【課題】レジストの厚膜化を必要とせず、スループットの低下を最小限にして、ラフネスを向上させることのできる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】パターンの面積密度と、電子ビームの照射量と、パターンのエッジラフネスとの関係を求め、所定の領域におけるパターンの面積密度と電子ビームの照射量とから、上記関係を用いて、このパターンのエッジラフネスが許容値以下であるか否かを判定する。エッジラフネスが許容値を超える場合には、パターンの面積密度を小さくするリサイズ量を計算し、このリサイズ量に基づきリサイズされたパターンについて、上記領域におけるこのパターンの面積密度と電子ビームの照射量とを求め、上記関係を用いてこのパターンのエッジラフネスが許容値以下であるか否かを判定する工程をエッジラフネスが許容値以下となるまで繰り返す。 （もっと読む）

【課題】電子レンズの孔の内部にまで付着したコンタミネーションを除去するのに有利な洗浄機構を有する電子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】この電子ビーム描画装置１は、描画を実施する際に被処理基板に対向する場所に位置する電子レンズ１６と、電子レンズ１６に付着した分解生成物３４に対して活性種Ｈ^＊を放出し、該活性種Ｈ^＊と分解生成物３４とを反応させることで該分解生成物３４を還元して揮発性ガスに変化させる洗浄手段２１とを備える。この洗浄手段２１は、活性種Ｈ^＊が電子レンズ１６に形成された電子ビームが通過する複数の孔３０の形成位置に向かって放出されるように形成された複数の開口部３７ａを有する。 （もっと読む）

【目的】オーバーレイエラーを低減させる描画方法および描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画方法は、隣り合うマスク基板１０，２０の対応する各位置が同一のストライプ３０内に入るように、マスク基板１０，２０の領域を含む領域を短冊状の複数のストライプ３０に仮想分割する工程と、ストライプ３０毎に、マスク基板１０に対し第１のパターンを、マスク基板２０に対し第１のパターンを相補する第２のパターンを描画する工程と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、オーバーレイエラーを低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】スループットを向上させる。
【解決手段】試料Mに荷電粒子ビーム10a1bを照射することによりパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置10において、処理部10b1g3内の演算部10b1g3c1,10b1g3c2,…およびメモリ10b1g3dに余裕がある時に、処理部10b1g3内のデーモン10b1g3aによって、余っている演算部10b1g3c7およびメモリ10b1g3dを用いて次のプロセスを追加起動可能である旨を描画制御ユニット10b1g1に報告すると共に、描画制御ユニット10b1g1からの起動要求に基づいて次のプロセスを先行して起動させ、処理部10b1g3内の演算部10b1g3c1,10b1g3c2,…およびメモリ10b1g3dが不足するおそれがある時に描画制御ユニット10b1g1からの次のプロセスの起動要求があった場合に、処理部10b1g3内のデーモン10b1g3aによって次のプロセスの起動を拒否する。 （もっと読む）

【目的】描画装置の計算機の過負荷状態を引き起こさない、或いは緩和することが可能な装置を提供することを目的とする。
【構成】描画装置１００は、第１のモジュールと、実行周期で動作を実行する第２のモジュールとを並行して実行するＣＰＵ１１２と、ＣＰＵ使用率を監視し、使用率に応じて増減する新たな実行周期を演算し、出力する負荷制御部１１６と、第１のモジュールの実行によって制御される、試料にパターンを描画する描画部１５０と、を備え、ＣＰＵ１１２は、新たな実行周期が出力された際に、以降は当該新たな実行周期で第２のモジュールを実行することを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】高精度パターンの寸法精度を向上させながらより高速な描画を可能とし得る方法を提供することを目的とする。
【構成】描画データの作成方法は、電子ビームを用いて描画される描画精度の異なる複数のパターンが定義された描画データを記憶する記憶装置から各パターンのデータを読み出し、描画精度が低精度側のパターンのうち、描画精度が高精度側のパターンの領域端から近接効果の影響範囲内に位置する部分パターンを切り出す工程（Ｓ１０６）と、切り出された低精度側の部分パターンと当該高精度側のパターンとをマージ処理する工程（Ｓ１１０）と、マージ処理されたパターンのデータと切り出されずに残った低精度側の残部分パターンのデータとを出力する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は、ターゲットに像を、像をターゲットに転送するための複数の荷電粒子小ビームを使用して投影するための、荷電粒子を基本としたリソグラフイシステムであって、このシステムは、荷電粒子源と、コリメータレンズと、アパチャーアレイと、ブランキング手段と、ビーム絞りとを備え、前記複数の荷電粒子小ピームを発生させるための電子光学集合体を有する荷電粒子カラムと、前記ターゲットに前記複数の荷電粒子小ビームを投影させるためのプロジェクターとを具備する。前記プロジェクターは、前記電子光学集合体に対してプロジェクターを移動させるための少なくとも１つのプロジェクターのアクチュエータによりリソグラフイシステム内で移動可能であり、前記プロジェクターのアクチュエータは、前記プロジェクターを機械的に駆動し、移動の少なくとも１自由度をプロジェクターに与え、前記自由度は、システムの光軸を中心とした移動に関連している。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査装置を用いた荷電粒子ビーム描画装置の故障診断方法であって、荷電粒子ビーム描画装置に不良が生じた場合にそれを初期段階で正しく検知することのできる方法を提供する。
【解決手段】基板に対して、通常条件、欠陥を発生し難い安全条件、欠陥を発生し易い加速条件の３条件で描画を行い、レジストパターンを形成した後、欠陥検査装置を用いて領域毎の欠陥数を求める。そして、各条件について、検査感度と欠陥数の平均的な関係を求め、かかる関係から外れる値（欠陥数）があるか否かを調べる。例えば、安全条件で描画した領域と加速条件で描画した領域の双方において、平均値から同じように数が増加する欠陥があれば、この欠陥はプロセスに依存するものと推測できる。一方、これらの領域間で欠陥数に差がある欠陥については、電子ビーム描画装置に起因するものと推測できる。 （もっと読む）

