【課題】大気中でも製造可能であり、製造が容易であり、かつ、高い結晶配向性を有する単結晶薄膜を形成することが可能な薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】基体１上の薄膜材料を含む液状体２に側部界面３を形成し、かつ、側部界面３の位置を移動しつつ、液状体２から薄膜材料の結晶を基体１上に成長させる。側部界面３の位置を結晶の成長速度に合わせて移動させる。 （もっと読む）

【課題】低温度における溶液処理を用いる、薄膜トランジスタのための酸化亜鉛半導体レイヤを製造する方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛及び錯化剤から成る溶液を製造し、その溶液を基板に付着させ、その溶液を加熱して基板上に半導体レイヤを形成する。この酸化亜鉛半導体レイヤを用いる薄膜トランジスタは、移動度及びオン／オフ割合が好ましい。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長（ＬＰＥ）法により、４Ｈもしくは６Ｈ炭化珪素単結晶基板上に２Ｈ炭化珪素単結晶が３０μｍ厚以上形成された基板と、その製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ３内でリチウムフラックス中で珪素と炭素の融液１２を形成し、種結晶基板１１として融液１２に浸漬した４Ｈ炭化珪素単結晶もしくは６Ｈ炭化珪素単結晶のＣ面［（０００−１）面］上に、２Ｈ炭化珪素単結晶のＬＰＥ膜を３０μｍ厚以上成長させる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層原料に含まれる酸素を効果的に除去し、成長溶液中の酸素濃度を低減することによって、エピタキシャル層中の酸素不純物が少なく発光特性が良好なＬＥＤ用エピタキシャルウエハを高い歩留りで製造する。
【解決手段】ｐ型ＧａＡｓ基板上に、所望する発光波長に必要なＡｌ混晶比のｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層、 ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層を有するエピタキシャルウエハを液相エピタキシー法により製造する方法であって、成長溶液の調合におけるドーパント材料および／またはアルミニウム材料の混合は、成長装置内で前記材料を所定の温度に加熱した状態で成長溶液に投入して行われ、前記所定の温度Ｔ〔単位：Ｋ〕を前記材料の融点Ｔ_ｍ〔単位：Ｋ〕に対して０．８Ｔ_ｍ≦Ｔ≦０．９９Ｔ_ｍの範囲とする。 （もっと読む）

【課題】自己組織化単分子膜を用いて、生産効率が高い溶液プロセスによって製造することのできる移動度が高くトランジスタ特性が良好な有機薄膜トランジスタ、及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】ゲート電極、ゲート絶縁膜、有機半導体材料からなる半導体層、ソース電極、ドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタであって、ゲート絶縁膜上に光または酸に分解性を有する第１の官能基を有する化合物からなる第１の自己組織化単分子膜を形成する工程、前記単分子膜上に活性光線を露光し、前記単分子膜を分解し露光された部位に第２の官能基を露出させる工程、前記第２の官能基に下記一般式（１）の化合物を反応させ、前記単分子膜上に第３の官能基を形成する工程により形成された第３の官能基を有する単分子膜をゲート絶縁膜上に有することを特徴とする、有機薄膜トランジスタ。
【化１】
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【課題】有機分子を結合させた微粒子の間隔を高精度に制御でき、これにより空隙や突出部のない膜質の良好な微粒子層からなる半導体層を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】有機分子を結合させた微粒子ｓを配列してなる微粒子層３を備えた半導体装置の製造方法であり、第１工程では有機分子としてデンドリマー分子ｍを結合させることでデンドリマー分子ｍからなる保護膜で覆われた微粒子ｓを溶媒中に分散させ、この分散溶液を基板１上に塗布する。次の第２工程では、分散溶液中の溶媒を除去することによりデンドリマー分子ｍを結合させた微粒子ｓを最密状態で配列してなる微粒子層３を形成する。この微粒子層３は、これ自体を半導体層として用いても良いし、デンドリマー分子ｍを他の有機分子で置換して半導体層として用いても良い。 （もっと読む）

【課題】液相エピタキシャル成長において、装置構成が複雑にならずに、不要な多結晶析出物が原因であるウェハー表面の結晶薄膜の成長不良を抑えることができ、歩留り良く半導体単結晶薄膜を成長させるようにする。
【解決手段】原料溶液１に満たされた成長容器２内で半導体ウェハー３上に結晶薄膜を成長させる液相エピタキシャル成長方法において、半導体ウェハー３表面に付着してエピタキシャル成長を阻害する大きさの多結晶体が入り込まないように、半導体ウェハー３を平行に間隔をおいて配置する。 （もっと読む）

