【課題】メルト析出物によるエピタキシャル層の表面欠陥の低減を図った発光ダイオード用エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面側に基板２を保持した基板ホルダー３上に、前記一方の面側に対向して原料溶液Ｌａ，Ｌｂを収納した原料ホルダー５を設け、基板ホルダー３をスライドして原料溶液Ｌａ，Ｌｂに基板２を接触させ、基板２上にエピタキシャル層を成長させる発光ダイオード用エピタキシャルウエハの製造方法において、基板ホルダー３の前記一方の面側であり基板ホルダー３に保持した基板２のスライド方向に、原料溶液Ｌａ，Ｌｂが降温中に基板ホルダー３との界面に析出した析出物を除去する析出物除去溝７ａ，７ｂを形成し、降温を開始した後、基板ホルダー３をスライドし、析出物除去溝７ａ，７ｂに析出物を落として除去した後、基板２上にエピタキシャル層を成長させる方法である。 （もっと読む）

【課題】高次シラン化合物にドーパントソースを混合して加熱するとき、大気圧下におけるドーパントソースの蒸発温度がドーパントソースの分解温度より低いため、分解する前に蒸発してしまい、高次シラン化合物内に残留する率が低下するという問題があった。
【解決手段】ドーパントソースと高次シラン化合物とを有する液体材料の温度を容器中で加圧雰囲気下にて第１温度から第２温度に上昇させる第１工程を含む、ことを特徴とするドープシリコン膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 光吸収層を構成する粒子の粒成長を促進することができる薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 ＣｕとＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含有する光吸収層溶液を、前記第１電極層２上に塗布することにより光吸収塗布膜を形成する工程と、光吸収塗布膜を還元雰囲気で熱処理することによりＣｕとＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含有する光吸収層３を形成する工程と、光吸収層３上にＳｅを含有するＳｅ含有膜を形成する工程と、Ｓｅ含有膜を還元雰囲気で熱処理してＳｅを光吸収層３に拡散させる工程と、光吸収層３上に第２電極層５を形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体膜と電極との電気的なコンタクトが良好で、性能のバラツキがない半導体薄膜の製造方法、またこれを用いて、既成容量が少なく、高性能で動作が安定した薄膜トランジスタを製造することにある。
【解決手段】半導体前駆体を含有する液体材料を液滴にして基板上に塗設し、乾燥させて島状のパターンをもつ半導体前駆体薄膜を形成し、該半導体前駆体に変換処理を施して半導体を形成する半導体薄膜の形成方法において、島状のパターンを有する変換処理後の半導体薄膜が、
半導体薄膜の膜厚をチャネル方向に非接触３次元表面形状測定装置にて測定した膜厚プロファイルにおいて、半導体薄膜の中央から端部までの距離の５０％のところから端部までの平均膜厚と、半導体薄膜の中央から端部までの距離の５０％のところから中央までの平均膜厚とが、異なっていることを特徴とする半導体薄膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの製造において有用な半導体インク配合物を提供する。
【解決手段】半導体インク配合物は、構造式（Ａ）のチオフェン部分を含む半導体材料と、第１の溶媒と、第１の溶媒と混和性であり、第１の溶媒の表面張力に等しいかまたはそれより大きい表面張力を有する第２の溶媒とを含み、該半導体材料が室温にて０．１重量％未満の溶解度を有する。


（上記構造式（Ａ）中、Ｒ_１は、アルキルおよび置換アルキルから選択される。） （もっと読む）

【課題】無機化合物の表面を溶液プロセスによって効率的に特定の有機化合物で修飾し、有機薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】無機化合物の最表層に、下記一般式（１）で表される官能基を２つ以上有する化合物の単分子膜を形成し、次いで前記化合物において前記無機化合物に結合していない下記一般式（１）で表される官能基の一部もしくは全部を水素原子に変換する、無機化合物の表面修飾方法および有機薄膜の製造方法。


（式中、Ｒは置換基を表し、ｎは１又は２の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】大気雰囲気下での使用や、デバイスとして駆動するため電界が印加された際に、有機分子層同士を結合している共有結合が切断され、分子層積層構造が崩壊する恐れがない、耐久性に優れた分子層積層膜による有機薄膜を作製して用い、素子寿命が改善された有機デバイスを提供する。
【解決手段】基板１１と、該基板１１上第一の有機分子層１２と、該第一の有機分子層１２に積層された第二の有機分子層１４とを備え、該第一の有機分子層１２と第二の有機分子層１４が、第一の結合部１３によって接続され、前記第一の結合部１３の構成が、前記第一の有機分子層１２と前記第二の有機分子層１４との間を接続する第一の共有結合部１３１と、前記第一の有機分子層１２および／または前記第二の有機分子層１４と、前記第一の共有結合部１３１の構成原子との間を接続する第一の化学結合１３２からなる有機デバイス。 （もっと読む）

