【課題】倍率、走査方向や測定装置を変更しても、測定結果の変動が生じない線幅測定調整方法及び走査型電子顕微鏡を提供すること。
【解決手段】線幅測定調整方法は、第１の倍率において走査される電子ビームの第１の電子ビーム強度分布と、第２の倍率において走査される電子ビームの第２の電子ビーム強度分布とが同等になるように前記第２の電子ビーム強度分布を調整することを含む。前記第２の電子ビーム強度分布の調整は、電子ビーム強度分布を作成するときに、前記第２の照射距離を増減して行うようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】照射されるイオンビームの概要を明らかにして被露光材の加工を正確に効率よく行うことができるイオンビーム加工装置および操業方法を提供する。
【解決手段】イオンビームを発生させるビーム生成部３と、イオンビームのイオン数を測定するプローブ６と、プローブをイオンビームに直交する面内の１方向に走査させる第１の走査手段と、プローブを前記１方向に直交する方向に走査させる第２の走査手段と、プローブが走査して測定した結果に基づいて演算を行う演算手段２と、を有し、プローブは、走査する側のいずれの端縁も直線で構成されており、演算手段は、少なくとも被露光材Ｗの露光面における１方向のイオンビーム幅および１方向におけるイオンビームのイオン数の分布を演算するように構成されてなる。 （もっと読む）

【目的】測定可能なビーム分解能の精度を向上させるビームの強度分布測定方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の荷電粒子ビームのビーム強度分布測定方法は、上面から下面に向かって所定の角度θで細くなる金属マーク上に荷電粒子ビームを走査させて、荷電粒子ビームのビーム強度分布を測定する荷電粒子ビームのビーム強度分布測定方法であって、上述した金属マークとして、金属マークの厚さｔと所定の角度θとの積が、所望する荷電粒子ビームの分解能σ以下となるように形成された金属マークを用いることを特徴とする。本発明によれば、測定可能なビーム分解能の精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【目的】 高精度なビーム強度分布を取得すると共に、高精度なビーム分解能を取得することを目的とする。
【構成】 本発明は、Ｓｉ基板２０上に形成されたドットマーク１０を用いて、ドットマーク１０幅寸法より小さいビームサイズの電子ビーム２００を走査してドットマーク１０の手前からドットマーク１０上へと移動するように照射する照射工程（Ｓ１０２）と、電子ビーム２００の照射によりドットマーク１０から反射した反射電子１２を計測する計測工程（Ｓ１０４）と、計測工程の結果に基づいて、電子ビーム２００のビーム強度分布を演算するビーム強度分布演算工程（Ｓ１０６）と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、高精度なビーム強度分布とビーム分解能を測定することができる。 （もっと読む）

【目的】本発明は、荷電粒子線を用いて生成する画像のオートフォーカス合わせを行うオートフォーカス方法およびオートフォーカス装置に関し、フォーカス電流を所定幅で変えて試料からラインプロファイルを複数取得し、これら各ラインプロファイルを微分した値の絶対値の総和をそれぞれ算出し、これら総和が最大の点あるいは隣接する総和がほぼ等しくなる点を合焦点と決定してその画像を取得し、再現性高くフォーカス合わせした画像を自動取得することを目的とする。
【構成】 対物レンズの電流あるいは電圧を所定幅で順次変えたときに試料からラインプロファイルをそれぞれ取得するステップと、取得した各ラインプロファイルを微分してその絶対値の総和をそれぞれ算出するステップと、算出した総和が最大あるいは隣接する総和がほぼ等しくなるときの対物レンズの電流あるいは電圧に調整するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】センタリング調整を容易に、しかも再現性を持って行うことができる非点収差補正方法および電子ビーム描画装置を実現すること。
【解決手段】センタリング調整を行わない対向コイルをステップＳ６０２でオフさせた状態で、電流比率ａをステップＳ６０４で逐次変化させ、この変化ごとに、対向コイルに流れる電流をステップＳ６０５および６０８で一定量変化させた場合のクロスマーク位置の変化量である距離ΔをステップＳ６１２で求め、この距離Δが最小となる電流比率ａおよびｂを用いて非点収差補正を行うこととしているので、非点収差補正の際に対向コイルに流れる電流を変化させても電子ビーム４が偏向することの無いようにし、加えてこの電流比率ａおよびｂを、人による誤差を含まない再現性あるものとすることを実現させる。 （もっと読む）