【課題】 薄板製造装置において、薄板状多結晶体を成長させるための第１の坩堝内に収容される熔融原料から該原料の炭化物を除去し、炭化物をほとんど含有せず、品質が均一で、高い機械的強度を有し、良好な特性を有する薄板状多結晶体を製造する。
【解決手段】 第１の熔融加熱炉２と、第２の熔融加熱炉３と、固体原料供給手段４と、図示しない熔融原料供給手段と、第１の冷却部材５と、図示しない第１の保持手段と、第２の冷却部材６と、図示しない第２の保持手段と、図示しない第１の冷却部材搬送手段とを含む薄板製造装置１において、第２の冷却部材６を第１の熔融加熱炉２に含まれる第１の坩堝１０に収容される炭化物を含む熔融原料８中に浸漬させることによって、第２の冷却部材６表面に炭化物を付着させて炭化物を除去する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛デバイス用基板材料として適した高純度で高品質な酸化亜鉛結晶を得る成長方法を提供する。
【解決手段】長さ方向一端側から他端側に向け温度勾配を有する成長容器11内において酸化亜鉛結晶15の成長を行う酸化亜鉛結晶の成長方法であって、溶媒としての亜鉛インゴット13と原料としての酸化亜鉛多結晶12が充填された成長容器11を、亜鉛の融点以上酸化亜鉛の融点以下の温度に加熱し、かつ成長容器11の高温側に配置された酸化亜鉛原料を、溶融した亜鉛を溶媒として成長容器11の低温側成長部において再析出、成長させて酸化亜鉛結晶15を得る。 （もっと読む）

【課題】長時間安定して単結晶ＳｉＣをエピタキシャルに成長させる改良方法及びその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶４が固定されたサセプタ５並びに単結晶ＳｉＣ製造用原料であるＳｉＯ₂粒子及びカーボン（Ｃ）粒子を供給するための原料供給管６を坩堝２内に配置する工程、及び、高温雰囲気とした坩堝２内に単結晶ＳｉＣ製造用原料を不活性キャリアガスＡと共に原料供給管６を通してＳｉＣ種結晶４上に供給して単結晶ＳｉＣを成長させる工程を含み、原料のＳｉＯ₂とＣの供給モル比が、ＳｉＯ₂：Ｃ＝１．０５：３．０〜２．０：３．０である単結晶ＳｉＣの製造方法、及びこの製造方法により製造された単結晶ＳｉＣ。 （もっと読む）

【課題】基体表面が周縁溝により周辺部と前記周縁溝で囲まれた内側部に区画、若しくは前記周辺部と内側部の一部が連結されている基体を、半導体材料の融液に接触させることにより、前記半導体材料の固相シートを基体の表面に製造する工程で固相シート表面に生じる液溜りによって、固相シートに亀裂を生じ、歩留りが低下している問題点を解決する固相シートの製造方法を提供する。
【解決手段】前記内側部の表面にスリット１０３を施す。また、好ましくは、基体の表面を半導体材料の融液に接触するときの移動方向後方にスリット１０３を施す。特に好ましくは半導体材料の融液に接触するときの移動方向に周縁溝１０２から内側部に複数スリット１０３を施す。 （もっと読む）

光電デバイス及び関連する方法。デバイスは、電子収集電極及びホール収集電極間に配置されたナノ構造物質を有する。電子輸送／ホール遮断材料は、電子収集電極とナノ構造物質との間に配置される。特定の実施例においては、ナノ構造物質における光吸収により生成される負電荷キャリアは、電子輸送／ホール遮断材料に選択的に分離される。特定の実施例においては、ナノ構造物質は、波長が約４００ｎｍ〜７００ｎｍに及ぶ光に対し、少なくとも１０^３ｃｍ^−１の光吸収係数を有する。 （もっと読む）

【課題】複数のワイヤからなるワイヤ群の長手方向の向きが揃った物品の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンナノワイヤシートを作成するために、シリコンワイヤをポリマーで被覆しておき、その後、交流磁場等で配向させ、固定化する。 （もっと読む）