荷電粒子ビームを導く改良された方法であり、１つまたは複数の偏向器信号を変化させることによって、荷電粒子がシステムを通過するのに要する時間を補償する方法。本発明の一実施形態によれば、ＴＯＦエラーが原因で起こることがあるオーバシュート効果を低減させ、または排除するために、デジタル−アナログ（Ｄ／Ａ）変換の前に、走査パターンをデジタル・フィルタにかける。他の実施形態では、ＴＯＦエラーを補償するのに、アナログ・フィルタ、またはより低い帯域幅を有する信号増幅器の使用を使用することもできる。走査パターンを変化させることによって、オーバシュート効果をかなり低減させ、または排除することができる。
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【課題】評価対象信号をサンプリングすることにより高精度にセトリングタイムを測定する。
【解決手段】制御装置１０１は、サンプリング回路１０３を前記評価対象信号１０７の周期に同期した所定の時点でサンプリングするとともに、予め設定したサンプリング回数に達した後またはホールドコンデンサの出力電圧の変動が所定値以下になった後は、前記サンプリング時点を予め設定した所定時間だけ遅延した時点に再設定し、この再設定した時点でサンプリングを再開するとともに、前記ホールドコンデンサの、前記予め設定したサンプリング回数に達した時点またはホールドコンデンサの出力電圧の変動が所定値以下になった時点における出力電圧の変化の履歴をもとにセトリングタイムを算出する。 （もっと読む）

【目的】データ処理途中でのデータ量をできるだけ低減させることが可能な描画装置を提供することを目的とする。
【構成】描画装置１００は、複数の図形パターンがチップ領域に定義されたレイアウトデータを入力し、記憶する記憶装置１４０と、レイアウトデータに定義される複数の図形パターンのパターンデータを変換して、電子ビーム２００を試料１０１にショットするためのショットデータを生成するショットデータ生成部１３４と、多重描画を行う際の繰り返し数に応じて、生成されたショットデータを複写する多重展開処理部１３６と、多重描画の描画回数分のショットデータを用いて、試料１０１に多重描画を行う描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、データ処理途中でのデータ量を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】寸法変動を低減することのできる荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置は、レジスト膜のロット毎の平均膜厚が入力される入力部２０と、フレーム情報をレジスト膜の膜厚に応じて補正する描画データ補正部３１とを有する。描画データ補正部３１は、平均膜厚に対応した補正照射量を求める補正照射量算出部と、補正照射量から試料の所定位置における荷電粒子ビームの照射量を求める照射量算出部とを有し、この照射量に基づいてマスク２に対し電子ビームで描画が行われる。補正照射量は、近接効果補正照射量、かぶり補正照射量およびローディング効果補正照射量の少なくとも１つである。 （もっと読む）

【目的】描画直前情報や描画時の情報をパターンと一緒に描画可能な描画装置および方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、試料１０１に描画されるパターンの描画データを入力し、描画データを基に、試料にパターンを描画する描画部１５０と、試料が描画された際の描画情報を入力し、描画情報に基づいて描画情報を示す図形コードの描画データを生成するコード用描画データ生成部１２と、を備え、描画部１５０は、さらに、図形コードの描画データを基に、試料１０１に図形コードを描画することを特徴とする。本発明によれば、描画が開始した後でなければわからない描画時の情報を図形コードとして、試料に描画することができる。 （もっと読む）

