Fターム[5F058BF53]の内容
絶縁膜の形成 (41,121) | 無機絶縁膜の形成法 (10,542) | 基板、処理対象等の直接変換 (1,722) | 加熱変換 (1,052) | 温度 (363)
Fターム[5F058BF53]の下位に属するFターム
500度未満 (107)
500〜1,000度 (178)
1,000度超過 (74)
Fターム[5F058BF53]に分類される特許
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炭化ケイ素半導体デバイス
【課題】航空機の配電システムでの使用に際しても、十分に信頼できる炭化シリコンを使用したMOSFETを提供する。
【解決手段】炭化シリコンMOSFETのゲート絶縁膜16を、シリコンからなる第1の層と炭化シリコンからなる第2の層15に貼着することによって、第1の層と第2の層との間に境界面を形成した後、シリコンからなる第1の層の一部又は全部を酸化することにより境界面に炭素クラスターの存在しないゲート絶縁膜16を形成する。
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半導体装置の製造方法
【課題】低温領域でも充分な増速酸化現象が起こって大きな酸化速度が得られる熱酸化方法を提供することにある。また、低温領域で形成しても高い信頼性を有する酸化シリコン膜を成膜できる熱酸化方法を提供する。
【解決手段】本発明の基本概念は、プラズマを用いることなく、反応性の大きい酸素ラジカルを大量に生成し熱反応で酸化シリコン膜を形成することにある。具体的には、オゾン(O3)を活性な他のガスと反応させることで、低温領域でも高効率にオゾン(O3)を分解して酸素ラジカル(O*)を大量に発生させることを特徴とする。例えば、活性なガスとしては、ハロゲン元素を含む化合物ガスなどを用いることができる。
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半導体装置
【課題】ゲート電極と高誘電率ゲート絶縁膜の間に生じる反応を抑制でき、高集積化および高速化に適した素子構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁ゲート電界効果トランジスタを有する半導体装置であって、この絶縁ゲート電界効果トランジスタは、高誘電率膜を含むゲート絶縁膜と、第1の導電層およびこの第1の導電層より抵抗率の低い第2の導電層を含む積層構造をもつゲート電極を有し、第1の導電層は、前記高誘電率膜上に接して設けられ、密度5g/cm3以上の窒化チタンからなる半導体装置。
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化学量論組成の窒化シリコン薄膜によって被覆され、かつ電子部品の製造に用いられる基板、特に炭化珪素基板、及び前記膜を形成する方法
本発明は、電子部品の製造に用いられ、かつ化学量論組成の窒化シリコン薄膜で被覆される基板、特に炭化珪素基板、及び前記膜を形成する方法に関する。
基板(1)の上に、少なくとも一つの窒素含有ガスが存在する状態で膜を形成する方法は、前記ガスを透過させる材料膜(2)で基板を被覆し、更に窒化シリコン膜を、基板と材料膜との間の界面に形成するステップを含む。本発明は、特にマイクロエレクトロニクスに適用することができる。
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