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Fターム[5F053RR20]の内容

半導体装置を構成する物質の液相成長 (5,002) | 目的、効果、機能 (507) | その他の目的、効果、機能 (88)

Fターム[5F053RR20]に分類される特許

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本発明にかかるシート製造装置は、溶融物を保持する溝を備える容器を有する。溶融物は、溝の第1のポイントから第2のポイントに流れるように構成される。冷却プレートが、溶融物に近接して配置され、溶融物上にシートが形成される。スピルウェイは、溝の第2のポイントに配置される。このスピルウェイを、溶融物からシートを分離させるように構成する。 (もっと読む)


【課題】膜厚の限界まで薄膜化することのできる有機薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】先ず、導電性高分子材料とこの導電性高分子材料の溶解性を高めるための絶縁性の高分子材料からなるドーパントとを溶媒に溶解した溶液を基板Wの表面に供給すると共に、当該基板Wを回転させ、その遠心力により溶液を展伸させてコロイド粒子の凝集体を基板Wの外に飛散させ、前記基板Wの表面に1次コロイド粒子の単層からなる塗布膜6を形成する。続いて前記基板Wを加熱して前記塗布膜6中の溶媒を除去し、有機薄膜61を形成する。また前記溶液を基板Wの中心部に供給する前に、当該溶液に対して基板Wの表面の濡れ性を高めるためにプリウエット液Sを供給すると共に、当該基板Wを回転させて前記プリウエット液Sを基板Wの表面に塗布してもよい。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャル成長時の製造コストを高くすることなく、エピタキシャル成長層の形成後での重ね合わせ精度を向上することが可能な重ね合せ用のアライメントマークを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】アライメントマークAM11,A12が隣り合う間の凸部領域SC1の上方におけるエピタキシャル成長層EPの表面には、第1アライメントマークAM11からのパターンダレと第2アライメントマークAM12からのパターンダレとが重なり合い、第1アライメントマークAM11および第2アライメントマークA12の段差パターンの側壁に沿って並行に延びる凸部CR1が形成され、この凸部CR1に基づき、明確な光学的信号微分強度分布のピークPM2を読取ることができる。 (もっと読む)


【課題】配向性を有さない基板上に複合酸化物等の無機結晶性配向膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板等の非晶質基板11上に、層状結晶構造を有する無機結晶粒子20を含む原料と有機溶媒とを含む原料液を用いて、液相法により無機結晶粒子20を含む非単結晶膜12を成膜し、この非単結晶膜12が結晶化する温度以上の条件で非単結晶膜12を加熱し、無機結晶粒子20の一部を結晶核として非単結晶膜12を結晶化させることにより、無機結晶性配向膜1を製造する。 (もっと読む)


【課題】大きな結晶の有機半導体層を簡単な工程で形成する有機半導体層の成膜方法、有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】シリルエチニルペンタセン類を含有する有機半導体材料を溶媒に溶解または分散させた有機半導体溶液を基板の上に所望のパターンで塗布する工程と、パターンで塗布した有機半導体溶液に含まれる溶媒を蒸発させて有機半導体材料の結晶薄膜を形成する工程と、をこの順で行う有機半導体層の成膜方法において、173℃以上の沸点である溶媒に有機半導体材料を3質量%以上溶解させることを特徴とする有機半導体層の成膜方法。 (もっと読む)


【課題】ポルフィリン及び/又はアザポルフィリンを含有する膜の製造方法、及び、それを用いた電界効果トランジスタ又は光電変換素子等の有機電子素子の製造方法、並びに、移動度に優れたナフタロシアニン膜を提供する。
【解決手段】膜の製造の際に、特定の化学式で表される前駆体化合物の逆ディールスアルダー反応によって、ポルフィリン及び/又はアザポルフィリンに変換し、ポルフィリン及び/又はアザポルフィリンを含有する膜を製造する。 (もっと読む)


本発明は、非極性芳香族ポリマーを含む層を導電性ポリマーでコーティングするためのプロセス、およびこのプロセスによって製造される高分子層に関する。 (もっと読む)


【課題】製造条件を厳しく制御しなくても、均質なπ共役ポリマー配向膜を形成できる方法の提供。
【解決手段】(1)基板上に製膜されたπ共役ポリマー薄膜表面に対し、一方向に剪断力を付与してπ共役ポリマーを一軸配向させるπ共役ポリマーの一軸配向膜の製造方法。
(2)π共役ポリマー薄膜表面に固形物を圧着掃引することにより、剪断力を付与する(1)記載のπ共役ポリマーの一軸配向膜の製造方法。
(3)固形物が粘弾性を有する(2)記載のπ共役ポリマーの一軸配向膜の製造方法。
(4)剪断力を付与する過程で、π共役ポリマーを軟化温度以上にする(1)〜(3)の何れかに記載のπ共役ポリマーの一軸配向膜の製造方法。
(5)剪断力を付与した後、直ちに冷却する(4)記載のπ共役ポリマーの一軸配向膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】各種特性を備えた単一溶媒を選定しなくても、各種特性が制御された溶媒に有機半導体材料を溶解させることができるとともに、薄膜トランジスタのキャリア移動度を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基体上に有機半導体層を備えた半導体装置の製造方法であって、異なる沸点の溶媒を混合してなる混合溶媒に有機半導体材料を溶解させた溶液を、基体上に塗布することで、有機半導体層15を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】高精度な転写が可能なドナーシート、ドナーシートの製造方法、小型の有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】被転写基板に所定の形状の転写層を転写するためのドナーシートであって、基材シート上に光熱変換層と有機半導体材料を含む転写層とがこの順で積層されてなるドナーシートにおいて、光熱変換層は、所定の形状と同一の形状に予めパターニングされていることを特徴とするドナーシート。 (もっと読む)