【課題】半導体融液に板状半導体製造用下地板を浸漬し作製した板状半導体において、板状半導体作製時の割れを減少させ、板状半導体の反りを小さくする方法を提供する。
【解決手段】成長面を有する下地板を半導体融液に浸漬させて、下地板に半導体を成長させる半導体の製造方法に使用する半導体製造用下地板において、半導体製造用下地板の結晶成長面Ｓ１が浸漬方向前方部から後方部に延びる溝を有する。さらに、溝は浸漬方向と略平行である。 （もっと読む）

【課題】漏洩電流を最小化することができ、高い電界効果移動度と低いターンオン電圧を有する有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】前記有機薄膜トランジスタの製造方法は、（ａ）基板の上部にゲート電極を形成した後、上部面の全体にゲート絶縁層を形成するステップと、（ｂ）前記ゲート絶縁層の表面エネルギーを制御した後、前記ゲート絶縁層の上部に有機半導体物質を用いて半導体チャネル層を形成するステップと、（ｃ）前記半導体チャネル層の上部にソース電極及びドレイン電極を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】比較的低温の液相法により製造することができ、ＴＦＴ等の半導体活性層として良好な特性を有するＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物膜を提供する。
【解決手段】金属酸化物膜４０は、基板１０上に成膜され、主成分金属元素がＩｎ及びＺｎであるアモルファス構造の金属酸化物膜である。金属酸化物膜４０は、膜中に水酸基が存在しており、かつ、下記式（１）を充足する組成分布を有している。
Ｃ_Ｚｎ（Ｔ）／Ｃ_Ｉｎ（Ｔ）≧４．０×Ｃ_Ｚｎ（Ｂ）／Ｃ_Ｉｎ（Ｂ）・・・（１）
（式中、Ｃ_Ｚｎ（Ｂ）／Ｃ_Ｉｎ（Ｂ）は基板側の膜面におけるＺｎ／Ｉｎモル比、Ｃ_Ｚｎ（Ｔ）／Ｃ_Ｉｎ（Ｔ）は基板側と反対側の膜面におけるＺｎ／Ｉｎモル比をそれぞれ示す。） （もっと読む）

【課題】低分子化合物を用いて高効率な有機薄膜光電変換素子を提供する。
【解決手段】π共役系低分子化合物を塗布成膜した後に、該π共役系低分子化合物から置換基の一部または全部を脱離させることにより有機半導体薄膜へと変換し、該膜上に別の半導体材料を成膜することにより光電変換層を作製した有機薄膜光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】溶液プロセスでの素子作製に適した溶解性を有しながら、成膜後に化学的安定性および半導体動作安定性が高く良好な半導体特性を示す、特定の化合物を用いて得られる結晶性有機薄膜、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）基板上に、溶媒可溶性化合物を溶媒に溶かした溶液を塗布する工程、（ｉｉ）前記溶媒可溶性化合物を脱離反応させて溶媒不溶化し有機薄膜を形成する工程、及び（ｉｉｉ）前記有機薄膜上に、溶媒可溶性化合物を溶媒に溶かした溶液を塗布し、脱離反応させて結晶性有機薄膜を積層する工程を含む、結晶性有機薄膜の製造方法。 （もっと読む）

溶媒混合物に溶解した有機半導体を含む組成物が記述される。より具体的には、この溶媒混合物は、９〜１６個の炭素原子を有するアルカンを１〜２０重量パーセント量、及び芳香族化合物を８０〜９９重量パーセント量、含む。この半導体材料は、組成物の合計重量に対し、少なくとも０．１重量パーセント、この溶媒混合物に溶解している。この組成物を使用して半導体層を形成する、半導体デバイスの製造方法も記述される。
（もっと読む）

