコン細線を含む液体を用いて塗布膜を形成（Ｓ１０２）し、この塗布膜を加熱する（Ｓ１０３）ことにより、シリコン膜を形成する。これにより、高温で加熱せずに、塗布膜中においてシリコンの結晶化が促進される。 （もっと読む）

【課題】半導体特性に優れるＧｅナノ粒子を用いて、実用上十分な移動度を有する薄膜半導体を高い生産性で製造する方法を提供すること
【解決手段】基材上に、Ｇｅナノ粒子を含む塗布液をパターン状に印刷して印刷層を形成した後、該印刷層を焼成してパターン状の半導体層を形成する半導体基材の製造方法であって、該焼成が、還元性雰囲気下で６００℃以上の加熱を施すことによるもの、あるいは該焼成に、水素ラジカルを発生するプロセスを用いる、ことを特徴とする半導体基材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高い移動度を有し光起電力を利用する有機電子デバイス、該デバイスを容易なプロセスで作製する方法を提供する。
【解決手段】従来とは異なる特定の環状構造のビシクロ化合物を溶媒に溶解した溶液を基板上に塗布することにより膜を製膜し、次いで加熱等の外部作用を加えることで、該ビシクロ化合物からエチレン誘導体を脱離させることにより基板上で変換された化合物を有機半導体として用いてなる光起電力を利用する有機電子デバイス、及びその作製方法。 （もっと読む）

基板に接着させたＩＩＩ−Ｖ族アモルファス材料を形成する反応性蒸着方法であり、この方法は、基板に０．０１Ｐａと同程度の周囲圧力を印加する手順、及び基板の表面上にアモルファスＩＩＩ−Ｖ族材料層が形成されるまで、０．０５Ｐａと２．５Ｐａとの間の動作圧力で基板の表面に活性Ｖ族物質を導入し、且つ、ＩＩＩ族金属蒸気を導入する手順を備える。 （もっと読む）

透明で転位密度が少なく均一厚みで高品位であり、かつバルク状の大きなＩＩＩ族元素窒化物の単結晶を収率良く製造可能な製造方法を提供する。 アルカリ金属およびアルカリ土類金属からなる群から選択される少なくとも一つの金属元素と、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）およびインジウム（Ｉｎ）からなる群から選択された少なくとも一つのＩＩＩ族元素とを入れた反応容器を加熱して前記金属元素のフラックスを形成し、前記反応容器に窒素含有ガスを導入して、前記フラックス中でＩＩＩ族元素と窒素とを反応させてＩＩＩ族元素窒化物の単結晶を成長させるＩＩＩ族元素窒化物単結晶の製造方法において、前記単結晶の成長を、前記反応容器を揺動させること等により、前記フラックスを攪拌した状態で行う。
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