【課題】ａ）紫外線スペクトル領域において強力かつ均一に吸収でき、ｂ）レジスト材料を、「倒れ込み」および意図したレジストラインの外側への広がりまたは内側への接触から守ることができ、およびｃ）フォトレジスト現像剤に対して不浸透性であることのできる反射防止コーティングならびにスピンオンガラス反射防止コーティングの製造方法を提供。
【解決手段】吸収組成物は、少なくとも１つの無機ベース化合物、少なくとも１つの吸収化合物および少なくとも１つの材料変性剤を含む。更に、吸収組成物の製造方法は、ａ）少なくとも１つの無機ベース化合物、少なくとも１つの吸収化合物、少なくとも１つの材料変性剤、および１つまたは複数の溶媒を組み合わせて反応混合物を形成する工程であって、少なくとも１つの材料変性剤が、少なくとも１つの酸および水を含む工程、およびｂ）反応混合物を、吸収材料、コーティングまたはフィルムに形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ケイ素含有誘電体材料の層の誘電率の修復
【解決手段】第１の誘電率および少なくとも１つの表面を有するケイ素含有誘電体材料の層の誘電率の修復方法であって、ケイ素含有誘電体材料の層の第１の誘電率が第２の誘電率まで増加しており、該方法は、ケイ素含有誘電体材料の層の少なくとも１つの表面と、ケイ素含有流体とを接触させるステップ、そしてケイ素含有誘電体材料の層の少なくとも１つの表面を、紫外線照射、熱、および電子ビームからなる群から選択されるエネルギー源に曝すステップ、の各ステップを含み、ケイ素含有誘電体材料の層は、ケイ素含有誘電体材料の層をエネルギー源に曝した後の第２の誘電率より低い第３の誘電率を有する、方法。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層を用いたトップゲート構造において、電流駆動能力の向上を確実に図ることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース電極１３ｓ−ドレイン電極１３ｄ間にわたって設けられた有機半導体層１５と、これらの上部にゲート絶縁膜１７を介して設けられたゲート電極１９とを有するトップゲート型の薄膜トランジスタ１-1である。特に、ゲート絶縁膜１７は、フッ素系溶媒に可溶な樹脂からなるフッ素樹脂層１７ａ、無機材料からなる密着層１７ｂ、およびフッ素樹脂層１７ａを構成する樹脂よりも誘電率が高い樹脂材料からなる高誘電率樹脂層１７ｃとをこの順に積層した３層構造である。 （もっと読む）

【課題】製造過程の絶縁膜の剥離や飛散を抑制して半導体装置を歩留まり良く製造する。
【解決手段】ウェーハの上方に下地となる第１絶縁膜を介して第２絶縁膜を形成し（ステップＳ１，Ｓ２）、熱処理を行った後（ステップＳ３，Ｓ４）、その熱処理後の第２絶縁膜の一部を選択的に除去する（ステップＳ５）。熱処理の間、第１絶縁膜を第２絶縁膜で覆い、熱処理時の第１絶縁膜の剥離及び飛散を抑制する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層への吸湿や絶縁層を通過する水分の配線層やビアへの悪影響を抑制でき、その結果、誘電率の上昇、配線金属の腐食、配線金属の絶縁膜中への滲みだし、リーク電流の増大等の問題のいずれかまたは全てを抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】本半導体装置は、絶縁性組成物上の溝、穴または溝と穴の両方に、当該絶縁性組成物を窒化してなる窒素含有組成物とフッ素含有組成物と導体とがこの順に積層されてなる構造体を含む。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層における膜亀裂を減少させる方法を記載する。
【解決手段】 方法には、基板上に第一誘電体膜を堆積させるステップと、膜上でエッチングを行うことにより第一誘電体膜の最上部を除去するステップとが含まれるのがよい。方法には、また、エッチングされた第一膜の上に第二誘電体膜を堆積させるステップと、第二誘電体膜の最上部を除去するステップとが含まれるのがよい。更に、方法には、第一誘電体膜と第二誘電体膜をアニールして、誘電体層を形成するステップが含まれるのがよく、第一誘電体膜と第二誘電体膜から最上部を除去することにより誘電体層における応力レベルが低下している。 （もっと読む）