【課題】ポリマーアロイに配向性の高い相分離構造のパターンを短時間で形成することのできるパターン形成方法及びポリマーアロイ下地材料を提供する。
【解決手段】基板上に自己組織化単分子膜とポリマー膜を積層する工程と、エネルギー線を照射することにより前記ポリマー膜と前記自己組織化単分子膜を化学結合させ、ポリマー表面層を前記自己組織化単分子膜上に形成する工程と、相分離構造のパターンを有するポリマーアロイを前記ポリマー表面層上に形成する工程と、を含むパターン形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ケイ素含有誘電体材料の層の誘電率の修復
【解決手段】第１の誘電率および少なくとも１つの表面を有するケイ素含有誘電体材料の層の誘電率の修復方法であって、ケイ素含有誘電体材料の層の第１の誘電率が第２の誘電率まで増加しており、該方法は、ケイ素含有誘電体材料の層の少なくとも１つの表面と、ケイ素含有流体とを接触させるステップ、そしてケイ素含有誘電体材料の層の少なくとも１つの表面を、紫外線照射、熱、および電子ビームからなる群から選択されるエネルギー源に曝すステップ、の各ステップを含み、ケイ素含有誘電体材料の層は、ケイ素含有誘電体材料の層をエネルギー源に曝した後の第２の誘電率より低い第３の誘電率を有する、方法。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を有する半導体装置において、貫通電極によって被覆された貫通孔の内部を充填する保護層にクラック等が発生する不具合を防止する。
【解決手段】
貫通電極９を被覆するとともに、貫通孔６内を充填する保護層１０を備える半導体装置１において、保護層１０が複数層１１、１２からなり、複数層の保護層のうち最も半導体基板２の一面２ａに近い層が、少なくとも貫通電極の底面９ａと側面９ｂの交差部を被覆し、かつ、ポジ型感光性樹脂を用いて形成されることを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

本発明は、エッチングマスクパターン形成用ペースト及びそれを用いたシリコン太陽電池の製造方法を開示する。本発明のエッチングマスクパターン形成用ペースト組成物は、シリコン太陽電池の選択的エミッタ製造に使用され、無機物粉末、有機溶媒、バインダー樹脂、及び可塑剤を含むことを特徴とする。本発明のペースト組成物で形成したエッチングマスクパターンは、基板との接着力に優れ、エッジカール（ｅｄｇｅ−ｃｕｒｌ）現象を防止することができる。これにより、選択的エミッタ形成のためのエッチバック工程におけるエッチング耐性に優れ、安定的なエミッタを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 結晶系半導体基板のエッチング工程における保護膜の形成と剥離を簡略化し、生産性を向上させることができる表面保護部材を提供する。
【解決手段】 結晶系半導体基板をエッチング液に接触させてエッチングする工程において、結晶系半導体基板をエッチング液から部分的に保護するための表面保護部材であって、該表面保護部材が基材とその上に積層された粘着性樹脂組成物を含み、該粘着性樹脂組成物が、ポリブタジエン骨格及び／又はポリイソプレン骨格を有するウレタン樹脂及びラジカル重合開始剤を含有することを特徴とする表面保護部材。 （もっと読む）

【課題】製造過程の絶縁膜の剥離や飛散を抑制して半導体装置を歩留まり良く製造する。
【解決手段】ウェーハの上方に下地となる第１絶縁膜を介して第２絶縁膜を形成し（ステップＳ１，Ｓ２）、熱処理を行った後（ステップＳ３，Ｓ４）、その熱処理後の第２絶縁膜の一部を選択的に除去する（ステップＳ５）。熱処理の間、第１絶縁膜を第２絶縁膜で覆い、熱処理時の第１絶縁膜の剥離及び飛散を抑制する。 （もっと読む）

【課題】シートフィルムに担持させた薄膜を基板に転写することで基板上に薄膜を形成する薄膜形成方法において、基板や薄膜を損傷させることなく、また大量処理に適した技術を提供する。
【解決手段】薄膜Ｒを担持させたＰＶＤＦ樹脂シートフィルムＦをウエハＷに密着させてなるワークＷＫを複数枚、ＤＭＡまたはＤＭＦ溶剤Ｌ３を貯留する溶剤槽３に浸漬することでシートフィルムＦのみを溶解させる。その後、アセトンによるリンス処理、純水による洗浄処理および乾燥処理を行うことで、表面に薄膜Ｒが形成されたウエハＷを得る。 （もっと読む）

