【課題】窒素（Ｎ）の量を少なくしても比抵抗の小さいｎ型ＳｉＣ単結晶を製造する方法、前記の方法によって得られる比抵抗が小さいＳｉＣ単結晶およびその用途を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶を結晶成長する際に、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素（Ｎ）とともにガリウム（Ｇａ）を、両元素のａｔｍ単位で表示して量であるＮ（量）およびＧａ（量）がＮ（量）＞Ｇａ（量）となるようにする。特にＳｉＣに対する窒素（Ｎ）およびガリウム（Ｇａ）のａｔｍ％単位で表示した各々の添加割合であるＮＡＤおよびＧａＡＤが、０＜ＮＡＤ≦１．０ａｔｍ％、０＜ＧａＡＤ≦０．０６ａｔｍ％である割合で添加して結晶成長させることにより、比低抗率が小さく、例えば比低抗率が０．０１Ωｃｍ以下、その中でも０．００８Ωｃｍ以下のｎ型ＳｉＣ単結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも低温で炭化ケイ素を製造することができる炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】鉄（Ｆｅ）とケイ素（Ｓｉ）とを含みＳｉのモル分率が３３モル％以上５０モル％未満であるＦｅ−Ｓｉ合金を、グラファイト基板（炭素源固体）２２上で１２１０℃以上１５００℃未満の温度で溶融させ、溶融Ｆｅ−Ｓｉ合金１２にＳｉＣ種結晶（種結晶）２１を接触させる。更に、溶融Ｆｅ−Ｓｉ合金１２内に、グラファイト基板２２側が高温でＳｉＣ種結晶２１側が低温の温度勾配を発生させる。グラファイト基板２２中の炭素が溶融Ｆｅ−Ｓｉ合金１２内に溶解し、溶解した炭素と溶融Ｆｅ−Ｓｉ合金１２中のＳｉとが化合したＳｉＣがＳｉＣ種結晶２１を基に析出することにより、ＳｉＣ単結晶成長層１３が成長する。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物半導体の形成におけるプロセス温度の低温化を達成することにより、樹脂基板を用いた薄膜トランジスタの製造を可能とする。
【解決手段】金属酸化物半導体前駆体の溶液または分散液を、基板上に塗布することにより得られた金属酸化物半導体前駆体膜を変換することにより、金属酸化物半導体を形成する金属酸化物半導体の製造方法において、金属酸化物半導体前駆体塗布時の基板表面の２種の表面エネルギー成分γｈとγｄについて、１０≦γｈ≦８０（ｍＮ／ｍ）、２≦γｄ≦４０（ｍＮ／ｍ）であることを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体薄膜、特に、前駆体から熱変換され形成される酸化物半導体薄膜を有する薄膜トランジスタの製造方法において、半導体特性の向上およびその安定性が向上した生産効率の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基体３１０上に、ゲート電極３０２、ゲート絶縁膜３０３、酸化物半導体薄膜３０６を有する薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁膜３０３が大気圧プラズマ法により形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】フラックス法により種結晶基板上に窒化ガリウムの結晶を生成させた窒化ガリウム結晶板であって、高品質なものを提供する。
【解決手段】種結晶基板５４を金属ガリウム及び金属ナトリウムを含む混合融液に浸漬した容器５０を、７００〜１０００℃で加圧窒素ガスの雰囲気下、種結晶基板５４上での窒化ガリウムの結晶成長速度が１０〜２０μｍ／ｈとなるように回転させる。その後、容器５０にエタノールを加えて金属ナトリウムを溶かし、溶け残った窒化ガリウム結晶板を回収する。 （もっと読む）

【課題】新規な不純物ドープ窒化ガリウムからなる高抵抗材料を提供する。
【解決手段】少なくともマンガンをドープした窒化ガリウム結晶（ＭｎドープＧａＮ）からなり、ホール測定による比抵抗が１００Ω・ｃｍ以上の高抵抗材料であって、マンガンのドープ量が１×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上であることが好ましい。また、この高抵抗材料は、いわゆるフラックス法により製造することが好ましい。前記高抵抗材料において、窒化ガリウム結晶は、マンガンに加えて、鉄、クロム、カルシウムのうち、少なくとも１つの元素が共添加されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】基材の導電層との密着性に優れた多孔質の酸化亜鉛膜を容易に、かつ、効率よく形成する。
【解決手段】酸化亜鉛膜形成装置１では、析出部２において電解析出により樹脂基板９の導電層上に酸化亜鉛を含む析出物が形成され、樹脂基板９は塗布部４へと搬送される。そして、導電層上に酸化亜鉛の微粒子および溶媒を含む液状またはペースト状の膜形成材料が塗布され、その後、導電層上の膜形成材料から溶媒が揮発により除去される。これにより、樹脂基板９の導電層との密着性に優れた多孔質の酸化亜鉛膜を容易に、かつ、効率よく形成することができる。 （もっと読む）