【課題】所望の領域に寸法精度良く薄膜を形成することが可能な薄膜形成方法を得る。
【解決手段】基板上に半導体粒子または導電性粒子からなる薄膜を形成する薄膜形成方法であって、粒子径が１００ｎｍ以下の前記半導体粒子または導電性粒子が分散された分散液を、前記基板の所定の領域に配置する配置工程と、前記分散液を配置した基板を２０ＫＨｚ以上、５０ＭＨｚ以下の周波数で振動させて前記所定の領域以外の領域に存在する前記分散液を除去する振動工程と、前記基板上の分散液の溶媒を除去して前記基板上に前記半導体粒子または導電性粒子からなる薄膜を形成する溶媒除去工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】フラックス法により、基板上に生成する単結晶の膜厚を種結晶全面に対して均一化することが可能な窒化物単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】育成容器１の底壁部１０に、相対的に高温の高温部１０ｂと相対的に低温の低温部１０ａとを設け、融液２内に種結晶基板５を浸漬し、種結晶基板５が高温部１０ｂ上に位置するように固定した状態で育成を開始する。高温部１０ｂ付近から矢印６のように種結晶基板の育成面５ａ（あるいは５ｂ）に添って上昇流が生じ、次いで気液界面の近くでは育成容器の外側へと向かって流れ、次いで矢印８のように育成容器の内壁面に添って下降流が生じる。このように、整流でかつ効率よく対流させることができるため、気液界面付近で窒素を融液に溶解させた後に、その融液を育成容器の全体にすみやかに供給することができ、種結晶基板の育成面にステップフロー成長がおこり、品質の良い平滑な窒化物単結晶が形成される。 （もっと読む）

【課題】成膜雰囲気を良好にすることができる成膜装置および成膜方法を提供する。また、当該装置および方法により、特性の良好な膜を形成する。
【解決手段】本発明の成膜装置は、処理室(11)内の基板(S1)上に配置された液体材料(3)に熱処理を施すことにより液体材料を固化する成膜装置であって、処理室内に、基板が搭載されるステージ(15)と、基板を加熱する加熱手段(15a)と、基板を覆うカバー(17)と、を有し、カバーの内部に不活性ガス（Ｎ₂）を供給する供給手段を有する。例えば、カバーに供給された不活性ガスは、カバーの側壁の底部の空間から排出される。かかる装置によれば、カバーにより基板上の液体材料が接触し得る雰囲気ガスを制限しつつ加熱処理を行うことができる。また、基板上の液体材料上に、常に、クリーンな不活性ガスを供給し、加熱により生成した反応ガス（分解ガス）などの不純物をカバー外に排出しつつ加熱処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】大きな結晶の半導体層を基板の上に形成する塗布装置、および特性の優れた薄膜トランジスタを基板の上に形成する薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体材料を溶解または分散した半導体溶液の液滴を吐出する複数のノズルを備えたヘッドを移動させて該液滴を滴下し、基板の上に順次半導体溶液を塗布する塗布装置において、ヘッドは、ヘッドの基板と対向する面の、ノズル位置からヘッドの移動方向と反対側に離間した位置に、ヘッドと基板との間の空間を加熱する空間加熱手段を有することを特徴とする塗布装置。 （もっと読む）

【課題】加熱による移動度の低下とこれによる特性劣化を抑制可能で、耐熱性の向上が図られた半導体薄膜をより簡便な手順によって得ることが可能な半導体薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】有機半導体材料を含む複数種類の有機材料を混合した溶液を基板上に塗布または印刷して薄膜を形成し、薄膜を乾燥させる過程で複数種類の有機材料を相分離させる。これにより、２層の半導体層ａ，ａ’間に有機絶縁性材料からなる中間層ｂが挟持された積層構造の半導体薄膜１を得る。 （もっと読む）

【課題】均一な大きさのI-III-VI_２ナノ粒子前駆体をより環境に優しく、かつ容易な方法で合成し、これを基板に蒸着させて薄膜を形成した後、熱処理して所望する組成の太陽電池用光吸収層をより簡便に製造できる方法を提供する。
【解決手段】本発明はI-III-VI_２ナノ粒子の製造方法及び多結晶光吸収層薄膜の製造方法に関する。本発明のI-III-VI_２ナノ粒子の製造方法は、(ａ１)I族原料、III族原料及びVI族原料を溶媒と共に混合して混合溶液を製造する段階と、(ａ２)前記混合溶液を超音波処理する段階と、(ａ３)前記超音波処理された混合溶液から溶媒を分離する段階と、(ａ４)前記(ａ３)段階から得られた結果物を乾燥させてナノ粒子を得る段階とを含む。本発明によれば、超音波を用いた破砕分散を通じて均一な大きさのI-III-VI_２ナノ粒子前駆体を合成し、薄膜を製造した後、熱処理工程などを通じて容易に所望する造成の多結晶光吸収層薄膜を得ることができる。また、本発明によれば、既存の酸素除去工程が不要であるため、従来の製造工程を簡素化でき、製造コストを大幅に低減できるものと期待される。 （もっと読む）

【課題】液相法において大型の結晶を成長させることができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、液相法によるＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長方法であって、ＩＩＩ族窒化物結晶１０と同じ化学組成を有しかつ０．５ｍｍ以上の厚さを有するＩＩＩ族窒化物結晶基板１を準備する工程と、ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の主面１ｍに、ＩＩＩ族金属とアルカリ金属を含む溶媒３に窒素含有ガス５を溶解させた溶液を接触させて、主面１ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）