【課題】 レジストパターンの寸法を精度良く予測できるマスクパターンの作成方法を提供すること。
【解決手段】 マスクパターンの作成方法は、レジスト膜上に転写される光または荷電ビームのパターンに関し、その光強度分布または荷電ビーム強度分布に係る第１の関数を見積もる工程（Ｓ２）と、前記第１の関数を用いて前記レジスト膜の特性が反映された第２の関数を算出する工程（Ｓ３）と、前記第２の関数に係る勾配を算出する工程（Ｓ４）と、前記算出した前記勾配に基づいて、前記第１の関数を補正することにより、前記パターンが転写された前記レジスト膜を現像して得られるレジストパターンの寸法を予測する工程（Ｓ５）とを含む。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子ビーム露光装置の調整方法及び荷電粒子ビーム露光装置に関し、成形開口板の照射領域がブランキングの際に動かないという条件と、光源の像の光軸方向の位置が動かないという条件とを満たしながら、照射レンズの強度を変えて材料面上におけるビーム収束角が調節できるように、即ちビーム電流密度が調節できるようにすること。
【解決手段】 荷電粒子ビーム１が照射される成形開口板３より光源４側に配置された多段のレンズ１９〜２１と、多段のブランカー１４，１５と、該多段ブランカー１４，１５の連動比を選択すると共に、多段レンズ１９〜２１のレンズ強度とその比を変えて主面位置と像側焦点位置を調整する調整手段と、偏向支点を成形開口板の位置に合わせて、その状態で前記多段ブランカー１４，１５により荷電粒子ビームを偏向してブランキングを行なうブランキング手段とを設ける。 （もっと読む）

【目的】 ビーム分解能の劣化を抑えながら最良のスループットを実現する手法を提供することを目的とする。
【構成】 電子ビーム２００が複数ショットされることにより描画されるパターンのパターンデータを入力し、入力されたパターンデータに応じて、ショットする前記電子ビーム２００の電流密度とショットする最大ショットサイズとを選択する描画データ処理回路３１０と、選択された前記電流密度で前記電子ビーム２００を形成し、形成された電子ビーム２００を各ショット毎に前記最大ショットサイズ以下のショットサイズに成形し、成形された電子ビーム２００を試料にショットして前記パターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 各種の微細構造物の必須の機能を保証する空間を容易且つ迅速に形成するとともに、製造コストの飛躍的な低減を実現し得る微細構造物の作製方法を提供する。
【解決手段】 貴金属成分（Ｉｒ）とハロゲンとからなる前駆体を、微細孔５３の底部に吸着させるとともに、吸着させた前駆体にハロゲンラジカルを作用させて還元することにより前記貴金属の薄膜５７を形成した後、ハロゲンラジカルによるエッチングモードとして前記薄膜５７を触媒とする基板３のエッチングを急激に進行させることで基板３内における前記各微細孔５３の下方にキャビティ５２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 空間電荷効果の補正を電子軌道の面内に対して高い一様性で行い、電子とイオンとの衝突による電子ビームの損失を減らして効率良く空間電荷を中和し、ビーム電流を増大して高スループット化を図る。
【解決手段】 電子銃から放出された電子ビーム１を収束する機能を備え、該電子ビーム１の軌道領域の周囲に設けられたイオン発生手段１０と、該イオン発生手段１０から発生するイオンビーム２を電子ビーム１の軌道領域に照射するイオン照射手段とを備え、イオンビーム２を電子ビーム１の軌道領域に照射することで、該電子ビーム１により形成される空間電荷を中和し、空間電荷効果を低減する。 （もっと読む）