【課題】空洞が生じることを抑制し、かつ手間およびコストを低減したスーパージャンクション構造を有するエピタキシャルウエハの製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウエハの製造方法は、スーパージャンクション構造１２を有するエピタキシャルウエハ１０の製造方法であって、以下の工程を備えている。基板１１を準備する。基板１１上に第１導電型の第１の層を形成する。第１の層にメサ構造を形成する。第１の層のメサ構造の凹部に、液相成長法により第２導電型の第２の層を形成する。半導体装置の製造方法は、以下の工程を備えている。エピタキシャルウエハ１０を製造する。エピタキシャルウエハ１０上に、半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 光吸収層と第１電極層との接合強度を向上できる薄膜太陽電池の製法を提供する。
【解決手段】 ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含む単一前駆体が有機溶媒に溶解した光吸収層溶液を、第１電極層２上に塗布して光吸収塗布膜を形成する光吸収塗布膜形成工程と、光吸収塗布膜を酸素濃度が２０〜１５０ｐｐｍの不活性ガス雰囲気中で熱処理することにより単一前駆体を有機成分と金属成分に熱分解し、有機成分を除去する熱分解工程と、熱分解工程の熱処理温度よりも高い温度で熱処理することにより、ＣｕとＳおよびＳｅのうち少なくとも１種とＩｎおよびＧａのうち少なくとも１種とを含む光吸収層３を第１電極層２上に形成する光吸収層形成工程と、光吸収層３上に第２電極層５を形成する第２電極層形成工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】形状精度の良好な半導体層を形成することが可能であり、これによって特性の良好な薄膜半導体装置を得ることが可能な薄膜半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体溶液Ｌ１とポリマー溶液Ｌ２とを基板１上に個別に供給することにより、有機半導体溶液Ｌ１とポリマー溶液Ｌ２との混合液層５ａを形成する。混合液層５ａを乾燥させて半導体層５を形成する。有機半導体溶液Ｌ１およびポリマー溶液Ｌ２は、インクジェット法のような印刷法によって基板１上に供給する。 （もっと読む）

本開示は、トランジスタなどの薄膜半導体デバイスを作製する方法を提供するものであり、その方法は、ａ）第１及び第２の導電性ゾーン（１０、２０）を支持する基板（６０）を用意する工程であって、第１及び第２の導電性ゾーン（１０、２０）は、それらの間にチャネル（５０）を画定し、そのチャネル（５０）は、いずれの導電性ゾーン（１０、２０）の周囲の７５％超とも境界を画さない、工程と、ｂ）有機半導体（４０）を含有する溶液の個別のアリコートを、チャネル（５０）に隣接してあるいはチャネル（５０）上に堆積させる工程であって、溶液の大部分は、チャネル（５０）上ではなくチャネル（５０）の片側に堆積される、工程とを含む。本開示のいくつかの実施形態において、溶液は、チャネル（５０）上ではなく全体的にチャネル（５０）の片側に堆積され、更に、溶液は、チャネル長さ未満の長さを有するバンド内に堆積される。本開示は更に、トランジスタなどの薄膜半導体デバイスを提供する。
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【課題】 微粒であってもカルコパイライト型結晶構造を持つ結晶相を含む化合物半導体粒子とその製法、ならびにカルコパイライト型結晶構造を持つ結晶相が主結晶相であり、半導体素子としてＰ型の特性を有するとともに、厚み方向に対して均一な組成を有する緻密な化合物半導体膜を提供する。
【解決手段】 ＣｕまたはＡｇを含む化合物と、Ｉｎ、ＧａおよびＡｌのうち少なくとも１種を含む化合物と、オレイン酸ナトリウムまたはマレイン酸ナトリウムとを、水および該水よりも極性の低い溶媒との混合溶媒中に溶解した溶液から前駆体を形成し、これにＳ，ＳｅおよびＴｅのうちいずれか１種を含む化合物を添加し加熱することにより、カルコパイライト型の結晶構造を持つ結晶相を含有し、アスペクト比（最長径／最短径）が１．５以上であり、かつ最長径の平均長さが０．０５〜０．２μｍである化合物半導体粒子を得る。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ融液を用いる液相法において、融液に原料以外の不純物を添加することなく、また、結晶成長装置を大型化することなく、転位密度が低く結晶性が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶の成長方法は、一主面１０ｍを有するＧａ_xＡｌ_yＩｎ_1-x-yＮ種結晶１０ａを含む基板１０を準備する工程と、基板１０の主面１０ｍにＧａ融液３に窒素の溶解５がされた溶液７を接触させて、１０５０℃以上１２５０℃以下の雰囲気温度下、２μｍ／ｈｒ以下の結晶成長速度で、主面１０ｍ上にＧａＮ結晶２０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの製造において有用な半導体インク配合物を提供する。
【解決手段】半導体インク配合物は、構造式（Ａ）のチオフェン部分を含む半導体材料と、第１の溶媒と、第１の溶媒と混和性であり、第１の溶媒の表面張力に等しいかまたはそれより大きい表面張力を有する第２の溶媒とを含み、該半導体材料が室温にて０．１重量％未満の溶解度を有する。


