【課題】溶融滴下法による半導体粒子の製造過程において発生する不純物成分を効果的に溶融装置の外部に排出することにより、高純度の半導体粒子を高速で製造する方法および装置を提供する。
【解決手段】半導体材料を加熱し溶融させる工程および半導体融液を気相中に滴下する工程の少なくとも一方を、坩堝内または坩堝が収容された外套容器内に一方から希ガスを供給し、他方から希ガスを順次排出しながら行う。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、塗布法により形成される有機半導体層のキャリア移動度の向上させることであり、また、有機半導体層薄膜の繰り返し測定（使用）時における特性変動抑制、又閾値の低下、更には基板上における有機半導体薄膜の成膜性の向上にある
【解決手段】 基板上に形成された有機半導体材料薄膜の一部に前処理を行った後、熱処理を行うことを特徴とする有機半導体層の形成方法。 （もっと読む）

【課題】 溶媒に対する溶解性が高い酸化亜鉛薄膜形成用組成物であって、透明性が高く、均一かつ平滑な酸化亜鉛薄膜を簡便に得ることができる組成物を提供すること。
【解決手段】 炭素数４〜１０のα，β−不飽和分岐モノカルボン酸と亜鉛とからなるモノカルボン酸亜鉛塩を含む酸化亜鉛薄膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】 ボトムアップ系とトップダウン系との利点を最大限活かすことができる高機能の機能素子の製造に用いて好適な薄膜積層構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 円柱状または多角柱状の基体５３を回転させながらノンレシプロカルな工程で薄膜を累積することにより、一体化した薄膜積層構造体を製造する。薄膜の厚さは例えば１０００ｎｍ以下とする。薄膜の累積はＬＢ法または交互吸着法により行う。ＬＢ法では薄膜として単分子膜を累積する。この薄膜積層構造体を用いて記憶素子や太陽電池などの機能素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】 耐剥離性に優れ、かつ、高い秩序性、結晶性、電気伝導特性を有する有機薄膜、該薄膜を作製するための化合物及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 式（Ｉ）の分子にシリル基が置換された有機シラン化合物。分子（Ｉ）をハロゲン化し、シラン誘導体を反応させる上記有機シラン化合物の製法。該有機シラン化合物分子が、基板側にシリル基が、膜表面側に分子（Ｉ）部分が位置するように、配列された有機薄膜。
【化１】


（ｘ１およびｘ２は１≦ｘ１、１≦ｘ２および２≦ｘ１＋ｘ２≦８を満たす；ｙ１およびｚ１は２〜８；ｙ２およびｚ２は０〜８；該骨格は疎水基が置換されてよい）。 （もっと読む）

【課題】 加工損傷がなく高品質で多様な構造形態の半導体ナノ構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 この出願の発明の半導体ナノ構造体の作製方法は、基板上に化合物半導体（ＡＢ）の構成元素Ａの金属液滴を液滴エピタキシーにより形成し、構成元素Ａの金属液滴に構成元素Ｂのビームを照射して化合物半導体（ＡＢ）が結晶化したナノ構造体を作製する際に、結晶化条件を制御することにより、得られるナノ構造体の構造を制御することを特徴とする。得られるナノ構造体の構造は、たとえば量子ドット、二重結合量子ドット、四重結合量子ドット、単一量子リング、同心二重量子リングとなる。 （もっと読む）

【課題】 オンオフ比が改善され、閾値電圧が低い、長期的に安定な特性を有する電界効果型有機トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】 ソース電極１５、ドレイン電極１４、ゲート電極１２、ゲート絶縁層１３及び有機半導体層１６を有する電界効果型有機トランジスタの製造方法であって、該有機半導体層１６を形成する工程が、３５０℃以下の融点を有する有機半導体を液相プロセスで成膜した後に室温または室温以上の温度から室温より低い温度Ｔ₁ に冷却する第１工程、次いで温度Ｔ₁ から室温まで昇温する第２工程を含む電界効果型有機トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、第１３族元素窒化物の層から本質的に製造される高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を提供する。
【解決手ュ段】 このタイプの最近利用できるトランジスタとは反対に、本発明に係るトランジスタはホモ基板１１上に製造され、そのホモ基板はガリウム含有窒化物から製造され、核化層を有さず、そのバッファ層３は公知のＨＥＭＴより極めて薄い。好ましくは、少なくともバッファ層３は本発明にかかるトランジスタの一部であって、エピタキシャル法により製造され、エピタキシャルプロセスにおける上記層の成長方向は基板１１の成長方向と本質的に垂直をなす。この発明はまた、高電子動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）の製造方法にも関するものである。 （もっと読む）