【課題】治具からのオートドープによる固定されたカーボンの濃度プロファイルではなく、調整された任意のカーボン濃度プロファイルを有するエピタキシャル基板および液相エピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】基板上にエピタキシャル層が液相エピタキシャル成長方法により積層されたエピタキシャル基板であって、前記基板上に積層されたエピタキシャル層におけるカーボン濃度プロファイルが、溶媒の保持のためのカーボン製治具から供給され得るカーボンの濃度から±50%の濃度プロファイルと交差しているものであるエピタキシャル基板。 (もっと読む)


【課題】有機半導体の結晶をより効率的に製造することが可能である、有機半導体の結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体の結晶の製造方法は、少なくとも有機半導体、液晶、及び粒子を混合して、混合物を得るステップ(11)、並びに該混合物を冷却して、該有機半導体の結晶を得るステップ(15)を含む。 (もっと読む)


【課題】陰イオンをOサイトへ添加することが可能で、電気特性や光学特性等の改善を図ることが可能な酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】液相エピタキシャル法を用いた酸化亜鉛単結晶の製造方法において、亜鉛を含む原料溶液2として、リン酸塩を含む原料溶液2を用い、液相で酸化亜鉛単結晶をエピタキシャル成長させる。また、リン酸塩として、亜鉛のリン酸塩および/または亜鉛以外の物質のリン酸塩を用いる。また、リン酸塩として、Zn3(PO42を用いる。 (もっと読む)


【課題】塗布法によってキャリア移動度の高い有機半導体層を形成できる有機半導体膜の形成方法、及び該有機半導体膜の形成方法によって形成される有機半導体膜を有する有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】有機半導体材料を含む塗布液を基板の上に供給、塗布して、乾燥させることにより有機半導体膜を形成する有機半導体膜の形成方法において、該有機半導体材料を含む塗布液の供給から乾燥の間に、塗布液供給領域内に5℃以上100℃以下の温度差を有することを特徴とする有機半導体膜の形成方法。 (もっと読む)


【課題】配向性が高く、配向した領域が大きい有機半導体膜を製造できる有機半導体膜の製造方法を提供する。性能に優れた有機デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の有機半導体膜の製造方法は、溶融した有機半導体化合物Aを支持板10a,20aに接触させた状態で冷却して固化させる方法であって、下記(1)〜(3)を採用したものである。(1)支持板が、有機半導体化合物Aに接触する側の面に多数の溝が形成されたものである、(2)冷却の際に、支持板表面に略平行な一方向に沿った温度勾配を有機半導体化合物Aに付与する、(3)支持板が、ポリイミド製である。本発明の有機デバイスは、上述した有機半導体膜の製造方法により製造された有機半導体膜を備える。 (もっと読む)


【課題】本発明は、絶縁特性が良好であると共に、ソース電極及びドレイン電極間を流れる電流のオン/オフ比が大きい有機半導体装置及びその製造方法並びに該有機半導体装置を有する表示素子を提供することを目的とする。
【解決手段】有機半導体装置については、絶縁層3は、高分子粒子を含有する。有機半導体装置の製造方法は、高分子粒子が分散されている分散液又は無機粒子及び高分子粒子が分散されている分散液を用いて、絶縁層3を形成する工程を有する。 (もっと読む)


【課題】半導体材料の塗布膜に気体を吹き付けて乾燥時間を短縮し、乾燥むらを低減することにより、大きな面積の半導体層を、均一に、低コストで成膜する半導体の成膜方法、および半導体層を成膜する製造装置を提供する。
【解決手段】基板上に半導体層を成膜する成膜方法において、溶媒を含む半導体材料を基板上に塗布する工程の後に、基板の前記溶媒を含む半導体材料の塗布面に対して、溶媒を蒸発させるために気体を吹き付ける工程を有する、ことを特徴とする半導体層の成膜方法。 (もっと読む)


【課題】高品質なSrCu薄膜を形成すること。
【解決手段】Sr(OAc)、Cu(OAc)・HO、および酢酸を調製し(12)、これらを、混合した後に還流する(14)。さらに、エタノールアミンを加え(18)、続いて、溶液を濾過する(20)。以上により得られた溶液をウェーハ上に塗布し(24)、次いで、該ウェーハをベーキングして溶剤成分を蒸発させる(30)。続いて、フォーミングガス中においてアニール処理を行う(32)。酸素と窒素との混合雰囲気下においてポストアニール処理を行ってもよい(34)。 (もっと読む)


2つの電極(106、108)間に制御可能な導電媒体(110)を有する2つの電極(106、108)で作られる有機メモリセルの製造方法が開示されている。制御かのうな導電媒体(110)には有機半導体層(112)及び受動層(114)が含まれる。有機半導体層(112)はある種の溶剤を用いて、スピンオン技術により形成される。
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【課題】 特別な装置を用いることなく、高濃度のp型シリコンカーバイド層を形成する製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコンカーバイド基板の表面に、アルミニウム部材と、このアルミニウム部材が融解したとき、アルミニウムへシリコンカーバイド基板表面のシリコン及び炭素の溶解を促進する元素を含む第1の板状部材とを積層し、昇温、降温することでp型シリコンカーバイド層を形成する。融解したアルミニウムがシリコンカーバイド基板上に凝集する場合には、第1の板状部材上に、融解したアルミニウムが凝集しない重量で、第1の板状部材と接合しない材料からなる第2の板状部材を、または第2の板状部材上にさらに昇温時に融解することがない高融点金属からなる錘部材とを積層して昇温、降温することでp型シリコンカーバイド層を形成する。 (もっと読む)


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