（上記構造式（Ａ）中、Ｒ_１は、アルキルおよび置換アルキルから選択される。） （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 発明は、金属酸化物層（２）を有する基板（１）上に半導体ナノワイヤ（５）を製造する方法であって、
ａ）前記層（２）を還元して前記金属酸化物層（２）の表面上に半径（Ｒ_ｍ）の金属ナノドロップ（３）を形成するのに適した時間ｔの間出力Ｐの水素プラズマ（１１）を前記金属酸化物層（２）に照射するステップと、
ｂ）前記金属ナノドロップ（３）を含む前記金属酸化物層（２）上への、前記金属ナノドロップ（３）を被覆するのに適した厚さ（Ｈ_ａ）を有する半導体材料の薄層（４）の低温プラズマ助長蒸着ステップと、
ｃ）前記金属ナノドロップ（３）から薄層（４）として堆積された前記材料の触媒作用によりナノワイヤ（５）の横方向成長を促進するのに十分な温度Ｔにおいて熱アニールするステップと
を含む半導体ナノワイヤ（５）を製造する方法を提供する。発明はまた、発明の方法により得られたナノワイヤ（５）と、半導体ナノワイヤ（５）、例えばソース（１６）、ドレイン（１７）、及びゲート（１８）間に半導体接続部を形成するシリコンナノワイヤ（ＳｉＮＷ）を含むナノメータトランジスタとを提供する。 （もっと読む）

本発明は、調節剤によって変性された粒子、及び変性された粒子を含む分散媒体に関する。
金属、金属ハロゲン化物、金属カルコゲニド、金属ニトリド、金属ホスフィド、金属ボライド、金属フォスフェイト粒子、又はこれらの混合物が、１〜５００ｎｍの平均粒径を有し、そしてその表面が、以下の式（Ｉ）（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）
【化１】


の１種以上の調節剤で変性されている。 （もっと読む）

【課題】転写印刷による有機半導体薄膜の形成において有機半導体材料の選択の自由度が高く、これにより印刷法を適用して特性の良好な薄膜半導体装置を得ることが可能な有機半導体薄膜の形成方法および薄膜半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】溶剤に溶解させたインクの状態において印刷版から基板への転写が不可能な有機半導体材料と共に転写が可能な有機材料を混合した混合インク層３を、印刷版１の一主面側に形成する。印刷版１側の混合インク層３を基板１０上に転写することにより、基板１０上に混合インク層３を転写してなる有機半導体薄膜１９を形成する。 （もっと読む）

【課題】印刷特性が良好であり、なおかつ得られる膜の相状態の制御が容易な半導体複合膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】有機半導体材料ａと、有機半導体材料ａとは異なる高分子材料ｂとを溶剤ｃに溶解させると共に、溶剤ｃ中に微粒子材料ｄを分散させたインク３を調整する。印刷法によってインク３を用いた材料層３ａを基板１上に形成する。材料層３ａ中の溶剤ｃを除去することにより、材料層３ａ中の有機半導体材料ａと高分子材料ｂとを膜厚方向に相分離させると共に固化させ、有機半導体材料ａを含有する半導体薄膜層５ａと高分子材料ｂを含有する絶縁性薄膜層５ｂとを積層させると共に微粒子材料ｄが分散された半導体複合膜５を形成する。 （もっと読む）

【課題】大面積の機能膜を安価に形成することが可能な成膜方法を得ること。
【解決手段】第１の機能膜層を形成する第１の工程と、前記第１の機能膜層上に犠牲層を形成する第２の工程と、前記第１の機能膜層上に前記第１の機能膜層と接続する接続層を形成する第３の工程と、前記犠牲層上に接続層と接続する第２の機能膜層を形成する第４の工程と、前記犠牲膜を除去する第５の工程と、を含み、前記第１の機能膜層と前記第２の機能膜層とが接続された機能膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡便な手段を用いて、有機薄膜トランジスタの半導体層に立体規則性の高いポリジアセチレン薄膜を形成し、高移動度を有する有機薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】有機薄膜トランジスタにおいて、ポリジアセチレンを半導体層とするトランジスタの作製プロセスであって、少なくとも、液状でジアセチレン化合物を基板上に展開する工程と、該ジアセチレン化合物の結晶状態を形成する工程と、外部からエネルギーを付与することにより該ジアセチレン化合物をトポケミカル重合させてポリジアセチレンを形成する工程を経ること特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）