【目的】ローディング効果の寸法補正での誤差をより小さくすることが可能な装置を提供する。
【構成】リサイズ装置３００は、メッシュ領域内の第１の寸法のパターンが占める第１の面積密度を算出する面積密度算出部１０と、第１の面積密度に基づいて、ローディング効果により生じる第１の寸法誤差を算出する寸法誤差算出部１２と、第１の寸法誤差が補正された第２の寸法を算出する寸法算出部１４と、第２の寸法のパターンが占める第２の面積密度を算出する面積密度算出部１６と、第２の面積密度に基づいて、ローディング効果により生じる第２の寸法誤差を算出する寸法誤差算出部１８と、第２の寸法に第２の寸法誤差を加算した第３の寸法を算出する寸法算出部２０と、第１の寸法と第３の寸法との差分が許容範囲内かどうかを判定する判定部２２と、差分が許容範囲内に入る第２の寸法のパターンを出力するリサイズ処理部２６と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】描画状況下での高さ測定位置の検出が可能なフォトマスク高さ測定方法及びこの高さ測定が可能な電子線描画装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 キャリブレーションマークに光の反射率が異なるパターンを作成し、このパターンを光で走査し、検出された光量データと対応させて高さ測定する測定点の位置を特定し、描画状況下で、前記走査及び前記高さ測定する測定点の位置の特定を行い、所定の光量データに対応する測定点の位置を前記描画状況の前後で比較し、描画状況下における位置ずれを検出し、この位置ずれから、描画状況下の高さ測定する測定点の位置の補正データを生成する高さ測定方法及び電子線描画装置を提供する。
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【課題】基板側面に帯電する電荷を低減させる機構を提供する。
【解決手段】基板カバー１０は、電子ビームを用いて描画される基板１０１上に配置され、基板１０１の外周端よりも外形寸法が大きく形成され、外周端よりも小さな寸法で中央部に開口部が形成されたフレーム１２と、フレーム１２の下面側に設けられ、基板１０１と接続して導通させるアースピン１６と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、基板１０１側面に帯電する電荷によるビーム軌道のずれを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】被露光材上に精度良く「抜け勾配」を持った形状を加工することのできるイオンビーム加工方法およびイオンビーム加工装置を提供する。
【解決手段】被露光材Ｗの材質および厚さｄ、イオンビームのイオン種ならびにイオンビームエネルギー値に基づいて被露光材におけるイオンの注入角度αを予測し、注入角度と目標注入角度とを比較してこれらが異なるときは注入角度が目標注入角度になるまでイオンビームエネルギー値を増減させて注入角度を予測し、注入角度が目標注入角度になったときのイオンビームエネルギー値により被露光材にイオンビームを照射する。 （もっと読む）

【課題】レジストヒーティングの影響による寸法精度の劣化を抑制することができ、描画精度の向上に寄与する。
【解決手段】偏向器の偏向幅で決まるフィールド領域を複数のサブフィールドに分割し、サブフィールド内のパターンをショット描画する荷電ビーム描画方法であって、サブフィールド内を格子状に分割し（Ｓ１）、現在のショット位置に対して次のショット位置が１格子以上離れるように該サブフィールド内のショットの順番を並べ替える（Ｓ３）。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム露光装置内部のコンタミネーションの発生を抑制するとともにビームドリフトの発生を抑制することのできる電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光装置のクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】電子銃１０１から発生させた電子ビームでウエハステージ１２４に載置した試料上に所望のパターンを露光する電子ビーム露光装置において、前記電子銃１０１及びウエハステージ１２４が収納されているコラム１００内に還元性ガスを注入する手段１２９と、前記コラム１００内に前記還元性ガスの注入を所定の時間継続して行わせる制御手段２０９とを有する。更に前記コラム１００内にオゾンガスを注入する手段１２８を有し、前記制御手段２０９は、前記コラム１００内に前記還元性ガスの注入に加えてオゾンガスの注入を所定の時間継続して行わせるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】部分一括露光用マスクを用いて描画した隣接するパターンの周辺部に生ずる近接効果を、部分一括露光法によって精度良く補正するために必要な近接効果補正用のマスク、そのマスクを用いた近接効果の補正方法及び近接効果の補正を行う電子ビーム露光装置を提供すること。
【解決手段】開口部の大きさが配列順に所定の割合で周期的に変化するように配列された近接効果補正用の開口部を有する電子ビーム露光用マスクを用いて、部分一括露光用マスクを用いて描画した隣接するパターンの周辺部に重ねて露光することを特徴とする電子ビーム露光方法による。前記パターンの周辺部に重ねてする露光は、前記電子ビーム露光用マスクの一部を用いて行っても良い。 （もっと読む）