【課題】結晶品質の良いＩＩＩ族窒化物単結晶を得ると共に、その基板からの自然剥離を促進することで、クラックを更に低減することである。
【解決手段】基板１と、基板１上に形成されたＩＩＩ族窒化物からなるバッファ層２およびこのバッファ層２上に形成されたＩＩＩ族窒化物単結晶からなる種結晶膜３を備える複数の育成部９とを備えており、隣り合う複数の育成部９の間に基板１の表面１ｂが露出している育成用部材７を使用する。育成用部材７をウエットエッチングに供することによってバッファ層２を育成部９の端面からエッチングし、次いでＩＩＩ族窒化物単結晶を種結晶膜３上にフラックス法によって育成する。 （もっと読む）

【課題】基板表面が分子レベルで平坦化された単結晶ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】炭素ゲッター効果を有する嵌合容器に単結晶４Ｈ−ＳｉＣ又は単結晶６Ｈ−ＳｉＣからなる単結晶ＳｉＣ基板５を収容し、前記嵌合容器の内部をシリコンの飽和蒸気圧下かつ高温真空下とし、更に、前記嵌合容器の内部圧力が外部圧力よりも高くなる状態を維持しながら１５００℃以上２２００℃以下で加熱制御する。これによって、当該単結晶ＳｉＣ基板５の表面が、単結晶ＳｉＣ基板を構成するＳｉＣ分子の積層方向の１周期分であるフルユニットの高さ又は半周期分であるハーフユニットの高さからなるステップで終端し、分子レベルで平坦化される。前記方法で製造した単結晶ＳｉＣ基板と炭素供給フィード基板とを対向配置し、その間にシリコンの極薄融液層を介在させつつ加熱することで、準安定溶媒エピタキシー法によって単結晶４Ｈ−ＳｉＣを液相エピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】ドープシリコン膜中にドープ材料を多く残留させるドープシリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ドープシリコン膜１１０の製造方法は、液体材料１０８を塗布して塗布膜１０９を形成する工程と、塗布膜１０９を熱処理する工程と、を含み、液体材料１０８がシラン化合物１１とドーパント化合物１２とを含む溶液に、第１の光源１１１から射出される第１の光と、第２の光源１１２から射出される第１の光と波長の異なる第２の光とを照射することで得られるシリコン前駆体組成物を含むものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】空洞が生じることを抑制し、かつ手間およびコストを低減したスーパージャンクション構造を有するエピタキシャルウエハの製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウエハの製造方法は、スーパージャンクション構造１２を有するエピタキシャルウエハ１０の製造方法であって、以下の工程を備えている。基板１１を準備する。基板１１上に第１導電型の第１の層を形成する。第１の層にメサ構造を形成する。第１の層のメサ構造の凹部に、液相成長法により第２導電型の第２の層を形成する。半導体装置の製造方法は、以下の工程を備えている。エピタキシャルウエハ１０を製造する。エピタキシャルウエハ１０上に、半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】常温で溶液処理方式に金属酸化物を形成する方法及びこれを含むトランジスタ構造体を形成する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、金属酸化物の形成方法に関する。本発明の実施形態による金属酸化物の形成方法は、ドーパント化学種を含む金属酸化物前駆体溶液を用意することと、塩基性化学種を含むアルコール系溶液を用意することと、金属酸化物前駆体溶液及びアルコール系溶液を反応させて反応物を形成することと、反応物を精製して金属酸化物を形成することと、を含む。 （もっと読む）

【課題】組成均一性が高い自立Ｍｇ含有ＺｎＯ系混晶単結晶ウエファーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】溶質であるＺｎＯおよびＭｇＯと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液８に、種結晶基板７を直接接触させ、種結晶基板７を連続的あるいは間欠的に引上げることによって液相エピタキシャル成長法によりＭｇ含有ＺｎＯ系混晶単結晶を成長させ、その後、基板７を研磨またはエッチングで除去し、単結晶の液相エピタキシャル成長した−ｃ面側を研磨あるいはエッチングすることにより、自立Ｍｇ含有ＺｎＯ系混晶単結晶ウエファーを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長時の製造コストを高くすることなく、エピタキシャル成長層の形成後での重ね合わせ精度を向上することが可能な重ね合せ用のアライメントマークを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】アライメントマークＡＭ１１，Ａ１２が隣り合う間の凸部領域ＳＣ１の上方におけるエピタキシャル成長層ＥＰの表面には、第１アライメントマークＡＭ１１からのパターンダレと第２アライメントマークＡＭ１２からのパターンダレとが重なり合い、第１アライメントマークＡＭ１１および第２アライメントマークＡ１２の段差パターンの側壁に沿って並行に延びる凸部ＣＲ１が形成され、この凸部ＣＲ１に基づき、明確な光学的信号微分強度分布のピークＰＭ２を読取ることができる。 （もっと読む）

所望の電気特性の連続膜が、予め作製されたナノ粒子の２つ又は３つの分散液を連続して印刷及びアニールすることによって得られる。
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【課題】 基板上に形成した結晶シートの落下を防止して、結晶シートを確実に回収する。また、薄く、平坦性に優れた結晶シートを低コストで大量生産する方法を提供する。
【解決手段】 本発明の結晶シートの製造方法は、冷却された基板の主面の片面または両面をシート材料の融液に接触させ、シート材料の結晶を基板上に成長させて結晶シートを製造する方法であって、シート材料は金属材料および／または半導体材料を含有し、基板は、シート材料からなる母材と、母材の一部または全面を覆う皮膜を有し、皮膜がシート材料と異なる材料からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高品質な結晶シリコン粒子を安定して作製でき、量産性や低コスト性に優れた光電変換装置や光発電装置を提供すること。
【解決手段】 上面に多数個の半導体粒子101を載置した台板102を加熱炉内に導入し、半導体粒子101を加熱して溶融させる工程と、この溶融した半導体粒子101を台板102側から上方に向けて固化させる工程とを、２回以上繰り返すことによって結晶半導体粒子101とする結晶半導体粒子の製造方法である。光電変換装置に用いる場合に変換効率特性に優れた高品質な結晶シリコン粒子101を製造することができる。 （もっと読む）