【課題】有機絶縁膜を被覆した無機絶縁膜のエッチング時にエッチング残渣が生成しない半導体装置、その製造方法及び当該製造方法に使用する感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体素子１上に形成された少なくともパッド電極２及び金属配線上に無機絶縁膜３を形成する工程と、前記無機絶縁膜３上に有機絶縁膜４であるフッ素非含有有機絶縁膜を形成する工程と、前記フッ素非含有有機絶縁膜をパターン加工する工程と、前記パターン加工により露出された前記無機絶縁膜３をフッ素含有ガスによりドライエッチングして前記パッド電極２を露出させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】配線層に空隙部を設けた半導体装置における配線間容量を確実に低減できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０１の上に形成された第１絶縁膜１０２と、該第１絶縁膜１０２に選択的に形成された複数の配線１０８とを有している。第１絶縁膜１０２における複数の配線１０８のうちの一部の配線同士の間の領域にはエアギャップ１０２ｃが形成されており、第１絶縁膜１０２におけるエアギャップ１０２ｃの底部及び該エアギャップ１０２ｃと隣接する配線１０８の下側部分の誘電率は、第１絶縁膜１０２におけるエアギャップ１０２ｃと隣接しない配線１０８の下側部分の誘電率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】 相互接続積層物内の誘電層間にナノスケール波形界面を有するデバイス構造を提供する。
【解決手段】 相互接続積層物においてナノメートル・スケール波形界面を有する界面を含む誘電複合構造は、接着強度および界面破壊靭性の向上をもたらす。また、波形接着促進物層（１１４）を更に含んで固有の界面接着を更に向上させる複合構造も記載する。また、自己アセンブリング・ポリマー系およびパターン転送プロセスを用いてこれらの構造を可能とするための、ナノメートル・スケール波形界面を形成するための方法も記載する。 （もっと読む）

【課題】ダイシング工程等で発生する基板クラックの影響を半導体装置の回路素子形成領域に及ばないようにする。
【解決手段】Ｓｉ基板１３に回路素子形成領域１４と当該回路素子形成領域を覆う表面保護膜１６が形成されている。表面保護膜１６の端部における膜厚Ａが、回路素子形成領域１４上の膜厚Ｂよりも厚くなっている。 （もっと読む）

半導体素子の微細ギャップ充填用化合物、及び前記化合物を含む組成物が提供される。前記組成物は、一般的なスピンコーティング技術で、基板にある直径が７０ｎｍ以下、アスペクト比（高さ／直径の比）が１以上の孔を空気の細孔などの欠陥がなく完全に埋めることが可能である。さらに、前記組成物は、焼成による硬化後に、フッ酸溶液で処理することにより、制御可能な速度で孔から残余物を全く残さないで完全に除去されうる。さらに前記組成物は保管中に非常に安定である。 （もっと読む）

【課題】感光性ポリイミド膜の膜厚に基づく色の差を抑制する半導体装置の製造方法を提
供する。
【解決手段】既定の膜厚を有する基準となる感光性ポリイミドの色を予め測定する工程と
、半導体基板１１の表面に、この基準となる感光性ポリイミドの膜厚より厚く、改質前の
感光性ポリイミド２１を塗布する工程と、色を表わす物理量の内の少なくとも１つの物理
量と露光量との関係を示す所定の加熱処理条件で予め求めておいた検量データに基づいて
、感光性ポリイミド２１に対して、測定された基準となる感光性ポリイミドにおける色の
物理量との差が所定の範囲内となるような露光量でエネルギー線４２を照射する工程と、
感光性ポリイミド２１に対して上述の所定の加熱処理条件にて加熱処理を行う工程とを備
えている。 （もっと読む）