【課題】塗布膜から、簡便に、キャリア移動度の高い良好な結晶性有機半導体薄膜を提供し、またこれを用いた有機半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板上に有機半導体材料溶液を供給、塗布して有機半導体薄膜を形成する場合に、有機半導体薄膜に、０．５μｍ以上１００μｍ以下の短辺をもつ線状の非被膜部が存在させることにより単一結晶性領域を形成しやすくし異方性結晶の形成による不整合をなくし分子配列の歪や乱れによるキャリア移動度低下のない有機半導体薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】低コストで耐久性に優れた有機半導体素子を提供する。
【解決手段】基体上に結晶化促進層を設ける工程と、該結晶化促進層の上に有機半導体前駆体を付与する工程と、該有機半導体前駆体に光エネルギーと熱エネルギーとを同時に与えて有機半導体からなる層を形成する工程と、を少なくとも有する半導体素子の製造方法。前記基体を外部から加熱することにより前記熱エネルギーを付与することが好ましい。前記結晶化促進層が結晶粒同士の接合を促進する機能を有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】保存安定性が高く、特性に優れた有機半導体層を形成することができる有機半導体用組成物、これを用いて製造された信頼性の高いトランジスタを製造可能なトランジスタの製造方法、アクティブマトリクス装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、および、電子機器の製造方法を提供すること。
【解決手段】有機半導体用組成物は、チオフェン環とアルキル鎖とを含む有機半導体材料と、シスデカリンを含有する有機溶媒とを含有する。この有機半導体用組成物は、例えば、互いに分離して設けられたソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂと、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを覆うように設けられた有機半導体層３０と、有機半導体層３０上に設けられたゲート絶縁層４０と、ゲート絶縁層４０上に設けられたゲート電極５０とを有するトランジスタの有機半導体層３０を形成するのに使用される。 （もっと読む）

【課題】高性能で均一な薄膜を、効率的に、かつ常温でも形成可能な薄膜形成方法とそれにより得られる薄膜を提供する。
【解決手段】ナノ粒子を基材に付与し、基材上に付与された該ナノ粒子を大気圧プラズマ処理することにより、薄膜を形成する薄膜形成方法であって、該大気圧プラズマ処理が、大気圧または大気圧近傍の圧力下で、対向する電極間にガスを供給し、該電極間に高周波電界を発生させることによって該ガスを励起ガスとし、該励起ガスに基材上に付与された該ナノ粒子を晒す処理であることを特徴とする薄膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】サイリスタ不良の発生を大幅に減少できるエピタキシャルウエハの製造方法及び発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】液相エピタキシャル成長装置内に設置したｐ型ＧａＡｓ基板１上に、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３を順次、液相エピタキシャル成長させた後、そのまま液相エピタキシャル成長装置内で再度温度を上昇させる熱処理を施してエピタキシャルウエハを作製する。エピタキシャル成長後、再度温度を上昇させる熱処理により、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２との組成界面付近のｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３に含まれる炭素のピーク濃度が下がるため、組成界面付近でｐ型変換層が発生せず、サイリスタ不良が発生しないエピタキシャルウエハが得られる。 （もっと読む）

【課題】低圧または常圧で、工業的に安価な方法で良質の第１３族金属窒化物結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】反応容器１４中に溶融塩６を入れ、溶解する。仕切り板５で仕切られた部分に、周期表第１３族金属元素および周期表第１３族以外の金属元素を含有する複合窒化物８を置き、溶融塩６中へ溶解させる。溶解した複合窒化物８は、イオン性溶媒に溶解してＧａＮ結晶１の表面に到達し、第１３族金属窒化物結晶が成長する。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構造で安定に動作し、製造コストも低いプラズモン共鳴型光電変換素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のプラズモン共鳴型光電変換素子は、支持基板１０の上に正極集電体１２が形成され、その上には、光を照射されてプラズモン共鳴を起こす金、銀、白金、銅またはパラジウム等の金属で構成された電荷発生層１４が形成されている。この電荷発生層１４は、プラズモン共鳴を起こしやすくするために、突起部を有する。また、電荷発生層１４の上には、電荷発生層１４で発生した電荷を取り出す半導体層１６が形成されている。半導体層１６には、例えば酸化チタン等のｎ型半導体を使用することができる。半導体層１６の上には、ＩＴＯ等の透明電極１８が形成され、透明電極１８の上には、ガラス、プラスチック等の支持基板２０が形成される。 （もっと読む）