【課題】 現実の被露光体において生ずる後方散乱などの効果をより正確に反映させたＥＩＤ関数を用いて高速処理が可能な近接効果補正方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 電子ビームの露光強度の分布をガウシアン関数と指数関数とを用いた近似式により近似し、しかる後に、前記指数関数を含む項を複数のガウシアン関数により近似して得られた露光強度分布関数を用いて露光条件を調節することを特徴とする近接効果補正方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 短時間で精度良く荷電粒子ビームの位置を計測する。
【解決手段】 複数本の荷電粒子ビームを用いて被露光基板を露光する荷電粒子線露光装置において、前記荷電粒子ビームの一部または全部について各ビームの前記基板の位置における２次元もしくは直径方向の強度分布を計測する手段と、計測した各荷電粒子ビームの前記強度分布の２次元像または直径方向の一次元プロファイルに対し複数の評価領域を設定しこれら複数の各評価領域において前記基板上での各荷電粒子ビームのビーム位置を算出する手段とを設ける。 （もっと読む）

【課題】 パターン描画用の電子線露光装置に使用される電子ビームの照射密度の場所によるばらつきを少なくする電子ビーム管理装置を提供すること。
【解決手段】 電子ビーム管理装置は、電子ビームを放射する電子銃と、所定のパターンを有する試料から反射した反射電子ビームを検出する反射ビーム検出器とを有し、反射電子ビームを評価し、電子ビームを管理する。本装置は、反射電子ビームの強度を表す波形を曲線で近似するために、曲線を規定する１以上のパラメータの値を選択する手段と、前記１以上のパラメータの値が許容値でない場合に、電子ビームの放射条件及び反射条件の少なくとも一方を変更する手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線露光装置において、照射荷電粒子線の強度分布を検出し、該分布を均一にするように制御することで、精度よいパターン描画を実現する。
【解決手段】 荷電粒子線源より照射された荷電粒子線をアパーチャアレイ３ａに設けられた複数の開口で複数の荷電粒子ビームに分割し、アパーチャアレイ３ａに設けられた前記開口を通過する際の前記荷電粒子ビームの強度を検出する検出手段と、前記検出手段の検出結果に基づいて前記荷電粒子ビームの強度を調整する調整手段とを有し、前記複数の開口を通してウエハ５上に到達する前記荷電粒子ビームの強度分布を均一とする。 （もっと読む）

【課題】 荷電ビーム描画装置の描画精度を向上する。
【解決手段】 第１成形アパーチャ８上のビーム電流分布傾向を第１の偏向手段２により偏向された複数の偏向状態において測定し、それらの測定値をもとに第１の偏向手段２にフィードバックを行うことで、制限アパーチャ４の開口部と制限アパーチャ４上のビームの電流密度分布の位置関係に関する調整を行う。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線の照射量を安定して高精度に計測することができる荷電粒子線露光装置を提供する。
【解決手段】 感応基板ステージ上に配置され、投影ビームを検出するセンサ４０を具備する荷電粒子線露光装置であって、 センサ４０はビーム入射開口７５を有し、ビーム入射開口７５の大きさが、投影ビームの偏向形態６０の大きさとほぼ等しいか、それよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】所望のパターン寸法精度を得られる荷電粒子線露光装置を提供する。
【解決手段】露光される基板に対して荷電粒子線の遮蔽と露光を繰り返すブランキング手段を用いて前記基板を露光する荷電粒子線露光装置において、ブランキングの方向を調整する。ブランキングの方向は、例えばラスタースキャン方向と垂直な方向または荷電粒子線の基板上でのビーム径が最も短い方向となるように調整する。 （もっと読む）