【課題】非感光性のシロキサン樹脂を用いて、ウェットエッチング法で所望の形状に形成された絶縁膜を形成することができる、絶縁膜の作製方法を提供する。
【解決手段】有機溶媒中にシロキサン樹脂またはシロキサン系材料を有する懸濁液を用いて薄膜を形成し、薄膜に第１の加熱処理を施し、第１の加熱処理後の薄膜上にマスクを形成し、有機溶媒を用いてウェットエッチングすることで、第１の加熱処理後の薄膜の形状を加工し、加工された薄膜に第２の加熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】一つのマスク工程にパターンの違う二つの絶縁膜を形成する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】二重絶縁膜が備えられた半導体装置において、前記絶縁膜は第1パターンの第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜と異なるパターンおよび他の材料で前記第1絶縁膜上に備えられ、感光物質を含む第2絶縁膜を含み、前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜が重畳される第1領域、前記第1絶縁膜が形成される第2領域、および絶縁膜が存在しない第3領域を含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜のエッチングレートを安定化するとともに、より安定したデバイス特性を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板１１上に過水素化ポリシラザンを塗布し、少なくとも過水素化ポリシラザンを塗布した基板１１上を、超音波が印加された１２０℃以上に加熱された水を含む混合液に浸漬して、過水素化ポリシラザンを酸化シリコンに改質する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レジストパターンを形成するためのリソグラフィー工程を行わずに、ポリアセンまたはポリアセン誘導体からなる有機半導体層をパターニングする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基体上に、ポリアセンまたはポリアセン誘導体からなる有機半導体材料を成膜することで、有機半導体層１７を形成する工程と、有機半導体層１７の所定箇所を露光し、露光された部分の有機半導体材料を酸化体に変化させる工程と、基体の表面に、上記酸化体を選択的に溶解する有機溶剤を供給し、酸化体を有機溶剤に溶解させて除去することで、有機半導体層１７をパターニングする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層における膜亀裂を減少させる方法を記載する。
【解決手段】 方法には、基板上に第一誘電体膜を堆積させるステップと、膜上でエッチングを行うことにより第一誘電体膜の最上部を除去するステップとが含まれるのがよい。方法には、また、エッチングされた第一膜の上に第二誘電体膜を堆積させるステップと、第二誘電体膜の最上部を除去するステップとが含まれるのがよい。更に、方法には、第一誘電体膜と第二誘電体膜をアニールして、誘電体層を形成するステップが含まれるのがよく、第一誘電体膜と第二誘電体膜から最上部を除去することにより誘電体層における応力レベルが低下している。 （もっと読む）

【課題】感光性を有し、短時間で現像でき、かつ感光性組成物に由来した着色がない薄膜パターンを形成することを可能とするシリコン含有感光性組成物、これを用いた薄膜パターンの製造方法、電子機器用保護膜、トランジスタ、カラーフィルタ、有機ＥＬ素子、ゲート絶縁膜及び薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ＳｉＨ基を有する少なくとも１種のシリコン含有ポリマーと、光線もしくは放射線の照射により酸または塩基を発生する化合物とを含有し、シリコン含有ポリマーが、下記式（１）で表される２個の加水分解性基を有する少なくとも１種のシラン化合物（Ａ）を重合して得られたポリマーからなり、シラン化合物（Ａ）が、ＳｉＨ基を有するシラン化合物を含む、シリコン含有感光性組成物。
ＳｉＨ_ｐ（Ｘ）_２（Ｒ_１）_２−ｐ・・・式（１） （もっと読む）

【課題】露光工程なしで現象溶液に対して容易なエッチング速度を有する共重合体、分子樹脂組成物及びそれを用いたパターン及びキャパシタの製造方法を提供する。
【解決手段】バッファ膜用高分子組成物は、ベンジルメタクリレート、アルキルアクリル酸及びヒドロキシアルキルメタクリレートを含む共重合体、架橋剤、熱酸発生剤、界面活性剤及び残部の溶媒を含む組成を有する。このような組成を有する高分子組成物で形成されたバッファ膜は半導体素子のパターン及びキャパシタを形成する工程の縮小及び工程効率を極大化させることができるアッシング特性を有する。 （もっと読む）